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電子發(fā)燒友網(wǎng)>制造/封裝>英飛凌推出全新采用TO-247-3-HCC封裝的TRENCHSTOP? 5 WR6系列,帶來更佳的系統(tǒng)可靠性

英飛凌推出全新采用TO-247-3-HCC封裝的TRENCHSTOP? 5 WR6系列,帶來更佳的系統(tǒng)可靠性

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2018-10-09 14:11:30

提高電源可靠性設(shè)計的建議

的一個重要方面。 1 開關(guān)電源電氣可靠性工程設(shè)計技術(shù) 1.1 供電方式的選擇 供電方式一般分為:集中式供電系統(tǒng)和分布式供電?,F(xiàn)代電力電子系統(tǒng)一般采用采用分布式供電系統(tǒng),以滿足高可靠性設(shè)備的要求。 1.2
2018-10-09 14:37:18

有鉛錫與無鉛錫可靠性的比較

本帖最后由 gk320830 于 2015-3-5 17:40 編輯 有鉛錫與無鉛錫可靠性的比較無鉛焊接互連可靠性是一個非常復雜的問題,它取決于許多因素,我們簡單列舉以下七個方面的因素:  1
2013-10-10 11:41:02

求劉勝編著的 微電子封裝組件的建模和仿真:制造、可靠性與測試:manufacturing, reliability and testing資源

求劉勝編著的 微電子封裝組件的建模和仿真:制造、可靠性與測試:manufacturing, reliability and testing資源
2017-01-18 17:35:32

汽車電子系統(tǒng)可靠性的計算

每個硬件元件都有一個失效率,所有元器件組成系統(tǒng)之后,其全部元件的失效率決定了系統(tǒng)最終的可靠性。系統(tǒng)的組成方式可分為串聯(lián)和并聯(lián)系統(tǒng)兩種基礎(chǔ)系統(tǒng)。根據(jù)元件的失效率和系統(tǒng)的組成方式,最終可以計算出系統(tǒng)可靠性。對于汽車電子產(chǎn)品,因為其高安全、高可靠性的要求,汽車電子系統(tǒng)可靠性計算非常重要。
2019-02-21 11:25:56

淺析無線通信產(chǎn)品的各個階段可靠性預計與實現(xiàn)

0、引言電子產(chǎn)品的可靠性預計一直是困擾各個無線通信公司的難題之一,目前比較通用的可靠性預計方法是由貝爾實驗室在2001年推出的Bellcore-SR332方法。該方法的不足之處在于它僅根據(jù)產(chǎn)品
2019-06-19 08:24:45

滿足鐵標認證的6W DC-DC鐵路電源URA1D-YMD-6WR3系列

金升陽6W R3系列鐵路電源自推出以來,以其高可靠性、低功耗、保護功能齊全等產(chǎn)品特性得到了廣大鐵路機車行業(yè)客戶的青睞。為滿足市場對正負雙路輸出產(chǎn)品的需求,在原單路輸出URB1D_YMD-6WR3
2017-11-23 12:18:18

電子元器件的可靠性篩選

地暴露元器件體內(nèi)和表面的多種潛在缺陷,它是可靠性篩選的一個重要項目。各種電子元器件通常在額定功率條件下老煉幾小時至168小時,有些產(chǎn)品,如集成電路,不能隨便改變條件,但可以采用高溫工作方式來提高工作結(jié)溫
2016-11-17 22:41:33

電源可靠性設(shè)計的幾個建議

的一個重要方面。 一、開關(guān)電源電氣可靠性工程設(shè)計技術(shù) 供電方式的選擇供電方式一般分為:集中式供電系統(tǒng)和分布式供電?,F(xiàn)代電力電子系統(tǒng)一般采用采用分布式供電系統(tǒng),以滿足高可靠性設(shè)備的要求。 電路拓撲的選擇開關(guān)
2019-02-21 07:14:11

硬件電路的可靠性

我想問一下高速電路設(shè)計,是不是只要做好電源完整分析和信號完整分析,就可以保證系統(tǒng)的穩(wěn)定了。要想達到高的可靠性,要做好哪些工作???在網(wǎng)上找了好久,也沒有找到關(guān)于硬件可靠性的書籍。有經(jīng)驗的望給點提示。
2015-10-23 14:47:17

請問PCBA可靠性測試有什么標準可循嗎?

剛剛接觸PCBA可靠性,感覺和IC可靠性差異蠻大,也沒有找到相應的測試標準。請問大佬們在做PCBA可靠性時是怎么做的,測試條件是根據(jù)什么設(shè)定?
2023-02-15 10:21:14

請問一下嵌入式無線系統(tǒng)應用中可靠性和功耗的優(yōu)化方法是什么?

請問一下嵌入式無線系統(tǒng)應用中可靠性和功耗的優(yōu)化方法是什么?
2021-06-03 06:11:48

高溫電子設(shè)備給設(shè)計和可靠性帶來的挑戰(zhàn)

范圍內(nèi)最嚴苛的精度和可靠性要求。封裝考慮因素高溫功能化硅的采用只相當于完成了一半的工作。在高溫下進行芯片封裝并將其連接至PCB絕非易事。高溫時許多因素都會影響封裝完整性(圖6)。圖6.IC封裝和貼裝元件
2018-10-19 11:00:55

102 改善BGA枕頭效應,提高焊接可靠性

可靠性焊接技術(shù)
車同軌,書同文,行同倫發(fā)布于 2022-08-07 16:03:32

#硬聲創(chuàng)作季 #可靠性 電子封裝可靠性評價中的實驗力學方法-1

可靠性設(shè)計可靠性元器件可靠性
水管工發(fā)布于 2022-09-29 22:09:31

#硬聲創(chuàng)作季 #可靠性 電子封裝可靠性評價中的實驗力學方法-2

可靠性設(shè)計可靠性元器件可靠性
水管工發(fā)布于 2022-09-29 22:10:05

#硬聲創(chuàng)作季 #可靠性 電子封裝可靠性評價中的實驗力學方法-3

可靠性設(shè)計可靠性元器件可靠性
水管工發(fā)布于 2022-09-29 22:10:30

#硬聲創(chuàng)作季 #可靠性 電子封裝可靠性評價中的實驗力學方法-4

可靠性設(shè)計可靠性元器件可靠性
水管工發(fā)布于 2022-09-29 22:10:55

#硬聲創(chuàng)作季 #可靠性 電子封裝可靠性評價中的實驗力學方法-5

可靠性設(shè)計可靠性元器件可靠性
水管工發(fā)布于 2022-09-29 22:11:21

#硬聲創(chuàng)作季 #可靠性 電子封裝可靠性評價中的實驗力學方法-6

可靠性設(shè)計可靠性元器件可靠性
水管工發(fā)布于 2022-09-29 22:11:46

#硬聲創(chuàng)作季 #可靠性 電子封裝可靠性評價中的實驗力學方法-7

可靠性設(shè)計可靠性元器件可靠性
水管工發(fā)布于 2022-09-29 22:12:14

#硬聲創(chuàng)作季 #可靠性 電子封裝可靠性評價中的實驗力學方法-8

可靠性設(shè)計可靠性元器件可靠性
水管工發(fā)布于 2022-09-29 22:12:40

#硬聲創(chuàng)作季 #可靠性 電子封裝可靠性評價中的實驗力學方法-9

可靠性設(shè)計可靠性元器件可靠性
水管工發(fā)布于 2022-09-29 22:13:05

英飛凌推出額定電流高達120A的新型TO-247PLUS封裝

2014年12月2日,慕尼黑訊——英飛凌科技股份有限公司針對大功率應用擴大分立式 IGBT 產(chǎn)品組合,推出新型 TO-247PLUS 封裝,可滿足額定電流高達 120A 的 IGBT封裝,并在相同的體積和引腳內(nèi)裝有滿額二極管作為 JEDEC 標準TO-247-3。
2014-12-02 11:12:047283

英飛凌推出全新可控逆導型IGBT芯片

英飛凌推出全新可控逆導型IGBT芯片,可提高牽引和工業(yè)傳動等高性能設(shè)備的可靠性
2015-06-24 18:33:292516

英飛凌TRENCHSTOP? IGBT7系列新產(chǎn)品,電流額定值模塊

英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)為其1200 V TRENCHSTOP? IGBT7系列推出新的電流額定值模塊。
2020-04-30 11:52:394039

英飛凌推出采用TO-247封裝TRENCHSTOP? IGBT7技術(shù)

TRENCHSTOP IGBT7器件具有優(yōu)異的可控性和卓越的抗電磁干擾性能。它很容易通過調(diào)整來達到特定于應用的最佳dv/dt和開關(guān)損耗。
2020-09-29 11:43:232051

英飛凌推出面向高能效電源應用的第七代分立式650V TRENCHSTOP IGBTs H7新品

在分立式封裝中,650 V TRENCHSTOP IGBT7 H7可輸出高達150A的電流。該產(chǎn)品系列電流等級為40A至150A,有四種不同封裝類型:TO-247-3 HCC、TO-247-4、TO-247-3 Plus和TO-247-4 Plus。
2023-11-10 15:36:22265

英飛凌發(fā)布新款CoolSiC 2000V SiC MOSFET

英飛凌科技股份公司近日發(fā)布了全新的CoolSiC? 2000V SiC MOSFET系列。這款產(chǎn)品采用了先進的TO-247PLUS-4-HCC封裝,規(guī)格為12-100mΩ,旨在滿足高壓應用的需求。
2024-02-01 10:51:00381

英飛凌推出全新CoolSiC? MOSFET 2000 V,在不影響系統(tǒng)可靠性的情況下提供更高功率密度

英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX/OTCQX代碼:IFNNY)推出采用TO-247PLUS-4-HCC封裝全新CoolSiCMOSFET2000V。這款產(chǎn)品不僅能夠滿足設(shè)計人員對更高功率密度
2024-03-20 08:13:0574

英飛凌推出全新CoolSiC MOSFET 2000V產(chǎn)品

英飛凌科技股份公司,作為全球領(lǐng)先的半導體公司,近日推出全新的CoolSiC? 2000V SiC MOSFET系列,這一創(chuàng)新產(chǎn)品采用TO-247PLUS-4-HCC封裝,為設(shè)計人員提供了滿足更高功率密度需求的解決方案。
2024-03-20 10:27:29130

英飛凌新品—CoolSiC 2000V SiC MOSFET系列的產(chǎn)品特點

CoolSiC 2000V SiC MOSFET系列采用TO-247PLUS-4-HCC封裝,規(guī)格為12-100mΩ。由于采用了.XT互聯(lián)技術(shù),CoolSiC技術(shù)的輸出電流能力強,可靠性提高。
2024-03-22 14:08:3567

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