SiC、GaN等下一代功率器件的企業(yè)有所增加，為數(shù)眾多的展示吸引了各方關(guān)注。SiC和GaN也變得不再是“下一代”。
2013-07-09 09:46:49
3475 電力電子將在未來幾年發(fā)展，尤其是對于組件，因為 WBG 半導體技術(shù)正變得越來越流行。高工作溫度、電壓和開關(guān)頻率需要 GaN 和 SiC 等 WBG 材料的能力。從硅到 SiC 和 GaN 組件的過渡標志著功率器件發(fā)展和更好地利用電力的重要一步。
2022-07-27 10:48:41761 
碳化硅 (SiC) MOSFET 和氮化鎵 (GaN) HEMT 等寬帶隙 (WBG) 功率器件的采??用目前正在廣泛的細分市場中全面推進。在許多情況下，WBG 功率器件正在取代它們的硅對應物，并在
2022-07-29 14:09:53807 
下面將對于SiC MOSFET和SiC SBD兩個系列，進行詳細介紹
2023-11-01 14:46:19736 
GaN 和 SiC 器件在某些方面相似，但有顯著差異。
2021-11-17 09:06:184236 
?近日，國內(nèi)第三代半導體新銳企業(yè)芯塔電子正式宣布推出新一代1200V 40-80mΩ SiC MOSFET，器件各項性能達到國際領(lǐng)先水平。此舉標志著芯塔電子在第三代半導體領(lǐng)域取得了重大進展，進一步
2022-08-29 15:08:57879 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）在我們談論第三代半導體的時候，常說的碳化硅功率器件一般是指代SiC MOSFET（金屬-氧化物半導體場效應晶體管），而氮化鎵功率器件最普遍的則是GaN HEMT（高電子
2023-12-27 09:11:361219 、柔性輸電等新能源領(lǐng)域中應用的不斷擴展，現(xiàn)代社會對電力電子變換器的效率和功率密度提出了更高的要求，需要器件在較高溫度環(huán)境時仍具有更優(yōu)越的開關(guān)性能以及更小的結(jié)溫和結(jié)溫波動。SiC肖特基勢壘二極管(SBD
2019-10-24 14:25:15
和GaN的特性比較 氧化鎵（GaO）是另一種帶隙較寬的半導體材料，GaO的導熱性較差，但其帶隙（約4.8 eV）超過SiC，GaN和Si，但是，GaO在成為主要動力之前將需要更多的研發(fā)工作。系統(tǒng)參與者
2022-08-12 09:42:07
有使用過SIC MOSFET 的大佬嗎 想請教一下驅(qū)動電路是如何搭建的。
2021-04-02 15:43:15
1200V,5A,SIC SBD,TO-220AC PACKAG
2023-03-27 14:47:38
的SiC-SBD反向電流少，trr也短。順便一提，本特性因為反向電流的損耗而需要進行研究探討。在這里，通過各二極管的斷面圖進行介紹。下圖為Si-PND的偏置從正向偏置轉(zhuǎn)換為反向偏置時電子和空穴的移動。正向偏置
2018-11-29 14:34:32
的VF隨著溫度升高而下降，傳導損耗減少，看起來好像是好事，但隨著VF的下降，IF增加，即使損耗略有下降，但發(fā)熱増加量更勝一籌，甚至可能陷入VF下降、IF增加的熱失控狀態(tài)。而SiC-SBD隨著溫度升高
2018-11-30 11:52:08
。在這里就SiC-SBD的可靠性試驗進行說明。這是ROHM的SiC-SBD可靠性試驗數(shù)據(jù)。首先請看一下具體的項目和條件。對于進行過半導體的可靠性探討和實際評估的人來說，這些標準和條件應該都是司空見慣
2018-11-30 11:50:49
溫條件下均可確保安全工作。第二代產(chǎn)品正向電壓更低，導通損耗也更低目前，ROHM的第二代SiC-SBD已實現(xiàn)量產(chǎn)供應。第二代SiC-SBD通過改善制造工藝，使漏電流與trr性能保持了和以往產(chǎn)品同等水平，VF
2019-03-27 06:20:11
在內(nèi)的各種應用中的采用。當前的SiC-SBD產(chǎn)品結(jié)構(gòu)分為耐壓為650V與1200V、額定電流為5A～40A的產(chǎn)品，具體因封裝而異。其概要如下表所示。另外，ROHM正在開發(fā)650V產(chǎn)品可支持達100A
2018-12-04 10:09:17
為了使大家了解SiC-SBD，前面以Si二極管為比較對象，對特性進行了說明。其中，也談到SiC-SBD本身也發(fā)展到第2代，性能得到了提升。由于也有宣布推出第3代產(chǎn)品的，所以在此匯總一下SiC-SBD
2018-11-30 11:51:17
的重大研究項目。此時，開關(guān)電源無法對應高速的開關(guān)頻率也是課題之一。右上圖表示Si的SBD、PND、FRD和SiC-SBD耐壓的覆蓋范圍?？梢钥闯?b class="flag-6" style="color: red">SiC-SBD基本覆蓋了PND/FRD的耐壓范圍
2018-11-29 14:35:50
基于碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等寬帶隙(WBG)半導體的新型高效率、超快速功率轉(zhuǎn)換器已經(jīng)開始在各種創(chuàng)新市場和應用領(lǐng)域攻城略地——這類應用包括太陽能光伏逆變器、能源存儲、車輛電氣化（如充電器
2019-07-31 06:16:52
SiC SBD 晶圓級測試 求助：需要測試的參數(shù)和測試方法謝謝
2020-08-24 13:03:34
設(shè)計得低，開啟電壓也可以做得低一些，但是這也將導致反向偏壓時的漏電流增大。ROHM的第二代SBD通過改進制造工藝，成功地使漏電流和恢復性能保持與舊產(chǎn)品相等，而開啟電壓降低了約0.15V。SiC-SBD
2019-03-14 06:20:14
設(shè)計得低，開啟電壓也可以做得低一些，但是這也將導致反向偏壓時的漏電流增大。ROHM的第二代SBD通過改進制造工藝，成功地使漏電流和恢復性能保持與舊產(chǎn)品相等，而開啟電壓降低了約0.15V。SiC-SBD
2019-04-22 06:20:22
效率，并實現(xiàn)了全球節(jié)能。事實上，有人估計的IGBT幫助阻止750000億磅的CO 2排放量在過去25年。 就像二十世紀八十年代的IGBT革命一樣，今天寬帶隙半導體碳化硅（SiC）再次顯示出為電力
2023-02-27 13:48:12
上一章介紹了與IGBT的區(qū)別。本章將對SiC-MOSFET的體二極管的正向特性與反向恢復特性進行說明。如圖所示，MOSFET（不局限于SiC-MOSFET）在漏極-源極間存在體二極管。從MOSFET
2018-11-27 16:40:24
另
一方面，按照現(xiàn)在的技術(shù)
水平，
SiC-MOSFET的
MOS溝道部分的遷移率比較低，所以溝道部的阻抗比Si器件要高?！ ∫虼?，越高的門極電壓，可以得到越低的導通電阻（VCS=20V以上則逐漸飽和）?！ ∪绻?/div>
2023-02-07 16:40:49
另一方面，按照現(xiàn)在的技術(shù)水平，SiC-MOSFET的MOS溝道部分的遷移率比較低，所以溝道部的阻抗比Si器件要高。因此，越高的門極電壓，可以得到越低的導通電阻（VCS=20V以上則逐漸飽和）。如果
2019-04-09 04:58:00
本章將介紹部分SiC-MOSFET的應用實例。其中也包括一些以前的信息和原型級別的內(nèi)容，總之希望通過這些介紹能幫助大家認識采用SiC-MOSFET的好處以及可實現(xiàn)的新功能。另外，除了
2018-11-27 16:38:39
基于SiC/GaN的新一代高密度功率轉(zhuǎn)換器SiC/GaN具有的優(yōu)勢
2021-03-10 08:26:03
新型和未來的 SiC/GaN 功率開關(guān)將會給方方面面帶來巨大進步，從新一代再生電力的大幅增加到電動汽車市場的迅速增長。其巨大的優(yōu)勢——更高功率密度、更高工作頻率、更高電壓和更高效率，將有助于實現(xiàn)更緊
2018-10-30 11:48:08
SiC46x是什么？SiC46x有哪些優(yōu)異的設(shè)計？SiC46x的主要應用領(lǐng)域有哪些？
2021-07-09 07:11:50
另一方面，按照現(xiàn)在的技術(shù)水平，SiC-MOSFET的MOS溝道部分的遷移率比較低，所以溝道部的阻抗比Si器件要高。因此，越高的門極電壓，可以得到越低的導通電阻（VCS=20V以上則逐漸飽和）。如果
2019-05-07 06:21:55
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-05-06 09:15:52
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-03-25 06:20:09
ROHM推出了SiC肖特基勢壘二極管（以下SiC SBD）的第三代產(chǎn)品“SCS3系列”。SCS3系列是進一步改善了第二代SiC SBD實現(xiàn)的當時業(yè)界最小正向電壓，并大幅提高了抗浪涌電流性能的產(chǎn)品
2018-12-03 15:12:02
`Cree的CGHV96100F2是氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）在碳化硅（SiC）基板上。 該GaN內(nèi)部匹配（IM）FET與其他技術(shù)相比，具有出色的功率附加效率。 氮化鎵與硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
`IGN0450M250是一款高功率GaN-on-SiC RF功率晶體管，旨在滿足P波段雷達系統(tǒng)的獨特需求。它在整個420-450 MHz頻率范圍內(nèi)運行。 在100毫秒以下，10％占空比脈沖條件
2021-04-01 10:35:32
Solutions是電子元器件、電池、電源領(lǐng)域的日本著名制造商——村田制作所集團旗下的一家企業(yè)。ROHM的高速開關(guān)SiC SBD產(chǎn)品“SCS308AH”此次成功應用于Murata Power
2023-03-02 14:24:46
，如何提高它們的效率已成為全球性的社會問題。而功率元器件是提高它們效率的關(guān)鍵，SiC和GaN等新材料在進一步提升各種電源效率方面被寄予厚望。ROHM和ApexMicrotechnology在功率電子和模擬
2023-03-29 15:06:13
Qorvo 的 T2G6001528-Q3 是 15 W (P3dB) 寬帶無與倫比的分立式 GaN on SiC HEMT，可在直流至 6 GHz 和 28V 電源軌范圍內(nèi)運行。該器件采用行業(yè)標準
2021-08-04 11:50:58
。另一方面，全SiC功率模塊由SiC的MOSFET和SiC的SBD (Schottky Barrier Diode)組成，具有低損耗、高工作溫度等特點，如果將其用于APS中，有助于提高產(chǎn)品的效率，實現(xiàn)
2017-05-10 11:32:57
、SiC SBD開關(guān)損耗低，可提高系統(tǒng)效率
下圖為相同規(guī)格的Si FRD和SiC SBD在不同溫度下的反向恢復電流對比，其中SiC SBD是我司推出的SiC SBD產(chǎn)品，Si FRD是國際一線品牌主流
2023-10-07 10:12:26
元件來適應略微增加的開關(guān)頻率，但由于無功能量循環(huán)而增加傳導損耗［2］。因此，開關(guān)模式電源一直是向更高效率和高功率密度設(shè)計演進的關(guān)鍵驅(qū)動力?！ 』?SiC 和 GaN 的功率半導體器件 碳化硅
2023-02-21 16:01:16
什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的結(jié)構(gòu)是如何構(gòu)成的？
2021-06-18 08:32:43
的材料特性，各自都有各自的優(yōu)點和不成熟處，因此在應用方面有區(qū)別 。一般的業(yè)界共識是：SiC適合高于1200V的高電壓大功率應用；GaN器件更適合于40-1200V的高頻應用。在600V和1200V器件
2021-09-23 15:02:11
應用，實際上已經(jīng)在HV/EV/PHV的板上充電電路中采用并發(fā)揮著SiC-SBD的優(yōu)勢。關(guān)鍵要點:?ROHMSiC-SBD已經(jīng)發(fā)展到第3代。?第3代產(chǎn)品的抗浪涌電流特性與漏電流特性得到改善，并進一步降低了第2代達成的低VF。＜ 相關(guān)產(chǎn)品信息 ＞SiC-SBDSi-SBDSi-PND
2018-11-29 14:33:47
從本文開始進入新的一章。繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢壘二極管 ）、SiC-MOSFET之后，來介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文作為第一篇，想讓大家了解全SiC
2018-11-27 16:38:04
3賽季）與文圖瑞車隊簽署官方技術(shù)合作協(xié)議，并在上個賽季為其提供了SiC肖特基勢壘二極管（SiC-SBD）。通過將FRD更換為SiC-SBD，第2賽季由IGBT和快速恢復二極管（FRD）組成的逆變器成功
2018-12-04 10:24:29
：RGWxx65C系列的亮點＞使用SiC SBD作為續(xù)流二極管的Hybrid IGBT650V耐壓，IC(100℃) 30A/40A/50A有3種可選通過使用SiC SBD，顯著降低了導通時的開關(guān)損耗用于xEV車載
2022-07-27 10:27:04
量產(chǎn)供應。第二代SiC-SBD通過改善制造工藝，使漏電流與trr性能保持了和以往產(chǎn)品同等水平，VF則能降低約0.15V。其結(jié)果是，因VF降低，而實現(xiàn)更低導通損耗。正向特性圖表的紅色波形是第一
2018-12-04 10:26:52
nitride h鄄igh electron mobility transistor） 的應用可以進一步提高開關(guān)頻率， 使變換器的開關(guān)頻率達到 500 kHz甚至幾兆赫[1]。 但 GaN HEMT 存在
2023-09-18 07:27:50
。右圖為SiC-MOSFET＋SiC-SBD組成的全SiC模塊BSM300D12P2E001（1200V/300A）與IGBT＋FRD的模塊在同一環(huán)境下實測的開關(guān)損耗結(jié)果比較。Eon是開關(guān)導通時的損耗
2018-12-04 10:14:32
`由電氣觀察主辦的“寬禁帶半導體(SiC、GaN)電力電子技術(shù)應用交流會”將于7月16日在浙江大學玉泉校區(qū)舉辦。寬禁帶半導體電力電子技術(shù)的應用、寬禁帶半導體電力電子器件的封裝、寬禁帶電力電子技術(shù)
2017-07-11 14:06:55
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-03-12 03:43:18
夠更進一步的發(fā)揮出來。2. 采用了低損耗的粗銅線半導體芯片和引線框架之間的絲焊材料選用了粗銅線，和一般常用的鋁線相比，能降低損耗。3. 使用低溫制造法的低噪聲高速開關(guān)SiC-SBD為了不給SiC結(jié)晶造成
2013-11-14 12:16:01
，避免故障。表1總結(jié)了三種晶體管類型參數(shù)以及GaN、Si和SiC的物理材料。對于Si SJ MOS，選擇了最新的具有本征快速體二極管的Si基MOSFET。GaN和SiC是最新一代的寬帶隙晶體管，更適合
2023-02-27 09:37:29
采用雙溝槽結(jié)構(gòu)的SiC-MOSFET，與正在量產(chǎn)中的第2代平面型（DMOS結(jié)構(gòu)）SiC-MOSFET相比，導通電阻降低約50%，輸入電容降低約35%。實際的SiC-MOSFET產(chǎn)品下面是可供
2018-12-05 10:04:41
MOS的結(jié)構(gòu)碳化硅MOSFET（SiC MOSFET）N+源區(qū)和P井摻雜都是采用離子注入的方式，在1700℃溫度中進行退火激活。一個關(guān)鍵的工藝是碳化硅MOS柵氧化物的形成。由于碳化硅材料中同時有Si和C
2019-09-17 09:05:05
設(shè)計得低，開啟電壓也可以做得低一些，但是這也將導致反向偏壓時的漏電流增大。ROHM的第二代SBD通過改進制造工藝，成功地使漏電流和恢復性能保持與舊產(chǎn)品相等，而開啟電壓降低了約0.15V。SiC-SBD
2019-05-07 06:21:51
深愛全系列支持SIC9531DSIC9532DSIC9533DSIC9534DSIC9535DSIC9536DSIC9537DSIC9538DSIC9539DSIC9942B/DSIC9943B
2021-11-13 14:58:25
低功率因素方案SIC953XD系列：TYPESPFMOSFETPackage **范圍SIC9531D 0.514Ω500VSOP7
2021-09-07 17:39:06
(SiC)、氮鎵(GaN)為代表的寬禁帶功率管過渡。SiC、GaN材料，由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等突出優(yōu)點，與剛石等半導體材料一起，被譽為是繼第一代Ge、Si半導體材料、第二代GaAs
2017-06-16 10:37:22
改善，并進一步降低了第2代達成的低VF。SiC-SBD、Si?SBD、Si-PND的特征SiC-SBD為形成肖特基勢壘，將半導體SiC與金屬相接合（肖特基結(jié)）。結(jié)構(gòu)與Si肖特基勢壘二極管基本相同，僅
2019-07-10 04:20:13
低，可靠性高，在各種應用中非常有助于設(shè)備實現(xiàn)更低功耗和小型化。本產(chǎn)品于世界首次※成功實現(xiàn)SiC-SBD與SiC-MOSFET的一體化封裝。內(nèi)部二極管的正向電壓（VF）降低70％以上，實現(xiàn)更低損耗的同時
2019-03-18 23:16:12
請問一下SiC和GaN具有的優(yōu)勢主要有哪些？
2021-08-03 07:34:15
，另一方面想要控制封裝溫度變化，最終目標是創(chuàng)造新的可靠性記錄： 可靠性是現(xiàn)有技術(shù)水平5倍多; 高溫性能同樣大幅提升 能夠在攝氏200度或更高溫度環(huán)境中工作。專案將針對整合式SiC元件的特性優(yōu)化封裝方法
2019-06-27 04:20:26
ROHM在全球率先實現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關(guān)并可大幅降低
2018-12-04 10:11:50
。ADuM4135隔離式柵極驅(qū)動器采用ADI公司經(jīng)過驗證的iCoupler?技術(shù)，可以給高電壓和高開關(guān)速度應用帶來諸多重要優(yōu)勢。ADuM4135是驅(qū)動SiC/GaN MOS的最佳選擇，出色的傳播延遲優(yōu)于50 ns
2018-10-22 17:01:41
羅姆展出了采用溝道構(gòu)造的SiC制肖特基勢壘二極管(SBD)和MOSFET。溝道型SBD的特點在于，與普通SiC制SBD相比二極管導通電壓(以下稱導通電壓)較低。溝道型SBD的導通電壓為0.5V，降到了以往
2011-10-12 09:35:301110 據(jù)權(quán)威媒體分析，SiC和GaN器件將大舉進入電力電子市場，預計到2020年，SiC和GaN功率器件將分別獲得14%和8%市場份額。未來電力電子元器件市場發(fā)展將更多地集中到SiC和GaN的技術(shù)創(chuàng)新上。
2013-09-18 10:13:112463 這篇文章的目的是提供一個指南，高功率SiC MESFET和GaN HEMT晶體管的熱性能的克里寬禁帶半導體設(shè)備的用戶。
2017-06-27 08:54:11
23 分段、機理解耦與參數(shù)解耦，突出器件開關(guān)特性，弱化物理機理，簡化瞬態(tài)過程分析，建立基于SiC MOSFET與SiC SBD的換流單元瞬態(tài)模型。理論計算結(jié)果與實驗結(jié)果對比表明，該模型能夠較為精細地體現(xiàn)SiC MOSFET開關(guān)瞬態(tài)波形且能夠較為準確地計算
2018-02-01 14:01:343 SiC SBD和 MOS是目前最為常見的 SiC 基的器件，并且 SiC MOS 正在一些領(lǐng)域和 IGBT爭搶份額。我們都知道，IGBT 結(jié)合了 MOS 和 BJT 的優(yōu)點，第三代寬禁帶半導體SiC
2020-03-20 15:56:284190 日前，SiC & GaN功率器件設(shè)計和方案商派恩杰官方正式宣告與德國Foxy Power合作組建歐洲&北美銷售團隊。
2021-09-09 09:39:171065 在開關(guān)頻率、散熱、耐壓、功率密度方面優(yōu)勢更為凸顯。 下文主要對國產(chǎn)SiC MOSFET進行介紹并與國外相近參數(shù)的主流產(chǎn)品相對比。 國產(chǎn)1700V SiC MOSFET 派恩杰2018年開始專注于第三代半導體SiC、GaN的功率器件的研究。公司成立半年后就研制出了首款650V GaN功率器件，在基于
2021-09-16 11:05:374228 SiC晶體管是天然的E型MOSFET。這些器件可在高達1 MHz的頻率下進行開關(guān)，其電壓和電流水平遠高于硅MOSFET。
2023-02-06 14:32:23564 1. 器件結(jié)構(gòu)和特征 SiC能夠以高頻器件結(jié)構(gòu)的SBD（肖特基勢壘二極管）結(jié)構(gòu)得到600V以上的高耐壓二極管（Si的SBD最高耐壓為200V左右）。 因此，如果用SiC-SBD替換現(xiàn)在主流產(chǎn)品快速
2023-02-07 16:46:27501 為了使大家了解SiC-SBD，前面以Si二極管為比較對象，對特性進行了說明。其中，也談到SiC-SBD本身也發(fā)展到第2代，性能得到了提升。
2023-02-08 13:43:18396 
關(guān)于SiC-SBD，前面介紹了其特性、與Si二極管的比較、及當前可供應的產(chǎn)品。本篇將匯總之前的內(nèi)容，并探討SiC-SBD的優(yōu)勢。
2023-02-08 13:43:18704 
SiC作為半導體材料的歷史不長，與Si功率元器件相比其實際使用業(yè)績還遠遠無法超越，可能是其可靠性水平還未得到充分認識。這是ROHM的SiC-SBD可靠性試驗數(shù)據(jù)。
2023-02-08 13:43:18363 
繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢壘二極管 ）、SiC-MOSFET之后，來介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文作為第一篇，想讓大家了解全SiC功率模塊具體是什么樣的產(chǎn)品，都有哪些機型。
2023-02-08 13:43:21685 
ROHM在全球率先實現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關(guān)并可大幅降低損耗。
2023-02-10 09:41:081333 
ROHM努力推進最適合處理高耐壓與大電流電路使用SiC（碳化硅）材料的SBD（肖特基勢壘二極管）。2010年在日本國內(nèi)率先開始SiC SBD的量產(chǎn)，目前正在擴充第二代SIC-SBD產(chǎn)品陣容，并推動在包括車載在內(nèi)的各種應用中的采用。
2023-02-13 09:30:07400 
為了使大家了解SiC-SBD，前面以Si二極管為比較對象，對特性進行了說明。其中，也談到SiC-SBD本身也發(fā)展到第2代，性能得到了提升。由于也有宣布推出第3代產(chǎn)品的，所以在此匯總一下SiC-SBD的發(fā)展，整理一下當前實際上供應的SiC-SBD。
2023-02-22 09:19:45354 
SiC-SBD為形成肖特基勢壘，將半導體SiC與金屬相接合（肖特基結(jié)）。結(jié)構(gòu)與Si肖特基勢壘二極管基本相同，僅電子移動、電流流動。而Si-PND采用P型硅和N型硅的接合結(jié)構(gòu)，電流通過電子與空穴（孔）流動。
2023-02-23 11:24:11586 
作為歐洲領(lǐng)先的“電力轉(zhuǎn)換與智能運動”領(lǐng)域?qū)I(yè)盛會，PCIM 2023將于5月9日至11日在德國紐倫堡盛大召開，會上將展開超400篇國際技術(shù)論文的學術(shù)交流，并安排了技術(shù)及應用為重點的綜合會議。
2023-05-08 09:14:06205 SiC和GaN被稱為“寬帶隙半導體”(WBG)，因為將這些材料的電子從價帶炸毀到導帶所需的能量：而在硅的情況下，該能量為1.1eV，SiC（碳化硅）為3.3eV，GaN（氮化鎵）為3.4eV。這導致了更高的適用擊穿電壓，在某些應用中可以達到1200-1700V。
2023-08-09 10:23:39431 
全球知名半導體制造商羅姆（總部位于日本京都市）于今日（8月29日）參加在上海新國際博覽中心舉辦的2023上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會（以下簡稱PCIM Asia）（ 展位號：W2館2D03
2023-08-29 12:10:06294 
SiC與GaN的興起與未來
2023-01-13 09:06:226 2023年國產(chǎn)SiC上車
2023-10-31 23:02:000 SiC SBD的高耐壓（反壓）特性
2023-12-13 15:27:55197 
瑞森半導體在工業(yè)電源上的應用上：主推碳化硅(SiC)二極管/超結(jié)MOS，助力廠家及品牌，打造高質(zhì)、高性能產(chǎn)品。
2023-12-11 11:33:13194 
瑞森半導體在工業(yè)電源上的應用上：主推碳化硅(SiC)二極管/超結(jié)MOS，助力廠家及品牌，打造高質(zhì)、高性能產(chǎn)品。
2023-12-11 11:56:42207 
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