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標(biāo)簽 > GaAs
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GaAs太陽能電池的簡述,主要特點(diǎn)及主要應(yīng)用及市場情況
砷化鎵(GaAs)材料在無線通信、光傳輸、消費(fèi)電子(如3D人臉識別)和太陽能電池等領(lǐng)域獲得廣泛應(yīng)用。前幾期已經(jīng)介紹過砷化鎵在射頻領(lǐng)域的相關(guān)情況,本期1°...
為增進(jìn)大家對太陽能電池的了解,本文將介紹三種太陽能電池:1.多元化合物薄膜太陽能電池,2.聚合物多層修飾電極型太陽能電池,3.納米晶化學(xué)太陽能電池。如果...
2021-02-17 標(biāo)簽:太陽能電池智能電網(wǎng)GaAs 1.1萬 0
基于GaAs IPD的K波段濾波器芯片的設(shè)計資料分析總結(jié)
基于砷化鎵集成無源器件(Integrated Passive Device,IPD)工藝,研制出了一款性能優(yōu)良的K波段發(fā)夾型帶通濾波器芯片,測試結(jié)果表明...
寬禁帶半導(dǎo)體泛指室溫下帶隙寬度E~g~大于等于2.3eV的半導(dǎo)體材料,是繼GaAs、InP之后的第三代半導(dǎo)體材料。半導(dǎo)體材料的禁帶寬度越大,對應(yīng)電子躍遷...
2023-02-02 標(biāo)簽:半導(dǎo)體GaAs寬禁帶半導(dǎo)體 8278 0
盤點(diǎn)GaAs在光電子方面的應(yīng)用及市場規(guī)模
GaAs在光電子方面主要應(yīng)用于激光器、光電二極管、LED等。本文將詳細(xì)介紹該應(yīng)用的產(chǎn)業(yè)鏈情況。
多晶硅太陽能電池結(jié)構(gòu)的優(yōu)點(diǎn)詳細(xì)介紹
雖然太陽能電池在生活中十分常見,但大家對與太陽能電池缺并非十分了解。為增進(jìn)大家對太陽能電池的了解,本文將對多晶硅太陽能電池結(jié)構(gòu)以及多晶硅太陽能電池的優(yōu)點(diǎn)...
氮化鎵(GaN)是否將在所有應(yīng)用中取代砷化鎵(GaAs)
之前的砷化鎵(GaAs)和橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)一樣,氮化鎵(GaN)是一項革命性技術(shù),在實現(xiàn)未來的射頻、微波和毫米波系統(tǒng)方面能夠發(fā)揮巨...
光電子應(yīng)用推動砷化鎵晶圓和外延片市場進(jìn)入新時代
在GaAs射頻市場獲得成功之后,GaAs光電子正成為一顆冉冉升起的新星 據(jù)麥姆斯咨詢介紹,作為最成熟的化合物半導(dǎo)體之一,GaAs無處不在,儼然成為每部智...
LNA 的作用是從天線獲取極其微弱的不確定信號,這些信號通常是微伏數(shù)量級的信號或者低于-100 dBm,然后將該信號放大至一個更有用的水平,通常約為0....
類別:半導(dǎo)體技術(shù)論文 2018-11-19 標(biāo)簽:半導(dǎo)體GaAsX射線 1952 0
為了實現(xiàn)更高的工作頻率和更低的功耗,硅基 SiGe 射頻 CMOS 和 BiCMOS 工藝技術(shù)在21 世紀(jì)初得到較為廣泛的研究。
據(jù)悉,近日,漢能砷化鎵(GaAs)技術(shù)再獲重大突破。據(jù)世界三大再生能源研究機(jī)構(gòu)之一的德國弗勞恩霍夫太陽能系統(tǒng)研究所(Fraunhofer ISE)認(rèn)證,...
通常射頻信號源的簡單應(yīng)用通常只是輸入頻率、功率,加上一些模擬、數(shù)字調(diào)制,然而要充分挖掘出信號源的潛力和性能需要更多的技巧。本應(yīng)用指南會告訴您可以通過更多...
2021-06-18 標(biāo)簽:發(fā)射機(jī)衰減器GaAs 7255 0
在通信接收器中低噪聲放大器(LNA)對于從噪聲中析出信號十分關(guān)鍵??刂葡到y(tǒng)內(nèi)噪聲還有其他技術(shù),包括過濾和低溫冷卻,但低噪聲放大器的良好性能,提供了一種被...
軍備芯片和商用芯片的區(qū)別 芯片14nm對比5nm差距在哪里?
其實就目前的情況(截止2022年)而言,現(xiàn)實和他們想的相反,在很多軍工領(lǐng)域,我國現(xiàn)役軍備里的芯片反而比美帝要先進(jìn),實際情況大概率是美國戰(zhàn)斗機(jī)用90nm芯...
電子遷移率(electron mobility)高。這個特性帶來的功能上的好處是低噪音,高頻。比如GaAs是硅的5倍速度。這種半導(dǎo)體可以進(jìn)行高速運(yùn)算。
2022-09-21 標(biāo)簽:太陽能電池GaAs光電轉(zhuǎn)換 2504 0
來源:羅姆半導(dǎo)體社區(qū) 半導(dǎo)體原料共經(jīng)歷了三個發(fā)展階段:第一階段是以硅 (Si)、鍺 (Ge) 為代表的第一代半導(dǎo)體原料;第二階段是以砷化鎵?(GaAs)...
TriQuint推出新型高性能GaAs射頻驅(qū)動放大器TQP7M9105
TriQuint半導(dǎo)體公司推出兩款采用新封裝的1W和2W砷化鎵 (GaAs) 射頻驅(qū)動放大器--- TQP7M9105、TQP7M9106
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