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標簽 > FinFET工藝
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FinFET 同樣帶來了更多限制,例如電壓閾值感知間隔、植入層規(guī)則等。這些因素將影響擺設(shè)、布局規(guī)劃和優(yōu)化引擎,還會直接影響設(shè)計的利用率和面積。多重圖案拆...
2018-04-04 標簽:finfet工藝 1243 0
新思科技攜手IBM,通過DTCO創(chuàng)新加速后FinFET工藝開發(fā)
采用新思科技Sentaurus、Process Explorer、StarRC、SiliconSmart、PrimeTime和IC Compiler I...
16日,三星電子宣布在基于EUV的高級節(jié)點方面取得了重大進展,包括7nm批量生產(chǎn)和6nm客戶流片,以及成功完成5nm FinFET工藝的開發(fā)。 三星電子...
中芯國際將在2019年量產(chǎn)14納米FinFET,并勾勒28納米三階段藍圖
在28納米制程上,中芯也提出三階段的規(guī)劃藍圖。趙海軍指出,第一階段的polySion制程已經(jīng)量產(chǎn),第二階段是第一代的HKMG制程(中芯稱為HKC制程)已...
新思科技與GLOBALFOUNDRIES持續(xù)合作 推出高質(zhì)量DesignWare IP
高質(zhì)量DesignWare接口和模擬IP經(jīng)過優(yōu)化,可在人工智能、云計算和移動芯片中實現(xiàn)高性能和低功耗。
ARM與臺積電簽署新協(xié)議引入臺積電FinFET工藝
知名芯片設(shè)計廠商ARM公司日前與臺積電公司簽訂了一份為期多年的新協(xié)議,根據(jù)該協(xié)議,雙方將就使用臺積電的FinFET工藝制造下一代64bit ARM處理器...
調(diào)整戰(zhàn)略 AMD將放棄20nm轉(zhuǎn)FinFET工藝
AMD季度業(yè)績前景進行了展望,不是很樂觀,收入可能會下滑8%至大約9.5億美元,比此前預(yù)計的下滑3%嚴重很多,同時非GAAP毛利率僅28%。更有趣的是,...
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