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標(biāo)簽 > IGBT模塊
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IGBT絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻...
什么是IGBT?IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)解釋和拆解
在大致了解了它的結(jié)構(gòu)之后,我們可以用這種結(jié)構(gòu)的黑色模塊做什么呢?舉一個(gè)我們身邊的例子:新型電動(dòng)汽車,大家應(yīng)該都不陌生了。三個(gè)這樣的黑色模塊可以用作三相電...
IGBT模塊:IGBT最常見(jiàn)的形式,是將多個(gè)IGBT芯片集成封裝在一起,功率更大、散熱能力更強(qiáng),適用于高壓大功率平臺(tái),如新能源車、光伏、高鐵等。
igbt模塊型號(hào)及參數(shù) igbt怎么看型號(hào)和牌子
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一種繼MOSFET和BJT之后的新型功率半導(dǎo)體器件,它的特點(diǎn)是結(jié)合了MO...
青銅劍技術(shù)新一代I型三電平小功率IGBT驅(qū)動(dòng)核2QD0225T12-Q解析
近年來(lái),隨著技術(shù)進(jìn)步和國(guó)家政策支持,我國(guó)新型儲(chǔ)能已逐步在電力輔助服務(wù)、用戶側(cè)電價(jià)管理、新能源消納以及電網(wǎng)輸配電服務(wù)等領(lǐng)域得到應(yīng)用。 為有效降低成本、提升...
2022-11-25 標(biāo)簽:IGBT拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)三電平 5499 0
igbt參數(shù)詳解 IGBT功率模塊 IGBT模塊靜態(tài)參數(shù)
在可使用的結(jié)溫范圍內(nèi)柵極-發(fā)射極短路狀態(tài)下,允許的斷態(tài)集電極-發(fā)射極最高電壓。
變頻器IGBT模塊故障與驅(qū)動(dòng)電路(電壓)的關(guān)系立即下載
類別:工控技術(shù) 2018-02-02 標(biāo)簽:變頻器驅(qū)動(dòng)電路igbt模塊 1.3萬(wàn) 0
預(yù)計(jì)2022年全球IGBT市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)60億美元
預(yù)計(jì)2022年全球IGBT市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到60億美元。全球IGBT市場(chǎng)的主要競(jìng)爭(zhēng)者包括英飛凌、三菱電機(jī)、富士電機(jī)、安森美,以及ABB等企業(yè),前五大企業(yè)的市...
2019-08-16 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車智能電網(wǎng)IGBT 2.2萬(wàn) 0
一文詳解IGBT模塊并聯(lián)動(dòng)態(tài)均流方法
動(dòng)態(tài)工作指電力電子器件的開(kāi)通和關(guān)斷過(guò)程。IGBT的開(kāi)關(guān)頻率越高,動(dòng)態(tài)均流問(wèn)題對(duì)整個(gè)系統(tǒng)的影響就越大。
當(dāng)焊接面很大時(shí),因?yàn)楹附用娴臏囟茸冃蜗禂?shù)不同,所以在溫度變化時(shí),會(huì)產(chǎn)生焊接疲勞,直到脫焊。例如,不能使用這種焊接方法在銅底板上焊接大面積的陶瓷。
igbt模塊的作用是什么 IGBT模塊主要用于變頻器逆變和其他逆變電路。將直流電壓逆變成頻率可調(diào)的交流電。它有陰極,陽(yáng)極,和控制極。關(guān)斷的時(shí)候其阻抗是非...
2023-05-17 標(biāo)簽:IGBT模塊 9771 0
盡管開(kāi)關(guān)器件內(nèi)部工作機(jī)理不同,但對(duì)于緩沖電路的分析而言,則只需考慮器件的外特性,IGBT關(guān)斷時(shí)模型可以等效為電壓控制的電流源,開(kāi)通時(shí)可以等效為電壓控制的電壓源。
IGBT國(guó)產(chǎn)化率加速攀升 IGBT國(guó)產(chǎn)化率有望達(dá)38%
? ? ? (報(bào)告出品方/作者:國(guó)金證券,樊志遠(yuǎn)、劉妍雪、鄧小路)
2022-05-27 標(biāo)簽:IGBTIGBT驅(qū)動(dòng)IGBT模塊 8556 0
疫情之后,功率半導(dǎo)體加速國(guó)產(chǎn)替代!
功率半導(dǎo)體在經(jīng)歷了2017年的行業(yè)高點(diǎn)之后,整體營(yíng)收開(kāi)始逐漸下滑,在2019年第一季度增速進(jìn)入最低點(diǎn),至-3.47%,隨后開(kāi)始回升,在2019年第三季度...
2020-05-07 標(biāo)簽:MOSFET功率半導(dǎo)體IGBT模塊 8185 0
功率器件作為電力電子裝置的核心器件,在設(shè)計(jì)及使用過(guò)程中如何保證其可靠運(yùn)行,一直都是研發(fā)工程師最為關(guān)心的問(wèn)題。
2021-06-11 標(biāo)簽:功率器件IGBT模塊散熱系統(tǒng) 7749 0
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