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標(biāo)簽 > GaAs
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GaAs晶圓作為常用的一類(lèi)晶圓,在半導(dǎo)體功率芯片和光電子芯片都有廣泛應(yīng)用。而如何處理好該類(lèi)晶圓的清洗和進(jìn)一步的鈍化工作是生產(chǎn)工藝過(guò)程中需要關(guān)注的點(diǎn)。
用于單片集成的硅基外延Ⅲ-Ⅴ族量子阱和量子點(diǎn)激光器研究
硅基光電子技術(shù)以光電子與微電子的深度融合為特征,是后摩爾時(shí)代的核心技術(shù)。硅基光電子芯片可以利用成熟的微電子平臺(tái)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),具有功耗低、集成密度大、傳輸速率...
使用GaAs工藝設(shè)計(jì)過(guò)邏輯電路的人大概率都遇到過(guò)各種各樣奇奇怪怪的收斂性問(wèn)題,比如一個(gè)+5V供電的電路竟然出現(xiàn)了幾十上百伏的節(jié)點(diǎn)電壓;又比如一個(gè)反相器T...
ADS調(diào)用spectre網(wǎng)表仿真異?!Χㄖ@的NetlistInclude
ADS是支持調(diào)用spice/spectre等網(wǎng)表文件進(jìn)行仿真的,可以用NetlistInclude控件來(lái)進(jìn)行調(diào)用。
2024-03-07 標(biāo)簽:MOS管芯片設(shè)計(jì)晶體管 2012 0
磁強(qiáng)計(jì)是如何定義的?磁強(qiáng)計(jì)有哪些分類(lèi)?
磁強(qiáng)計(jì)(Magnetic Field Sensor)也稱(chēng)磁場(chǎng)傳感器(Magnetometer),是一種測(cè)量環(huán)境磁感應(yīng)強(qiáng)度與方向的傳感器。
提高激光器的抗COD能力—無(wú)雜質(zhì)空位誘導(dǎo)混合技術(shù)
為了提高激光器的抗COD能力,常用的一個(gè)手段是無(wú)雜質(zhì)空位誘導(dǎo)混合技術(shù),該方法主要是簡(jiǎn)單。
靶材的種類(lèi)及制備工藝 靶材在半導(dǎo)體領(lǐng)域的應(yīng)用
選擇合適的靶材在半導(dǎo)體工藝中十分重要。
2023-12-28 標(biāo)簽:半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管GaAs 1305 0
非均勻GaAs/AlGaAs量子阱紅外探測(cè)器材料表征和器件性能研究
量子阱紅外探測(cè)器基于子帶躍遷的工作原理,探測(cè)器吸收紅外輻射后激發(fā)量子阱中的電子,使其從基態(tài)躍遷到連續(xù)態(tài)中,從而實(shí)現(xiàn)紅外探測(cè)。
HMMC-2007 DC–8 GHz端接SPDT開(kāi)關(guān)產(chǎn)品簡(jiǎn)介立即下載
類(lèi)別:電子資料 2023-07-19 標(biāo)簽:GaAsSPDT開(kāi)關(guān) 235 0
MAAL_010528高性能X波段GaAs LNA規(guī)格書(shū)立即下載
類(lèi)別:IC datasheet pdf 2023-07-19 標(biāo)簽:LNAGaAs 215 0
MAAL-010528噪聲放大器規(guī)格書(shū)立即下載
類(lèi)別:IC datasheet pdf 2023-07-06 標(biāo)簽:LNAGaAs噪聲放大器 271 0
MAAL-010528高性能X波段GaAs LNA規(guī)格書(shū)立即下載
類(lèi)別:IC datasheet pdf 2023-07-04 標(biāo)簽:LNAGaAs 227 0
類(lèi)別:模擬數(shù)字論文 2022-06-29 標(biāo)簽:光刻蝕刻GaAs 491 0
聚燦光電宣布擴(kuò)建Mini/Micro LED芯片研發(fā)及制造項(xiàng)目
3月6日,聚燦光電發(fā)布公告,宣布擬變更“Mini/Micro LED芯片研發(fā)及制造擴(kuò)建項(xiàng)目”的部分募集資金(共計(jì)8億元)用途,用于新項(xiàng)目“年產(chǎn)240萬(wàn)片...
中國(guó)一直堅(jiān)定地追求技術(shù)優(yōu)勢(shì),特別是在5G、電動(dòng)汽車(chē)和可再生能源等新興領(lǐng)域。這些變革領(lǐng)域嚴(yán)重依賴(lài)于化合物半導(dǎo)體,包括GaAs, Ge, GaN, Ga2O...
2023-12-19 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)GaAs5G 851 0
影響二極管開(kāi)關(guān)速度的主要因素是什么? 二極管開(kāi)關(guān)是電子設(shè)備領(lǐng)域中不可或缺的一種元件,它具有快速切換衰減電壓的特性。二極管開(kāi)關(guān)速度影響了整個(gè)電路的性能,包...
基于InGaAs NFAD的集成型低噪聲近紅外單光子探測(cè)器
近年來(lái),基于InGaAs單光子雪崩二極管(SPAD)的近紅外單光子探測(cè)技術(shù)在遠(yuǎn)距離激光雷達(dá)等系統(tǒng)中的應(yīng)用日益廣泛,展現(xiàn)了其低功耗、小體積等優(yōu)勢(shì)。
GaAs基VCSEL已廣泛應(yīng)用于三維成像、無(wú)人駕駛、物聯(lián)網(wǎng)、數(shù)據(jù)通訊等領(lǐng)域,同時(shí)在光電對(duì)抗、激光雷達(dá)、航空航天等高精尖領(lǐng)域也發(fā)揮著巨大的作用和潛能。
軍備芯片和商用芯片的區(qū)別 芯片14nm對(duì)比5nm差距在哪里?
其實(shí)就目前的情況(截止2022年)而言,現(xiàn)實(shí)和他們想的相反,在很多軍工領(lǐng)域,我國(guó)現(xiàn)役軍備里的芯片反而比美帝要先進(jìn),實(shí)際情況大概率是美國(guó)戰(zhàn)斗機(jī)用90nm芯...
淺析Tower硅光子平臺(tái)結(jié)合光纖與硅芯片連接技術(shù)及量子點(diǎn)激光器
Bump-ready晶圓將Tower的PH18硅光子技術(shù)與允許同時(shí)將大量光纖連接到芯片的功能相結(jié)合——顯著簡(jiǎn)化了組裝成用于數(shù)據(jù)中心和電信網(wǎng)絡(luò)的最終高速數(shù)...
HMC624A是一款6位數(shù)字衰減器,以0.5 dB步長(zhǎng)提供31.5 dB的衰減控制范圍。 HMC624A在100 MHz至6.0 GHz的指定頻率范圍內(nèi)...
為了實(shí)現(xiàn)更高的工作頻率和更低的功耗,硅基 SiGe 射頻 CMOS 和 BiCMOS 工藝技術(shù)在21 世紀(jì)初得到較為廣泛的研究。
Qorvo的CMD275是款寬帶GaAs?MMIC低相噪聲放大器芯片特別適合國(guó)防軍事、航空航天和通訊系統(tǒng)。在10GHz時(shí),CMD275提供16dB的增益...
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