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sic器件

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sic器件技術(shù)

系統(tǒng)寄生參數(shù)對(duì)SiC器件開(kāi)關(guān)的影響分析

系統(tǒng)寄生參數(shù)對(duì)SiC器件開(kāi)關(guān)的影響分析

*本論文摘要由PCIM官方授權(quán)發(fā)布/摘要/本文分析了系統(tǒng)寄生參數(shù)對(duì)SiC(碳化硅)器件使用的影響。本文還研究了SiCMOS開(kāi)關(guān)開(kāi)通時(shí)的過(guò)流機(jī)理,以及開(kāi)通...

2024-08-30 標(biāo)簽:二極管MOSsic器件 342 0

直流充電樁中“快準(zhǔn)穩(wěn)”的SiC器件

直流充電樁中“快準(zhǔn)穩(wěn)”的SiC器件

根據(jù)對(duì)電動(dòng)汽車的充電方式,充電樁可分為交流充電樁和直流充電樁兩大類。直流充電樁具備直接給電池充電的能力,以三相四線制的方式連接電網(wǎng),能夠提供充足的電力,...

2023-06-02 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車PFC充電電源 660 0

什么是碳化硅器件

SiC器件是一種新型的硅基 MOSFET,特別是 SiC功率器件具有更高的開(kāi)關(guān)速度和更寬的輸出頻率。SiC功率芯片主要由 MOSFET和 PN結(jié)組成。 ...

2023-03-03 標(biāo)簽:芯片MOSFET半導(dǎo)體器件 4866 0

碳化硅與碳化硅(SiC)功率器件

在同樣的耐壓和電流條件下,SiC器件的漂移區(qū)電阻要比硅低200倍,即使高耐壓的SiC場(chǎng)效應(yīng)管的導(dǎo)通壓降,也比單極型、雙極型硅器件的低得多。而且,SiC器...

2023-02-20 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管功率器件sic器件 1939 0

碳化硅技術(shù)特性與應(yīng)用領(lǐng)域

SiC 的禁帶寬度是硅片的3+倍,保證了SiC 器件在高溫條件下的工作穩(wěn)定性,減少因高溫造成的器件故障現(xiàn)象。

2023-02-15 標(biāo)簽:碳化硅sic器件 2533 0

碳化硅芯片供需失衡

襯底作為SiC芯片發(fā)展的關(guān)鍵,占據(jù)著重要的地位。SiC襯底不僅在功率器件成本中所占比例很高,而且與產(chǎn)品質(zhì)量密切相關(guān)。如果說(shuō)前幾年很多SiC器件廠商都是靠...

2023-02-03 標(biāo)簽:芯片碳化硅sic器件 1197 0

SiC肖特基二極管的常見(jiàn)問(wèn)題

肖特基二極管又稱熱載流子二極管,通過(guò)金屬和半導(dǎo)體觸點(diǎn)形成肖特基勢(shì)壘,實(shí)現(xiàn)整流。與普通PN結(jié)二極管相比,它的反向恢復(fù)慣性很低。因此,肖特基二極管適用于高頻...

2022-10-25 標(biāo)簽:電阻肖特基二極管sic器件 2571 0

SiC 器件在飛機(jī)中提供更高的功率效率

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碳化硅 (SiC) 是一種下一代材料,計(jì)劃顯著降低功率損耗并實(shí)現(xiàn)更高的功率密度、電壓、溫度和頻率,同時(shí)減少散熱。高溫可操作性降低了冷卻系統(tǒng)的復(fù)雜性,從而...

2022-08-16 標(biāo)簽:半導(dǎo)體器件sic器件電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路 1669 0

使用含快速開(kāi)關(guān)SiC器件的RC緩沖電路實(shí)用解決方案和指南

使用含快速開(kāi)關(guān)SiC器件的RC緩沖電路實(shí)用解決方案和指南

本SiC FET用戶指南介紹了使用含快速開(kāi)關(guān)SiC器件的RC緩沖電路的實(shí)用解決方案和指南。該解決方案經(jīng)過(guò)實(shí)驗(yàn)性雙脈沖測(cè)試(DPT)結(jié)果驗(yàn)證。

2022-05-05 標(biāo)簽:緩沖電路硬開(kāi)關(guān)sic器件 2704 0

可再生能源系統(tǒng)中的SiC實(shí)現(xiàn)更高效,更小且更具成本效益的電力方案

風(fēng)能和太陽(yáng)能等必不可少的可再生能源解決方案通常與能源存儲(chǔ)結(jié)合使用,是該行業(yè)增長(zhǎng)最快的行業(yè)之一,寬帶隙碳化硅(SiC)技術(shù)是這些解決方案的核心。終端系統(tǒng)設(shè)...

2021-03-12 標(biāo)簽:電容器升壓轉(zhuǎn)換器DCDC 4952 0

SiC MOSFET的EMI和開(kāi)關(guān)損耗解決方案解析

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碳化硅(SiC)MOSFET的快速開(kāi)關(guān)速度,高額定電壓和低RDSon使其對(duì)于不斷尋求在提高效率和功率密度的同時(shí)保持系統(tǒng)簡(jiǎn)單性的電源設(shè)計(jì)人員具有很高的吸引力。

2021-02-02 標(biāo)簽:MOSFETemi緩沖器 6881 0

提高4H-SiC肖特基二極管和MOSFET的雪崩耐受性

提高4H-SiC肖特基二極管和MOSFET的雪崩耐受性

SiC器件的市場(chǎng)份額預(yù)計(jì)將在未來(lái)幾年加速增長(zhǎng),主要推動(dòng)因素是運(yùn)輸行業(yè)的電氣化。SiC管芯將成為車載充電器和動(dòng)力傳動(dòng)牽引系統(tǒng)等應(yīng)用的模塊中的基本構(gòu)件。

2020-08-17 標(biāo)簽:MOSFET肖特基二極管碳化硅 1862 0

SiC器件在電池系統(tǒng)中的應(yīng)用解析

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電動(dòng)車 (EV) 的發(fā)貨量正在迅速增長(zhǎng),預(yù)計(jì) 21 世紀(jì) 20 年代還將加速發(fā)展。主要汽車制造商都已經(jīng)推出了電動(dòng)車或已制定了推出計(jì)劃,它們還積極與伙伴合...

2020-02-22 標(biāo)簽:sic器件電池系統(tǒng) 3132 0

SiC FET基礎(chǔ)知識(shí)以及技術(shù)原理

對(duì)于動(dòng)力傳動(dòng)系統(tǒng)而言,電機(jī)控制電子設(shè)備被視為對(duì)生命至關(guān)重要,因此設(shè)計(jì)人員必須遵守“安全第一”的原則,并需要采用經(jīng)過(guò)不斷試驗(yàn)和測(cè)試的技術(shù)。實(shí)際上,這也意味...

2019-04-30 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車電機(jī)控制sic器件 7269 0

Cree的SiC晶圓供應(yīng)

2018年model 3的數(shù)量是按照10多萬(wàn)的生產(chǎn)量,這個(gè)數(shù)據(jù)某種程度上快速在刺激SiC 的MOSFET市場(chǎng),而接下來(lái)高端車型都是往超快充能力的車型即將...

2019-01-18 標(biāo)簽:晶圓產(chǎn)業(yè)鏈sic器件 4290 0

英飛凌全碳化硅模塊實(shí)例

具體來(lái)說(shuō),在新能源發(fā)電系統(tǒng)中,采用碳化硅技術(shù)能夠達(dá)到的更高的效率意味著其能夠更早地替代傳統(tǒng)的石化燃料發(fā)電。英飛凌為光伏串組串逆變器的升壓和逆變部分提供量...

2018-05-04 標(biāo)簽:英飛凌碳化硅SiC器件 9382 0

SiC器件優(yōu)越性、發(fā)展以及在電源系統(tǒng)的應(yīng)用分析

SiC器件優(yōu)越性、發(fā)展以及在電源系統(tǒng)的應(yīng)用分析

經(jīng)研究者的努力,以SiC為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料逐漸展示出及其優(yōu)異的性能。SiC功率器件耐高溫、抗輻射,具有較高的擊穿電壓和工作頻率,適于在惡劣條件下工...

2018-01-21 標(biāo)簽:sicsic器件 9484 0

通過(guò)物理氣相沉積法生長(zhǎng)出高質(zhì)量、大尺寸的SiC單晶材料

通過(guò)物理氣相沉積法生長(zhǎng)出高質(zhì)量、大尺寸的SiC單晶材料

聽(tīng)多了虛擬貨幣、虛擬現(xiàn)實(shí)、虛擬主機(jī)……有沒(méi)有聽(tīng)過(guò)虛擬生長(zhǎng)?

2017-10-16 標(biāo)簽:memssic器件 6001 0

羅姆半導(dǎo)體:SiC器件應(yīng)用走熱 撬動(dòng)新能源及汽車電子市場(chǎng)

由于具有低功耗、高耐壓、高耐溫、高可靠性等優(yōu)點(diǎn),SiC功率器件被廣泛應(yīng)用于電動(dòng)汽車/混合動(dòng)力車中的逆變器、轉(zhuǎn)換器、PFC電路等領(lǐng)域、傳統(tǒng)工業(yè)(尤其是軍工...

2012-10-22 標(biāo)簽:新能源汽車電子羅姆半導(dǎo)體 1021 0

新封裝材料功率器件降低電子產(chǎn)品高能耗

新封裝材料功率器件降低電子產(chǎn)品高能耗

要想實(shí)現(xiàn)家用電器等電子電器產(chǎn)品的節(jié)能降耗,功率半導(dǎo)體是不可或缺的元器件產(chǎn)品,如IGBT(絕緣柵雙極晶體管)、MOSFET(金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體...

2012-07-23 標(biāo)簽:功率半導(dǎo)體sic器件SKiN技術(shù) 1672 0

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時(shí)鐘 時(shí)鐘振蕩器 時(shí)鐘發(fā)生器 時(shí)鐘緩沖器 定時(shí)器 寄存器 實(shí)時(shí)時(shí)鐘 PWM 調(diào)制器
視頻放大器 功率放大器 頻率轉(zhuǎn)換器 揚(yáng)聲器放大器 音頻轉(zhuǎn)換器 音頻開(kāi)關(guān) 音頻接口 音頻編解碼器
模數(shù)轉(zhuǎn)換器 數(shù)模轉(zhuǎn)換器 數(shù)字電位器 觸摸屏控制器 AFE ADC DAC 電源管理
線性穩(wěn)壓器 LDO 開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
振蕩器 諧振器 濾波器 電容器 電感器 電阻器 二極管 晶體管
變送器 傳感器 解析器 編碼器 陀螺儀 加速計(jì) 溫度傳感器 壓力傳感器
電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器 TWS BLDC 無(wú)刷直流驅(qū)動(dòng)器 濕度傳感器 光學(xué)傳感器 圖像傳感器
數(shù)字隔離器 ESD 保護(hù) 收發(fā)器 橋接器 多路復(fù)用器 氮化鎵 PFC 數(shù)字電源
開(kāi)關(guān)電源 步進(jìn)電機(jī) 無(wú)線充電 LabVIEW EMC PLC OLED 單片機(jī)
5G m2m DSP MCU ASIC CPU ROM DRAM
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Type-C USB 以太網(wǎng) 仿真器 RISC RAM 寄存器 GPU
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