電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/李寧遠)近日有消息稱,臺積電將組建2nm任務(wù)團沖刺2nm試產(chǎn)及量產(chǎn)。根據(jù)相關(guān)信息,這個任務(wù)編組同時編制寶山及高雄廠量產(chǎn)前研發(fā)(RDPC)團隊人員,將成為協(xié)助寶山廠及高雄廠廠務(wù)
2023-08-20 08:32:072089 李時榮聲稱,“客戶對代工企業(yè)的產(chǎn)品競爭力與穩(wěn)定供應(yīng)有嚴格要求,而4nm工藝已步入成熟良率階段。我們正積極籌備后半年第二代3nm工藝及明年2nm工藝的量產(chǎn),并積極與潛在客戶協(xié)商。”
2024-03-21 15:51:4385 薄膜電容在電子領(lǐng)域應(yīng)用廣泛,其性能穩(wěn)定的關(guān)鍵在于優(yōu)質(zhì)薄膜材料、薄膜的適當(dāng)厚度和均勻性,以及先進的制造工藝。這些因素共同保證了薄膜電容的高性能和穩(wěn)定性,為電子設(shè)備的穩(wěn)定運行提供重要保障。
2024-03-12 16:40:07102 該聯(lián)合項目將構(gòu)建在印度古吉拉特邦的Dholera,總投資為9100億盧比,月產(chǎn)量預(yù)期可達5萬片晶圓。該廠工藝涵蓋28nm、40納米至90nm等多個成熟節(jié)點,且與力積電的戰(zhàn)略合作將提供綜合性的技術(shù)供給。
2024-03-01 16:32:26228 德國羅德與施瓦茨ESPI3、ESCI3測試接收機ESCI7品 牌:德國羅德與施瓦茨 | R&S | Rohde&Schwarz處于預(yù)認證級別的 R&S ESPI3測試接收機有
2024-02-24 13:57:35
梯隊的廠商們還在成熟工藝上穩(wěn)扎穩(wěn)打。 ? 早在兩年前,我們還會將28nm視作成熟工藝以及先進工藝的分水嶺。但隨著3nm的推出,以及即將到來的2nm,成熟工藝的定義已經(jīng)發(fā)生了變化,分水嶺已然換成了T2和T3晶圓廠不愿投入的7nm/8nm工藝
2024-02-21 00:17:002598 位四核RISC-VCPU,采用28nm工藝,工作頻率1.5GHz。JH-7110擁有極佳的PPA平衡,提供工業(yè)場景所需豐富接口,滿足工業(yè)寬溫要求,并且已經(jīng)實現(xiàn)量產(chǎn),
2024-02-19 12:09:21244 在熊本縣菊陽町,臺積電、索尼和日本電裝聯(lián)合開發(fā)了一個12英寸晶圓加工基地,該基地應(yīng)用12nm、16nm和22nm至28nm技術(shù),預(yù)計月底建成。此外,其量產(chǎn)時間已定為2024年第四期。
2024-01-30 09:38:35332 目前,臺積電已完成與日本的一項聯(lián)合建設(shè)晶圓廠協(xié)議,預(yù)計在今年2月24日舉行投產(chǎn)慶典。日本的這處晶圓廠使用12nm、16nm、22nm及28nm等先進制程工藝,自啟動以來進展順利,引來業(yè)界廣泛關(guān)注。
2024-01-29 14:00:42178 根據(jù)蘇州工業(yè)園區(qū)融媒體中心報道,江蘇路芯半導(dǎo)體科技有限公司,由業(yè)界頂級企業(yè)與金融巨頭聯(lián)合創(chuàng)立,主要研發(fā)和生產(chǎn)低至28nm,高端至45nm甚至更高節(jié)點的掩膜版,產(chǎn)品研發(fā)與生產(chǎn)規(guī)模居于行業(yè)前列。
2024-01-24 14:33:48379 計劃與國內(nèi)通信企業(yè)展開深度合作。
其FPGA從55/40nm進入主流28nm工藝平臺,在器件性能和容量上也都有較大的提升,相應(yīng)地對FPGA編譯軟件和IP也提高了要求,28nm器件預(yù)計在2020年批量供應(yīng)。
2024-01-24 10:46:50
,該型號產(chǎn)品去年全年銷售額近1億元。
今年3月,紫光同創(chuàng)推出Logos-2系列高性價比FPGA,采用28nm CMOS工藝,相較上一代40nm Logos系列FPGA性能提升50%,總功耗降低40%,可
2024-01-24 10:45:40
涂布模頭全面國產(chǎn)替代的關(guān)鍵在于“從有到優(yōu)”。
2024-01-23 10:22:11231 在28nm以下,最大器件長度限制意味著模擬設(shè)計者通常需要串聯(lián)多個短長度MOSFET來創(chuàng)建長溝道器件。
2024-01-15 17:33:02661 這座晶圓廠于2022年4月開始新建,大樓主結(jié)構(gòu)已完工,且辦公室部分區(qū)域也在今年8月啟用。將生產(chǎn)N28 28nm級工藝芯片,這是日本目前最先進的半導(dǎo)體工藝。22ULP工藝也會在這里生產(chǎn),但注意它不是22nm,而是28nm的一個變種,專用于超低功耗設(shè)備。
2024-01-03 15:53:27433 紫光同創(chuàng)PG2L200H關(guān)鍵特性開發(fā)板/盤古200K開發(fā)板開箱教程!
盤古200K采用紫光同創(chuàng)28nm工藝Logos2系列芯片:PG2L200H-6IFBB484);PG2L200H和DDR3之間
2023-12-28 15:26:19
紫光同創(chuàng)PG2L100H關(guān)鍵特性開發(fā)板/盤古100K開發(fā)板開箱教程!
紫光同創(chuàng)28nm工藝的Logos2系列:PG2L100H-6IFBG484,PG2L100H和DDR3之間的數(shù)據(jù)交互時鐘頻率最高
2023-12-28 15:17:43
年開始量產(chǎn)。 根據(jù) SemiAnalysis 的 Dylan Patel 給出的幻燈片,臺積電的 1.4nm 制程節(jié)點正式名稱為 A14。IT之家注意到,目前臺積電尚未透露 A14 的量產(chǎn)時間和具體
2023-12-18 15:13:18191 受美國對高端設(shè)備出口限制影響,中國大陸轉(zhuǎn)向成熟制程(28納米及以上)領(lǐng)域,預(yù)計2027年在此類制程上產(chǎn)能達到39%。
2023-12-15 14:56:35337 據(jù)悉,JASM為臺積電、索尼及豐田旗下電裝公司的三方合資企業(yè),主要負責(zé)經(jīng)營日本熊本的芯片工廠。未來,工廠將采用22/28nm、12/16nm FinFET制程工藝,預(yù)估月產(chǎn)能高達5.5萬片300mm晶圓。
2023-12-15 14:22:16183 TB-RK3399Pro
Starfive Visionfire 2
Khadas VIM3
芯片型號
飛騰E2000Q SMIC 14nm
瑞芯微RK3399 TSMC 28nm
瑞芯微RK3399Pro
2023-12-14 23:33:28
1. 臺積電首次提及 1.4nm 工藝技術(shù),2nm 工藝按計劃 2025 年量產(chǎn) ? 臺積電在近日舉辦的 IEEE 國際電子器件會議(IEDM)的小組研討會上透露,其 1.4nm 級工藝制程研發(fā)已經(jīng)
2023-12-14 11:16:00733 SemiAnalysis自媒體Dylan Patel曝光的幻燈片顯示,臺積電1.4nm制程的正式名稱為A14。截至目前,關(guān)于該節(jié)點的具體量產(chǎn)日期及參數(shù)暫未公開。但是,根據(jù)其與N2及N2P等節(jié)點的生產(chǎn)排期預(yù)測,我們預(yù)期A14節(jié)點將會在2027至2028年度面市。
2023-12-14 10:27:23195 羅德與施瓦茨CMW100通信制造測試儀(CMW100手機綜測儀)是用于校準和驗證移動電話的潮流新品,適用于5G手機研發(fā)與生產(chǎn)制造,是目前國內(nèi)各大手機生產(chǎn)廠以及研發(fā)企業(yè)的測試首選產(chǎn)品。羅德與施瓦茨
2023-12-07 14:00:15
3nm工藝剛量產(chǎn),業(yè)界就已經(jīng)在討論2nm了,并且在調(diào)整相關(guān)的時間表。2nm工藝不僅對晶圓廠來說是一個重大挑戰(zhàn),同樣也考驗著EDA公司,以及在此基礎(chǔ)上設(shè)計芯片的客戶。
2023-12-06 09:09:55693 如前所述,修正圖片、 圖片與圖片的關(guān)系關(guān)鍵在于要重新基于BJT結(jié)構(gòu)模型來建立圖片與圖片的關(guān)系。
2023-12-01 10:59:55427 羅德與施瓦茨 FSV13 是一款速度極快且多功能的信號和頻譜分析儀,適用于從事射頻系統(tǒng)開發(fā)、生產(chǎn)、安裝和維修工作的注重性能、注重成本的用戶。在開發(fā)應(yīng)用中,羅德與施瓦茨 FSV13 憑借其出色的射頻
2023-12-01 10:04:34
日本正積極與臺積電等公司合作,幫助其振興本土半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。目前臺積電在熊本建廠計劃,與索尼、日本電裝合資,原計劃一廠將采用22/28nm制程,隨后推進到12/16nm,預(yù)計2024年底開始量產(chǎn)。2025年開始獲利。
2023-11-22 17:52:19723 FSP40Rohde&Schwarz FSP40 40G頻譜分析儀|羅德與施瓦茨|R&S|9KHz至40GHz德國羅德與施瓦茨(ROHDE/SCHWARZ)羅德與施瓦茨FSP40全新
2023-11-16 13:58:00
掩膜成本就是采用不同的制程工藝所花費的成本,像40/28nm的工藝已經(jīng)非常成熟,40nm低功耗工藝的掩膜成本為200萬美元;28nm SOI工藝為400萬美元;28nm HKMG成本為600萬美元。
2023-11-06 18:03:291591 2023~2027年全球晶圓代工成熟制程(28nm及以上)及先進制程(16nm及以下)產(chǎn)能比重大約維持在7:3。中國大陸由于致力推動本土化生產(chǎn)等政策與補貼,擴產(chǎn)進度最為積極,預(yù)估中國大陸成熟制程產(chǎn)能
2023-11-02 09:58:23304 ? ? ? ?在臺積電的法人說明會上據(jù)臺積電總裁魏哲家透露臺積電有望2025年量產(chǎn)2nm芯片。 目前,臺積電已經(jīng)開始量產(chǎn)3nm工藝; 臺灣新竹寶山、高雄兩座工廠的2nm芯片計劃2024年試產(chǎn)
2023-10-20 12:06:23930 可以容納更多的晶體管在同樣的芯片面積上,從而提供更高的集成度和處理能力。此外,較小的節(jié)點尺寸還可以降低電路的功耗,提供更高的能效??梢哉f,2nm芯片代表了制程工藝的最新進展和技術(shù)創(chuàng)新。 2nm芯片什么時候量產(chǎn) 2nm芯片什么時候量產(chǎn)這
2023-10-19 16:59:161958 MCU發(fā)展趨勢
性能:主頻普遍在 30~200MHz;外設(shè)更 加豐富,性能更高,功 耗更低、安全性更強。
工藝:從最初的0.5微米,進步到了主流的90nm、55nm,有的廠商還用了28nm。
2023-10-18 16:07:342 第二工廠計劃2027年開始量產(chǎn)。 目前臺積電位于日本九州熊本縣菊陽町的第一座晶圓廠已于2022年4月開工,目標是2024年底開始量產(chǎn)22~28nm制程的芯片。
2023-10-16 16:20:02785 CBT32R&S CBT/CBT32 藍牙測試儀支持 Bluetoo生產(chǎn)商:羅德與施瓦茨?Rohde-Schwarz Inc(R&S)產(chǎn)品說明:羅德與施瓦茨公司(Rohde &
2023-10-13 17:59:00
俄羅斯政府制定了新的微電子發(fā)展計劃的初步版本,到2030年需要約3.19萬億盧布(384.3億美元)的投資。這筆錢將用于本土半導(dǎo)體生產(chǎn)技術(shù)開發(fā)、國內(nèi)半導(dǎo)體開發(fā)、數(shù)據(jù)中心基礎(chǔ)設(shè)施開發(fā)、培養(yǎng)當(dāng)?shù)厝瞬?、自主半?dǎo)體和解決方案營銷等方面。
2023-10-12 11:20:32501 據(jù)悉,臺積電第一個3nm制程節(jié)點N3于去年下半年開始量產(chǎn),強化版3nm(N3E)制程預(yù)計今年下半年量產(chǎn),之后還會有3nm的延伸制程,共計將有5個制程,包括:N3、N3E、N3P、N3S以及N3X。
2023-09-26 17:00:43823 100K開發(fā)板可實現(xiàn)復(fù)雜項目的開發(fā)評估,滿足多方位的開發(fā)需求。
盤古100K開發(fā)板(紫光同創(chuàng)PG2L100H關(guān)鍵特性開發(fā)板)采用紫光同創(chuàng)28nm工藝的FPGA作為主控芯片_logos2系列
2023-09-19 11:13:12
板載芯片:該平臺板載了Xilinx 28nm工藝的Artix-7系列FPGA芯片,型號為XC7A35T-1CSG324C。
2023-09-17 15:06:073128 ?首搭國內(nèi)首款自研車規(guī)級7nm量產(chǎn)芯片“龍鷹一號”,魅族車機系統(tǒng)首發(fā)上車。
2023-09-14 16:12:30484 ROHDE & SCHWARZ NRX 功率計 羅德與施瓦茨 NRX 功率計同時支持多達四個 R&S 功率傳感器,并在靈活的可配置屏幕上清晰地顯示結(jié)果。基于觸摸屏的用戶界面
2023-09-14 09:59:45
公開的資料顯示,蘇大維格他致力于微納關(guān)鍵技術(shù),柔性智能制造、柔性光電子材料的創(chuàng)新應(yīng)用,涉及微納光學(xué)印材、納米印刷、3D成像材料、平板顯示(大尺寸電容觸控屏,超薄導(dǎo)光板)、高端智能微納裝備(納米壓印、微納直寫光刻、3D光場打印等)的開發(fā)和技術(shù)產(chǎn)業(yè)化
2023-09-11 11:45:593530 公開的資料顯示,蘇大維格他致力于微納關(guān)鍵技術(shù),柔性智能制造創(chuàng)新,柔性光電子材料的應(yīng)用,相關(guān)若干或光學(xué)印刷材料、納米印刷、3d影像材料平板顯示器(大尺寸電容觸控屏,超薄導(dǎo)光板)、高級智能麥克風(fēng),裝備
2023-09-08 11:32:371749 本人使用MS51XB9AE,請問有沒有支持量產(chǎn)的下載工具?就是把芯片燒錄好后再貼片,官方或者第三方的都行,有沒有推薦?
官網(wǎng)那個量產(chǎn)燒錄器好像不支持8051???NuGang,沒找到MS51XB9AE,適配插座也沒有QFN20的
2023-09-01 07:43:24
FSP40Rohde&Schwarz FSP40 40G頻譜分析儀|羅德與施瓦茨|R&S|9KHz至40GHz德國羅德與施瓦茨(ROHDE/SCHWARZ)羅德與施瓦茨FSP40全新的FSP產(chǎn)品
2023-08-28 18:00:56
,調(diào)動800人首次南北同步,沖刺在中國臺灣新竹寶山與高雄廠同步試產(chǎn)及量產(chǎn)。 臺積電原先規(guī)劃在高雄建立兩座廠,包括7nm及28nm廠,但為應(yīng)對市場需求調(diào)整,目前高雄廠確定導(dǎo)入先進的2nm制程。 產(chǎn)業(yè)動態(tài) 2、消息稱蘋果 iPhone 15 系列支持有線 35W 充電 根據(jù)國外
2023-08-18 16:50:02362 R&S 羅德與施瓦茨FSP7頻譜分析儀FSP7是羅德與施瓦茨FSP系列頻譜分析儀,該系列是研發(fā)和生產(chǎn)的理想幫手,具有良好的電平測量不確定度和出色射頻特性。 R&S? FSP 采用成熟的技術(shù),提供性能
2023-08-17 17:08:17
芯片制造商瑞薩電子推出的處理器,它采用了28nm HKMG工藝,擁有八個ARM Cortex-A53內(nèi)核,并集成了ARM Mali-T860 MP2 GPU。而驍龍665則是由美國芯片制造商高通公司推出
2023-08-15 16:43:59788 羅德與施瓦茨FSQ8信號分析儀 羅德FSQ8系列信號分析儀適用于開發(fā)和生產(chǎn)測量。它提供了非常低的相位噪聲,無與倫比的低殘差EVM,一個寬的動態(tài)范圍和高于平均水平的精度,使其成為開發(fā)
2023-08-14 12:00:19
100K開發(fā)板可實現(xiàn)復(fù)雜項目的開發(fā)評估,滿足多方位的開發(fā)需求。
盤古100K開發(fā)板詳情
1.產(chǎn)品概述
盤古100K開發(fā)板(紫光同創(chuàng)PG2L100H關(guān)鍵特性開發(fā)板)采用紫光同創(chuàng)28nm工藝的FPGA作為
2023-08-11 11:40:32
值得關(guān)注的是,中國大陸仍在持續(xù)掀起ddi熱潮。在貿(mào)易緊張高漲之際,成熟芯片已成為中國大陸關(guān)注的焦點。目前,中、高級ddi采用28納米工藝制作。但業(yè)內(nèi)專家認為,中國大陸的28納米生產(chǎn)沒有達到預(yù)期的順利。還有報道稱,生產(chǎn)能力有限。中國大陸面臨著價格競爭,但擴張速度已經(jīng)放緩。
2023-08-08 11:50:38547 彭博社的分析師表示:輸出芯片和高速接口是關(guān)鍵的增長領(lǐng)域。驅(qū)動裝置(ic)和同一電腦有關(guān)半導(dǎo)體的需求正在減少,盡管李工廠汽車及智能邊緣裝置的普及,在28nm 180nm對現(xiàn)有工程的芯片訂單增加,產(chǎn)能利用率將會提高。
2023-08-07 09:30:05312 喜報!我國第一臺28nm光刻機,交付時間已定!
2023-08-02 16:54:41965 連接器制造的關(guān)鍵在于精密性和可靠性,以確保連接器能夠適應(yīng)多種場景。其中連接器的制造工藝起到了非常重要的作用。
2023-07-31 14:47:51167 或許你會疑惑一個晶體管怎么做成振蕩電路的?可是它就是只有一個晶體管,關(guān)鍵在于電路中用到一個自閃爍的LED。
2023-07-26 17:00:39445 據(jù)臺媒援引消息人士報道,由于需要應(yīng)對 AI 浪潮,臺積電將改變高雄建廠計劃,計劃由原先的“成熟制程”更改為更先進的 2nm 制程,預(yù)計 2025 年下半年量產(chǎn),且相關(guān)建廠規(guī)劃也將在近期宣布。
2023-07-22 16:32:55888 一篇拆解報告,稱比特微電子的Whatsminer M56S++礦機所用的AISC芯片采用的是三星3nm GAA制程工藝。這一發(fā)現(xiàn)證實了三星3nm GAA技術(shù)的商業(yè)化應(yīng)用。
2023-07-21 16:03:571012 三星3nm GAA商業(yè)量產(chǎn)已經(jīng)開始。
2023-07-20 11:20:001124 晶圓產(chǎn)業(yè)目前正面臨著產(chǎn)能過剩的問題,臺積電也無法免俗。原計劃建設(shè)一個28納米的晶圓廠,但由于市場需求減少,這個計劃被取消了。
2023-07-18 15:53:04447 據(jù)了解,臺積電已將高雄廠敲定2nm計劃向經(jīng)濟部及高雄市政府提報,希望政府協(xié)助后續(xù)供水及供電作業(yè)。因2nm制程將采用更耗電的極紫外光(EUV)微影設(shè)備,耗電量比位于南科的3nm更大,臺積電高雄廠改為直接切入2nm計劃,是否得重做環(huán)境影響差異分析,將成各界關(guān)注焦點。
2023-07-18 15:19:48682 一立方VOC釋放量環(huán)境測試箱-GAG高格科技儀器前言:高格科技儀器設(shè)備專注生產(chǎn)定制各類甲醛VOC環(huán)境試驗箱:甲醛釋放量氣候箱、兩艙四艙六艙甲醛預(yù)處理艙、VOC釋放量環(huán)境測試箱等。設(shè)備主要用途:用于
2023-07-17 15:48:23
泄漏功率仍然是HKMG(High-K Metal Gate)一個主要問題。從下圖看出,在28nm的High-K Metal Gate Stack中,leakage power仍然在總功耗中占據(jù)主導(dǎo)地位。
2023-07-12 16:24:232882 電池保護IC(Integrated Circuit)的納米工藝并沒有固定的規(guī)定或標準。電池保護IC的制造工藝通常與集成電路制造工藝一樣,采用從較大的微米級工藝(如180nm、90nm、65nm等)逐漸進化到更先進的納米級工藝(如45nm、28nm、14nm等)。
2023-07-11 15:42:371171 IP_數(shù)據(jù)表(I-3):16Gpbs SerDes for TSMC 28nm HPC+
2023-07-06 20:21:220 IP_數(shù)據(jù)表(I-10):USB2.0 Transceiver for TSMC 28nm HPC+
2023-07-06 20:21:030 IP_數(shù)據(jù)表(Z-1):GPIO for TSMC 28nm HPM/HPC/HPC+
2023-07-06 20:19:040 IP_數(shù)據(jù)表(I-20):FPD-Link Transmitter for TSMC 28nm HPC
2023-07-06 20:18:392 IP_數(shù)據(jù)表(I-19):FPD-Link Receiver for TSMC 28nm HPC+
2023-07-06 20:18:200 IP_數(shù)據(jù)表(I-6):SATA PHY for TSMC 28nm HPC+
2023-07-06 20:18:070 IP_數(shù)據(jù)表(I-4):16Gpbs SerDes for TSMC 28nm HPC
2023-07-06 20:17:540 IP_數(shù)據(jù)表(I-1):Combo Serdes PHY for TSMC 28nm HPM
2023-07-06 20:17:410 IP_數(shù)據(jù)表(Z-4):1.8V StndardCell for TSMC 28nm HPC+
2023-07-06 20:12:360 IP_數(shù)據(jù)表(I-2):Combo PHY for TSMC 28nm HPM
2023-07-06 20:12:261 IP_數(shù)據(jù)表(I-5):SerDes PHY for TSMC 28nm HPC+
2023-07-06 20:11:570 IP 數(shù)據(jù)表: 1.8V Standard Cell for TSMC 28nm HPC+
2023-07-05 19:47:130 IP_數(shù)據(jù)表(I-28):MIPI D-PHY Tx/Rx for Samsung 28nm
2023-07-05 19:46:141 IP_數(shù)據(jù)表(I-26):USB2.0 Transceiver for Samsung 28nm
2023-07-05 19:45:460 中國晶圓代工廠28nm市場,發(fā)展速度迅速。
2023-07-05 18:16:58585 示日本工廠將以日本客戶為中心,預(yù)計將有持續(xù)且旺盛的需求。據(jù)此前消息,該工廠規(guī)劃生產(chǎn)22/28nm以及12/16nm芯片,月產(chǎn)能目標為5.5萬片晶圓。臺積電在發(fā)布會上強調(diào),2nm制程工藝(N2)研發(fā)順利,能夠按照此前目標于2025年量產(chǎn)。此外,張曉強還表示,256M
2023-07-03 10:49:13731 外媒在報道中提到,根據(jù)公布的計劃,三星電子將在2025年開始,采用2nm制程工藝量產(chǎn)移動設(shè)備應(yīng)用所需的芯片,2026年開始量產(chǎn)高性能計算設(shè)備的芯片,2027年則是利用2nm制程工藝開始量產(chǎn)汽車所需的芯片。
2023-06-30 16:55:07458 中,該提案正在荷蘭政府進行審查。 ? 2. 28nm 改40nm ?印度要求鴻海Vedanta 合資晶圓廠重提申請 ? 據(jù)報道,鴻海集團
2023-06-30 11:08:59934 隨著工藝節(jié)點的不斷發(fā)展(現(xiàn)在普遍是28nm,22nm,16nm,14nm,甚至有的都在做7nm),芯片的性能需求越來越高,規(guī)模也越來越大
2023-06-29 15:24:111741 跪求新唐NM1200和NM1330詳細的數(shù)據(jù)手冊
2023-06-15 08:57:31
紫光同創(chuàng)Logos2系列PG2L100H關(guān)鍵特性評估板@盤古100K開發(fā)板#小眼睛FPGA盤古系列開發(fā)板#基于紫光同創(chuàng)28nm工藝的Logos2系列PG2L100H芯片,掛載2片16bit數(shù)據(jù)位寬
2023-06-12 18:02:28
的基礎(chǔ)上,實現(xiàn)了國內(nèi)14nm 晶圓芯片零的突破,并在梁孟松等專家的帶領(lǐng)下,向著更加先進的芯片制程發(fā)起沖鋒。 然而,最近在中芯國際的公司官網(wǎng)上,有關(guān)于14nm芯片制程的工藝介紹,已經(jīng)全部下架,這讓很多人心存疑惑,作為自家最為先進的
2023-06-06 15:34:2117913 Spartan-7依然延續(xù)了28nm工藝,更加鞏固了Xilinx在28nm的領(lǐng)導(dǎo)地位
2023-05-30 09:02:161651 SPC5644的wafer有多少nm?
2023-05-25 08:46:07
最近,泰科天潤董事長陳彤表示,國內(nèi)SiC單項目突破100萬片的關(guān)鍵在于成本,即“碳化硅器件成本僅為硅器件的2倍”。
2023-05-24 17:01:35698 %。西安二廠預(yù)計將生產(chǎn)13.5萬片,比之前的14.5萬片減少了約7%。業(yè)界觀察人士認為,三星選擇砍掉部分NAND產(chǎn)能,因為當(dāng)前內(nèi)存市場形勢慘淡。
【臺積電28nm設(shè)備訂單全部取消!】
4月消息,由于
2023-05-10 10:54:09
808nm 激光二極管 TO56封裝 500mW
XL-808TO56-ZSP-500 、XL-TO18-785-120、XL-9402TO5-ZS-1W、XL-505TO56-ZSP-100
2023-05-09 11:23:07
Rosenberger羅森伯格 LTE2600M互調(diào)儀 便攜式互調(diào)儀為了滿足客戶現(xiàn)場測量互調(diào)失真的需求,羅森伯格推出了一款小型、高集成度、便攜式無源互調(diào)分析儀,它能夠快速地在線測量連接器
2023-04-28 11:47:24
。 陳其邁前一日被問到臺積電延后28納米量產(chǎn)目標時,表示市府尊重臺積電建廠進度,相關(guān)布局與市場考量,會積極給予協(xié)助。受訪時重申,機會是留給準備好的人,針對臺積電投資計劃,市府會協(xié)助周遭應(yīng)辦事項,全力配合。 中國臺灣高層王美花
2023-04-19 15:10:47852 至28nm。創(chuàng)新的產(chǎn)品設(shè)計使英飛凌進一步突破了支付卡技術(shù)工藝的極限。借此,該產(chǎn)品還為各大區(qū)域市場的支付生態(tài)系統(tǒng)提供一個可靠采購選項的最新技術(shù)。新產(chǎn)品系列在市場同類產(chǎn)品中是首款將領(lǐng)先的 28 nm芯片技術(shù)應(yīng)用于嵌入式非易失性存儲器的產(chǎn)品。其旨在緩解支付行業(yè)在成熟技術(shù)節(jié)點遇到的半導(dǎo)體短缺問題。
2023-04-04 14:16:18755 出售 羅德 SMB100A 矢量信號發(fā)生器 型號:羅德與施瓦茨 SMB100A、SMBV100A、SMU200A 矢量信號發(fā)生器羅德與施瓦茨 SMB100A特點:.靈活的頻率
2023-03-30 13:52:17
摩爾定律在制造端的提升已經(jīng)逼近極限,開始逐步將重心轉(zhuǎn)向封裝端和 設(shè)計端。隨著 AI、數(shù)字經(jīng)濟等應(yīng)用場景的爆發(fā),對算力的需求更加旺盛, 芯片的性能要求也在不斷提高,業(yè)界芯片的制造工藝從 28nm 向 7nm 以 下發(fā)展,TSMC 甚至已經(jīng)有了 2nm 芯片的風(fēng)險量產(chǎn)規(guī)劃。
2023-03-28 13:49:351544 隨著 AI、數(shù)字經(jīng)濟等應(yīng)用場景的爆發(fā),對算力的需求更加旺盛, 芯片的性能要求也在不斷提高,業(yè)界芯片的制造工藝從 28nm 向 7nm 以 下發(fā)展,TSMC 甚至已經(jīng)有了 2nm 芯片的風(fēng)險量產(chǎn)規(guī)劃。
2023-03-28 13:48:15892
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