本文介紹了一種新穎的測量電路，以測量用于測量SiC MOSFET的實(shí)時(shí)或?qū)嶋H結(jié)溫。可以看出，出于訂購和處理數(shù)據(jù)或電流傳感器的目的，不需要本質(zhì)上復(fù)雜的任何算法。
2021-04-23 11:28:32
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利用IGBT雙脈沖測試電路，改變電壓及電流測量探頭的位置，即可對(duì)IGBT并聯(lián)的續(xù)流二極管（下文簡稱FRD）的相關(guān)參數(shù)進(jìn)行測量與評(píng)估。
2023-11-24 16:52:10521 
有使用過SIC MOSFET 的大佬嗎 想請(qǐng)教一下驅(qū)動(dòng)電路是如何搭建的。
2021-04-02 15:43:15
電阻低，通道電阻高，因此具有驅(qū)動(dòng)電壓即柵極－源極間電壓Vgs越高導(dǎo)通電阻越低的特性。下圖表示SiC-MOSFET的導(dǎo)通電阻與Vgs的關(guān)系。導(dǎo)通電阻從Vgs為20V左右開始變化（下降）逐漸減少，接近
2018-11-30 11:34:24
。SiC-MOSFET體二極管的正向特性下圖表示SiC-MOSFET的Vds-Id特性。在SiC-MOSFET中，以源極為基準(zhǔn)向漏極施加負(fù)電壓，體二極管為正向偏置狀態(tài)。該圖中Vgs＝0V的綠色曲線基本上表示出體
2018-11-27 16:40:24
”）應(yīng)用越來越廣泛。關(guān)于SiC-MOSFET，這里給出了DMOS結(jié)構(gòu)，不過目前ROHM已經(jīng)開始量產(chǎn)特性更優(yōu)異的溝槽式結(jié)構(gòu)的SiC-MOSFET。具體情況計(jì)劃后續(xù)進(jìn)行介紹。在特征方面，Si-DMOS存在
2018-11-30 11:35:30
的小型化?！ ×硗?，SiC-MOSFET能夠在IGBT不能工作的高頻條件下驅(qū)動(dòng)，從而也可以實(shí)現(xiàn)無源器件的小型化。 與600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的優(yōu)勢在于芯片
2023-02-07 16:40:49
，SiC-MOSFET能夠在IGBT不能工作的高頻條件下驅(qū)動(dòng)，從而也可以實(shí)現(xiàn)無源器件的小型化。與600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的優(yōu)勢在于芯片面積?。蓪?shí)現(xiàn)小型封裝），而且體
2019-04-09 04:58:00
減小，所以耐受時(shí)間變長。另外，Vdd較低時(shí)發(fā)熱量也會(huì)減少，所以耐受時(shí)間會(huì)更長。由于關(guān)斷SiC-MOSFET所需的時(shí)間非常短，所以當(dāng)Vgs的斷路速度很快時(shí)，急劇的dI/dt可能會(huì)引發(fā)較大的浪涌電壓。請(qǐng)使用
2018-11-30 11:30:41
的概述和應(yīng)掌握的特征 性能評(píng)估事例的設(shè)計(jì)目標(biāo)和電路使用評(píng)估板進(jìn)行性能評(píng)估測量方法和結(jié)果重要檢查點(diǎn)MOSFET的VDS和IDS、輸出整流二極管的耐壓變壓器的飽和Vcc電壓輸出瞬態(tài)響應(yīng)和輸出電壓上升波形溫度
2018-11-27 16:38:39
`請(qǐng)問：圖片中的紅色白色藍(lán)色模塊是什么東西？芯片屏蔽罩嗎？為什么加這個(gè)東西？抗干擾或散熱嗎？這是個(gè)SiC MOSFET DC-DC電源，小弟新手。。`
2018-11-09 11:21:45
MOSFET能夠在1/35大小的芯片內(nèi)提供與之相同的導(dǎo)通電阻。其原因是SiC MOSFET能夠阻斷的電壓是Si MOSFET的10倍，同時(shí)具備更高的電流密度和更低的導(dǎo)通電阻，能夠以更快速度（10 倍）在導(dǎo)
2019-07-09 04:20:19
的，但簡潔性和設(shè)計(jì)優(yōu)雅在工程領(lǐng)域被低估了。SemiSouth還有一個(gè)常關(guān)JFET，但事實(shí)證明它的批量生產(chǎn)太難了。今天，USCi，Inc。提供一種正常的SiC JFET，它采用共源共柵配置的低壓硅
2023-02-27 13:48:12
柵極電壓，在20V柵極電壓下從幾乎300A降低到12V柵極電壓時(shí)的130A左右。即使碳化硅MOSFET的短路耐受時(shí)間短于IGTB的短路耐受時(shí)間，也可以通過集成在柵極驅(qū)動(dòng)器IC中的去飽和功能來保護(hù)SiC
2019-07-30 15:15:17
，SiC-MOSFET能夠在IGBT不能工作的高頻條件下驅(qū)動(dòng)，從而也可以實(shí)現(xiàn)無源器件的小型化。與600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的優(yōu)勢在于芯片面積?。蓪?shí)現(xiàn)小型封裝），而且體
2019-05-07 06:21:55
SiC-MOSFET的構(gòu)成中，SiC-MOSFET切換（開關(guān)）時(shí)高邊SiC-MOSFET的柵極電壓產(chǎn)生振鈴，低邊SiC-MOSFET的柵極電壓升高，SiC-MOSFET誤動(dòng)作的現(xiàn)象。通過下面的波形圖可以很容易了解這是
2018-11-30 11:31:17
極-源極電壓振鈴。將柵極驅(qū)動(dòng)放置在緊鄰 SiC MOSFET 的位置，以最小的走線長度將柵極回路電感降至最低。此外，這種做法還有助于使各并聯(lián) MOSFET 設(shè)計(jì)之間的共源極電感保持恒定。以最小走線長
2022-03-24 18:03:24
的MOSFET和IGBT等各種功率元器件，盡情參考。測量SiC MOSFET柵-源電壓：一般測量方法電源單元等產(chǎn)品中使用的功率開關(guān)器件大多都配有用來冷卻的散熱器，在測量器件引腳間的電壓時(shí)，通常是無法將電壓
2022-09-20 08:00:00
無源電壓探頭是示波器最常用的探頭。雖然其它專用探頭擴(kuò)展了示波器作為測量系統(tǒng)的范圍和功能，但是通用的無源電壓探頭則作為示波器的工作端工具，每天都被工程師和技術(shù)人員所使用。經(jīng)過兩年的用戶調(diào)查、設(shè)計(jì)創(chuàng)新
2017-12-13 11:52:06
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）的SiC MOSFET和SiC肖特基勢壘二極管（以下簡稱“SiC SBD”）已被成功應(yīng)用于大功率模擬模塊制造商ApexMicrotechnology
2023-03-29 15:06:13
項(xiàng)目名稱：SiC MOSFET元器件性能研究試用計(jì)劃：申請(qǐng)理由本人在半導(dǎo)體失效分析領(lǐng)域有多年工作經(jīng)驗(yàn)，熟悉MOSET各種性能和應(yīng)用，掌握各種MOSFET的應(yīng)用和失效分析方法，熟悉MOSFET的主要
2020-04-24 18:09:12
，以及源漏電壓進(jìn)行采集，由于使用的非隔離示波器，就在單管上進(jìn)行了對(duì)兩個(gè)波形進(jìn)行了記錄：綠色：柵極源極間電壓；黃色：源極漏極間電壓；由于Mosfet使用的SiC材料，通過分析以上兩者電壓的導(dǎo)通時(shí)間可以判斷出
2020-06-07 15:46:23
。補(bǔ)充一下，所有波形的測試是去掉了鱷魚夾，使用接地彈簧就近測量的，探頭的***擾情況是很小的。最后，經(jīng)過了半個(gè)小時(shí)的帶載實(shí)驗(yàn)，在自然散熱的情況下，測量了SIC-MOSFET的溫度：圖9 溫度測量對(duì)于
2020-06-10 11:04:53
SIC加裝了散熱片：最后，焊接到板子上：注意：加裝散熱片時(shí)，因?yàn)榈撞?b class="flag-6" style="color: red">位置有走線和元器件，散熱片應(yīng)預(yù)留一定的高度，避免短路。評(píng)估板硬件準(zhǔn)備完成，接來了做簡易的波形測量。通過使用說明書可知，這個(gè)評(píng)估板的PWM
2020-05-09 11:59:07
;Reliability (可靠性) " ，始終堅(jiān)持“品質(zhì)第一”SiC元器有三個(gè)最重要的特性：第一個(gè)高壓特性，比硅更好一些；而是高頻特性；三是高溫特性。 羅姆第三代溝槽柵型SiC-MOSFET對(duì)應(yīng)
2020-07-16 14:55:31
和更快的切換速度與傳統(tǒng)的硅mosfet和絕緣柵雙極晶體管(igbt)相比，SiC mosfet柵極驅(qū)動(dòng)在設(shè)計(jì)過程中必須仔細(xì)考慮需求。本應(yīng)用程序說明涵蓋為SiC mosfet選擇柵極驅(qū)動(dòng)IC時(shí)的關(guān)鍵參數(shù)。
2023-06-16 06:04:07
要充分認(rèn)識(shí) SiC MOSFET 的功能，一種有用的方法就是將它們與同等的硅器件進(jìn)行比較。SiC 器件可以阻斷的電壓是硅器件的 10 倍，具有更高的電流密度，能夠以 10 倍的更快速度在導(dǎo)通和關(guān)斷
2017-12-18 13:58:36
尖端和示波器輸入之間建立了一條電氣連接。為獲得可用的測量結(jié)果，把探頭連接到電路時(shí)，必須使其對(duì)電路操作的影響降到最小，探頭尖端的信號(hào)必須通過探頭頭部和電纜以足夠的保真度傳送到示波器的輸入。這三個(gè)
2017-07-27 09:46:48
性能如何？650V-1200V電壓等級(jí)的SiC MOSFET商業(yè)產(chǎn)品已經(jīng)從Gen 2發(fā)展到了Gen 3，隨著技術(shù)的發(fā)展，元胞寬度持續(xù)減小，比導(dǎo)通電阻持續(xù)降低，器件性能超越Si器件，浪涌電流、短路能力、柵
2022-03-29 10:58:06
和 IEC61010-2-031應(yīng)用相對(duì)低頻測量低頻計(jì)算機(jī)和電信測量電源低頻放大器P2220、P2221 無源電壓探頭P2220 和 P2221 200-MHz 無源電壓探頭允許使用位于探頭頭部的一個(gè)開關(guān)選擇 1X 或
2020-04-13 17:44:56
各位大神，可否用IR2113 驅(qū)動(dòng)共源集MOSfet ,且mosfet關(guān)斷時(shí)，源集漏集電壓最高為700V。
2017-08-16 16:03:26
低壓共源共柵結(jié)構(gòu)是什么？具有最小余度電壓的共源共柵電流源是什么？
2021-09-29 06:47:22
`出售全新泰克無源電壓探頭TPP0250示波器探頭同時(shí)回收示波器各型號(hào) 探頭收購 噪聲源【收購二手電子儀器儀表 】 聯(lián)系：***15920845969 Agilent 346A，Agilent
2020-03-13 17:57:26
比如，IRFP460，它的UGS(th)最小是2V，最大是4V，其特性曲線如下圖所示。那么它的柵源間的電壓要設(shè)置多大好呢？
2012-08-31 10:19:09
極驅(qū)動(dòng)器的優(yōu)勢和期望，開發(fā)了一種測試板，其中測試了分立式IGBT和SiC-MOSFET。標(biāo)準(zhǔn)電壓源驅(qū)動(dòng)器也在另一塊板上實(shí)現(xiàn)，見圖3。 圖3.帶電壓源驅(qū)動(dòng)器（頂部）和電流源驅(qū)動(dòng)器（底部）的半橋
2023-02-21 16:36:47
如何用USB示波器及其無源探頭安全地測量220V交流電壓及其諧波失真
2016-05-07 15:38:04
如何用USB示波器及其無源探頭安全地測量220V交流電壓及其諧波失真
2016-09-21 19:52:12
如何用USB示波器及其無源探頭安全地測量220V交流電壓及其諧波失真（中文）
2016-03-10 14:50:01
康華光主編的模電中講到N型的增強(qiáng)型MOSFET、耗盡型MOSFET、JFET。關(guān)于漏極飽和電流的問題，耗盡型MOSFET、JFET中都有提到，都是在柵源電壓等于0的時(shí)候，而增強(qiáng)型MOSFET在柵源
2019-04-08 03:57:38
電源設(shè)計(jì)問題及其測量需求是什么？怎么消除電壓探頭和電流探頭之間的時(shí)間偏差？怎么消除探頭零偏和噪聲？
2021-05-08 06:47:53
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-03-12 03:43:18
使用各種不同的數(shù)字示波器進(jìn)行相關(guān)電氣信號(hào)量的測量，測量的時(shí)候都需要與示波器相匹配的探頭，與示波器相匹配的探頭種類也非常多，包括無源探頭(包括高壓探頭，傳輸線探頭)、有源探頭（包括有源單端探頭、有源差
2017-12-13 11:48:36
在高度可靠、高性能的應(yīng)用中，如電動(dòng)/混合動(dòng)力汽車，隔離柵級(jí)驅(qū)動(dòng)器需要確保隔離柵在所有情況下完好無損。隨著Si-MOSFET/IGBT不斷改進(jìn)，以及對(duì)GaN和SiC工藝技術(shù)的引進(jìn)，現(xiàn)代功率轉(zhuǎn)換器/逆變器的功率密度不斷提高。
2019-08-09 07:03:09
本章將介紹最新的第三代SiC-MOSFET，以及可供應(yīng)的SiC-MOSFET的相關(guān)信息。獨(dú)有的雙溝槽結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET在SiC-MOSFET不斷發(fā)展的進(jìn)程中，ROHM于世界首家實(shí)現(xiàn)了溝槽柵極
2018-12-05 10:04:41
焊接到電路板上。最后，還必須考慮電流探頭的功能。某些電流探頭在示波器上讀取電壓，要求進(jìn)行數(shù)學(xué)運(yùn)算，把測量數(shù)據(jù)從伏特?fù)Q算成安培。連接泰克示波器的泰克電流探頭把測量數(shù)據(jù)自動(dòng)轉(zhuǎn)換成安培。泰克的多種電流探頭還提
2020-08-11 10:57:40
MOS的結(jié)構(gòu)碳化硅MOSFET（SiC MOSFET）N+源區(qū)和P井摻雜都是采用離子注入的方式，在1700℃溫度中進(jìn)行退火激活。一個(gè)關(guān)鍵的工藝是碳化硅MOS柵氧化物的形成。由于碳化硅材料中同時(shí)有Si和C
2019-09-17 09:05:05
`海飛樂技術(shù)現(xiàn)貨替換IXFN50N120SIC場效應(yīng)管制造商: IXYS 產(chǎn)品種類: MOSFET RoHS: 詳細(xì)信息 技術(shù): SiC 安裝風(fēng)格: SMD/SMT 封裝 / 箱體
2020-03-04 10:34:36
，在測量MOSFET的DS的電壓時(shí)候，要保證正確的測量方法。（1）如同測量輸出電壓的紋波一樣，所有工程師都知道，要去除示波器探頭的帽子，直接將探頭的信號(hào)尖端和地線接觸被測量位置的兩端，減小地線的環(huán)路
2023-02-20 17:21:32
MOSFET中的開關(guān)損耗為0.6 mJ。這大約是IGBT測量的2.5 mJ的四分之一。在每種情況下，均在 800 V、漏極/拉電流 10 A、環(huán)境溫度 150 °C 和最佳柵極-發(fā)射極閾值電壓下進(jìn)行測試（圖
2023-02-22 16:34:53
探頭頭部實(shí)際上是一個(gè)線圈，這個(gè)線圈纏在磁芯上。當(dāng)這個(gè)探頭頭部保持在指定方向及接近承載AC電流的導(dǎo)線時(shí)，探頭會(huì)輸出一個(gè)線性電壓，這一電壓與導(dǎo)線中電壓的比例是已知的。這種與電流有關(guān)的電壓可以在示波器上顯示
2017-08-30 15:43:48
直流電壓，那么1 MΩ的無源探頭基本就足夠了。然而如果是電源系統(tǒng)測試中經(jīng)常要求測量的三相供電中的火線與火線，或者火線與零（中）線的相對(duì)電壓差，那么我們就需要用到差分探頭了。差分探頭無源探頭無源探頭是最常
2020-03-16 17:23:15
類測試場景下可以測量的最大電壓。而且這個(gè)電壓并不是一個(gè)恒定值。而是會(huì)隨著頻率的變化而變化。一般探頭會(huì)給出自己的電壓額定曲線，如下圖所示： 圖35、輸入電容 輸入電容就是從探頭的探頭頭部端測量出的電容
2020-02-14 12:16:38
探頭的結(jié)構(gòu)形式大多數(shù)探頭由探頭頭部、探頭電纜、補(bǔ)償設(shè)備或其他信號(hào)調(diào)節(jié)網(wǎng)絡(luò)和探頭連接頭組成。如圖1所示。圖1 探頭的結(jié)構(gòu)形式為進(jìn)行示波器測量，必須先能夠在物理上把探頭連接到測試點(diǎn)。為實(shí)現(xiàn)這一點(diǎn)，大多數(shù)探頭
2009-02-10 20:58:40
低，可靠性高，在各種應(yīng)用中非常有助于設(shè)備實(shí)現(xiàn)更低功耗和小型化。本產(chǎn)品于世界首次※成功實(shí)現(xiàn)SiC-SBD與SiC-MOSFET的一體化封裝。內(nèi)部二極管的正向電壓（VF）降低70％以上，實(shí)現(xiàn)更低損耗的同時(shí)
2019-03-18 23:16:12
%的降額要求。另外，在測量MOSFET的DS的電壓時(shí)候，要保證正確的測量方法。（1）如同測量輸出電壓的紋波一樣，所有工程師都知道，要去除示波器探頭的帽子，直接將探頭的信號(hào)尖端和地線接觸被測量位置的兩端
2016-09-06 15:41:04
與Si-MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)的不同之處。主要的不同點(diǎn)是SiC-MOSFET在驅(qū)動(dòng)時(shí)的VGS稍高，內(nèi)部柵極電阻較高，因此外置柵極電阻Rg需要采用小阻值。Rg是外置電阻，屬于電路設(shè)計(jì)的范疇。但是，柵極驅(qū)動(dòng)電壓
2018-11-27 16:54:24
請(qǐng)問：驅(qū)動(dòng)功率MOSFET，IBGT，SiC MOSFET的PCB布局需要考慮哪些因素？
2019-07-31 10:13:38
。高阻無源探頭中還有 2 個(gè)特殊的種類。一類是高壓探頭，其衰減比可達(dá)100:1 或 1000:1，所以測量電壓范圍很大；還有一類是 1:1 的探頭，即信號(hào)沒有衰減就進(jìn)入示波器，由于不象 10：1
2018-04-02 09:17:49
，分為低頻探頭和高頻探頭，低頻探頭常見的帶寬在幾百KHz以下，高頻探頭帶寬一般在幾MHz以上。 AC電流探頭無源與有源的區(qū)別： AC無源探頭頭部實(shí)際上是一個(gè)線圈，這個(gè)線圈纏在磁芯上。當(dāng)這個(gè)探頭頭部保持在指定方向及接近承載AC電流的導(dǎo)線時(shí)，探頭
2019-12-24 11:43:015937 P2221是200-MHz無源電壓探頭，允許使用位于探頭頭部的一個(gè)開關(guān)選擇1X或10X衰減，兼容MSO2000和DPO2000系列示波器。
2021-02-14 15:57:00620 有經(jīng)驗(yàn)的工程師都知道，如果我們要使用 數(shù)字示波器來進(jìn)行電源測量的話，就必須先測量MOSFET開關(guān)器件漏極、源極間的電壓和電流，或IGBT集電極、發(fā)射極間的電壓。但是如果我們需要完成這一測試測量任務(wù)
2021-04-29 15:05:441036 為高共模電壓高壓差分信號(hào)，VGs2為低共模電壓低壓差分信號(hào)，VDS2為高壓對(duì)地信號(hào)。根據(jù)信號(hào)類型，VGs1、VDs1和 VGs2需采用差分探頭測量，VDS2既可采用高阻無源探頭測量，也可采用差分探頭測量
2021-09-27 08:51:15589 
建立的探頭模型和對(duì)暫態(tài)電壓精確測量實(shí)驗(yàn)分析 1、實(shí)驗(yàn)平臺(tái) 本文搭建了基于SiC MOSFET C3MO075120K的雙脈沖測試平臺(tái)，以驗(yàn)證所建立的探頭模型和對(duì)暫態(tài)電壓精確測量所做的分析，實(shí)驗(yàn)平臺(tái)
2022-03-31 17:32:27611 具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET，與不具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的TO-247N封裝SiC MOSFET產(chǎn)品相比，SiC MOSFET柵-源電壓的行為不同。
2022-06-08 14:49:532945 和 MOSFET。目前可提供擊穿電壓為 600 至 1,700 V、額定電流為 1 至 60 A 的 SiC 開關(guān)。這里的重點(diǎn)是如何有效地測量 SiC MOSFET。
2022-07-27 11:03:451512 
DL-ISO 高壓光隔離探頭具有 1 GHz 帶寬、2500 V 差分輸入范圍和 60 kV 共模電壓范圍，提供非常高的測量精度和豐富的連接方式，是GaN 和 SiC 器件測試的理想探頭。
2022-11-03 17:47:061121 特性和優(yōu)點(diǎn)： 關(guān)鍵性能指標(biāo) 500 MHz 探頭帶寬 探頭端部的輸入阻抗較大(10MQ，8pF) 10X衰減系數(shù) 300VCATII輸入電壓 易用性 緊湊型探頭頭部，適合探測小型幾何電路元件 探頭
2023-01-09 14:39:01367 
從本文開始，我們將進(jìn)入SiC功率元器件基礎(chǔ)知識(shí)應(yīng)用篇的第一彈“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極－源極間電壓的動(dòng)作”。前言：MOSFET和IGBT等電源開關(guān)元器件被廣泛應(yīng)用于各種電源應(yīng)用和電源線路中。
2023-02-08 13:43:22250 
在探討“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中Gate-Source電壓的動(dòng)作”時(shí)，本文先對(duì)SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)和工作進(jìn)行介紹，這也是這個(gè)主題的前提。
2023-02-08 13:43:23340 
上一篇文章中，簡單介紹了SiC MOSFET橋式結(jié)構(gòu)中柵極驅(qū)動(dòng)電路的開關(guān)工作帶來的VDS和ID的變化所產(chǎn)生的電流和電壓情況。本文將詳細(xì)介紹SiC MOSFET在LS導(dǎo)通時(shí)的動(dòng)作情況。
2023-02-08 13:43:23300 
本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?通過采取措施防止SiC MOSFET中柵極－源極間電壓的負(fù)電壓浪涌，來防止SiC MOSFET的LS導(dǎo)通時(shí)，SiC MOSFET的HS誤導(dǎo)通。?具體方法取決于各電路中所示的對(duì)策電路的負(fù)載。
2023-02-09 10:19:16589 
本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET，與不具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的TO-247N封裝SiC MOSFET產(chǎn)品相比，SiC MOSFET柵-源電壓的行為不同。
2023-02-09 10:19:20301 
通過驅(qū)動(dòng)器源極引腳改善開關(guān)損耗本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET，與不具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的TO-247N封裝產(chǎn)品相比，SiC MOSFET的柵-源電壓的...
2023-02-09 10:19:20335 
本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?如果將延長電纜與DUT引腳焊接并連接電壓探頭進(jìn)行測量，在開關(guān)速度較快時(shí)，觀察到的波形會(huì)發(fā)生明顯變化。?受測量時(shí)所裝的延長電纜的影響，觀察到的波形會(huì)與真正的原始波形完全不同。
2023-02-09 10:19:21652 
本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?探頭的連接方法會(huì)給波形測量結(jié)果帶來很大影響。?如果延長線較長，在柵極引腳和源極引腳與測量夾具之間形成的環(huán)路會(huì)導(dǎo)致觀察到的波形與真正的波形完全不同，因此，連接時(shí)要確保這個(gè)環(huán)路最小。
2023-02-09 10:19:22581 
本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?在某些位置測量波形時(shí)，觀測到的波形可能與實(shí)際波形不同。?理想的做法是測量位置要應(yīng)盡可能地靠近DUT，最好在引腳根部。
2023-02-09 10:19:22235 
關(guān)鍵要點(diǎn) ?除了測量位置之外，探頭的安裝位置也很重要。 ?如果不慎將電壓探頭安裝在磁通量急劇變化的空間內(nèi)，就會(huì)受到磁通量變化的影響，而體現(xiàn)在觀測波形上。 SiC MOSFET柵-源電壓測量 探頭頭部
2023-02-09 21:25:13561 驅(qū)動(dòng)芯片，需要考慮如下幾個(gè)方面： 驅(qū)動(dòng)電平與驅(qū)動(dòng)電流的要求首先，由于SiC MOSFET器件需要工作在高頻開關(guān)場合，其面對(duì)的由于寄生參數(shù)所帶來的影響更加顯著。由于SiC MOSFET本身柵極開啟電壓較
2023-02-27 14:42:04
79 時(shí)，由于較高的 di/dt 與 du/dt 容易產(chǎn)生電壓電流尖峰、振蕩、上下管直通或超過負(fù)向安全電壓，干擾驅(qū)動(dòng)電路輸出電壓等問題。因此為了保障 SiC MOSFET 安全可靠性的運(yùn)行，需從驅(qū)動(dòng)側(cè)對(duì) S
2023-02-27 14:43:028 紹的需要準(zhǔn)確測量柵極和源極之間產(chǎn)生的浪涌。在這里，將為大家介紹在測量柵極和源極之間的電壓時(shí)需要注意的事項(xiàng)。我們將以SiC MOSFET為例進(jìn)行講解，其實(shí)所講解的內(nèi)容也適用于一般的MOSFET和IGBT等各種功率元器件，盡情參考。
2023-04-06 09:11:46731 
本文是“SiC MOSFET：柵極－源極電壓的浪涌抑制方法”系列文章的總結(jié)篇。介紹SiC MOSFET的柵極－源極電壓產(chǎn)生的浪涌、浪涌抑制電路、正電壓浪涌對(duì)策、負(fù)電壓浪涌對(duì)策和浪涌抑制電路的電路板
2023-04-13 12:20:02814 示波器探頭是一種用于測量電路中電壓信號(hào)的工具，電壓量程是指探頭能夠測量的最大和最小電壓范圍。了解探頭的電壓量程，可以幫助我們?cè)趯?shí)際測量電路時(shí)進(jìn)行選擇。以下是關(guān)于示波器探頭電壓量程的詳細(xì)解讀
2023-04-17 10:46:323863 
紹的需要準(zhǔn)確測量柵極和源極之間產(chǎn)生的浪涌。在這里，將為大家介紹在測量柵極和源極之間的電壓時(shí)需要注意的事項(xiàng)。我們將以SiC MOSFET為例進(jìn)行講解，其實(shí)所講解的內(nèi)容也適用于一般的MOSFET和IGBT等各種功率元器件，盡情參考。
2023-05-08 11:23:14644 泰克探頭是一種常用的測試工具，主要用于測量電流和電壓。它的操作方法簡單易懂，可以幫助用戶快速準(zhǔn)確地測量電器設(shè)備中的電流和電壓，為維護(hù)和保養(yǎng)設(shè)備提供便利。下面詳細(xì)介紹一下泰克探頭的使用方法。
2023-05-23 11:00:19902 如何選取SiC MOSFET的Vgs門極電壓及其影響
2023-12-05 16:46:29483 
SiC設(shè)計(jì)干貨分享（一）：SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)電壓的分析及探討
2023-12-05 17:10:21439 
SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極－源極間電壓的動(dòng)作
2023-12-07 14:34:17223 
示波器的測量范圍和分辨率。 示波器探頭包括探頭引線、接頭插頭、探頭底座和探頭頭部四個(gè)部分，探頭頭部是探測電壓波形信號(hào)的地方，探頭底座是連接示波器的地方，探頭引線將被測信號(hào)傳輸?shù)?b class="flag-6" style="color: red">探頭頭部，接頭插頭連接到被測電
2023-12-08 10:47:34469 MOSFET對(duì)驅(qū)動(dòng)電路有一些基本要求，接下來將詳細(xì)介紹這些要求。 首先，SIC MOSFET對(duì)于驅(qū)動(dòng)電路的電壓要求非常嚴(yán)格。由于SIC MOSFET的工作電壓通常在幾百伏特到數(shù)千伏特之間，因此驅(qū)動(dòng)電路需要能提供足夠高的電壓以確保正常工作。此外，由于SIC MOSFET具有較高的耐壓能力
2023-12-21 11:15:49417 MOSFET的基本結(jié)構(gòu)。SIC MOSFET是一種由碳化硅材料制成的傳導(dǎo)類型晶體管。與傳統(tǒng)的硅MOSFET相比，SIC MOSFET具有更高的遷移率和擊穿電壓，以及更低的導(dǎo)通電阻和開關(guān)損耗。這些特性使其成為高溫高頻率應(yīng)用中的理想選擇。 SIC MOSFET在電路中具有以下幾個(gè)主要的作用： 1. 電源開關(guān)
2023-12-21 11:27:13687 示波器電流探頭可以測量多大電壓？ 示波器電流探頭是一種用于測量電流信號(hào)的工具，它可以將電流轉(zhuǎn)換為可觀測的電壓信號(hào)。然而，實(shí)際上示波器電流探頭并不能直接測量電壓，它只能間接測量電壓。 示波器電流探頭
2024-01-08 14:55:32347 普通探頭如何測量電壓？ 普通探頭是一種常見的電子測試工具，用于測量電壓。本文將詳盡、詳實(shí)、細(xì)致地講解普通探頭如何測量電壓的原理、使用方法、注意事項(xiàng)等方面的內(nèi)容。 一、普通探頭的原理 普通探頭主要
2024-01-08 15:55:40357 示波器無源探頭的選擇方法及注意事項(xiàng)。 一、了解高頻示波器無源探頭的基本原理 高頻示波器無源探頭主要由探頭頭部、探頭引線和示波器連接線等組成。它是一種無源元器件，通過探頭頭部的尖端感應(yīng)到被測電路上的信號(hào)，然后通過
2024-01-08 16:36:19500 探頭對(duì)測量可能引起的10種影響 ①探頭的帶寬對(duì)測量系統(tǒng)帶寬的影響：濾波效應(yīng) ②探頭自身的電路對(duì)被測電路特性的影響：負(fù)載效應(yīng)/諧振效應(yīng) ③探頭高、低頻電容的補(bǔ)償效應(yīng) ④探頭的地線長短、地線的位置、形狀
2024-01-15 10:23:39100 
帶 寬 考 慮 因 素 帶寬是同時(shí)涉及探頭帶寬和示波器帶寬的測量系統(tǒng)問題。示波器的帶寬應(yīng)超過要測量的信號(hào)的主要頻率，使用的探頭帶寬應(yīng)等于或超過示波器的帶寬。 從測量系統(tǒng)角度看，實(shí)際問題是探頭頭部
2024-01-16 09:51:42210 
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