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nmos管

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nmos管技術(shù)

合科泰NMOS管HKTD80N06的應(yīng)用分析

合科泰NMOS管HKTD80N06的應(yīng)用分析

MOS管作為一種應(yīng)用廣泛的MOS產(chǎn)品,它具有熱穩(wěn)定性好、抗干擾能力強(qiáng)、功耗較低、噪聲低、抗干擾能力強(qiáng)、電壓控制能力強(qiáng)等特點(diǎn),在很多開關(guān)、驅(qū)動(dòng)電路等上面具...

2024-11-08 標(biāo)簽:電機(jī)NMOS管合科泰 94 0

合科泰NMOS管HKTD20N06的應(yīng)用場景

本期,合科泰給大家介紹一款性能強(qiáng)大的NMOS管HKTD20N06,它可用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)和電源模塊等產(chǎn)品中,具有非常好的使用穩(wěn)定性。

2024-10-12 標(biāo)簽:電源模塊NMOS管合科泰 194 0

合科泰NMOS管HKTG50N03的特性和應(yīng)用

合科泰NMOS管HKTG50N03的特性和應(yīng)用

在我們現(xiàn)實(shí)生活中,能用到MOS管的地方太多了。MOS管也有NMOS和PMOS之分,特點(diǎn)和應(yīng)用有些許差異。N溝道MOSFET具有許多優(yōu)點(diǎn),如電流驅(qū)動(dòng)能力強(qiáng)...

2024-09-13 標(biāo)簽:半導(dǎo)體MOS管NMOS管 363 0

合科泰NMOS管HKTQ80N03的特性和應(yīng)用

合科泰NMOS管HKTQ80N03的特性和應(yīng)用

NMOS產(chǎn)品在開關(guān)電路和電壓電流等調(diào)節(jié)電路上具有廣泛應(yīng)用。作為一家專業(yè)生產(chǎn)MOS管等產(chǎn)品的廠商,合科泰生產(chǎn)的這款HKTQ80N03產(chǎn)品采用N溝道制作,具...

2024-08-01 標(biāo)簽:機(jī)器人NMOS管合科泰 361 0

合科泰NMOS管HKTD80N06的特性和應(yīng)用

合科泰NMOS管HKTD80N06的特性和應(yīng)用

MOS管通常在電子電路中作為電子開關(guān),通過控制柵極電壓來開啟或關(guān)閉電流的流動(dòng),它具有開關(guān)速度快噪聲低、功耗小等優(yōu)點(diǎn)。本文給大家推薦一款在國內(nèi)生產(chǎn)的N溝道...

2024-08-01 標(biāo)簽:逆變器bmsNMOS管 457 0

合科泰半導(dǎo)體推出一款N溝道MOS管HKTQ80N03

合科泰半導(dǎo)體推出一款N溝道MOS管HKTQ80N03

MOS管有N溝道MOS和 P溝道MOS等,N溝道MOS是在一塊摻雜濃度較低的P型硅襯底上,制作兩個(gè)高摻雜濃度的N+區(qū),并用金屬鋁引出兩個(gè)電極,分別作漏極...

2024-04-12 標(biāo)簽:鋰電池電機(jī)驅(qū)動(dòng)DFN封裝 714 0

PMOS管和NMOS管防反接電路介紹

PMOS管和NMOS管防反接電路介紹

在電子電路設(shè)計(jì)中,防反接保護(hù)是一個(gè)重要的考慮因素,它的目的是防止因電源接線錯(cuò)誤而損壞電路。使用MOS管(金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管)來實(shí)現(xiàn)這一功能是一個(gè)常見...

2024-02-16 標(biāo)簽:二極管PMOSNMOS管 2995 0

NMOS管和PMOS管如何做開關(guān)控制電路

NMOS管和PMOS管如何做開關(guān)控制電路

NMOS當(dāng)下管,即S極(源極)直接接地,只需控制G極(柵極)電壓即可控制NMOS管的導(dǎo)通或截止,因?yàn)镸OS管導(dǎo)通的條件取決于VGS的壓差。

2024-01-15 標(biāo)簽:開關(guān)控制柵極電壓NMOS管 4285 0

如何設(shè)計(jì)一個(gè)nmos管和一個(gè)pmos管的開關(guān)電路

設(shè)計(jì)一個(gè)NMOS和PMOS管的開關(guān)電路涉及到電路的基礎(chǔ)知識、原理和設(shè)計(jì)過程。在本文中,我們將詳細(xì)討論NMOS和PMOS管的工作原理、開關(guān)電路的設(shè)計(jì)考慮因...

2023-12-21 標(biāo)簽:開關(guān)電路場效應(yīng)晶體管NMOS管 5627 0

mos管帶載不到十秒鐘就冒煙的原因是什么?

mos管帶載不到十秒鐘就冒煙的原因是什么?

Ton和Toff已經(jīng)接近圖二要求的時(shí)間,MOS管24V時(shí)帶載27歐,輸出功率21.3W,輸出電壓正常,MOS管基本不發(fā)熱。 總結(jié)一:MOS管發(fā)熱原因小結(jié)...

2023-12-11 標(biāo)簽:電路設(shè)計(jì)限流電阻開關(guān)損耗 766 0

NMOS管的特性曲線(二)— 轉(zhuǎn)移特性曲線詳解

NMOS管的特性曲線(二)— 轉(zhuǎn)移特性曲線詳解

轉(zhuǎn)移特性曲線:固定VDS值,MOS晶體管的源漏電流IDS隨柵源電壓VGS的變化曲線。

2023-12-01 標(biāo)簽:MOS晶體管漏電流柵極電壓 1.1萬 0

NMOS管的特性曲線(一)— 輸出特性曲線詳解

NMOS管的特性曲線(一)— 輸出特性曲線詳解

輸出特性曲線:固定VGS值,且數(shù)值大于閾值電壓時(shí),MOS晶體管的源漏電流IDS隨VDS的變化曲線。

2023-12-01 標(biāo)簽:MOS晶體管VDS電流電壓 1.2萬 0

MOS管的開通/關(guān)斷原理詳解

MOS管的開通/關(guān)斷原理詳解

你要是想讀懂這篇文章,請先去了解MOS管的基礎(chǔ)知識,本文是在基礎(chǔ)之上做出的一部分?jǐn)U展,可能有一點(diǎn)點(diǎn)深,請各位同學(xué)注意。

2023-11-15 標(biāo)簽:電路設(shè)計(jì)MOS管源極 3538 0

關(guān)于NMOS管軟啟動(dòng)電路設(shè)計(jì)思路

關(guān)于NMOS管軟啟動(dòng)電路設(shè)計(jì)思路

我們知道凡事都得循序漸進(jìn),一步登天都很危險(xiǎn),電路也是如此;在平常電路設(shè)計(jì)中,對于高電壓我們一般都需要很謹(jǐn)慎,如果一個(gè)項(xiàng)目供電電源不再是3V干電池或者鋰電...

2023-11-15 標(biāo)簽:電路設(shè)計(jì)供電電源NMOS管 1485 0

MOS管防反電路的原理分析

MOS管防反電路的原理分析

我們在研發(fā)產(chǎn)品時(shí),我們?yōu)榱吮WC產(chǎn)品的可靠性,我們會(huì)設(shè)計(jì)電源防反電路;這是為了防止電源錯(cuò)插,插反導(dǎo)致主板燒毀;為了防止這種情況的發(fā)生,我們在源頭增加了這一道程序。

2023-11-14 標(biāo)簽:二極管MOS管小電流 1683 0

控制器的高低邊驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)

控制器的高低邊驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)

由于工藝和成本的問題,一般由N溝道增強(qiáng)型MOS晶體管作低邊驅(qū)動(dòng),其具體結(jié)構(gòu)如下圖所示。

2023-11-14 標(biāo)簽:控制器晶體管驅(qū)動(dòng)電路 2372 1

NMOS管應(yīng)用電路設(shè)計(jì)

NMOS管應(yīng)用電路設(shè)計(jì)

這個(gè)電路也叫開漏輸出電路,我們經(jīng)常在MCU中看到有的引腳是開漏輸出,即只能輸出低電平,因?yàn)槁O沒有接電壓。

2023-11-13 標(biāo)簽:三極管mcu應(yīng)用電路 2253 0

與電源無關(guān)的偏置電流你真的懂了嗎?

與電源無關(guān)的偏置電流你真的懂了嗎?

偏置電流?是的,一個(gè)IC系統(tǒng),一般都需要有電流源來給其他模塊提供參考電流。一個(gè)好的參考電流源,要環(huán)路穩(wěn)定,也需要盡量減少其對電源電壓、溫度以及工藝的變化的影響。

2023-11-06 標(biāo)簽:放大器電源電壓偏置電流 3583 0

各種半導(dǎo)體材料的優(yōu)勢與劣勢的原因

各種半導(dǎo)體材料的優(yōu)勢與劣勢的原因

固體中電子的能量是不可以連續(xù)取值的,而是一些不連續(xù)的能帶,要導(dǎo)電就要有自由電子或者空穴存在,自由電子存在的能帶稱為導(dǎo)帶(能導(dǎo)電)。被束縛的電子要成為自由...

2023-10-26 標(biāo)簽:三極管二極管半導(dǎo)體材料 1144 0

CMOS過渡期的晶體管forksheet介紹

最先進(jìn)的計(jì)算機(jī)處理器制造商正在經(jīng)歷十年來器件架構(gòu)的第一次重大變革,即從鰭式場效應(yīng)晶體管(FinFET)轉(zhuǎn)變到納米片(nanosheet)。

2023-10-12 標(biāo)簽:處理器CMOS晶體管 437 0

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    IOT
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    IoT是Internet of Things的縮寫,字面翻譯是“物體組成的因特網(wǎng)”,準(zhǔn)確的翻譯應(yīng)該為“物聯(lián)網(wǎng)”。物聯(lián)網(wǎng)(Internet of Things)又稱傳感網(wǎng),簡要講就是互聯(lián)網(wǎng)從人向物的延伸。
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    海思
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    數(shù)字隔離技術(shù)常用于工業(yè)網(wǎng)絡(luò)環(huán)境的現(xiàn)場總線、軍用電子系統(tǒng)和航空航天電子設(shè)備中,尤其是一些應(yīng)用環(huán)境比較惡劣的場合。數(shù)字隔離電路主要用于數(shù)字信號和開關(guān)量信號的傳輸。另一個(gè)重要原因是保護(hù)器件(或人)免受高電壓的危害。本文詳細(xì)介紹了數(shù)字隔離器工作原理及特點(diǎn),選型及應(yīng)用,各類數(shù)字隔離器件性能比較等內(nèi)容。
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    +關(guān)注
    光模塊(optical module)由光電子器件、功能電路和光接口等組成,光電子器件包括發(fā)射和接收兩部分。簡單的說,光模塊的作用就是光電轉(zhuǎn)換,發(fā)送端把電信號轉(zhuǎn)換成光信號,通過光纖傳送后,接收端再把光信號轉(zhuǎn)換成電信號。
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    STM32系列基于專為要求高性能、低成本、低功耗的嵌入式應(yīng)用專門設(shè)計(jì)的ARM Cortex-M3內(nèi)核
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    SDK
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張斌星 1240910633

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放大器 運(yùn)算放大器 差動(dòng)放大器 電流感應(yīng)放大器 比較器 儀表放大器 可變增益放大器 隔離放大器
時(shí)鐘 時(shí)鐘振蕩器 時(shí)鐘發(fā)生器 時(shí)鐘緩沖器 定時(shí)器 寄存器 實(shí)時(shí)時(shí)鐘 PWM 調(diào)制器
視頻放大器 功率放大器 頻率轉(zhuǎn)換器 揚(yáng)聲器放大器 音頻轉(zhuǎn)換器 音頻開關(guān) 音頻接口 音頻編解碼器
模數(shù)轉(zhuǎn)換器 數(shù)模轉(zhuǎn)換器 數(shù)字電位器 觸摸屏控制器 AFE ADC DAC 電源管理
線性穩(wěn)壓器 LDO 開關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
振蕩器 諧振器 濾波器 電容器 電感器 電阻器 二極管 晶體管
變送器 傳感器 解析器 編碼器 陀螺儀 加速計(jì) 溫度傳感器 壓力傳感器
電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器 TWS BLDC 無刷直流驅(qū)動(dòng)器 濕度傳感器 光學(xué)傳感器 圖像傳感器
數(shù)字隔離器 ESD 保護(hù) 收發(fā)器 橋接器 多路復(fù)用器 氮化鎵 PFC 數(shù)字電源
開關(guān)電源 步進(jìn)電機(jī) 無線充電 LabVIEW EMC PLC OLED 單片機(jī)
5G m2m DSP MCU ASIC CPU ROM DRAM
NB-IoT LoRa Zigbee NFC 藍(lán)牙 RFID Wi-Fi SIGFOX
Type-C USB 以太網(wǎng) 仿真器 RISC RAM 寄存器 GPU
語音識別 萬用表 CPLD 耦合 電路仿真 電容濾波 保護(hù)電路 看門狗
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