電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《適用于SiC/IGBT器件和汽車應(yīng)用的單通道隔離式柵極驅(qū)動器UCC5350-Q1數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-03-22 10:17:51
0 IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種在功率電子領(lǐng)域中廣泛使用的半導(dǎo)體器件，用于在高電壓、高電流的情況下控制電能的傳輸和轉(zhuǎn)換。IGBT對驅(qū)動電路的要求
2024-03-12 15:27:38
207 意法半導(dǎo)體（ST）近日推出了一系列功率MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動器，這些產(chǎn)品不僅在設(shè)計上追求穩(wěn)健性和可靠性，還致力于提供高度的系統(tǒng)集成性和靈活性，以滿足不同應(yīng)用場景的需求。
2024-03-12 10:54:43224 基于開關(guān)電力電子器件的轉(zhuǎn)換器和逆變器是可再生能源發(fā)電廠和電動汽車的關(guān)鍵組件。雖然MOSFET和IGBT都可以用在相關(guān)系統(tǒng)中，但前者的柵極驅(qū)動功率較低、開關(guān)速度更佳且在低電壓下效率更高，所以MOSFET占據(jù)了市場主導(dǎo)地位，并廣泛用于各類電力電子應(yīng)用。
2024-03-01 09:51:1881 
意法半導(dǎo)體（下文為ST）的功率MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動器旨在提供穩(wěn)健性、可靠性、系統(tǒng)集成性和靈活性的完美結(jié)合。
2024-02-27 09:05:36578 
IGBT的柵極電壓與管子允許的短路時間是什么關(guān)系？ IGBT是一種集成了晶體管和MOSFET技術(shù)的功率電子器件。它的主要功能是將低電平信號轉(zhuǎn)換為高電壓、高電流能力的輸出信號。在工業(yè)控制和電源
2024-02-20 11:00:57204 IGBT和MOSFET在對飽和區(qū)的定義差別? IGBT和MOSFET是傳輸電力和控制電流的重要電子器件。它們在許多電力電子應(yīng)用中起著關(guān)鍵的作用。飽和區(qū)是IGBT和MOSFET工作的一個重要區(qū)域，但是
2024-02-18 14:35:35324 Field-Effect Transistor）的控制性能，又具有異質(zhì)結(jié)的管子功率特性。IGBT也是一個開關(guān)器件，可以在高電壓和高電流條件下工作，并且被廣泛應(yīng)用于各種電力電子設(shè)備中。 IGBT由三個主要區(qū)域組成
2024-02-01 13:59:45449 低導(dǎo)通壓降和高開關(guān)速度的特點，因此被廣泛應(yīng)用于各種功率電子系統(tǒng)。 IGBT驅(qū)動電路的主要功能是控制IGBT的開關(guān)狀態(tài)，并提供足夠的電流和電壓以確保IGBT的正常工作。IGBT驅(qū)動電路通常包括輸入電路、隔離電路、驅(qū)動邏輯電路和輸出電路等部分。 輸入電路用于接收輸入信
2024-01-23 13:44:51674 電子和工業(yè)控制系統(tǒng)中。它是一種用于高電壓和高電流應(yīng)用的開關(guān)和放大器。 IGBT的基本結(jié)構(gòu)由四個摻雜的半導(dǎo)體層組成：N型溝道、P型基區(qū)、N型漏結(jié)和P型柵結(jié)?？刂破鋵?dǎo)通和截止?fàn)顟B(tài)的是其柵極。當(dāng)IGBT柵極電壓低于閾值時，它處于關(guān)閉狀態(tài)，沒有電流通過。當(dāng)柵極電壓高于閾值時，形成電場，電流可以流過
2024-01-22 11:14:57273 集成電路（Integrated Circuit，簡稱IC）是指在一個芯片上集成了多個電子器件和電子元件的電路。這些電子器件和電子元件包括晶體管、電容器、電感器、二極管、三極管等等。通過提供不同的供電
2024-01-22 11:03:18824 由于IGBT高電壓、大電流和高頻特性，IGBT需要一個專門的驅(qū)動電路來控制其開通和關(guān)斷。本文將介紹IGBT驅(qū)動電路。 一、IGBT驅(qū)動電路的作用 IGBT驅(qū)動電路的主要作用是向IGBT提供適當(dāng)?shù)?b class="flag-6" style="color: red">柵極
2024-01-17 13:56:55552 
氮化物半導(dǎo)體具有寬禁帶、可調(diào)，高光電轉(zhuǎn)化效率等優(yōu)點，在紫外傳感器，功率器件，射頻電子器件，LED照明、顯示、深紫外殺菌消毒、激光器、存儲等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景，被認(rèn)為是有前途的發(fā)光材料。
2024-01-15 18:18:56672 
不同的設(shè)計和功能，會影響 IGBT 的工作特性和性能。 第一部分：驅(qū)動板的作用和需求 IGBT 是一種高壓高功率開關(guān)器件，在許多領(lǐng)域廣泛應(yīng)用，如變頻器、電機控制、電力電子等。IGBT 需要一個驅(qū)動板來提供適當(dāng)?shù)男盘柡碗娏鱽砜刂破溟_關(guān)行為。驅(qū)動板的主要功
2024-01-15 11:26:04355 IGBT是一種高性能功率半導(dǎo)體器件，常用于驅(qū)動大功率負(fù)載的電路中。 一、IGBT的工作原理 IGBT是由MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）和BJT（雙極型晶體管）兩個器件構(gòu)成。它結(jié)合
2024-01-12 14:43:521673 IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）是一種廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域的高性能半導(dǎo)體器件，具有高輸入阻抗、低導(dǎo)通壓降、高電流密度等優(yōu)點。然而，由于IGBT的驅(qū)動電路對其性能和壽命有很大影響，因此選擇合適的驅(qū)動
2023-12-30 10:11:00546 
非對稱穩(wěn)壓輸出適合 IGBT、Si、SiC 和 GaN 共源共柵柵極驅(qū)動 - 現(xiàn)在，借助新型 R24C2T25 DC/DC 轉(zhuǎn)換器為 IGBT、Si、SiC 和 GaN 共源共柵柵極驅(qū)動器供電變得空前簡單。
2023-12-21 11:46:42334 報告內(nèi)容包含：
效率和功率密度推動變革
基本的 MOSFET 柵極驅(qū)動器功能
驅(qū)動器演進以支持 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）
驅(qū)動器進化以支持 SiC（碳化硅）
2023-12-18 09:39:57156 
圣邦微電子推出 SGM48541/2/3/4/5 系列，一款耐受 -10V 輸入電壓的單通道高速低側(cè)柵極驅(qū)動器。 該系列器件被廣泛應(yīng)用于 DC/DC 轉(zhuǎn)換器、太陽能和電機驅(qū)動器中的功率 MOSFET
2023-12-13 10:10:01271 離子凝膠為柔性電子器件提供了創(chuàng)新的應(yīng)用與未來前景，涵蓋可穿戴電子器件、軟機器人和智能系統(tǒng)等領(lǐng)域。
2023-12-08 14:16:19732 
igbt的作用和功能? IGBT，即絕緣柵雙極型晶體管（Insulated Gate Bipolar Transistor），是一種用于功率電子器件中的雙極型晶體管。IGBT 融合了絕緣
2023-12-07 16:32:552936 在當(dāng)今的數(shù)字時代，電子元件是塑造我們生活的無數(shù)技術(shù)奇跡的支柱。從智能手機到電動汽車以及介于兩者之間的所有產(chǎn)品，電子元件都發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。稱為柵極驅(qū)動器的關(guān)鍵組件在控制半導(dǎo)體器件的開關(guān)方面發(fā)揮著關(guān)鍵作用。本文深入探討了柵極驅(qū)動器的原理、其重要性以及它們?nèi)绾未龠M電子電路和系統(tǒng)的高效運行。
2023-12-06 10:05:32431 
IGBT柵極驅(qū)動設(shè)計，關(guān)鍵元件該怎么選？
2023-11-30 18:02:38294 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《用基于三相絕緣柵極雙極性晶體管 (IGBT)的逆變器應(yīng)用筆記.pdf》資料免費下載
2023-11-29 11:05:315 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《ADuM4135：提供米勒箝位的單電源/雙電源 高電壓隔離IGBT柵極驅(qū)動器.pdf》資料免費下載
2023-11-29 09:37:154 IGBT的結(jié)構(gòu)中絕大部分區(qū)域是低摻雜濃度的N型漂移區(qū)，其濃度遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于P型區(qū)，當(dāng)IGBT柵極施加正向電壓使得器件開啟后
2023-11-28 16:48:01589 
深度剖析 IGBT 柵極驅(qū)動注意事項
2023-11-24 14:48:25217 
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2023-11-24 11:06:523 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《實現(xiàn)隔離式半橋柵極驅(qū)動器的設(shè)計基礎(chǔ).pdf》資料免費下載
2023-11-22 16:57:320 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《現(xiàn)代IGBT/MOSFET柵極驅(qū)動器 提供隔離功能的最大功率限制.pdf》資料免費下載
2023-11-22 16:48:150 功率電子器件是PCS的核心組成部分，主要實現(xiàn)電能的轉(zhuǎn)換和控制。而IGBT就是最為常用的功率器件，今天我們主要來學(xué)習(xí)IGBT。
2023-11-22 09:42:50513 
全控型電力電子器件的RCD關(guān)斷緩沖電路的主要不足是什么？ 全控型電力電子器件的RCD關(guān)斷緩沖電路是一種常見的保護電路，用于保護電力電子器件免受過電流和過壓的損害。然而，這種保護電路也存在一些主要
2023-11-21 15:17:55244 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《電力電子器件大全及使用方法.pdf》資料免費下載
2023-11-18 14:46:041 川土微電子CA-IS3215/6-Q1適用于SiC/IGBT 的具有主動保護功能、高 CMTI、15A 拉/灌電流的單通道增強隔離柵極驅(qū)動器新品發(fā)布！
2023-11-15 09:49:43573 
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2023-11-14 14:21:590 大功率應(yīng)用中，如電動汽車、工業(yè)電機驅(qū)動、UPS等。在理解IGBT芯片、IGBT單管、IGBT模塊和IGBT器件之前，我們先來了解一下IGBT的基本工作原理和應(yīng)用特點。 1. IGBT的工作原理
2023-11-10 14:26:281260 大家好，今天聊一下IGBT驅(qū)動中的**參考電位**問題。我們都知道IGBT的驅(qū)動參考電平都是基于 **器件自身的發(fā)射極** ，當(dāng)柵極相對于發(fā)射極電位 **超過閾值電壓時，器件就會開通** ， **小于閾值電壓后，器件就會關(guān)斷** 。
2023-11-09 15:19:15663 
針對現(xiàn)階段制約電力電子技術(shù)發(fā)展的散熱問題，以溫度對電力電子器件的影響、電力電子設(shè)備熱設(shè)計特點、常見散熱技術(shù)、散熱系統(tǒng)優(yōu)化研究和新材料在電力電子散熱研究中的應(yīng)用這五方面為切入點，論述了大功率電力
2023-11-07 09:37:08762 
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2023-10-25 10:45:410 igbt的柵極驅(qū)動條件 igbt的柵極驅(qū)動條件對其特性有什么影響？ IGBT是晶體管的一種，它是一種高壓、高電流的開關(guān)器件，常用于高功率電子應(yīng)用中。IGBT是一種三極管，由一個PN結(jié)組成的集成電路
2023-10-19 17:08:14622 控制及新能源發(fā)電等。
中國新能源汽車市場自2015年超越美國成為世界第一大新能源汽車市場，是全球新能源汽車市場迅猛增長的主要驅(qū)動力。電力電子技術(shù)在新能源汽車中應(yīng)用廣泛，是汽車動力總成系統(tǒng)高效、快速、穩(wěn)定
2023-10-16 11:00:14
IGBT是如今被廣泛應(yīng)用的一款新型復(fù)合電子器件，而IGBT測試也變的尤為重要，其中動態(tài)測試參數(shù)是IGBT模塊測試一項重要內(nèi)容，IGBT動態(tài)測試參數(shù)是評估IGBT模塊開關(guān)性能的重要依據(jù)。其動態(tài)測試參數(shù)主要有：主要參數(shù)有開關(guān)參數(shù)、柵極電阻、柵極電荷、寄生電容等。
2023-10-09 15:14:35643 
驅(qū)動光耦產(chǎn)品線，近期新增一款輸出電流為2.5A的智能柵極驅(qū)動光耦 TLP5222 。它是一款可為MOSFET或IGBT等功率器件提供過流保護的隔離柵極驅(qū)動IC，內(nèi)置保護操作自動恢復(fù)的功能。該器件主要用來實現(xiàn)逆變器、交流伺服器，光伏逆變器等的智
2023-09-28 17:40:02526 
IGBT器件柵極電壓波形振蕩的原因？
2023-09-16 08:32:131710 
是Insulated Gate Bipolar Transistor的縮寫形式，是絕緣柵雙極型晶體管。與以前的各種電力電子器件相比，IGBT具有以下特點。
2023-09-11 10:42:41907 
電子功率轉(zhuǎn)換器非常重要，電子功率轉(zhuǎn)換器包括磁性器件，例如：用于功率傳輸?shù)淖儔浩骱陀糜谀芰看鎯Φ碾姼衅?。本文解釋了平面磁件如何在效率、成本、空間要求以及散熱方面顯著改善電力電子器件的性能。
2023-09-06 06:38:52
下的虛假開關(guān)。對于這兩個通道，該器件可以提供高達(dá)4A的強大柵極控制信號，其雙輸出引腳為柵極驅(qū)動提供了額外的靈活性。有源Miller鉗位功能可在半橋拓?fù)涞目焖贀Q向期間避免柵極峰。
2023-09-05 06:59:59
Transistor）都是半導(dǎo)體器件，用于控制電流和電壓。IGBT和MOSFET在功能和結(jié)構(gòu)上非常相似，但它們有一些不同之處。 1. 結(jié)構(gòu) IGBT是由三極管和場效應(yīng)管兩個半導(dǎo)體器件組成的復(fù)合型器件
2023-08-25 14:50:013218 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《GD316x故障管理、診斷、中斷和優(yōu)先級表 先進IGBT和碳化硅柵極驅(qū)動器.pdf》資料免費下載
2023-08-17 14:22:085 摘要: 針對傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)超結(jié) IGBT 器件在大電流應(yīng)用時的電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)較弱，削弱了 IGBT 器
件低飽和導(dǎo)通壓降優(yōu)點的問題，設(shè)計了 p 柱浮空的超結(jié) IGBT 器件 ( FP-SJ-IGBT
2023-08-08 10:20:000 車用IGBT器件技術(shù)概述
2023-08-08 10:00:312 IGBT芯片是IGBT器件的主要部分，通常由硅制成。它由四個區(qū)域組成：N+型集電極、P型漏極、N型溝道和P+型柵極。
2023-08-08 09:45:12619 
在 IGBT驅(qū)動電源板 中有著廣泛的應(yīng)用。 ? ? ? ?IGBT驅(qū)動板是控制系統(tǒng)和開關(guān)器件中的中間環(huán)節(jié)，承擔(dān)著接受控制系統(tǒng)信號并傳輸信號，確保IGBT執(zhí)行開關(guān)、保護、和反饋器件工作狀態(tài)的重任。 ? ? ? ?通常，IGBT驅(qū)動板由IGBT驅(qū)動芯片、驅(qū)動外圍電路、驅(qū)動輔
2023-08-04 17:35:03609 MOSFET的獨特器件特性意味著它們對柵極驅(qū)動電路有特殊的要求。了解這些特性后，設(shè)計人員就可以選擇能夠提高器件可靠性和整體開關(guān)性能的柵極驅(qū)動器。在這篇文章中，我們討論了SiC MOSFET器件的特點以及它們對柵極驅(qū)動電路的要求，然后介紹了一種能夠解決這些問題和其它系統(tǒng)級考慮因素的IC方案。
2023-08-03 11:09:57740 
Q在IGBT器件的開通過程中，柵極電荷Qg的充電過程是怎樣的？A:IGBT器件例如IKZA50N65EH7的數(shù)據(jù)手冊中如圖1所示，給出了柵極電荷Qg和柵極電壓Vge的關(guān)系。圖2為IGBT器件簡化示意圖。柵極電荷的充電過程可以分為以下三個區(qū)域。
2023-08-02 08:17:09800 IGBT模塊動態(tài)參數(shù)是評估IGBT模塊開關(guān)性能如開關(guān)頻率、開關(guān)損耗、死區(qū)時間、驅(qū)動功率等的重要依據(jù)，本文重點討論以下動態(tài)參數(shù)：模塊內(nèi)部柵極電阻、外部柵極電阻、外部柵極電容、IGBT寄生電容參數(shù)、柵極充電電荷、IGBT開關(guān)時間參數(shù)，結(jié)合IGBT模塊靜態(tài)參數(shù)可全面評估IGBT芯片的性能。
2023-07-28 10:19:543286 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《電子燈鎮(zhèn)流器IGBT門驅(qū)動因素.pdf》資料免費下載
2023-07-24 10:29:220 IGBT/功率MOSFET的結(jié)構(gòu)使得柵極形成一個非線性電容。給柵極電容充電會使功率器件導(dǎo)通，并允許電流在其漏極和源極引腳之間流動，而放電則會使器件關(guān)斷，漏極和源極引腳上就可以阻斷大電壓。
2023-07-14 14:54:071579 
柵極驅(qū)動器是一種電子器件，它能夠?qū)⑿盘栯娖阶鳛檩斎?，通過放大和轉(zhuǎn)換等過程，產(chǎn)生適合于驅(qū)動下級器件的電源信號。柵極驅(qū)動器廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中，如顯示器、LED燈、電源逆變器等。
2023-07-14 14:48:441356 PT5619 在 同一顆芯片中同時集成了三個 90V 半橋柵極驅(qū)動器 ，特別適合于 三相電機應(yīng)用中高速功率 MOSFET 和 IGBT 的柵極驅(qū)動 。
2023-07-11 16:12:24434 
本文提供一種校準(zhǔn)數(shù)模轉(zhuǎn)換器(DAC)的方法，專用于引腳電子器件驅(qū)動器、比較器、負(fù)載、PMU和DPS。
2023-07-11 11:06:19442 
IGBT : 是一種大功率的電力電子器件,是一個非通即斷的開關(guān)，IGBT沒有放大電壓的功能,導(dǎo)通時可以看做導(dǎo)線，斷開時當(dāng)做開路。三大特點就是高壓、大電流、高速。它是電力電子領(lǐng)域非常理想的開關(guān)器件。 編輯：黃飛
2023-07-07 09:36:321089 
點擊藍(lán)字?關(guān)注我們 IGBT晶體管的結(jié)構(gòu)要比 MOSFET 或雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 復(fù)雜得多。它結(jié)合了這兩種器件的特點，并且有三個端子：一個柵極、一個集電極和一個發(fā)射極。就柵極驅(qū)動而言，該器件
2023-06-21 19:15:01398 
近日，湖南大學(xué)段輝高教授團隊通過開發(fā)基于“光刻膠全干法轉(zhuǎn)印”技術(shù)的新型光刻工藝，用于柔性及不規(guī)則（曲面、懸空）襯底上柔性電子器件的原位和高保形制造，為高精度、高可靠性和高穩(wěn)定性柔性電子器件的制造提供
2023-06-17 10:19:38507 
IGBT是現(xiàn)代電力電子器件中的主導(dǎo)型器件，被譽為電力電子行業(yè)的 “CPU”。IGBT代表絕緣柵雙極型晶體管，是國際公認(rèn)的電力電子技術(shù)的第三次革命最具代表性的產(chǎn)品。
2023-06-16 14:37:521025 和更快的切換速度與傳統(tǒng)的硅mosfet和絕緣柵雙極晶體管(igbt)相比，SiC mosfet柵極驅(qū)動在設(shè)計過程中必須仔細(xì)考慮需求。本應(yīng)用程序說明涵蓋為SiC mosfet選擇柵極驅(qū)動IC時的關(guān)鍵參數(shù)。
2023-06-16 06:04:07
在單個器件中組合用于控制輸入的隔離柵極FET和作為開關(guān)的雙極功率晶體管，將MOSFET的簡單柵極驅(qū)動特性與雙極晶體管的高電流和低飽和電壓能力相結(jié)合。IGBT用于中到大功率應(yīng)用，如開關(guān)電源、牽引電機控制
2023-06-14 20:15:012111 
摘要：CM3003是一款高性價比的MOS管和IGBT管柵極驅(qū)動器芯片，具有邏輯信號輸入處理、欠壓保護、電平位移、脈沖濾波和輸出驅(qū)動等功能。該芯片適用于無刷電機控制器和電源DC-DC中的驅(qū)動電路
2023-06-08 14:32:41706 
電源是電子設(shè)備的基礎(chǔ)，其中的柵極驅(qū)動器是穩(wěn)定提供設(shè)備電源的關(guān)鍵。柵極驅(qū)動器是一種功率放大器，它接受來自控制器芯片的低功率輸入，并為高功率晶體管（例如IGBT或功率MOSFET）的柵極產(chǎn)生高電流驅(qū)動
2023-06-08 14:03:09362 MOS管和IGBT管作為現(xiàn)代電子設(shè)備使用頻率較高的新型電子器件，被廣泛應(yīng)用于各種電子電路，是車載充電機、DC-DC變換器和模塊電源中重要的電子元器件。
2023-05-22 08:59:39700 
MOS管和IGBT管作為現(xiàn)代電子設(shè)備使用頻率較高的新型電子器件，被廣泛應(yīng)用于各種電子電路，是車載充電機、DC-DC變換器和模塊電源中重要的電子元器件。
2023-05-18 16:32:20585 
半導(dǎo)體功率器件主要包括功率二極管、功率三極管、晶閘管、MOSFET、IGBT等。其中MOSFET和IGBT屬于電壓控制型開關(guān)器件，具有開關(guān)速度快、易于驅(qū)動、損耗低等優(yōu)勢。IGBT全稱是絕緣柵極
2023-05-18 09:51:583446 
功率 MOSFET 是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機驅(qū)動器和其他系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET 的其他端子是源極和漏極。
為了操作 MOSFET，通常須將一個電壓施加于柵極（相對于源極或發(fā)射極）。使用專用驅(qū)動器向功率器件的柵極施加電壓并提供驅(qū)動電流。
2023-05-17 10:21:391473 
常開 SiC JFET 與 Si MOSFET 共同封裝以產(chǎn)生常關(guān) SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性允許使用現(xiàn)成的柵極驅(qū)動器，因此在更換 Si IGBT、
2023-05-12 16:16:38
常開 SiC JFET 與 Si MOSFET 共同封裝以產(chǎn)生常關(guān) SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性允許使用現(xiàn)成的柵極驅(qū)動器，因此在更換 Si IGBT
2023-05-12 15:29:06
常開 SiC JFET 與 Si MOSFET 共同封裝以產(chǎn)生常關(guān) SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性允許使用現(xiàn)成的柵極驅(qū)動器，因此在更換 Si IGBT
2023-05-12 15:22:37
JFET 與 Si MOSFET 共同封裝以產(chǎn)生常關(guān) SiC FET 器件. 該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性允許使用現(xiàn)成的柵極驅(qū)動器，因此在更換 Si IGBT、Si
2023-05-12 15:05:36
MOSFET 共同封裝以產(chǎn)生常關(guān) SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性允許使用現(xiàn)成的柵極驅(qū)動器，因此在更換 Si IGBT、Si 超級結(jié)器件或 SiC MO
2023-05-12 14:59:16
MOSFET 共同封裝以產(chǎn)生常關(guān) SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性允許使用現(xiàn)成的柵極驅(qū)動器，因此在更換 Si IGBT、Si 超級結(jié)器件或 SiC MO
2023-05-12 14:53:49
MOSFET 共同封裝以產(chǎn)生常關(guān) SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性允許使用現(xiàn)成的柵極驅(qū)動器，因此在更換 Si IGBT、Si 超級結(jié)器件或 SiC M
2023-05-12 14:47:58
與 Si MOSFET 共同封裝以產(chǎn)生常關(guān) SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性允許使用現(xiàn)成的柵極驅(qū)動器，因此在更換 Si IGBT、Si 超級結(jié)器件或
2023-05-12 14:41:53
與 Si MOSFET 共同封裝以產(chǎn)生常關(guān) SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性允許使用現(xiàn)成的柵極驅(qū)動器，因此在更換 Si IGBT、Si 超級結(jié)器件或
2023-05-12 14:35:49
與 Si MOSFET 共同封裝以產(chǎn)生常關(guān) SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性允許使用現(xiàn)成的柵極驅(qū)動器，因此在更換 Si IGBT、Si 超級結(jié)器件
2023-05-12 14:29:40
MOSFET 共同封裝以產(chǎn)生常關(guān) SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性允許使用現(xiàn)成的柵極驅(qū)動器，因此在更換 Si IGBT、Si 超級結(jié)器件或 SiC MOS
2023-05-12 14:20:38
與 Si MOSFET 共同封裝以產(chǎn)生常關(guān) SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性允許使用現(xiàn)成的柵極驅(qū)動器，因此在更換 Si IGBT、Si 超級結(jié)器件或
2023-05-12 14:11:46
與 Si MOSFET 共同封裝以產(chǎn)生常關(guān) SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性允許使用現(xiàn)成的柵極驅(qū)動器，因此在更換 Si IGBT、Si 超級結(jié)器件或
2023-05-12 12:44:42
與 Si MOSFET 共同封裝以產(chǎn)生常關(guān) SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性允許使用現(xiàn)成的柵極驅(qū)動器，因此在更換 Si IGBT、Si 超級結(jié)器件或
2023-05-12 12:26:54
MOSFET 共同封裝以產(chǎn)生常關(guān) SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性允許使用現(xiàn)成的柵極驅(qū)動器，因此在更換 Si IGBT、Si 超級結(jié)器件或 SiC MOSF
2023-05-12 11:54:23
與 Si MOSFET 共同封裝以產(chǎn)生常關(guān) SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性允許使用現(xiàn)成的柵極驅(qū)動器，因此在更換 Si IGBT、Si 超級結(jié)器件或 S
2023-05-11 20:45:39
JFET 與 Si MOSFET 共同封裝以產(chǎn)生常關(guān) SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性允許使用現(xiàn)成的柵極驅(qū)動器，因此在更換 Si IGBT、Si 超級
2023-05-11 20:38:23
MOSFET 共同封裝以產(chǎn)生常關(guān) SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性允許使用現(xiàn)成的柵極驅(qū)動器，因此在更換 Si IGBT、Si 超級結(jié)器件或 SiC
2023-05-11 20:28:32
芯洲的SCT51240是一款寬供電電壓、單通道、高速、低測柵極驅(qū)動器，適用于功率MOSFET，IGBT和寬禁帶器件，例如氮化鎵功率器件等驅(qū)動。 提供高達(dá)4A驅(qū)動拉電流和灌電流，并實現(xiàn)軌到軌輸出
2023-05-05 09:00:14209 ? 川土微電子CA-IS3221/3222 隔離柵極驅(qū)動器、CA-IS3221-Q1/3222-Q1車規(guī)級隔離柵極驅(qū)動器新品發(fā)布 01產(chǎn)品概述 CA-IS322X系列產(chǎn)品為雙通道、隔離型柵極驅(qū)動
2023-04-24 18:31:401791 
基極電，使IGBT關(guān)斷。 由圖2可知，若在IGBT的柵極和發(fā)射極之間加上驅(qū)動正電壓，則MOSFET導(dǎo)通，這樣PNP晶體管的集電極與基極之間成低阻狀態(tài)而使得晶體管導(dǎo)通; 若IGBT的柵極和發(fā)射極之間電壓為0V，則MOSFET截止，切斷PNP晶體管基極電流的供給，使得晶體管截止。
2023-04-08 09:36:261454 前面我們也聊到過IGBT的柵極驅(qū)動設(shè)計，雖然今天聊的可能有些重復(fù)，但是感覺人到中年，最討厭的就是記憶力不夠用，就當(dāng)回顧和加重記憶吧。
2023-04-06 17:38:291595 
電力電子器件(Power Electronic Device)是指可直接用于處理電能的主電路中，實現(xiàn)電能的變換或控制的電子器件。廣義上電力電子器件可分為電真空器件和半導(dǎo)體器件兩類，目前往往專指電力
2023-04-04 15:31:433930 
柵極驅(qū)動器是一種功率放大器，它接受來自控制器IC的低功耗輸入，并為功率器件產(chǎn)生適當(dāng)?shù)母唠娏?b class="flag-6" style="color: red">柵極驅(qū)動。隨著對電力電子器件的要求不斷提高，柵極驅(qū)動器電路的設(shè)計和性能變得越來越重要。
功率
2023-04-04 10:23:45546 功率 MOSFET 是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機驅(qū)動器和其他系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET 的其他端子是源極和漏極。
2023-04-04 09:58:391001 柵極驅(qū)動器是一種功率放大器，它接受來自控制器IC的低功耗輸入，并為功率器件產(chǎn)生適當(dāng)?shù)母唠娏?b class="flag-6" style="color: red">柵極驅(qū)動。隨著對電力電子器件的要求不斷提高，柵極驅(qū)動器電路的設(shè)計和性能變得越來越重要。
2023-03-23 16:48:48535 
，輸出低電平，故障信號可以觸發(fā)關(guān)斷IGBT。 鉗位電路 IGBT在關(guān)斷時門極電壓開始下降，門極與集電極之間的米勒電容，使得門極電壓關(guān)斷延時。為了消除這種延時，驅(qū)動芯片通過箝位電路作用，當(dāng)門極電壓降到
2023-03-23 15:57:38
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