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sic器件

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sic器件技術(shù)

SiC器件優(yōu)越性、發(fā)展以及在電源系統(tǒng)的應(yīng)用分析

SiC器件優(yōu)越性、發(fā)展以及在電源系統(tǒng)的應(yīng)用分析

經(jīng)研究者的努力,以SiC為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料逐漸展示出及其優(yōu)異的性能。SiC功率器件耐高溫、抗輻射,具有較高的擊穿電壓和工作頻率,適于在惡劣條件下工...

2018-01-21 標(biāo)簽:sicsic器件 9486 0

英飛凌全碳化硅模塊實(shí)例

具體來(lái)說(shuō),在新能源發(fā)電系統(tǒng)中,采用碳化硅技術(shù)能夠達(dá)到的更高的效率意味著其能夠更早地替代傳統(tǒng)的石化燃料發(fā)電。英飛凌為光伏串組串逆變器的升壓和逆變部分提供量...

2018-05-04 標(biāo)簽:英飛凌碳化硅SiC器件 9383 0

SiC FET基礎(chǔ)知識(shí)以及技術(shù)原理

對(duì)于動(dòng)力傳動(dòng)系統(tǒng)而言,電機(jī)控制電子設(shè)備被視為對(duì)生命至關(guān)重要,因此設(shè)計(jì)人員必須遵守“安全第一”的原則,并需要采用經(jīng)過不斷試驗(yàn)和測(cè)試的技術(shù)。實(shí)際上,這也意味...

2019-04-30 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車電機(jī)控制sic器件 7269 0

SiC MOSFET的EMI和開關(guān)損耗解決方案解析

SiC MOSFET的EMI和開關(guān)損耗解決方案解析

碳化硅(SiC)MOSFET的快速開關(guān)速度,高額定電壓和低RDSon使其對(duì)于不斷尋求在提高效率和功率密度的同時(shí)保持系統(tǒng)簡(jiǎn)單性的電源設(shè)計(jì)人員具有很高的吸引力。

2021-02-02 標(biāo)簽:MOSFETemi緩沖器 6883 0

通過物理氣相沉積法生長(zhǎng)出高質(zhì)量、大尺寸的SiC單晶材料

通過物理氣相沉積法生長(zhǎng)出高質(zhì)量、大尺寸的SiC單晶材料

聽多了虛擬貨幣、虛擬現(xiàn)實(shí)、虛擬主機(jī)……有沒有聽過虛擬生長(zhǎng)?

2017-10-16 標(biāo)簽:memssic器件 6003 0

可再生能源系統(tǒng)中的SiC實(shí)現(xiàn)更高效,更小且更具成本效益的電力方案

風(fēng)能和太陽(yáng)能等必不可少的可再生能源解決方案通常與能源存儲(chǔ)結(jié)合使用,是該行業(yè)增長(zhǎng)最快的行業(yè)之一,寬帶隙碳化硅(SiC)技術(shù)是這些解決方案的核心。終端系統(tǒng)設(shè)...

2021-03-12 標(biāo)簽:電容器升壓轉(zhuǎn)換器DCDC 4953 0

什么是碳化硅器件

SiC器件是一種新型的硅基 MOSFET,特別是 SiC功率器件具有更高的開關(guān)速度和更寬的輸出頻率。SiC功率芯片主要由 MOSFET和 PN結(jié)組成。 ...

2023-03-03 標(biāo)簽:芯片MOSFET半導(dǎo)體器件 4867 0

Cree的SiC晶圓供應(yīng)

2018年model 3的數(shù)量是按照10多萬(wàn)的生產(chǎn)量,這個(gè)數(shù)據(jù)某種程度上快速在刺激SiC 的MOSFET市場(chǎng),而接下來(lái)高端車型都是往超快充能力的車型即將...

2019-01-18 標(biāo)簽:晶圓產(chǎn)業(yè)鏈sic器件 4290 0

SiC器件在電池系統(tǒng)中的應(yīng)用解析

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電動(dòng)車 (EV) 的發(fā)貨量正在迅速增長(zhǎng),預(yù)計(jì) 21 世紀(jì) 20 年代還將加速發(fā)展。主要汽車制造商都已經(jīng)推出了電動(dòng)車或已制定了推出計(jì)劃,它們還積極與伙伴合...

2020-02-22 標(biāo)簽:sic器件電池系統(tǒng) 3133 0

使用含快速開關(guān)SiC器件的RC緩沖電路實(shí)用解決方案和指南

使用含快速開關(guān)SiC器件的RC緩沖電路實(shí)用解決方案和指南

本SiC FET用戶指南介紹了使用含快速開關(guān)SiC器件的RC緩沖電路的實(shí)用解決方案和指南。該解決方案經(jīng)過實(shí)驗(yàn)性雙脈沖測(cè)試(DPT)結(jié)果驗(yàn)證。

2022-05-05 標(biāo)簽:緩沖電路硬開關(guān)sic器件 2704 0

SiC肖特基二極管的常見問題

肖特基二極管又稱熱載流子二極管,通過金屬和半導(dǎo)體觸點(diǎn)形成肖特基勢(shì)壘,實(shí)現(xiàn)整流。與普通PN結(jié)二極管相比,它的反向恢復(fù)慣性很低。因此,肖特基二極管適用于高頻...

2022-10-25 標(biāo)簽:電阻肖特基二極管sic器件 2571 0

碳化硅技術(shù)特性與應(yīng)用領(lǐng)域

SiC 的禁帶寬度是硅片的3+倍,保證了SiC 器件在高溫條件下的工作穩(wěn)定性,減少因高溫造成的器件故障現(xiàn)象。

2023-02-15 標(biāo)簽:碳化硅sic器件 2537 0

碳化硅與碳化硅(SiC)功率器件

在同樣的耐壓和電流條件下,SiC器件的漂移區(qū)電阻要比硅低200倍,即使高耐壓的SiC場(chǎng)效應(yīng)管的導(dǎo)通壓降,也比單極型、雙極型硅器件的低得多。而且,SiC器...

2023-02-20 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管功率器件sic器件 1940 0

提高4H-SiC肖特基二極管和MOSFET的雪崩耐受性

提高4H-SiC肖特基二極管和MOSFET的雪崩耐受性

SiC器件的市場(chǎng)份額預(yù)計(jì)將在未來(lái)幾年加速增長(zhǎng),主要推動(dòng)因素是運(yùn)輸行業(yè)的電氣化。SiC管芯將成為車載充電器和動(dòng)力傳動(dòng)牽引系統(tǒng)等應(yīng)用的模塊中的基本構(gòu)件。

2020-08-17 標(biāo)簽:MOSFET肖特基二極管碳化硅 1862 0

新封裝材料功率器件降低電子產(chǎn)品高能耗

新封裝材料功率器件降低電子產(chǎn)品高能耗

要想實(shí)現(xiàn)家用電器等電子電器產(chǎn)品的節(jié)能降耗,功率半導(dǎo)體是不可或缺的元器件產(chǎn)品,如IGBT(絕緣柵雙極晶體管)、MOSFET(金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體...

2012-07-23 標(biāo)簽:功率半導(dǎo)體sic器件SKiN技術(shù) 1672 0

SiC 器件在飛機(jī)中提供更高的功率效率

SiC 器件在飛機(jī)中提供更高的功率效率

碳化硅 (SiC) 是一種下一代材料,計(jì)劃顯著降低功率損耗并實(shí)現(xiàn)更高的功率密度、電壓、溫度和頻率,同時(shí)減少散熱。高溫可操作性降低了冷卻系統(tǒng)的復(fù)雜性,從而...

2022-08-16 標(biāo)簽:半導(dǎo)體器件sic器件電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路 1671 0

碳化硅芯片供需失衡

襯底作為SiC芯片發(fā)展的關(guān)鍵,占據(jù)著重要的地位。SiC襯底不僅在功率器件成本中所占比例很高,而且與產(chǎn)品質(zhì)量密切相關(guān)。如果說(shuō)前幾年很多SiC器件廠商都是靠...

2023-02-03 標(biāo)簽:芯片碳化硅sic器件 1197 0

羅姆半導(dǎo)體:SiC器件應(yīng)用走熱 撬動(dòng)新能源及汽車電子市場(chǎng)

由于具有低功耗、高耐壓、高耐溫、高可靠性等優(yōu)點(diǎn),SiC功率器件被廣泛應(yīng)用于電動(dòng)汽車/混合動(dòng)力車中的逆變器、轉(zhuǎn)換器、PFC電路等領(lǐng)域、傳統(tǒng)工業(yè)(尤其是軍工...

2012-10-22 標(biāo)簽:新能源汽車電子羅姆半導(dǎo)體 1021 0

直流充電樁中“快準(zhǔn)穩(wěn)”的SiC器件

直流充電樁中“快準(zhǔn)穩(wěn)”的SiC器件

根據(jù)對(duì)電動(dòng)汽車的充電方式,充電樁可分為交流充電樁和直流充電樁兩大類。直流充電樁具備直接給電池充電的能力,以三相四線制的方式連接電網(wǎng),能夠提供充足的電力,...

2023-06-02 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車PFC充電電源 660 0

系統(tǒng)寄生參數(shù)對(duì)SiC器件開關(guān)的影響分析

系統(tǒng)寄生參數(shù)對(duì)SiC器件開關(guān)的影響分析

*本論文摘要由PCIM官方授權(quán)發(fā)布/摘要/本文分析了系統(tǒng)寄生參數(shù)對(duì)SiC(碳化硅)器件使用的影響。本文還研究了SiCMOS開關(guān)開通時(shí)的過流機(jī)理,以及開通...

2024-08-30 標(biāo)簽:二極管MOSsic器件 346 0

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    寒武紀(jì)
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    上海安路信息科技有限公司成立于2011年,總部位于浦東新區(qū)張江高科技園區(qū)。安路科技專注于為客戶提供高性價(jià)比的可編程邏輯器件(FPGA)、可編程系統(tǒng)級(jí)芯片(SOC)、定制化可編程芯片、及相關(guān)軟件設(shè)計(jì)工具和創(chuàng)新系統(tǒng)解決方案。
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    華天科技
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    東軟集團(tuán)是中國(guó)領(lǐng)先的IT解決方案與服務(wù)供應(yīng)商,是上市企業(yè),股票代碼600718。公司成立于1991年,前身為東北大學(xué)下屬的沈陽(yáng)東大開發(fā)軟件系統(tǒng)股份有限公司和沈陽(yáng)東大阿爾派軟件有限公司。
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    OLED(Organic Light-Emitting Diode),全稱“有機(jī)發(fā)光二極管”,是一種顯示屏幕技術(shù)。采用OLED技術(shù)制造的OLED電視,已經(jīng)不再需要LCD液晶面板,RGB色彩信號(hào)直接由OLED二極管顯示,幾乎已經(jīng)不存在液晶的可視角度問題。
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