近期，科技巨頭三星半導(dǎo)體做出了一個(gè)引人注目的決策：將其“第二代3納米”工藝正式更名為“2納米”。
2024-03-06 13:42:14
315 Zeta電位納米粒度儀是一種用于測(cè)量納米材料電位和粒度分布的重要儀器。其原理基于電泳或電滲原理，通過(guò)測(cè)量納米顆粒在電場(chǎng)作用下的移動(dòng)行為，來(lái)獲得其電位和粒度信息。
2024-03-06 10:51:04253 納米材料及器件作為戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)和高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)，是促進(jìn)產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型升級(jí)和高質(zhì)量發(fā)展的重要支柱之一。普賽斯數(shù)字源表具有測(cè)試精度高、微弱信號(hào)檢測(cè)能力強(qiáng)的特點(diǎn)，可根據(jù)用戶測(cè)試需求配置高效率、高精度、高性價(jià)比的納米材料測(cè)試方案，廣泛應(yīng)用在納米材料、納米器件、納米發(fā)電等產(chǎn)品的研發(fā)生產(chǎn)領(lǐng)域
2024-03-05 17:22:40188 
，臺(tái)積電和三星已經(jīng)推出3納米制程芯片，而英特爾則剛剛實(shí)現(xiàn)了5納米制程。然而，這一決定表明英特爾有意在制程技術(shù)領(lǐng)域迎頭趕上，計(jì)劃在未來(lái)幾年內(nèi)推出更為先進(jìn)的1.4納米芯片。這一制程技術(shù)的推進(jìn)將是英特爾為實(shí)現(xiàn)2025年之前進(jìn)入2納米芯片生產(chǎn)
2024-02-23 11:23:04172 臺(tái)積電預(yù)期，目前營(yíng)收總額約 70% 是來(lái)自 16 納米以下先進(jìn)制程技術(shù)，隨著 3 納米和 2 納米制程技術(shù)的貢獻(xiàn)在未來(lái)幾年漸增，比重將會(huì)繼續(xù)增加，預(yù)估未來(lái)成熟制程技術(shù)占營(yíng)收總額將不超過(guò) 2 成。
2024-02-21 16:33:23320 臺(tái)階儀亞埃級(jí)垂直分辨率能夠?qū)崿F(xiàn)納米級(jí)別的測(cè)量和分析，儀器具備出色的精確性和穩(wěn)定性。在納米加工領(lǐng)域，臺(tái)階儀不僅能準(zhǔn)確評(píng)估材料的表面形貌和結(jié)構(gòu)，同時(shí)也為納米加工過(guò)程的控制和優(yōu)化提供了可靠的依據(jù)。利用臺(tái)階
2024-02-20 09:11:25
0 勝科納米（蘇州）股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱“勝科納米”）作為一家半導(dǎo)體檢測(cè)分析廠商，近日在科創(chuàng)板上市的申請(qǐng)獲得了上交所的受理，并已回復(fù)審核問(wèn)詢函。據(jù)上交所發(fā)行上市審核官網(wǎng)顯示，勝科納米主要的服務(wù)內(nèi)容包括失效分析、材料分析與可靠性分析，其目標(biāo)是成為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的“芯片全科醫(yī)院”。
2024-02-02 15:52:55573 1納米尺寸的芯片制造面臨著物理極限的挑戰(zhàn)，可能導(dǎo)致晶體管的性能下降甚至失效。作為半導(dǎo)體行業(yè)的重要參與者之一，臺(tái)積電已經(jīng)宣布開(kāi)始研發(fā)1納米工藝。
2024-01-22 14:18:31232 納米技術(shù)是一種高度前沿的技術(shù)，利用控制和操縱物質(zhì)的尺寸在納米級(jí)別來(lái)創(chuàng)造新的材料和應(yīng)用。納米技術(shù)的特點(diǎn)主要包括以下幾個(gè)方面：高比表面積、尺寸效應(yīng)、量子效應(yīng)和可調(diào)控性。 首先，納米技術(shù)的一個(gè)重要特點(diǎn)是
2024-01-19 14:06:424309 一維空心圓柱形碳納米管納米結(jié)構(gòu)自被發(fā)現(xiàn)以來(lái)，在納米技術(shù)的發(fā)展中起著至關(guān)重要的作用。
2024-01-18 09:18:12464 
納米級(jí)長(zhǎng)度和位移測(cè)量是光學(xué)精密測(cè)量領(lǐng)域的重要基礎(chǔ)研究課題，在半導(dǎo)體疊對(duì)誤差測(cè)量（overlay metrology）、精密對(duì)準(zhǔn)與跟蹤等方面具有關(guān)鍵作用。傳統(tǒng)的光學(xué)干涉儀雖然可以實(shí)現(xiàn)納米及亞納米的測(cè)量精度，但系統(tǒng)復(fù)雜、易受環(huán)境干擾。
2024-01-14 10:52:23483 
使用至光伏/半導(dǎo)體制造工藝的不同環(huán)節(jié)中，這可能會(huì)帶來(lái)更多新材料成分的納米顆粒潛在污染，亟需對(duì)硅片表面納米顆粒進(jìn)行尺寸和數(shù)量的表征。
2024-01-11 11:29:04348 
從“目錄”窗口打開(kāi)“選項(xiàng)”選項(xiàng)卡，為所有標(biāo)準(zhǔn)機(jī)器人選擇“KS28_Basic and SPS Device 256 I/As”，或?yàn)樗屑す鈾C(jī)器人選擇“KS28_Laser and SPS Device 256I/As”并將它們插入項(xiàng)目中的“選項(xiàng)/控制組件”下。
2024-01-09 10:33:25279 
ASIC設(shè)計(jì)服務(wù)暨IP研發(fā)銷售廠商智原科技（Faraday Technology Corporation，TWSE：3035）提供完整的FinFET 14納米ASIC整合設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)服務(wù)，搭配SoC驗(yàn)證平臺(tái)與高速傳輸IP解決方案
2023-12-26 18:20:56356 微納米表面輪廓形貌的測(cè)量可以幫助我們了解材料的物理特性、表面形態(tài)以及質(zhì)量狀況。如白光干涉儀是一種常見(jiàn)的微納米表面輪廓儀測(cè)量?jī)x器，常用于研究產(chǎn)品的微觀形貌和粗糙度；而共聚焦顯微鏡大傾角超清納米測(cè)量，在滿足精度的情況下使用場(chǎng)景更具有兼容性。選擇適合的測(cè)量?jī)x器對(duì)于準(zhǔn)確獲取樣品表面形貌和特征至關(guān)重要。
2023-12-20 16:38:09358 
受美國(guó)對(duì)高端設(shè)備出口限制影響，中國(guó)大陸轉(zhuǎn)向成熟制程（28納米及以上）領(lǐng)域，預(yù)計(jì)2027年在此類制程上產(chǎn)能達(dá)到39%。
2023-12-15 14:56:35337 當(dāng)今科技的發(fā)展要求材料的超微化、智能化、元件的高集成、高密度存儲(chǔ)和超快傳輸?shù)忍匦?，?b class="flag-6" style="color: red">納米科技和納米材料的應(yīng)用提供了廣闊的空間。
2023-12-14 17:31:37332 納米材料具有獨(dú)特的物理化學(xué)性質(zhì)，其作為新一代藥物給藥劑型日益受到重視。納米材料的小尺寸能夠增加藥物負(fù)載能力，延長(zhǎng)藥物的血液循環(huán)時(shí)間，并改善藥物的細(xì)胞攝取和組織滲透。特定的納米結(jié)構(gòu)有助于調(diào)節(jié)藥物的負(fù)載
2023-12-12 16:59:45259 
安規(guī)耐壓與漏電流經(jīng)典28問(wèn)
2023-12-08 18:22:45369 三星去年6 月底量產(chǎn)第一代3 納米GAA (SF3E) 制程，為三星首次采用全新GAA 架構(gòu)晶體管技術(shù)，而第二代3 納米制程3GAP(SF3) 將使用第二代MBCFET 架構(gòu)，從第一代3 納米SF3E基礎(chǔ)上再最佳化，預(yù)期2024 年進(jìn)入量產(chǎn)階段。
2023-12-04 15:55:37362 索雷碳納米聚合物材料技術(shù)的優(yōu)勢(shì)
2023-12-04 10:18:550 性能影響很大。例如，在制備納米材料時(shí)，如果顆粒尺寸分布不均勻，則會(huì)影響其光學(xué)、電學(xué)、磁學(xué)等性能；在制備藥物時(shí)，如果藥物微粒大小不一致，則會(huì)影響其生物利用度和藥效。圖1：中芯啟恒LNP脂質(zhì)體制備設(shè)備
2023-11-28 13:38:39
本文將介紹100G QSFP28光模塊的概述，包括其定義、標(biāo)準(zhǔn)以及QSFP28 100G光模塊的特點(diǎn)和應(yīng)用。
2023-11-27 14:34:13681 
中圖儀器SJ5730系列納米探針式輪廓儀采用超高精度納米衍射光學(xué)測(cè)量系統(tǒng)、超高直線度研磨級(jí)摩擦導(dǎo)軌、高性能直流伺服驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)、高性能計(jì)算機(jī)控制系統(tǒng)技術(shù)，分辨率高達(dá)0.1nm，系統(tǒng)殘差小于3nm
2023-11-09 09:14:22
TrendForce統(tǒng)計(jì)，28納米以上的成熟制程及16納米以下的先進(jìn)制程，2023～2027年全球晶圓代工產(chǎn)能比重約維持7比3。其中，中國(guó)大陸因積極擴(kuò)增成熟制程產(chǎn)能，全球占比估自29％增至33％，臺(tái)灣則估自49％降至42％。
2023-11-02 16:04:0796 ，從個(gè)人計(jì)算機(jī)應(yīng)用來(lái)看，英特爾最近推出的第14代處理器采用自家4納米制程，目前只能用在桌機(jī)尚未導(dǎo)入筆電。相較之下，蘋(píng)果發(fā)表全球第一款3納米制程處理器M3系列。 臺(tái)積電向來(lái)不評(píng)論訂單與客戶動(dòng)態(tài)。外傳蘋(píng)果包下臺(tái)積電3納米產(chǎn)能至少一年
2023-11-02 09:32:47278 近期，臺(tái)積電總裁魏哲家在一次法說(shuō)會(huì)中透露了有關(guān)2納米芯片的最新進(jìn)展，并提到了“晶背供電”技術(shù)，這個(gè)領(lǐng)域的神秘黑科技正逐漸引起人們的興趣。
2023-10-27 14:59:19310 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供ADI(ADI)DS28C40EVKIT: Evaluation System for the DS28C40 Data Sheet相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè)，更有
2023-10-17 19:20:20
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供ADI(ADI)DS28E40EVKIT: Evaluation Kit for the DS28E40 Data Sheet相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè)，更有DS28
2023-10-17 19:08:41
臺(tái)積電計(jì)劃2024年在日本熊本建設(shè)第二廠量產(chǎn)6納米芯片 臺(tái)積電計(jì)劃在2024年動(dòng)工建設(shè)日本熊本第二廠，熊本第二廠總投資額約為2萬(wàn)億日元，臺(tái)積電的日本熊本的第二工廠主要面向量產(chǎn)6納米芯片。 臺(tái)積電熊本
2023-10-16 16:20:02785 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供ADI(ADI)DS28E18EVKIT: Evaluation Kit for the DS28E18 Data Sheet相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè)，更有DS28
2023-10-13 19:11:46
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供ADI(ADI)DS28E30EVKIT: Evaluation Kit for the DS28E30 Data Sheet相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè)，更有DS28
2023-10-13 19:00:58
共聚焦光學(xué)系統(tǒng)為基礎(chǔ)，結(jié)合高穩(wěn)定性結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和3D重建算法共同組成測(cè)量系統(tǒng)，能用于各種精密器件及材料表面的非接觸式微納米測(cè)量。能測(cè)量表面物理形貌，進(jìn)行微納米尺度的三維形貌分析，如3D表面形貌、2D的縱深
2023-10-11 14:37:46
高壓放大器是一種重要的電子設(shè)備，可以用于增強(qiáng)輸入信號(hào)的電壓。在納米材料領(lǐng)域，高壓放大器也具有廣泛的應(yīng)用。下面西安安泰將介紹高壓放大器在納米材料中的應(yīng)用，并探討其可行性和潛在的研究方向。 納米材料
2023-10-11 13:54:31155 
臺(tái)積電3納米又有重量級(jí)客戶加入。市場(chǎng)傳出，繼蘋(píng)果、聯(lián)發(fā)科之后，手機(jī)芯片大廠高通下一代5G旗艦芯片也將交由臺(tái)積電以3納米生產(chǎn)，最快將于10月下旬發(fā)表，成為臺(tái)積電3納米第三家客戶。
2023-09-27 09:10:38612 a17芯片幾納米 a17芯片是3納米。a17芯片是蘋(píng)果公司最新的一款芯片，采用臺(tái)積電的最新3納米工藝制程，同時(shí)為新一代A17芯片帶來(lái)更出色的性能和能耗表現(xiàn)。 a17芯片是哪個(gè)公司設(shè)計(jì)的 a17芯片
2023-09-26 11:30:262929 高通在去年的驍龍首腦會(huì)談上，今年推出了5g主力芯片snapdragon 8 gen 2的4納米工程。高通曾將高通的前作snapdragon 8 gen 1以4納米工程上市，但出現(xiàn)發(fā)熱量問(wèn)題后，將snapdragon 8+ gen 1換成了4納米工程。
2023-09-26 09:40:352197 幾十年來(lái)，納米團(tuán)簇備受研究者的關(guān)注。人們對(duì)納米團(tuán)簇的興趣主要源于其在化學(xué)和物理性質(zhì)上與宏觀水平明顯不同的特點(diǎn)。
2023-09-22 17:06:23886 
今天凌晨蘋(píng)果公司正式發(fā)布了蘋(píng)果15系列手機(jī)，很多網(wǎng)友會(huì)關(guān)注，蘋(píng)果15芯片是多少納米？蘋(píng)果15芯片幾納米的？按照發(fā)布上正式的解讀是，蘋(píng)果15芯片是3nm制程。便宜些的標(biāo)準(zhǔn)版iPhone 15芯片
2023-09-13 17:36:016408 
不是所有尺寸小于100nm納米材料都叫納米科技納米科技廣義的定義，泛指尺寸小于100nm(納米)的材料，而研究納米材料的科學(xué)技術(shù)泛稱為「納米科技(Nanotechnology)」。納米技術(shù)的研究領(lǐng)域
2023-09-09 08:28:01562 
NP28N10SDE 數(shù)據(jù)表
2023-09-06 18:31:130 納米材料具有巨大的比表面積和界面，對(duì)外部環(huán)境的變化十分敏感。溫度、光、濕度和氣氛的變化均會(huì)引起表面或界面離子價(jià)態(tài)和電子輸出的迅速改變，而且響應(yīng)快，靈敏度高。因此，利用納米固體的界面效應(yīng)、尺寸效應(yīng)
2023-09-06 10:21:00896 
升騰910是幾納米？什么架構(gòu)？ 華為昇騰910是一款專門(mén)為人工智能應(yīng)用設(shè)計(jì)的芯片，它采用了華為自主研發(fā)的達(dá)芬奇架構(gòu)。該架構(gòu)采用了全新的并行計(jì)算的方式，可以實(shí)現(xiàn)更高效、更快速的人工智能計(jì)算，進(jìn)而滿足
2023-08-31 17:13:476569 芯片為啥不能低于1納米 芯片可以突破1納米嗎? 從計(jì)算機(jī)發(fā)明以來(lái)，芯片技術(shù)已經(jīng)有了數(shù)十年的發(fā)展，從最初的晶體管到如今的微米級(jí)或納米級(jí)芯片，一直在不斷地創(chuàng)新?，F(xiàn)在，隨著計(jì)算機(jī)技術(shù)的日益發(fā)展，芯片的尺寸
2023-08-31 10:48:313374 5nm制造工藝是什么呢？首先，我們需要了解一下納米級(jí)別的定義。納米級(jí)別是指長(zhǎng)度范圍在1到100納米之間的物質(zhì)，也就是說(shuō)，它們比人類頭發(fā)的直徑還要小100倍。由于這種尺寸在物理和化學(xué)上具有獨(dú)特的特性，因此在信息技術(shù)、生物醫(yī)學(xué)和能源等領(lǐng)
2023-08-30 17:49:5717362 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《MegaRAID SAS 9365-28i .zip》資料免費(fèi)下載
2023-08-09 10:01:370 值得關(guān)注的是，中國(guó)大陸仍在持續(xù)掀起ddi熱潮。在貿(mào)易緊張高漲之際，成熟芯片已成為中國(guó)大陸關(guān)注的焦點(diǎn)。目前，中、高級(jí)ddi采用28納米工藝制作。但業(yè)內(nèi)專家認(rèn)為，中國(guó)大陸的28納米生產(chǎn)沒(méi)有達(dá)到預(yù)期的順利。還有報(bào)道稱，生產(chǎn)能力有限。中國(guó)大陸面臨著價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)，但擴(kuò)張速度已經(jīng)放緩。
2023-08-08 11:50:38547 8月2日消息，據(jù)臺(tái)媒報(bào)道，臺(tái)積電2納米制程勁敵不只大家熟知的三星、英特爾，后面還有追兵，日本芯片國(guó)家隊(duì)Rapidus也計(jì)劃于2027年量產(chǎn)2納米芯片，搶臺(tái)積電客戶。 值得關(guān)注的是，英特爾上周財(cái)報(bào)會(huì)議
2023-08-02 11:39:00440 ICL-28是一款28A浪涌電流限制器，可用于降低由于電容負(fù)載產(chǎn)生的高啟動(dòng)電流，防止斷路器誤動(dòng)作。ICL-28使得在同一交流線路上可以安裝多個(gè)電源。
2023-07-26 11:21:24214 
材料技術(shù) 納米材料除了優(yōu)越的力學(xué)性能，還有特殊的電學(xué)性能，使其被廣泛用于制作電子器件， 正確表征測(cè)試納米材料電學(xué)特性是納米技術(shù)研究中不可或缺的一步 ，但如何選擇一套高性價(jià)比的測(cè)試方案，是讓很多工程師們頭疼的問(wèn)題。 今天
2023-07-20 17:45:03252 
晶圓產(chǎn)業(yè)目前正面臨著產(chǎn)能過(guò)剩的問(wèn)題，臺(tái)積電也無(wú)法免俗。原計(jì)劃建設(shè)一個(gè)28納米的晶圓廠，但由于市場(chǎng)需求減少，這個(gè)計(jì)劃被取消了。
2023-07-18 15:53:04447 據(jù)該報(bào)報(bào)道，tsmc的2納米投資方案比當(dāng)初的28納米投資計(jì)劃還要多，并要求臺(tái)灣經(jīng)濟(jì)當(dāng)局和高雄市政府決定2納米生產(chǎn)工廠，要求在后續(xù)自來(lái)水供應(yīng)和電力供應(yīng)方面給予協(xié)助。
2023-07-17 10:20:25273 此外，據(jù)報(bào)道，鴻海與Vendanta合作建造28納米芯片廠一直未達(dá)到印度政府的標(biāo)準(zhǔn)，因此無(wú)法取得高達(dá)數(shù)十億美元的補(bǔ)助。印度政府曾要求該合資企業(yè)重新申請(qǐng)激勵(lì)，因?yàn)樵?jì)劃生產(chǎn)28納米芯片的計(jì)劃發(fā)生了變化。
2023-07-13 16:21:16645 電池保護(hù)IC（Integrated Circuit）的納米工藝并沒(méi)有固定的規(guī)定或標(biāo)準(zhǔn)。電池保護(hù)IC的制造工藝通常與集成電路制造工藝一樣，采用從較大的微米級(jí)工藝（如180nm、90nm、65nm等）逐漸進(jìn)化到更先進(jìn)的納米級(jí)工藝（如45nm、28nm、14nm等）。
2023-07-11 15:42:371171 
IP_數(shù)據(jù)表(I-3):16Gpbs SerDes for TSMC 28nm HPC+
2023-07-06 20:21:220 IP_數(shù)據(jù)表(I-10):USB2.0 Transceiver for TSMC 28nm HPC+
2023-07-06 20:21:030 IP_數(shù)據(jù)表(Z-1):GPIO for TSMC 28nm HPM/HPC/HPC+
2023-07-06 20:19:040 IP_數(shù)據(jù)表(I-20):FPD-Link Transmitter for TSMC 28nm HPC
2023-07-06 20:18:392 IP_數(shù)據(jù)表(I-19):FPD-Link Receiver for TSMC 28nm HPC+
2023-07-06 20:18:200 IP_數(shù)據(jù)表(I-6):SATA PHY for TSMC 28nm HPC+
2023-07-06 20:18:070 IP_數(shù)據(jù)表(I-4):16Gpbs SerDes for TSMC 28nm HPC
2023-07-06 20:17:540 IP_數(shù)據(jù)表(I-1):Combo Serdes PHY for TSMC 28nm HPM
2023-07-06 20:17:410 IP_數(shù)據(jù)表(Z-4):1.8V StndardCell for TSMC 28nm HPC+
2023-07-06 20:12:360 IP_數(shù)據(jù)表(I-2):Combo PHY for TSMC 28nm HPM
2023-07-06 20:12:261 IP_數(shù)據(jù)表(I-5):SerDes PHY for TSMC 28nm HPC+
2023-07-06 20:11:570 70V28 數(shù)據(jù)表
2023-07-05 20:35:130 IP6557支持 UFCS/PD2.0/PD3.1/ERP28V等快充協(xié)議的升降壓 SOC簡(jiǎn)介 IP6557是一款集成升降壓控制器和路徑NMOS的控制功能，支持 QC2.0/QC3.0/QC3+
2023-07-05 20:02:5720 IP 數(shù)據(jù)表: 1.8V Standard Cell for TSMC 28nm HPC+
2023-07-05 19:47:130 IP_數(shù)據(jù)表(I-28):MIPI D-PHY Tx/Rx for Samsung 28nm
2023-07-05 19:46:141 IP_數(shù)據(jù)表(I-26):USB2.0 Transceiver for Samsung 28nm
2023-07-05 19:45:460 RJU65F28DWA / RJU65F28DWS 數(shù)據(jù)表
2023-07-05 18:44:140 近日，中國(guó)科學(xué)院近代物理研究所材料研究中心與俄羅斯杜布納聯(lián)合核子研究所合作，研發(fā)出一種孔徑小于10納米的固態(tài)納米孔制備新技術(shù)。相關(guān)研究成果發(fā)表在《納米快報(bào)》（Nano Letters
2023-07-04 11:10:56364 
高質(zhì)量固態(tài)納米孔的制備是DNA測(cè)序、納流器件以及納濾膜等應(yīng)用的關(guān)鍵技術(shù)。當(dāng)前，在無(wú)機(jī)薄膜材料中制備固態(tài)納米孔的主流方法是聚焦離子/電子束刻蝕。
2023-07-04 11:08:08137 
來(lái)源：芯智訊，謝謝 編輯：感知芯視界 6月29日，據(jù)中國(guó)電子科技集團(tuán)有限公司（以下簡(jiǎn)稱“中國(guó)電科”）官方消息，該集團(tuán)旗下中電科電子裝備集團(tuán)有限公司（以下簡(jiǎn)稱“電科裝備”）已實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)離子注入機(jī)28納米
2023-07-03 09:16:46649 理利用，需要進(jìn)行嚴(yán)格的測(cè)試和表征。一般我們?cè)谶M(jìn)行納米材料性能測(cè)試，例如鐵電材料極化測(cè)試時(shí)，就要用到較高電壓，用來(lái)驅(qū)動(dòng)整個(gè)測(cè)試系統(tǒng)，穩(wěn)定的高電壓驅(qū)動(dòng)源是必不可少的。Aigtek安泰電子深耕電子測(cè)試行業(yè)多年，在納米材料測(cè)試
2023-06-30 17:16:58217 
9250-28 數(shù)據(jù)表
2023-06-27 19:24:430 IC設(shè)計(jì)業(yè)者表示，進(jìn)入7納米以下先進(jìn)制程世代后，晶圓代工報(bào)價(jià)愈來(lái)愈貴，臺(tái)積電7/6納米每片晶圓報(bào)價(jià)翻倍沖上近1萬(wàn)美元，5/4納米約1.6萬(wàn)美元，3納米更是逼近2萬(wàn)美元，能有折扣優(yōu)惠的是最大客戶蘋(píng)果（Apple），或是規(guī)模夠大的訂單。
2023-06-27 15:53:00381 臺(tái)灣批量生產(chǎn)。龍?zhí)稊U(kuò)張計(jì)劃的選址在2納米以下，與此相反，據(jù)業(yè)界推測(cè)，龍?zhí)繑U(kuò)張計(jì)劃是臺(tái)灣電力公社的1.4納米工程工廠用地，將于2026年建設(shè)工廠，從2007年到2008年可以大量生產(chǎn)。
2023-06-27 09:36:58400 M16C/28 組（M16C/28、M16C/28B）短表
2023-06-26 19:24:080 M16C/28群硬件手冊(cè)
2023-06-26 19:19:120 近日，Nano Letters（《納米快報(bào)》）在線發(fā)表武漢大學(xué)高等研究院梁樂(lè)課題組和約翰霍普金斯大學(xué)Ishan Barman課題組關(guān)于高效構(gòu)建等離子增強(qiáng)NV色心的納米器件研究進(jìn)展，他們利用自下向上的DNA自組裝方法開(kāi)發(fā)了一種混合型獨(dú)立式等離子體納米金剛石
2023-06-26 17:04:52396 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《Arduino納米太空侵略者.zip》資料免費(fèi)下載
2023-06-25 15:11:500 （一次性可編程存儲(chǔ)器）/NTP(少次可編程存儲(chǔ)器)/MTP（多次可編程存儲(chǔ)器）/eFlash（嵌入式閃存模塊）技術(shù)，為客戶提供全方位、一站式存儲(chǔ)IP定制服務(wù)和IP授權(quán)服務(wù)，滿足其廣泛的應(yīng)用需求。產(chǎn)品支持車規(guī)級(jí)可靠性 AEC-Q100 認(rèn)證。矚目的是，我司近期基于130納米邏輯制
2023-06-15 15:44:541283 中芯國(guó)際是中國(guó)大陸最大的半導(dǎo)體制造企業(yè)之一，主要業(yè)務(wù)是為其他半導(dǎo)體公司生產(chǎn)晶片。暫時(shí)中斷28納米芯片的生產(chǎn)擴(kuò)大，將致力于提高12納米節(jié)點(diǎn)的生產(chǎn)能力。smic的決定是出于經(jīng)濟(jì)上的原因。
2023-06-01 10:50:211485 恩智浦和臺(tái)積電聯(lián)合開(kāi)發(fā)采用臺(tái)積電16納米FinFET技術(shù)的嵌入式MRAM IP? 借助MRAM，汽車廠商可以更高效地推出新功能，加速OTA升級(jí)，消除量產(chǎn)瓶頸 恩智浦計(jì)劃于2025年初推出采用該技術(shù)
2023-05-26 20:15:02396 研究人員首先對(duì)銀納米顆粒/銅納米線進(jìn)行了合成，并對(duì)制備的銅納米線和化學(xué)沉積后負(fù)載不同尺寸銀納米顆粒的銅納米線進(jìn)行了形貌和結(jié)構(gòu)表征（圖1）。隨后，利用制備的銀納米顆粒/銅納米線材料制備獲得銀納米顆粒/銅納米線電極，用于后續(xù)無(wú)酶葡萄糖傳感性能的研究。
2023-05-12 15:19:28631 
傳感新品 【中科院北京納米能源與系統(tǒng)研究所：用于摩擦納米發(fā)電機(jī)和自供能傳感器的表面工程銀納米線透明導(dǎo)電薄膜】 摩擦納米發(fā)電機(jī)由于能夠高效的將低頻/高熵機(jī)械能轉(zhuǎn)化為電能，受到廣泛的關(guān)注。因此進(jìn)一步提高
2023-05-11 10:14:09629 
壓電納米定位臺(tái)在精密定位領(lǐng)域中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用，可集成于各類高精密裝備，為其提供納米級(jí)運(yùn)動(dòng)控制，且應(yīng)用非常廣泛，例如顯微掃描、光路調(diào)整、納米操控技術(shù)、激光干涉、納米光刻、生物科技、光通信、納米
2023-05-11 08:56:02347 
9250-28 數(shù)據(jù)表
2023-05-08 19:45:220 M16C/28 組（M16C/28、M16C/28B）短表
2023-05-05 19:32:291 M16C/28群硬件手冊(cè)
2023-05-05 19:27:491 M16C/28群（M16C/28、M16C/28B）硬件手冊(cè)
2023-05-04 20:01:042 R8C/28、R8C/29 組數(shù)據(jù)表
2023-04-26 20:01:290 R8C/28、R8C/29群硬件手冊(cè)
2023-04-26 20:01:000 存儲(chǔ)數(shù)據(jù)就是將信息以各種不同的形式存儲(chǔ)起來(lái)。數(shù)據(jù)存儲(chǔ)是一個(gè)存儲(chǔ)庫(kù)持久地存儲(chǔ)和管理數(shù)據(jù)的集合，其中不僅包括像倉(cāng)庫(kù)數(shù)據(jù)庫(kù)，而且有簡(jiǎn)單的存儲(chǔ)類型，如簡(jiǎn)單的文件、電子郵件等。 芯明天壓電納米定位臺(tái)具有
2023-04-26 16:23:02431 
X28HC64 數(shù)據(jù)表
2023-04-20 19:38:320 白光干涉儀和激光共聚焦顯微鏡同為微納米級(jí)表面光學(xué)分析儀器，都具有非接觸式、高速度測(cè)量、高穩(wěn)定性的特點(diǎn)，都有表征微觀形貌的輪廓尺寸測(cè)量功能，適用范圍廣，可測(cè)多種類型樣品的表面微細(xì)結(jié)構(gòu)
2023-04-20 14:38:431595 
臺(tái)積電投資高雄28納米廠傳出計(jì)劃生變，供應(yīng)鏈透露高雄廠將改為先進(jìn)制程且擴(kuò)大投資。高雄市長(zhǎng)陳其邁強(qiáng)調(diào)，臺(tái)積電投資高雄方向不變，相關(guān)工程也都順利推動(dòng)中，相信高雄絕對(duì)是臺(tái)積電投資臺(tái)灣的最佳伙伴
2023-04-19 15:10:47852 NP28N10SDE 數(shù)據(jù)表
2023-04-14 18:51:230 目前，隨著數(shù)據(jù)中心向著更大規(guī)模，更高速率，更多密度的方向發(fā)展。數(shù)據(jù)中心綜合布線需要至少能達(dá)到500m～2km的低成本100G光模塊解決方案。而QSFP28 SR4光模塊最遠(yuǎn)傳輸距離為100m，不能
2023-03-30 10:09:36676 
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