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標(biāo)簽 > mos
MOS管,是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。
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IGBT,絕緣柵雙極型晶體管,是由(BJT)雙極型三極管和絕緣柵型場效應(yīng)管(MOS)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件, 兼有(MOSFET)...
2023-02-16 標(biāo)簽:MOSFET場效應(yīng)管IGBT 1600 0
什么原因?qū)е滦」β薀o刷直流電機(jī)的MOS管被燒壞
什么原因?qū)е驴刂菩」β薀o刷直流電機(jī)的MOS管被燒壞呢?若能夠提供詳細(xì)電路圖及各元器件的型號(比如MOS管型號等)更好,由于沒電路圖,下面對這部分設(shè)計MO...
2023-02-15 標(biāo)簽:小功率MOS無刷直流電機(jī) 1305 0
AIN/AIGaN/GaN MIS異質(zhì)結(jié)構(gòu)C-V分析
C-V測試是研究絕緣柵HEMT器件性能的重要方法,采用Keithley 4200半導(dǎo)體表征系統(tǒng)的CVU模塊測量了肖特基柵和絕緣柵異質(zhì)結(jié)構(gòu)的C-V特性。
外延工藝是指在襯底上生長完全排列有序的單晶體層的工藝。一般來講,外延工藝是在單晶襯底上生長一層與原襯底相同晶格取向的晶體層。外延工藝廣泛用于半導(dǎo)體制造,...
增強(qiáng)型MOS管的結(jié)構(gòu)及工作原理
通常將柵極與襯底連接在一起,這樣襯底與柵極之間就形成電容,當(dāng)柵極與源極之間電壓變化時,將改變襯底靠近絕緣層出的感應(yīng)電荷的多少,從而控制漏極電流大小。
短溝器件的特性與前一節(jié)分析的電阻工作區(qū)和飽和區(qū)的模型有所不同,主要原因是速度飽和效應(yīng)。 載流子的速度正比于電場,遷移率是一個常數(shù),當(dāng)溝道電場達(dá)到某一臨界...
目前MOSFET仍是數(shù)字集成電路廣泛使用的器件,根據(jù)MOS管的靜態(tài)模型,以NMOS為例,分析其電流電壓特性。 器件部分涉及到很多半導(dǎo)體物理、器件物理相關(guān)...
電子元器件有著不同的封裝類型,不同類的元器件外形雖然差不多,但內(nèi)部結(jié)構(gòu)及用途卻大不同,譬如TO220封裝的元件可能是三極管、可控硅、場效應(yīng)管甚至是雙二極管。
什么原因?qū)е驴刂菩」β薀o刷直流電機(jī)的MOS管被燒壞呢?若能夠提供詳細(xì)電路圖及各元器件的型號(比如MOS管型號等)更好,由于沒電路圖,下面對這部分設(shè)計MO...
眾所周知MOS是電壓型驅(qū)動,只有G極比S極高一個開啟電壓Vth之后,MOS才會導(dǎo)通(這里指NMOS)。
同時具備MOSFET和IGBT優(yōu)勢的Hybrid MOS
本文介紹ROHM命名為“Hybrid MOS”的、同時具備MOSFET和IGBT兩者優(yōu)勢的MOSFET。產(chǎn)品位于下圖最下方紅色框內(nèi)。
什么是MOSFET?MOSFET應(yīng)用領(lǐng)域
MOS,是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Fi...
一概述 清洗行業(yè)隨著高壓水槍清洗機(jī)的出現(xiàn),逐漸取代傳統(tǒng)的機(jī)械清洗和化學(xué)清洗方式,以高壓水槍清洗機(jī)為主流的清洗行業(yè)逐漸形成科學(xué)、環(huán)保、高效率的清洗特點,高...
模擬開關(guān),是利用JFET或MOS的特性實現(xiàn)控制信號通路的開關(guān),主要用來完成信號鏈路連接或斷開的切換功能。由于它具有功耗低、速度快、無機(jī)械觸點、體積小和使...
2023-02-09 標(biāo)簽:CMOS模擬開關(guān)MOS 1158 0
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