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71M6533,71M6534第三代多相表SoC

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2023年第三代半導(dǎo)體融資超62起,碳化硅器件及材料成投資焦點(diǎn)

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戴爾公布第三代 Concept Luna 設(shè)計(jì)方案:模塊化、低碳、AI、循環(huán)

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第三代半導(dǎo)體的發(fā)展機(jī)遇與挑戰(zhàn)

芯聯(lián)集成已全力挺進(jìn)第三代半導(dǎo)體市場,自2021年起投入碳化硅MOSFET芯片及模組封裝技術(shù)的研究開發(fā)與產(chǎn)能建設(shè)。短短兩年間,芯聯(lián)集成便已成功實(shí)現(xiàn)技術(shù)創(chuàng)新的三次重大飛躍,器件性能與國際頂級(jí)企業(yè)齊肩,并且已穩(wěn)定實(shí)現(xiàn)6英寸5000片/月碳化硅MOSFET芯片的大規(guī)模生產(chǎn)。
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是德科技第三代半導(dǎo)體動(dòng)靜態(tài)測試方案亮相IFWS

2023年11月29日,第九屆國際第三代半導(dǎo)體論壇(IFWS)和“第三代半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)與檢測研討會(huì)”成功召開,是德科技參加第九屆國際第三代半導(dǎo)體論壇(IFWS),并重磅展出第三代半導(dǎo)體動(dòng)靜態(tài)測試方案
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下周發(fā)布!魅族21性能官宣:最有魅族味的第三代驍龍8

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唐山晶玉榮獲2023-2024年度全國第三代半導(dǎo)體“最佳新銳企業(yè)”

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傳三星獲谷歌Tensor G4 AP訂單 將使用第三代4nm工藝制造

新芯片將由三星sf4p(第三代4納米)工藝制作,g3將由第二代sf4工藝制作。另外,xenos 2400處理器也將使用sf4p,預(yù)計(jì)將用于galaxy s24和galaxy s24 +的部分機(jī)器。
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第三代驍龍8發(fā)布,支持100億參數(shù)生成式AI

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高通第三代驍龍8采用4納米工藝 支持在終端側(cè)運(yùn)行超100億參數(shù)的生成式AI

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要點(diǎn) — ?? 第三代驍龍8是高通技術(shù)公司首個(gè)專為生成式AI而精心打造的移動(dòng)平臺(tái)。 ?? 該平臺(tái)將帶來行業(yè)領(lǐng)先的AI、卓越影像特性、主機(jī)級(jí)游戲體驗(yàn)以及專業(yè)品質(zhì)音頻,再結(jié)合全球最快的連接,賦能消費(fèi)者
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進(jìn)入第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域,開啟電子技術(shù)的新紀(jì)元

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#GaN #氮化鎵 #第三代半導(dǎo)體 為什么說它是第三代半導(dǎo)體呢?什么是GaN?

半導(dǎo)體氮化鎵
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西電廣州第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新中心通線,中國科學(xué)院院士郝躍領(lǐng)銜

西安電子科技大學(xué)表示,該項(xiàng)目竣工后,將具備6至8英寸氮化鎵晶片生長、工程準(zhǔn)備、密封測試等整個(gè)工程的研發(fā)和技術(shù)服務(wù)能力。接著革新中心是第三代半導(dǎo)體技術(shù)公共服務(wù)平臺(tái)和產(chǎn)業(yè),圍繞國家第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的重大戰(zhàn)略需求為中心,5g通信、新能源汽車等領(lǐng)域的、芯片和微系統(tǒng)模塊的開展關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)。
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碳化硅具備耐高壓、耐高溫、高頻、抗輻射等優(yōu)良電氣特性,它突破硅基半導(dǎo)體材料物理限制,成為第三代半導(dǎo)體核心材料。碳化硅材料性能優(yōu)勢引領(lǐng)功率器件新變革。
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東科與北京大學(xué)成立第三代半導(dǎo)體聯(lián)合研發(fā)中心

9月15日,東科半導(dǎo)體(安徽)股份有限公司與北京大學(xué)共同組建的第三代半導(dǎo)體聯(lián)合研發(fā)中心正式揭牌成立。由北京大學(xué)科學(xué)研究部謝冰部長及馬鞍山市委書記袁方共同為北大-東科聯(lián)合研發(fā)中心揭牌。圖左為袁方書
2023-09-19 10:07:33452

何以在第三代半導(dǎo)體技術(shù)中遙遙領(lǐng)先?

已廣泛應(yīng)用于PD快充、電動(dòng)汽車、光伏儲(chǔ)能、數(shù)據(jù)中心以及充電樁等領(lǐng)域的第三代半導(dǎo)材料,近年來越來越受到半導(dǎo)體各行業(yè)的關(guān)注。目前,領(lǐng)先器件供應(yīng)商在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域做了什么?有什么技術(shù)難點(diǎn)?如何平衡性
2023-09-18 16:48:02365

第一代、第二代和第三代半導(dǎo)體知識(shí)科普

材料領(lǐng)域中,第一代、第二代、第三代沒有“一代更比一代好”的說法。氮化鎵、碳化硅等材料在國外一般稱為寬禁帶半導(dǎo)體。 將氮化鎵、氮化鋁、氮化銦及其混晶材料制成氮化物半導(dǎo)體,或?qū)⒌墶⑸榛?、磷化銦制?/div>
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BLUENRG-LP無線處理器介紹

意法半導(dǎo)體的第三代BlueNRG2.4 GHz Radio IP符合藍(lán)牙SIG核心規(guī)范5.2版本要求,兼具出色的射頻性能和極長的電池壽命。BlueNRG-LP SoC適用于點(diǎn)對(duì)多點(diǎn)連接和藍(lán)牙SIG
2023-09-08 06:57:13

芯科科技第三代無線開發(fā)平臺(tái)滿足開發(fā)人員和設(shè)備制造商的需求

Silicon Labs(亦稱“芯科科技”)展望未來的物聯(lián)網(wǎng)開發(fā)需求,近期在其主辦的第四屆Works With開發(fā)者大會(huì)中揭曉專為嵌入式物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備打造的第三代無線開發(fā)平臺(tái),并正式向22納米工藝節(jié)點(diǎn)
2023-09-04 17:08:39710

性價(jià)比提升30%+,火山引擎第三代AMD實(shí)例 ECS g3a邀測上線

火山引擎面向通用場景的第三代AMD實(shí)例產(chǎn)品g3a已正式邀測上線,該實(shí)例搭載全新一代AMD Genoa平臺(tái)處理器,單核睿頻達(dá) 3.7GHz,基于火山全新自研DPU軟硬件一體架構(gòu)設(shè)計(jì),結(jié)合自研虛擬
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芯干線獲戰(zhàn)略投資,系第三代半導(dǎo)體企業(yè)

據(jù)融合資產(chǎn)消息,此次融資后融合資產(chǎn)將在芯片生產(chǎn)線、家具用、工商能源儲(chǔ)存、充電包、新能源汽車等多個(gè)領(lǐng)域展開合作,幫助建設(shè)第三代半導(dǎo)體智能電力模塊生產(chǎn)線。
2023-08-30 09:24:55228

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電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供Maxim(Maxim)71M6534H-IGTR/F相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè),更有71M6534H-IGTR/F的引腳圖、接線圖、封裝手冊(cè)、中文資料、英文資料,71M6534H-IGTR/F真值表,71M6534H-IGTR/F管腳等資料,希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2023-08-22 18:42:27

71M6534H-IGT/F - (Maxim Integrated) - PMIC - 能量計(jì)量

電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供Maxim(Maxim)71M6534H-IGT/F相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè),更有71M6534H-IGT/F的引腳圖、接線圖、封裝手冊(cè)、中文資料、英文資料,71M6534H-IGT/F真值表,71M6534H-IGT/F管腳等資料,希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2023-08-22 18:42:02

71M6534-IGTR/F - (Maxim Integrated) - PMIC - 能量計(jì)量

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2023-08-22 18:41:52

71M6534-IGT/F - (Maxim Integrated) - PMIC - 能量計(jì)量

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2023-08-22 18:41:22

硅化物、氮化物與鈣鈦礦:第三代半導(dǎo)體的四大分類與應(yīng)用探索

隨著科技的不斷進(jìn)步,新的半導(dǎo)體材料正在為整個(gè)電子行業(yè)帶來深刻的變革。在這場技術(shù)革命的前沿,第三代半導(dǎo)體材料嶄露頭角。與前兩代半導(dǎo)體材料相比,第三代半導(dǎo)體在高溫、高壓、高頻等應(yīng)用環(huán)境中展現(xiàn)出了更為出色的性能。從材料分類的角度來看,第三代半導(dǎo)體材料主要可以分為以下四類。
2023-08-21 09:33:071580

什么是第三代半導(dǎo)體技術(shù) 碳化硅的產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)分析

第三代半導(dǎo)體以碳化硅、氮化鎵為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料,用于高壓、高溫、高頻場景。廣泛應(yīng)用于新能源汽車、光伏、工控等領(lǐng)域。因此第三代半導(dǎo)體研究主要是集中在材料特征研究,本文主要是研究碳化硅的產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)。
2023-08-11 10:17:54915

到底什么是第三代半導(dǎo)體

半導(dǎo)體
學(xué)習(xí)電子知識(shí)發(fā)布于 2023-07-26 21:18:58

C3M0350120D是一款芯片

應(yīng)用,例如 UPS、電機(jī)控制和驅(qū)動(dòng)器、開關(guān)模式電源、太陽能和儲(chǔ)能系統(tǒng)、電動(dòng)汽車充電、高壓 DC/DC 轉(zhuǎn)換器等。基于第三代技術(shù),各種導(dǎo)通電阻和封裝選項(xiàng)使設(shè)計(jì)人員能
2023-07-24 16:57:30

C3M0350120J是一款芯片

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2023-07-24 16:55:28

C2M0280120D是一款芯片

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2023-07-24 16:49:27

C2M0160120D是一款芯片

應(yīng)用,例如 UPS、電機(jī)控制和驅(qū)動(dòng)器、開關(guān)模式電源、太陽能和儲(chǔ)能系統(tǒng)、電動(dòng)汽車充電、高壓 DC/DC 轉(zhuǎn)換器等。基于第三代技術(shù),各種導(dǎo)通電阻和封裝選項(xiàng)使設(shè)計(jì)人員能夠
2023-07-24 16:43:13

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2023-07-24 16:40:49

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2023-07-24 16:38:50

E3M0160120K是一款芯片

且防潮的 MOSFET,擴(kuò)大了其在碳化硅領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位。它采用 Wolfspeed 的第三代堅(jiān)固耐用技術(shù),提供業(yè)界最低的開關(guān)損耗和最高的品質(zhì)因數(shù)。E 系列 MO
2023-07-24 16:35:49

C2M0080120D是一款芯片

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2023-07-24 16:28:29

C3M0075120K是一款芯片

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2023-07-24 16:24:37

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2023-07-24 16:22:11

C3M0075120D是一款芯片

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2023-07-24 16:12:50

E3M0075120D是一款芯片

且防潮的 MOSFET,擴(kuò)大了其在碳化硅領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位。它采用 Wolfspeed 的第三代堅(jiān)固耐用技術(shù),提供業(yè)界最低的開關(guān)損耗和最高的品質(zhì)因數(shù)。E 系列 MO
2023-07-24 16:09:04

E3M0075120K是一款芯片

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2023-07-24 16:05:58

C3M0075120K-A是一款芯片

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2023-07-24 16:03:38

C3M0075120D-A是一款芯片

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2023-07-24 16:01:35

C2M0040120D是一款芯片

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2023-07-24 15:57:23

C3M0040120K是一款芯片

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2023-07-24 15:53:34

C3M0040120D是一款芯片

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2023-07-24 15:50:45

C3M0040120J1是一款芯片

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2023-07-24 15:43:39

E3M0040120K是一款芯片

且防潮的 MOSFET,擴(kuò)大了其在碳化硅領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位。它采用 Wolfspeed 的第三代堅(jiān)固耐用技術(shù),提供業(yè)界最低的開關(guān)損耗和最高的品質(zhì)因數(shù)。E 系列 MOS
2023-07-24 15:41:28

C3M0032120K是一款芯片

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2023-07-24 15:39:15

C3M0032120D是一款芯片

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2023-07-24 15:29:28

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2023-07-24 15:24:14

C2M0025120D是一款芯片

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2023-07-24 15:15:52

C3M0021120K是一款芯片

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2023-07-24 14:41:44

C3M0021120D是一款芯片

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2023-07-24 14:36:36

E3M0021120K是一款芯片

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2023-07-24 14:33:12

C3M0016120K是一款芯片

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2023-07-24 14:17:12

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2023-07-24 14:11:45

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2023-07-24 14:03:33

E3M0120090J是一款芯片

且防潮的 MOSFET,擴(kuò)大了其在碳化硅領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位。它采用 Wolfspeed 的第三代堅(jiān)固耐用技術(shù),提供業(yè)界最低的開關(guān)損耗和最高的品質(zhì)因數(shù)。E 系列 MOS
2023-07-24 13:39:06

C3M0120065K是一款芯片

650 V、120 mΩ、22 A、TO-247-4 封裝、第 3 分立 SiC MOSFETWolfspeed 通過推出第三代 650 V MOSFET 擴(kuò)展了其碳化硅 (SiC) 技術(shù)領(lǐng)先地位
2023-07-24 11:42:29

C3M0120065J是一款芯片

650 V、120 mΩ、21 A、TO-263-7 封裝、第 3 分立 SiC MOSFETWolfspeed 通過推出第三代 650 V MOSFET 擴(kuò)展了其碳化硅 (SiC) 技術(shù)領(lǐng)先地位
2023-07-24 11:36:33

C3M0120065D是一款芯片

650V、120mΩ、22A、TO-247-3 封裝、第 3 分立式 SiC MOSFETWolfspeed 通過推出第三代 650 V MOSFET 擴(kuò)展了其碳化硅 (SiC) 技術(shù)領(lǐng)先地位,在
2023-07-24 11:30:39

零碳故事丨新能源“東風(fēng)”下的第三代半導(dǎo)體

來源:內(nèi)容轉(zhuǎn)自公眾號(hào)21tech(News-21),作者:李強(qiáng)。于代輝英飛凌科技高級(jí)副總裁英飛凌科技零碳工業(yè)功率事業(yè)部大中華區(qū)負(fù)責(zé)人減碳趨勢下的節(jié)能、高效需求同樣給第三代半導(dǎo)體的登場搭好了舞臺(tái)。過去
2023-07-06 10:07:54367

鑫祥微第三代半導(dǎo)體功率器件項(xiàng)目落戶日照

據(jù)藍(lán)色空港消息,先進(jìn)半導(dǎo)體制造項(xiàng)目主要從事第三代半導(dǎo)體功率器件的設(shè)計(jì)、研發(fā)、制造、功率器件clip先進(jìn)工程包裝、電力驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品應(yīng)用方案的開發(fā)和銷售。該項(xiàng)目總投資8億元,分三期建設(shè),一期投資2億元,計(jì)劃建設(shè)6條clip先進(jìn)包裝生產(chǎn)線。
2023-06-27 10:31:18602

如果用_at_指向了外部NOR FLASH地址,在download M453碼時(shí),是否此數(shù)據(jù)會(huì)d?

如果用_at_指向了外部NOR FLASH地址,在download M453碼時(shí),是否此數(shù)據(jù)會(huì)d
2023-06-27 07:49:27

第三代半導(dǎo)體:在智能電網(wǎng)領(lǐng)域的應(yīng)用前景展望

近年來,隨著技術(shù)的不斷發(fā)展和計(jì)算機(jī)應(yīng)用范圍的不斷擴(kuò)大,半導(dǎo)體技術(shù)變得愈加重要。在半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展歷程中,第三代半導(dǎo)體技術(shù)的出現(xiàn)為半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展帶來了新的變革。
2023-06-20 16:55:22611

國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心:著力打造一流的產(chǎn)業(yè)發(fā)展生態(tài)

國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心(以下簡稱“國創(chuàng)中心”)獲批建設(shè)兩年以來,瞄準(zhǔn)國家和產(chǎn)業(yè)發(fā)展全局的創(chuàng)新需求,以關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)為核心使命,進(jìn)一步推動(dòng)我國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展,形成立足長三角、輻射全國的技術(shù)融合點(diǎn)和產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新的輻射源。
2023-06-19 14:55:451660

第三代半導(dǎo)體應(yīng)用市場面臨三大痛點(diǎn),威邁斯IPO上市加速突圍

當(dāng)前,第三代半導(dǎo)體中的碳化硅功率器件,在導(dǎo)通電阻、阻斷電壓和結(jié)電容方面,顯著優(yōu)于傳統(tǒng)硅功率器件。因此,碳化硅功率器件取代傳統(tǒng)硅基功率器件已成為行業(yè)發(fā)展趨勢。面對(duì)當(dāng)前行業(yè)發(fā)展新趨勢,威邁斯等新能源汽車
2023-06-15 14:22:38357

第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)步入快速增長期

  日前,2023中關(guān)村論壇“北京(國際)第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新發(fā)展論壇”上,科技部黨組成員、副部長相里斌表示,以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體具有優(yōu)異的性能,在信息通信、軌道交通、智能電網(wǎng)、新能源汽車等領(lǐng)域有巨大的市場。
2023-06-15 11:14:08313

國星光電第三代半導(dǎo)體看點(diǎn)盡在《GaN的SIP封裝及其應(yīng)用》

為期四天的2023廣州國際照明展覽會(huì)(簡稱:光亞展)在火熱的氣氛中圓滿落幕。此次展會(huì),國星光電設(shè)置了高品質(zhì)白光LED及第三代半導(dǎo)體兩大展區(qū),鮮明的主題,引來了行業(yè)的高度關(guān)注。 其中,在第三代半導(dǎo)體
2023-06-14 10:02:14437

使用新的計(jì)算引擎(CE)代碼圖像編譯儀表代碼

71M6531/71M6532 和 71M6533/71M653471M6541/71M6542/71M6543 系列電能計(jì)量 IC 設(shè)計(jì)用于計(jì)算引擎 (CE) 代碼,可適應(yīng)手頭的應(yīng)用。 在某些情況下,Maxim需要并提供特殊的CE代碼,以支持不同的傳感器類型或功能,如濾波或諧波分析。
2023-06-13 14:50:57669

后摩爾時(shí)代,洞見第三代功率半導(dǎo)體器件參數(shù)測試的趨勢和未來!

2022年,全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)連續(xù)高增長,進(jìn)入調(diào)整周期。與此形成對(duì)比,在新能源汽車、光伏、儲(chǔ)能等需求帶動(dòng)下,第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)保持高速發(fā)展,全球化供應(yīng)鏈體系正在形成,競爭格局逐步確立,產(chǎn)業(yè)步入快速
2023-05-30 14:15:56534

后摩爾時(shí)代,洞見第三代半導(dǎo)體功率器件靜態(tài)參數(shù)測試的趨勢和未來!

前言 ??????? 2022年,全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)終結(jié)連續(xù)高增長,進(jìn)入調(diào)整周期。與此形成對(duì)比,在新能源汽車、光伏、儲(chǔ)能等需求帶動(dòng)下,第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)保持高速發(fā)展,全球化供應(yīng)鏈體系正在形成,競爭格局逐步
2023-05-30 09:40:59568

開關(guān)電源設(shè)計(jì)優(yōu)質(zhì)選擇 Vishay威世科技第三代650V SiC二極管

Vishay 新型第三代 650V?SiC 二極管 器件采用 MPS 結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì) 額定電流 4 A~ 40 A 正向壓降、電容電荷和反向漏電流低 Vishay? 推出17款新型第三代 650V 碳化硅
2023-05-26 03:05:02358

如何化解第三代半導(dǎo)體的應(yīng)用痛點(diǎn)

所謂第三代半導(dǎo)體,即禁帶寬度大于或等于2.3eV的半導(dǎo)體材料,又稱寬禁帶半導(dǎo)體。常見的第三代半導(dǎo)體材料主要包括碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)、氮化鋁(AIN)、氧化鋅(ZnO)和金剛石等,其中
2023-05-18 10:57:361018

第三代半導(dǎo)體以及芯片的核心材料

第三代半導(dǎo)體以及芯片的核心材料
2023-05-06 09:48:442614

IKW15N120H3

1200V高速開關(guān)系列第三代
2023-03-28 14:59:26

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