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標(biāo)簽 > sic器件
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系統(tǒng)寄生參數(shù)對(duì)SiC器件開(kāi)關(guān)的影響分析
*本論文摘要由PCIM官方授權(quán)發(fā)布/摘要/本文分析了系統(tǒng)寄生參數(shù)對(duì)SiC(碳化硅)器件使用的影響。本文還研究了SiCMOS開(kāi)關(guān)開(kāi)通時(shí)的過(guò)流機(jī)理,以及開(kāi)通...
根據(jù)對(duì)電動(dòng)汽車的充電方式,充電樁可分為交流充電樁和直流充電樁兩大類。直流充電樁具備直接給電池充電的能力,以三相四線制的方式連接電網(wǎng),能夠提供充足的電力,...
2023-06-02 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車PFC充電電源 660 0
SiC器件是一種新型的硅基 MOSFET,特別是 SiC功率器件具有更高的開(kāi)關(guān)速度和更寬的輸出頻率。SiC功率芯片主要由 MOSFET和 PN結(jié)組成。 ...
2023-03-03 標(biāo)簽:芯片MOSFET半導(dǎo)體器件 4866 0
在同樣的耐壓和電流條件下,SiC器件的漂移區(qū)電阻要比硅低200倍,即使高耐壓的SiC場(chǎng)效應(yīng)管的導(dǎo)通壓降,也比單極型、雙極型硅器件的低得多。而且,SiC器...
2023-02-20 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管功率器件sic器件 1939 0
SiC 的禁帶寬度是硅片的3+倍,保證了SiC 器件在高溫條件下的工作穩(wěn)定性,減少因高溫造成的器件故障現(xiàn)象。
襯底作為SiC芯片發(fā)展的關(guān)鍵,占據(jù)著重要的地位。SiC襯底不僅在功率器件成本中所占比例很高,而且與產(chǎn)品質(zhì)量密切相關(guān)。如果說(shuō)前幾年很多SiC器件廠商都是靠...
肖特基二極管又稱熱載流子二極管,通過(guò)金屬和半導(dǎo)體觸點(diǎn)形成肖特基勢(shì)壘,實(shí)現(xiàn)整流。與普通PN結(jié)二極管相比,它的反向恢復(fù)慣性很低。因此,肖特基二極管適用于高頻...
碳化硅 (SiC) 是一種下一代材料,計(jì)劃顯著降低功率損耗并實(shí)現(xiàn)更高的功率密度、電壓、溫度和頻率,同時(shí)減少散熱。高溫可操作性降低了冷卻系統(tǒng)的復(fù)雜性,從而...
2022-08-16 標(biāo)簽:半導(dǎo)體器件sic器件電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路 1669 0
使用含快速開(kāi)關(guān)SiC器件的RC緩沖電路實(shí)用解決方案和指南
本SiC FET用戶指南介紹了使用含快速開(kāi)關(guān)SiC器件的RC緩沖電路的實(shí)用解決方案和指南。該解決方案經(jīng)過(guò)實(shí)驗(yàn)性雙脈沖測(cè)試(DPT)結(jié)果驗(yàn)證。
2022-05-05 標(biāo)簽:緩沖電路硬開(kāi)關(guān)sic器件 2704 0
可再生能源系統(tǒng)中的SiC實(shí)現(xiàn)更高效,更小且更具成本效益的電力方案
風(fēng)能和太陽(yáng)能等必不可少的可再生能源解決方案通常與能源存儲(chǔ)結(jié)合使用,是該行業(yè)增長(zhǎng)最快的行業(yè)之一,寬帶隙碳化硅(SiC)技術(shù)是這些解決方案的核心。終端系統(tǒng)設(shè)...
2021-03-12 標(biāo)簽:電容器升壓轉(zhuǎn)換器DCDC 4952 0
SiC MOSFET的EMI和開(kāi)關(guān)損耗解決方案解析
碳化硅(SiC)MOSFET的快速開(kāi)關(guān)速度,高額定電壓和低RDSon使其對(duì)于不斷尋求在提高效率和功率密度的同時(shí)保持系統(tǒng)簡(jiǎn)單性的電源設(shè)計(jì)人員具有很高的吸引力。
SiC器件的市場(chǎng)份額預(yù)計(jì)將在未來(lái)幾年加速增長(zhǎng),主要推動(dòng)因素是運(yùn)輸行業(yè)的電氣化。SiC管芯將成為車載充電器和動(dòng)力傳動(dòng)牽引系統(tǒng)等應(yīng)用的模塊中的基本構(gòu)件。
電動(dòng)車 (EV) 的發(fā)貨量正在迅速增長(zhǎng),預(yù)計(jì) 21 世紀(jì) 20 年代還將加速發(fā)展。主要汽車制造商都已經(jīng)推出了電動(dòng)車或已制定了推出計(jì)劃,它們還積極與伙伴合...
2020-02-22 標(biāo)簽:sic器件電池系統(tǒng) 3132 0
SiC FET基礎(chǔ)知識(shí)以及技術(shù)原理
對(duì)于動(dòng)力傳動(dòng)系統(tǒng)而言,電機(jī)控制電子設(shè)備被視為對(duì)生命至關(guān)重要,因此設(shè)計(jì)人員必須遵守“安全第一”的原則,并需要采用經(jīng)過(guò)不斷試驗(yàn)和測(cè)試的技術(shù)。實(shí)際上,這也意味...
2019-04-30 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車電機(jī)控制sic器件 7269 0
2018年model 3的數(shù)量是按照10多萬(wàn)的生產(chǎn)量,這個(gè)數(shù)據(jù)某種程度上快速在刺激SiC 的MOSFET市場(chǎng),而接下來(lái)高端車型都是往超快充能力的車型即將...
2019-01-18 標(biāo)簽:晶圓產(chǎn)業(yè)鏈sic器件 4290 0
具體來(lái)說(shuō),在新能源發(fā)電系統(tǒng)中,采用碳化硅技術(shù)能夠達(dá)到的更高的效率意味著其能夠更早地替代傳統(tǒng)的石化燃料發(fā)電。英飛凌為光伏串組串逆變器的升壓和逆變部分提供量...
SiC器件優(yōu)越性、發(fā)展以及在電源系統(tǒng)的應(yīng)用分析
經(jīng)研究者的努力,以SiC為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料逐漸展示出及其優(yōu)異的性能。SiC功率器件耐高溫、抗輻射,具有較高的擊穿電壓和工作頻率,適于在惡劣條件下工...
通過(guò)物理氣相沉積法生長(zhǎng)出高質(zhì)量、大尺寸的SiC單晶材料
聽(tīng)多了虛擬貨幣、虛擬現(xiàn)實(shí)、虛擬主機(jī)……有沒(méi)有聽(tīng)過(guò)虛擬生長(zhǎng)?
羅姆半導(dǎo)體:SiC器件應(yīng)用走熱 撬動(dòng)新能源及汽車電子市場(chǎng)
由于具有低功耗、高耐壓、高耐溫、高可靠性等優(yōu)點(diǎn),SiC功率器件被廣泛應(yīng)用于電動(dòng)汽車/混合動(dòng)力車中的逆變器、轉(zhuǎn)換器、PFC電路等領(lǐng)域、傳統(tǒng)工業(yè)(尤其是軍工...
2012-10-22 標(biāo)簽:新能源汽車電子羅姆半導(dǎo)體 1021 0
要想實(shí)現(xiàn)家用電器等電子電器產(chǎn)品的節(jié)能降耗,功率半導(dǎo)體是不可或缺的元器件產(chǎn)品,如IGBT(絕緣柵雙極晶體管)、MOSFET(金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體...
2012-07-23 標(biāo)簽:功率半導(dǎo)體sic器件SKiN技術(shù) 1672 0
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