榮湃半導(dǎo)體近日宣布推出其最新研發(fā)的Pai8265xx系列柵極驅(qū)動(dòng)器，該系列驅(qū)動(dòng)器基于電容隔離技術(shù)，集成了多種保護(hù)功能，專為驅(qū)動(dòng)SiC、IGBT和MOSFET等功率管而設(shè)計(jì)。這款產(chǎn)品的推出，標(biāo)志著榮湃半導(dǎo)體在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的技術(shù)創(chuàng)新再次取得突破。
2024-03-12 11:11:52
248 意法半導(dǎo)體（ST）近日推出了一系列功率MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器，這些產(chǎn)品不僅在設(shè)計(jì)上追求穩(wěn)健性和可靠性，還致力于提供高度的系統(tǒng)集成性和靈活性，以滿足不同應(yīng)用場(chǎng)景的需求。
2024-03-12 10:54:43224 Microchip近日宣布推出一款創(chuàng)新的3.3 kV XIFM即插即用mSiC?柵極驅(qū)動(dòng)器，該驅(qū)動(dòng)器采用了Augmented Switching?專利技術(shù)，進(jìn)一步擴(kuò)展了其mSiC解決方案系列，為高壓SiC電源模塊的快速采用提供了有力支持。
2024-03-07 11:31:32313 GaN-on-silicon器件的橫向FET結(jié)構(gòu)有助于功率器件和信號(hào)器件的單片集成，集成GaN功率ic開(kāi)始在商業(yè)上出現(xiàn)【2】、【3】。這種集成有望降低尺寸和成本，同時(shí)提高可靠性和性能。 本文舉例說(shuō)明了集成FET和柵極驅(qū)動(dòng)器IC的優(yōu)勢(shì)。該IC主要用作間接飛行時(shí)間應(yīng)用
2024-03-05 14:29:42479 
意法半導(dǎo)體（下文為ST）的功率MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器旨在提供穩(wěn)健性、可靠性、系統(tǒng)集成性和靈活性的完美結(jié)合。
2024-02-27 09:05:36578 
適用SiC逆變器的各要素技術(shù)(SiCpower module,柵極驅(qū)動(dòng)回路,電容器等)最優(yōu)設(shè)計(jì)與基準(zhǔn)IGBT對(duì)比逆變器能量損失減少→EV續(xù)駛里程提升(5%1)
2024-01-26 10:25:44144 
納芯微近期推出了一款全新的NSD3604/8-Q1系列多通道半橋柵極驅(qū)動(dòng)芯片，這款產(chǎn)品具有出色的性能和廣泛的應(yīng)用場(chǎng)景。
2024-01-15 15:14:21457 必易微新推出的柵極驅(qū)動(dòng)器 KP85402，專為家用電器和工業(yè)新能源等應(yīng)用場(chǎng)景而設(shè)計(jì)。這款產(chǎn)品旨在為客戶提供一個(gè)高可靠性、低成本的解決方案，以滿足各種柵極驅(qū)動(dòng)需求。
2024-01-08 15:33:25390 關(guān)鍵技術(shù)-SiC門驅(qū)動(dòng)回路/電容器
通過(guò)SiC門驅(qū)動(dòng)回路優(yōu)化設(shè)計(jì)提升性能和強(qiáng)化保護(hù)功能通過(guò)采用電容器P-N BUSBAR疊層設(shè)計(jì)減少寄生電感
2024-01-02 11:36:24116 
非對(duì)稱穩(wěn)壓輸出適合 IGBT、Si、SiC 和 GaN 共源共柵柵極驅(qū)動(dòng) - 現(xiàn)在，借助新型 R24C2T25 DC/DC 轉(zhuǎn)換器為 IGBT、Si、SiC 和 GaN 共源共柵柵極驅(qū)動(dòng)器供電變得空前簡(jiǎn)單。
2023-12-21 11:46:42334 SIC MOSFET對(duì)驅(qū)動(dòng)電路的基本要求? SIC MOSFET（碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是一種新興的功率半導(dǎo)體器件，具有良好的電氣特性和高溫性能，因此被廣泛應(yīng)用于各種驅(qū)動(dòng)電路中。SIC
2023-12-21 11:15:49416 報(bào)告內(nèi)容包含：
效率和功率密度推動(dòng)變革
基本的 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器功能
驅(qū)動(dòng)器演進(jìn)以支持 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）
驅(qū)動(dòng)器進(jìn)化以支持 SiC（碳化硅）
2023-12-18 09:39:57156 
BTD25350雙通道隔離，原方帶死區(qū)時(shí)間設(shè)置，副方帶米勒鉗位功能，非常適合充電樁中后級(jí)LLC用SiC MOSFET方案 BTD25350系列雙通道隔離型門極驅(qū)動(dòng)器，峰值輸出電流可達(dá)10A
2023-11-30 09:42:59
GaN和SiC的使用數(shù)量正在急劇增加，但是并非所有柵極驅(qū)動(dòng)器都適合使用這些技術(shù)，ADI針對(duì)這些GaN和SiC產(chǎn)品提供了豐富柵極驅(qū)動(dòng)器，并將柵極驅(qū)動(dòng)器分為三類：第一類是簡(jiǎn)單柵極驅(qū)動(dòng)器；第二類是監(jiān)控柵極驅(qū)動(dòng)器；第三類是可編程柵極驅(qū)動(dòng)器
2023-11-17 18:45:01326 
SiC驅(qū)動(dòng)器模塊具有較低的功耗、高溫運(yùn)行能力和快速開(kāi)關(guān)速度等優(yōu)勢(shì)，使其在下一代功率器件中有著廣闊的應(yīng)用前景。SiC驅(qū)動(dòng)器模塊可以用于電動(dòng)車的電力系統(tǒng)、可再生能源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)、工業(yè)電力電子裝置和航空航天
2023-11-16 15:53:30257 
ROHM Semiconductor宣布推出新型BD2311NVX-LB柵極驅(qū)動(dòng)器IC。該器件可實(shí)現(xiàn)納秒 (ns) 級(jí)的柵極驅(qū)動(dòng)速度，因此非常適合高速 GaN 功率器件開(kāi)關(guān)。 通過(guò)對(duì)氮化鎵技術(shù)的全面
2023-11-14 15:04:58438 列文章的第二部分 SiC柵極驅(qū)動(dòng)電路的關(guān)鍵要求 和 NCP51705 SiC 柵極驅(qū)動(dòng)器的基本功能 。 分立式 SiC 柵極驅(qū) 動(dòng) 為了補(bǔ)
2023-11-02 19:10:01361 
新廠房已經(jīng)竣工，并舉行了竣工儀式。 竣工儀式剪影 RWEM此前主要生產(chǎn)二極管和LED等小信號(hào)產(chǎn)品，新廠房建成后計(jì)劃生產(chǎn)隔離柵極驅(qū)動(dòng)器（模擬IC的重點(diǎn)產(chǎn)品之一）。 隔離柵極驅(qū)動(dòng)器是用來(lái)對(duì)IGBT和SiC等功率半導(dǎo)體進(jìn)行合宜驅(qū)動(dòng)的IC，在實(shí)現(xiàn)電動(dòng)汽車和工業(yè)設(shè)備的節(jié)能化及小型化方面發(fā)揮著重要作用，預(yù)計(jì)未
2023-10-25 15:45:02191 
~采用業(yè)界先進(jìn)的納秒量級(jí)柵極驅(qū)動(dòng)技術(shù)，助力LiDAR和數(shù)據(jù)中心等應(yīng)用的小型化和進(jìn)一步節(jié)能~ 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）開(kāi)發(fā)出一款超高速驅(qū)動(dòng)GaN器件的柵極驅(qū)動(dòng)器IC
2023-10-25 15:45:02192 
在商業(yè)應(yīng)用中利用寬帶隙碳化硅（SiC）的獨(dú)特電氣優(yōu)勢(shì)需要解決由材料機(jī)械性能引起的可靠性挑戰(zhàn)。憑借其先進(jìn)的芯片粘接技術(shù)，Vincotech 處于領(lǐng)先地位。 十多年前首次推出的SiC功率模塊可能會(huì)
2023-10-23 16:49:36372 
igbt的柵極驅(qū)動(dòng)條件 igbt的柵極驅(qū)動(dòng)條件對(duì)其特性有什么影響？ IGBT是晶體管的一種，它是一種高壓、高電流的開(kāi)關(guān)器件，常用于高功率電子應(yīng)用中。IGBT是一種三極管，由一個(gè)PN結(jié)組成的集成電路
2023-10-19 17:08:14622 ~采用業(yè)界先進(jìn)的納秒量級(jí)柵極驅(qū)動(dòng)技術(shù)，助力LiDAR和數(shù)據(jù)中心等應(yīng)用的小型化和進(jìn)一步節(jié)能~ 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）開(kāi)發(fā)出一款超高速驅(qū)動(dòng)GaN器件的柵極驅(qū)動(dòng)器IC
2023-10-19 15:39:38214 
額外的電路通常比專用
SiC 占用更多的空間。因此，高端設(shè)計(jì)通常選擇專用的
SiC 核心
驅(qū)動(dòng)器，這會(huì)考慮到更快的開(kāi)關(guān)、過(guò)壓條件以及噪聲和 EMI 等問(wèn)題。他說(shuō)：“你總是可以使用標(biāo)準(zhǔn)
柵極驅(qū)動(dòng)器，但你必須用額外的電路來(lái)補(bǔ)充它，通常這就是權(quán)衡?！?/div>
2023-10-09 14:21:40423 
驅(qū)動(dòng)光耦產(chǎn)品線，近期新增一款輸出電流為2.5A的智能柵極驅(qū)動(dòng)光耦 TLP5222 。它是一款可為MOSFET或IGBT等功率器件提供過(guò)流保護(hù)的隔離柵極驅(qū)動(dòng)IC，內(nèi)置保護(hù)操作自動(dòng)恢復(fù)的功能。該器件主要用來(lái)實(shí)現(xiàn)逆變器、交流伺服器，光伏逆變器等的智
2023-09-28 17:40:02526 
2023 年 9 月 6 日，中國(guó) ——意法半導(dǎo)體推出了首款具有電流隔離功能的氮化鎵 (GaN) 晶體管柵極驅(qū)動(dòng)器，新產(chǎn)品 STGAP2GS縮小了芯片尺寸，降低了物料清單成本，能夠滿足應(yīng)用對(duì)寬禁帶芯片的能效以及安全性和電氣保護(hù)的更高要求。
2023-09-07 10:12:13183 單通道STGAP2SiCSN柵極驅(qū)動(dòng)器旨在優(yōu)化SiC MOSFET的控制，采用節(jié)省空間的窄體SO-8封裝，通過(guò)精確的PWM控制提供強(qiáng)大穩(wěn)定的性能。隨著SiC技術(shù)廣泛應(yīng)用于提高功率轉(zhuǎn)換效率，STGAP2SiCSN簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì)、節(jié)省了空間，并增強(qiáng)了節(jié)能型動(dòng)力系統(tǒng)、驅(qū)動(dòng)器和控制的穩(wěn)健性和可靠性。
2023-09-05 07:32:19
下的虛假開(kāi)關(guān)。對(duì)于這兩個(gè)通道，該器件可以提供高達(dá)4A的強(qiáng)大柵極控制信號(hào)，其雙輸出引腳為柵極驅(qū)動(dòng)提供了額外的靈活性。有源Miller鉗位功能可在半橋拓?fù)涞目焖贀Q向期間避免柵極峰。
2023-09-05 06:59:59
一、什么是SiC半導(dǎo)體？1.SiC材料的物性和特征SiC（碳化硅）是一種由Si（硅）和C（碳）構(gòu)成的化合物半導(dǎo)體材料。不僅絕緣擊穿場(chǎng)強(qiáng)是Si的10倍，帶隙是Si的3倍，而且在器件制作時(shí)可以在較寬
2023-08-21 17:14:581144 
MOSFET的獨(dú)特器件特性意味著它們對(duì)柵極驅(qū)動(dòng)電路有特殊的要求。了解這些特性后，設(shè)計(jì)人員就可以選擇能夠提高器件可靠性和整體開(kāi)關(guān)性能的柵極驅(qū)動(dòng)器。在這篇文章中，我們討論了SiC MOSFET器件的特點(diǎn)以及它們對(duì)柵極驅(qū)動(dòng)電路的要求，然后介紹了一種能夠解決這些問(wèn)題和其它系統(tǒng)級(jí)考慮因素的IC方案。
2023-08-03 11:09:57740 
在電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中，柵極驅(qū)動(dòng)器或“預(yù)驅(qū)動(dòng)器” IC常與N溝道功率MOSFET一起使用，以提供驅(qū)動(dòng)電機(jī)所需的大電流。在選擇驅(qū)動(dòng)器IC、MOSFET以及某些情況下用到的相關(guān)無(wú)源元件時(shí)，有很多需要考量的設(shè)計(jì)因素。如果對(duì)這個(gè)過(guò)程了解不透徹，將導(dǎo)致實(shí)現(xiàn)方式的差強(qiáng)人意。
2023-08-02 18:18:34807 
。它是一款160V絕緣體上硅(SOI)柵極驅(qū)動(dòng)器IC，采用5x5mm2QFN-32封裝，帶有熱效率高的裸露功率焊盤，并集成了電源管理單元(PMU)。這種易于使用的器件
2023-07-31 22:55:20466 
新品6.5A，2300V單通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器評(píng)估板（配SiCMOSFET）EVAL-1ED3142MX12F-SIC采用半橋電路，用兩個(gè)柵極驅(qū)動(dòng)IC1ED3142MU12F來(lái)驅(qū)動(dòng)IGBT
2023-07-31 17:55:56430 比鄰驅(qū)動(dòng)?(Nextdrive?)是瞻芯電子自主創(chuàng)新開(kāi)發(fā)的一系列碳化硅(SiC)專用柵極驅(qū)動(dòng)芯片，具有緊湊、高速和智能的特點(diǎn)。
2023-07-25 16:26:141580 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《DGD2101高壓柵極驅(qū)動(dòng)器IC.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-07-24 15:55:43
0 通常GaN Hemt驅(qū)動(dòng)存在2個(gè)難題：驅(qū)動(dòng)電壓低，容易誤啟動(dòng)；柵極耐電壓低，柵極容易損耗，因此需要專門的驅(qū)動(dòng)器，不僅增加了設(shè)計(jì)復(fù)雜度，也額外增加了系統(tǒng)成本。
2023-07-23 15:08:36442 
比鄰驅(qū)動(dòng)(Nextdrive)是瞻芯電子自主創(chuàng)新開(kāi)發(fā)的一系列碳化硅(SiC)專用柵極驅(qū)動(dòng)芯片，具有緊湊、高速和智能的特點(diǎn)。
2023-07-21 16:18:243392 
供應(yīng)ID2006SEC-R1 200V高低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)IC，提供id2006芯片規(guī)格書關(guān)鍵參數(shù) ，廣泛應(yīng)用于中小型功率電機(jī)驅(qū)動(dòng)、功率MOSFET或IGBT驅(qū)動(dòng)、半橋功率逆變器、全橋功率逆變器、任意互補(bǔ)驅(qū)動(dòng)轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向芯朋微代理商深圳市驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-07-20 14:31:284 則兩全其美，可實(shí)現(xiàn)在高壓下的高頻開(kāi)關(guān)。然而，SiC MOSFET的獨(dú)特器件特性意味著它們對(duì)柵極驅(qū)動(dòng)電路有特殊的要求。了解這些特
2023-07-18 19:05:01462 
柵極驅(qū)動(dòng)芯片可根據(jù)功能分為多種類型，如單路、雙路、多路等。因此，在選型時(shí)需要根據(jù)具體應(yīng)用情況進(jìn)行選擇。
2023-07-14 14:59:402457 
IGBT/功率MOSFET的結(jié)構(gòu)使得柵極形成一個(gè)非線性電容。給柵極電容充電會(huì)使功率器件導(dǎo)通，并允許電流在其漏極和源極引腳之間流動(dòng)，而放電則會(huì)使器件關(guān)斷，漏極和源極引腳上就可以阻斷大電壓。
2023-07-14 14:54:071579 
聚焦高性能模擬芯片和嵌入式處理器的半導(dǎo)體設(shè)計(jì)公司——思瑞浦3PEAK（股票代碼：688536）推出CMTI ±150kV/μs隔離柵極驅(qū)動(dòng)——TPM2351x系列, 因其突出的產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)，可廣泛應(yīng)用于IGBT、SiC MOSFET等功率器件的驅(qū)動(dòng)中。
2023-07-14 10:52:54453 
、更高效的系統(tǒng)設(shè)計(jì)。 開(kāi) 發(fā) 背 景 全球清潔能源市場(chǎng)要求汽車和工業(yè)領(lǐng)域的功率系統(tǒng)設(shè)計(jì)師更高效地產(chǎn)生、儲(chǔ)存和使用能源，而寬帶隙碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）能夠在系統(tǒng)級(jí)提供明顯的效率優(yōu)勢(shì)，但往往也伴隨著一些巨大的集成挑戰(zhàn)。 傳統(tǒng)柵極驅(qū)動(dòng)器的實(shí)現(xiàn)需要隔離柵極驅(qū)動(dòng)器和
2023-07-13 16:05:02416 
傳統(tǒng)柵極驅(qū)動(dòng)器的實(shí)現(xiàn)需要隔離柵極驅(qū)動(dòng)器和單獨(dú)的隔離電源，在系統(tǒng)組裝時(shí)，驅(qū)動(dòng)器、電源和FET之間的連接可能會(huì)帶來(lái)不必要的噪聲，并產(chǎn)生電磁干擾（EMI），從而降低系統(tǒng)性能。而要減輕這些影響可能會(huì)帶來(lái)更多設(shè)計(jì)復(fù)雜性，增大項(xiàng)目進(jìn)度時(shí)間和成本，以及解決方案的體積和重量。
2023-07-13 09:47:40361 PT5619 在 同一顆芯片中同時(shí)集成了三個(gè) 90V 半橋柵極驅(qū)動(dòng)器 ，特別適合于 三相電機(jī)應(yīng)用中高速功率 MOSFET 和 IGBT 的柵極驅(qū)動(dòng) 。
2023-07-11 16:12:24434 
在本文中，我們將重點(diǎn)介紹實(shí)時(shí)可變柵極驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度的技術(shù)優(yōu)勢(shì)，這項(xiàng)新功能可讓設(shè)計(jì)人員優(yōu)化系統(tǒng)參數(shù)，例如效率（影響電動(dòng)汽車行駛里程）和 SiC 過(guò)沖（影響可靠性）。
2023-07-10 09:28:53236 
經(jīng)久耐用的電氣隔離技術(shù)以及柵極驅(qū)動(dòng)器 IC 輸出級(jí)和封裝的多項(xiàng)創(chuàng)新
2023-07-08 14:48:48317 
在本文中，我們將重點(diǎn)介紹實(shí)時(shí)可變柵極驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度的技術(shù)優(yōu)勢(shì)，這項(xiàng)新功能可讓設(shè)計(jì)人員優(yōu)化系統(tǒng)參數(shù)，例如效率（影響電動(dòng)汽車行駛里程）和 SiC過(guò)沖（影響可靠性）。
2023-07-04 10:34:17358 
功率元件具有較大的承載能力和較低的內(nèi)阻，以應(yīng)對(duì)較高的功率需求，并保證能量傳輸?shù)男?。例如?b class="flag-6" style="color: red">功率晶體管（如MOSFET、BJT）和功率放大器模塊屬于典型的功率元件。
2023-06-30 16:28:141019 寬禁帶生態(tài)系統(tǒng)的一部分，還將提供? NCP51705（用于 SiC MOSFET 的隔離柵極驅(qū)動(dòng)器）的使用指南 。本文為
2023-06-25 14:35:02377 
GeneSiC高速高壓SiC驅(qū)動(dòng)大功率創(chuàng)新
2023-06-16 11:08:58
和更快的切換速度與傳統(tǒng)的硅mosfet和絕緣柵雙極晶體管(igbt)相比，SiC mosfet柵極驅(qū)動(dòng)在設(shè)計(jì)過(guò)程中必須仔細(xì)考慮需求。本應(yīng)用程序說(shuō)明涵蓋為SiC mosfet選擇柵極驅(qū)動(dòng)IC時(shí)的關(guān)鍵參數(shù)。
2023-06-16 06:04:07
輸入。本文將為您介紹柵極驅(qū)動(dòng)電源與DC-DC轉(zhuǎn)換器的技術(shù)概念，以及由Murata推出的隔離柵極驅(qū)動(dòng)電源產(chǎn)品系列的功能特性。
2023-06-08 14:03:09362 高壓DC-DC功率轉(zhuǎn)換要求的氮化鎵（GaN）功率開(kāi)關(guān)等最新技術(shù)，使得功率密度可以達(dá)到100 W/inch3。PFC和DC-DC的數(shù)字控制與出色的柵極驅(qū)動(dòng)解決方案一樣，對(duì)于提高能效和增強(qiáng)魯棒性至關(guān)重要
2023-06-07 15:16:56561 
1200 V 絕緣體上硅（SOI）三相柵極驅(qū)動(dòng)器之后，現(xiàn)又推出 EiceDRIVER 2ED132xS12x 系列，進(jìn)一步擴(kuò)展其產(chǎn)品組合。該驅(qū)動(dòng)器 IC系列的半橋配置補(bǔ)充了現(xiàn)有的 1200V SOI 系列
2023-06-06 11:03:03420 
碳化硅（SiC）MOSFET 的使用促使了多個(gè)應(yīng)用的高效率電力輸送，比如電動(dòng)車快速充電、電源、可再生能源以及電網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施。
2023-05-22 17:36:411063 
在為任一高功率或高電壓系統(tǒng)設(shè)計(jì)印刷電路板 (PCB) 布局時(shí)，柵極驅(qū)動(dòng)電路特別容易受到寄生阻抗和信號(hào)的影響。對(duì)于碳化硅 (SiC) 柵極驅(qū)動(dòng)，更需認(rèn)真關(guān)注細(xì)節(jié)，因?yàn)槠潆妷汉碗娏鞯霓D(zhuǎn)換速率通常比硅快得多。遵循指定 PCB 設(shè)計(jì)指南，可以幫助減少這些常見(jiàn)隱患并消除實(shí)驗(yàn)室或現(xiàn)場(chǎng)故障。
2023-05-20 16:57:571001 
功率 MOSFET 是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其他系統(tǒng)中的開(kāi)關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET 的其他端子是源極和漏極。
為了操作 MOSFET，通常須將一個(gè)電壓施加于柵極（相對(duì)于源極或發(fā)射極）。使用專用驅(qū)動(dòng)器向功率器件的柵極施加電壓并提供驅(qū)動(dòng)電流。
2023-05-17 10:21:391473 
柵極驅(qū)動(dòng)器是一個(gè)用于放大來(lái)自微控制器或其他來(lái)源的低電壓或低電流的緩沖電柵極驅(qū)動(dòng)器的原理及應(yīng)用分析用中，微控制器輸出通常不適合用于驅(qū)動(dòng)功率較大的晶體管。
2023-05-17 10:14:526240 
MOSFET 共同封裝，以生產(chǎn)當(dāng)今市場(chǎng)上唯一的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng) SiC 器件。該器件采用 D2PAK-3L 封裝，具有超低柵極電荷，而且具有同類額定值器件中最佳的反向恢
2023-05-12 15:54:18
常開(kāi) SiC JFET 與 Si MOSFET 共同封裝以產(chǎn)生常關(guān) SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性允許使用現(xiàn)成的柵極驅(qū)動(dòng)器，因此在更換 Si IG
2023-05-12 15:46:12
配置，其中常開(kāi) SiC JFET 與 Si MOSFET 共同封裝以產(chǎn)生常關(guān) SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性允許使用現(xiàn)成的柵極驅(qū)動(dòng)器，因此在更換 S
2023-05-12 15:34:44
常開(kāi) SiC JFET 與 Si MOSFET 共同封裝以產(chǎn)生常關(guān) SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性允許使用現(xiàn)成的柵極驅(qū)動(dòng)器，因此在更換 Si IGBT
2023-05-12 15:29:06
配置，其中常開(kāi) SiC JFET 與 Si MOSFET 共同封裝以產(chǎn)生常關(guān) SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性允許使用現(xiàn)成的柵極驅(qū)動(dòng)器，因此在更換 S
2023-05-12 15:16:27
MOSFET 共同封裝以產(chǎn)生常關(guān) SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性允許使用現(xiàn)成的柵極驅(qū)動(dòng)器，因此在更換 Si IGBT、Si 超級(jí)結(jié)器件或 SiC MO
2023-05-12 14:59:16
MOSFET 共同封裝以產(chǎn)生常關(guān) SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性允許使用現(xiàn)成的柵極驅(qū)動(dòng)器，因此在更換 Si IGBT、Si 超級(jí)結(jié)器件或 SiC MO
2023-05-12 14:53:49
MOSFET 共同封裝以產(chǎn)生常關(guān) SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性允許使用現(xiàn)成的柵極驅(qū)動(dòng)器，因此在更換 Si IGBT、Si 超級(jí)結(jié)器件或 SiC M
2023-05-12 14:47:58
與 Si MOSFET 共同封裝以產(chǎn)生常關(guān) SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性允許使用現(xiàn)成的柵極驅(qū)動(dòng)器，因此在更換 Si IGBT、Si 超級(jí)結(jié)器件或
2023-05-12 14:35:49
與 Si MOSFET 共同封裝以產(chǎn)生常關(guān) SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性允許使用現(xiàn)成的柵極驅(qū)動(dòng)器，因此在更換 Si IGBT、Si 超級(jí)結(jié)器件
2023-05-12 14:29:40
MOSFET 共同封裝以產(chǎn)生常關(guān) SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性允許使用現(xiàn)成的柵極驅(qū)動(dòng)器，因此在更換 Si IGBT、Si 超級(jí)結(jié)器件或 SiC MOS
2023-05-12 14:20:38
與 Si MOSFET 共同封裝以產(chǎn)生常關(guān) SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性允許使用現(xiàn)成的柵極驅(qū)動(dòng)器，因此在更換 Si IGBT、Si 超級(jí)結(jié)器件或
2023-05-12 14:11:46
與 Si MOSFET 共同封裝以產(chǎn)生常關(guān) SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性允許使用現(xiàn)成的柵極驅(qū)動(dòng)器，因此在更換 Si IGBT、Si 超級(jí)結(jié)器件或
2023-05-12 12:44:42
與 Si MOSFET 共同封裝以產(chǎn)生常關(guān) SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性允許使用現(xiàn)成的柵極驅(qū)動(dòng)器，因此在更換 Si IGBT、Si 超級(jí)結(jié)器件或
2023-05-12 12:26:54
MOSFET 共同封裝以產(chǎn)生常關(guān) SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性允許使用現(xiàn)成的柵極驅(qū)動(dòng)器，因此在更換 Si IGBT、Si 超級(jí)結(jié)器件或 SiC MOSF
2023-05-12 11:54:23
與 Si MOSFET 共同封裝以產(chǎn)生常關(guān) SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性允許使用現(xiàn)成的柵極驅(qū)動(dòng)器，因此在更換 Si IGBT、Si 超級(jí)結(jié)器件或 S
2023-05-11 20:45:39
JFET 與 Si MOSFET 共同封裝以產(chǎn)生常關(guān) SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性允許使用現(xiàn)成的柵極驅(qū)動(dòng)器，因此在更換 Si IGBT、Si 超級(jí)
2023-05-11 20:38:23
MOSFET 共同封裝以產(chǎn)生常關(guān) SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性允許使用現(xiàn)成的柵極驅(qū)動(dòng)器，因此在更換 Si IGBT、Si 超級(jí)結(jié)器件或 SiC
2023-05-11 20:28:32
JFET 與 FET 優(yōu)化 MOSFET 共同封裝，以生產(chǎn)當(dāng)今市場(chǎng)上唯一的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng) SiC 器件。該系列不僅具有超低柵極電荷，而且具有同類額定值器件中最好的反向恢
2023-05-11 19:01:57
首先說(shuō)一下電源IC直接驅(qū)動(dòng)，下圖是我們最常用的直接驅(qū)動(dòng)方式，在這類方式中，我們由于驅(qū)動(dòng)電路未做過(guò)多處理，因此我們進(jìn)行PCB LAYOUT時(shí)要盡量進(jìn)行優(yōu)化。如縮短IC至MOSFET的柵極走線長(zhǎng)度，增加走線寬度，盡量將Rg放置在離MOSFET柵極較進(jìn)的位置，從而達(dá)到減少寄生電感，消除噪音的目的。
2023-04-28 12:23:386439 
器，可提供6A峰值灌電流、5A峰值拉電流驅(qū)動(dòng)。這些器件支持高速切換，結(jié)合器件的低傳輸延時(shí)、超低脈寬失真等優(yōu)勢(shì)，使其成為MOSFET、IGBT、SiC等大功率晶體管驅(qū)動(dòng)的理想選擇，最高工作頻率可達(dá)5MHz，適用于各種逆變器、隔離電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用。 所有器件采用川土特有的電容隔離技術(shù)，在內(nèi)部集成數(shù)字隔離
2023-04-24 18:31:401791 
TMI8723是一款專為H橋驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用而設(shè)計(jì)的柵極驅(qū)動(dòng)器集成電路。它能夠驅(qū)動(dòng)由四個(gè)高達(dá)40V的N溝道功率MOSFET組成的H橋。TMI8723集成了一個(gè)可調(diào)節(jié)的電荷泵來(lái)產(chǎn)生柵極驅(qū)動(dòng)功率，峰值和源極電流可以是500mA和250mA。同時(shí)，TMI8723可以通過(guò)引腳VDS設(shè)置過(guò)電流點(diǎn)的值。
2023-04-20 15:00:311 簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)，柵極驅(qū)動(dòng)器是一個(gè)用于放大來(lái)自微控制器或其他來(lái)源的低電壓或低電流的緩沖電路。在某些情況下，例如驅(qū)動(dòng)用于數(shù)字信號(hào)傳輸?shù)倪壿嬰娖骄w管時(shí)，使用微控制器輸出不會(huì)損害應(yīng)用的效率、尺寸或熱性能。在高功率應(yīng)用中，微控制器輸出通常不適合用于驅(qū)動(dòng)功率較大的晶體管。
2023-04-18 13:52:56699 
本文是“SiC MOSFET：柵極－源極電壓的浪涌抑制方法”系列文章的總結(jié)篇。介紹SiC MOSFET的柵極－源極電壓產(chǎn)生的浪涌、浪涌抑制電路、正電壓浪涌對(duì)策、負(fù)電壓浪涌對(duì)策和浪涌抑制電路的電路板
2023-04-13 12:20:02813 柵極驅(qū)動(dòng)器是一種功率放大器，它接受來(lái)自控制器IC的低功耗輸入，并為功率器件產(chǎn)生適當(dāng)?shù)母唠娏?b class="flag-6" style="color: red">柵極驅(qū)動(dòng)。隨著對(duì)電力電子器件的要求不斷提高，柵極驅(qū)動(dòng)器電路的設(shè)計(jì)和性能變得越來(lái)越重要。
功率
2023-04-04 10:23:45546 功率 MOSFET 是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其他系統(tǒng)中的開(kāi)關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET 的其他端子是源極和漏極。
2023-04-04 09:58:391001 電機(jī)控制器整體重量低于7.5kg，厚度76mm，功率密度為34kW/kg，SiC用在車用逆變器上，可以使開(kāi)關(guān)損耗降低75％（芯片溫度為150°C）。在相同封裝下，全SiC模塊具備更高的電流輸出能力，支持逆變器達(dá)到更高功率。
2023-03-30 09:39:251229 ，很高興能與APEX Microtechnology開(kāi)展合作。ROHM作為SiC功率元器件的先進(jìn)企業(yè)，能夠提供與柵極驅(qū)動(dòng)器IC相結(jié)合的功率系統(tǒng)解決方案，并且已經(jīng)在該領(lǐng)域取得了巨大的技術(shù)領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)。我們將與
2023-03-29 15:06:13
柵極驅(qū)動(dòng)器是一種功率放大器，它接受來(lái)自控制器IC的低功耗輸入，并為功率器件產(chǎn)生適當(dāng)?shù)母唠娏?b class="flag-6" style="color: red">柵極驅(qū)動(dòng)。隨著對(duì)電力電子器件的要求不斷提高，柵極驅(qū)動(dòng)器電路的設(shè)計(jì)和性能變得越來(lái)越重要。
2023-03-23 16:48:48535 
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