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電子發(fā)燒友網(wǎng)>業(yè)界新聞>高端訪談>專訪格羅方德Subramani Kengeri:28nm量產(chǎn)致勝關(guān)鍵在于HKMG

專訪格羅方德Subramani Kengeri:28nm量產(chǎn)致勝關(guān)鍵在于HKMG

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臺積電1.4nm工藝研發(fā)全面啟動,2nm預(yù)計2025年量產(chǎn)

SemiAnalysis自媒體Dylan Patel曝光的幻燈片顯示,臺積電1.4nm制程的正式名稱為A14。截至目前,關(guān)于該節(jié)點的具體量產(chǎn)日期及參數(shù)暫未公開。但是,根據(jù)其與N2及N2P等節(jié)點的生產(chǎn)排期預(yù)測,我們預(yù)期A14節(jié)點將會在2027至2028年度面市。
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與施瓦茨CMW100綜合測試儀

與施瓦茨CMW100通信制造測試儀(CMW100手機綜測儀)是用于校準和驗證移動電話的潮流新品,適用于5G手機研發(fā)與生產(chǎn)制造,是目前國內(nèi)各大手機生產(chǎn)廠以及研發(fā)企業(yè)的測試首選產(chǎn)品。與施瓦茨
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IGBT的穩(wěn)態(tài)分析—電流與電荷分布關(guān)系修正

如前所述,修正圖片、 圖片與圖片的關(guān)系關(guān)鍵在于要重新基于BJT結(jié)構(gòu)模型來建立圖片與圖片的關(guān)系。
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臺積電將宣布日本第二座晶圓廠!

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臺積電有望2025年量產(chǎn)2nm芯片

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2nm芯片是什么意思 2nm芯片什么時候量產(chǎn)

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據(jù)悉,臺積電第一個3nm制程節(jié)點N3于去年下半年開始量產(chǎn),強化版3nm(N3E)制程預(yù)計今年下半年量產(chǎn),之后還會有3nm的延伸制程,共計將有5個制程,包括:N3、N3E、N3P、N3S以及N3X。
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中國大陸28nm擴產(chǎn)放緩,低端和移動DDI價格競爭激烈

 值得關(guān)注的是,中國大陸仍在持續(xù)掀起ddi熱潮。在貿(mào)易緊張高漲之際,成熟芯片已成為中國大陸關(guān)注的焦點。目前,中、高級ddi采用28納米工藝制作。但業(yè)內(nèi)專家認為,中國大陸的28納米生產(chǎn)沒有達到預(yù)期的順利。還有報道稱,生產(chǎn)能力有限。中國大陸面臨著價格競爭,但擴張速度已經(jīng)放緩。
2023-08-08 11:50:38547

聯(lián)電、中芯國際等二線晶圓廠毛利將持穩(wěn) 不受市場低迷影響

彭博社的分析師表示:輸出芯片和高速接口是關(guān)鍵的增長領(lǐng)域。驅(qū)動裝置(ic)和同一電腦有關(guān)半導(dǎo)體的需求正在減少,盡管李工廠汽車及智能邊緣裝置的普及,在28nm 180nm對現(xiàn)有工程的芯片訂單增加,產(chǎn)能利用率將會提高。
2023-08-07 09:30:05312

請問ARTPI是怎樣使用軟件I2C讀取mpu6050的?

喜報!我國第一臺28nm光刻機,交付時間已定!
2023-08-02 16:54:41965

防水連接器絕緣性能怎么樣?關(guān)鍵看這3點

連接器制造的關(guān)鍵在于精密性和可靠性,以確保連接器能夠適應(yīng)多種場景。其中連接器的制造工藝起到了非常重要的作用。
2023-07-31 14:47:51167

使用驅(qū)動晶體管的LED閃光電路

或許你會疑惑一個晶體管怎么做成振蕩電路的?可是它就是只有一個晶體管,關(guān)鍵在于電路中用到一個自閃爍的LED。
2023-07-26 17:00:39445

臺積電高雄廠28nm計劃改為2nm!

據(jù)臺媒援引消息人士報道,由于需要應(yīng)對 AI 浪潮,臺積電將改變高雄建廠計劃,計劃由原先的“成熟制程”更改為更先進的 2nm 制程,預(yù)計 2025 年下半年量產(chǎn),且相關(guān)建廠規(guī)劃也將在近期宣布。
2023-07-22 16:32:55888

三星3nm GAA正式商業(yè)量產(chǎn)

一篇拆解報告,稱比特微電子的Whatsminer M56S++礦機所用的AISC芯片采用的是三星3nm GAA制程工藝。這一發(fā)現(xiàn)證實了三星3nm GAA技術(shù)的商業(yè)化應(yīng)用。
2023-07-21 16:03:571012

三星3nm GAA商業(yè)量產(chǎn)已經(jīng)開始,首個客戶是中國礦機芯片公司

三星3nm GAA商業(yè)量產(chǎn)已經(jīng)開始。
2023-07-20 11:20:001124

臺積電放棄28nm工廠計劃轉(zhuǎn)向2nm?

晶圓產(chǎn)業(yè)目前正面臨著產(chǎn)能過剩的問題,臺積電也無法免俗。原計劃建設(shè)一個28納米的晶圓廠,但由于市場需求減少,這個計劃被取消了。
2023-07-18 15:53:04447

臺積電放棄28nm工廠,改建2nm?

據(jù)了解,臺積電已將高雄廠敲定2nm計劃向經(jīng)濟部及高雄市政府提報,希望政府協(xié)助后續(xù)供水及供電作業(yè)。因2nm制程將采用更耗電的極紫外光(EUV)微影設(shè)備,耗電量比位于南科的3nm更大,臺積電高雄廠改為直接切入2nm計劃,是否得重做環(huán)境影響差異分析,將成各界關(guān)注焦點。
2023-07-18 15:19:48682

一立VOC釋放量環(huán)境測試箱-GAG高科技儀器

一立VOC釋放量環(huán)境測試箱-GAG高科技儀器前言:高科技儀器設(shè)備專注生產(chǎn)定制各類甲醛VOC環(huán)境試驗箱:甲醛釋放量氣候箱、兩艙四艙六艙甲醛預(yù)處理艙、VOC釋放量環(huán)境測試箱等。設(shè)備主要用途:用于
2023-07-17 15:48:23

科普一下先進工藝22nm FDSOI和FinFET的基礎(chǔ)知識

泄漏功率仍然是HKMG(High-K Metal Gate)一個主要問題。從下圖看出,在28nm的High-K Metal Gate Stack中,leakage power仍然在總功耗中占據(jù)主導(dǎo)地位。
2023-07-12 16:24:232882

電池保護IC是多少納米工藝 鋰電池保護板工作原理及應(yīng)用案例

電池保護IC(Integrated Circuit)的納米工藝并沒有固定的規(guī)定或標準。電池保護IC的制造工藝通常與集成電路制造工藝一樣,采用從較大的微米級工藝(如180nm、90nm、65nm等)逐漸進化到更先進的納米級工藝(如45nm、28nm、14nm等)。
2023-07-11 15:42:371171

IP_數(shù)據(jù)表(I-3):16Gpbs SerDes for TSMC 28nm HPC+

IP_數(shù)據(jù)表(I-3):16Gpbs SerDes for TSMC 28nm HPC+
2023-07-06 20:21:220

IP_數(shù)據(jù)表(I-10):USB2.0 Transceiver for TSMC 28nm HPC+

IP_數(shù)據(jù)表(I-10):USB2.0 Transceiver for TSMC 28nm HPC+
2023-07-06 20:21:030

IP_數(shù)據(jù)表(Z-1):GPIO for TSMC 28nm HPM/HPC/HPC+

IP_數(shù)據(jù)表(Z-1):GPIO for TSMC 28nm HPM/HPC/HPC+
2023-07-06 20:19:040

IP_數(shù)據(jù)表(I-20):FPD-Link Transmitter for TSMC 28nm HPC

IP_數(shù)據(jù)表(I-20):FPD-Link Transmitter for TSMC 28nm HPC
2023-07-06 20:18:392

IP_數(shù)據(jù)表(I-19):FPD-Link Receiver for TSMC 28nm HPC+

IP_數(shù)據(jù)表(I-19):FPD-Link Receiver for TSMC 28nm HPC+
2023-07-06 20:18:200

IP_數(shù)據(jù)表(I-6):SATA PHY for TSMC 28nm HPC+

IP_數(shù)據(jù)表(I-6):SATA PHY for TSMC 28nm HPC+
2023-07-06 20:18:070

IP_數(shù)據(jù)表(I-4):16Gpbs SerDes for TSMC 28nm HPC

IP_數(shù)據(jù)表(I-4):16Gpbs SerDes for TSMC 28nm HPC
2023-07-06 20:17:540

IP_數(shù)據(jù)表(I-1):Combo Serdes PHY for TSMC 28nm HPM

IP_數(shù)據(jù)表(I-1):Combo Serdes PHY for TSMC 28nm HPM
2023-07-06 20:17:410

IP_數(shù)據(jù)表(Z-4):1.8V StndardCell for TSMC 28nm HPC+

IP_數(shù)據(jù)表(Z-4):1.8V StndardCell for TSMC 28nm HPC+
2023-07-06 20:12:360

IP_數(shù)據(jù)表(I-2):Combo PHY for TSMC 28nm HPM

IP_數(shù)據(jù)表(I-2):Combo PHY for TSMC 28nm HPM
2023-07-06 20:12:261

IP_數(shù)據(jù)表(I-5):SerDes PHY for TSMC 28nm HPC+

IP_數(shù)據(jù)表(I-5):SerDes PHY for TSMC 28nm HPC+
2023-07-06 20:11:570

IP 數(shù)據(jù)表: 1.8V Standard Cell for TSMC 28nm HPC+

IP 數(shù)據(jù)表: 1.8V Standard Cell for TSMC 28nm HPC+
2023-07-05 19:47:130

IP_數(shù)據(jù)表(I-28):MIPI D-PHY Tx/Rx for Samsung 28nm

IP_數(shù)據(jù)表(I-28):MIPI D-PHY Tx/Rx for Samsung 28nm
2023-07-05 19:46:141

IP_數(shù)據(jù)表(I-26):USB2.0 Transceiver for Samsung 28nm

IP_數(shù)據(jù)表(I-26):USB2.0 Transceiver for Samsung 28nm
2023-07-05 19:45:460

中國半導(dǎo)體在成熟制程擴張仍屬強勢

中國晶圓代工廠28nm市場,發(fā)展速度迅速。
2023-07-05 18:16:58585

今日看點丨臺積電:不排除在日本生產(chǎn)先進芯片 2nm研發(fā)順利;電科裝備實現(xiàn)離子注入裝備28納米工藝制程全覆

示日本工廠將以日本客戶為中心,預(yù)計將有持續(xù)且旺盛的需求。據(jù)此前消息,該工廠規(guī)劃生產(chǎn)22/28nm以及12/16nm芯片,月產(chǎn)能目標為5.5萬片晶圓。臺積電在發(fā)布會上強調(diào),2nm制程工藝(N2)研發(fā)順利,能夠按照此前目標于2025年量產(chǎn)。此外,張曉強還表示,256M
2023-07-03 10:49:13731

三星電子2nm制程工藝計劃2025年量產(chǎn) 2027年開始用于代工汽車芯片

外媒在報道中提到,根據(jù)公布的計劃,三星電子將在2025年開始,采用2nm制程工藝量產(chǎn)移動設(shè)備應(yīng)用所需的芯片,2026年開始量產(chǎn)高性能計算設(shè)備的芯片,2027年則是利用2nm制程工藝開始量產(chǎn)汽車所需的芯片。
2023-06-30 16:55:07458

今日看點丨小米印度公司將進行業(yè)務(wù)重組;28nm改40nm?印度要求鴻海Vedanta合資晶圓廠重提申請

中,該提案正在荷蘭政府進行審查。 ? 2. 28nm 改40nm ?印度要求鴻海Vedanta 合資晶圓廠重提申請 ? 據(jù)報道,鴻海集團
2023-06-30 11:08:59934

回顧下功耗的定義及其組成部分并總結(jié)降低功耗的常用方案

隨著工藝節(jié)點的不斷發(fā)展(現(xiàn)在普遍是28nm,22nm,16nm,14nm,甚至有的都在做7nm),芯片的性能需求越來越高,規(guī)模也越來越大
2023-06-29 15:24:111741

求分享NM1200和NM1330詳細的數(shù)據(jù)手冊

跪求新唐NM1200和NM1330詳細的數(shù)據(jù)手冊
2023-06-15 08:57:31

【視頻】紫光同創(chuàng)Logos2系列PG2L100H關(guān)鍵特性評估板@盤古100K開發(fā)板#小眼睛FPGA盤古系列開發(fā)板

紫光同創(chuàng)Logos2系列PG2L100H關(guān)鍵特性評估板@盤古100K開發(fā)板#小眼睛FPGA盤古系列開發(fā)板#基于紫光同創(chuàng)28nm工藝的Logos2系列PG2L100H芯片,掛載2片16bit數(shù)據(jù)位寬
2023-06-12 18:02:28

中芯國際下架14nm工藝的原因 中芯國際看好28nm

的基礎(chǔ)上,實現(xiàn)了國內(nèi)14nm 晶圓芯片零的突破,并在梁孟松等專家的帶領(lǐng)下,向著更加先進的芯片制程發(fā)起沖鋒。 然而,最近在中芯國際的公司官網(wǎng)上,有關(guān)于14nm芯片制程的工藝介紹,已經(jīng)全部下架,這讓很多人心存疑惑,作為自家最為先進的
2023-06-06 15:34:2117913

聊聊Spartan-7到底有哪些特色與優(yōu)勢

Spartan-7依然延續(xù)了28nm工藝,更加鞏固了Xilinx在28nm的領(lǐng)導(dǎo)地位
2023-05-30 09:02:161651

請問SPC5644的wafer有多少nm?

SPC5644的wafer有多少nm
2023-05-25 08:46:07

重磅!國產(chǎn)SiC襯底激光剝離實現(xiàn)新突破

最近,泰科天潤董事長陳彤表示,國內(nèi)SiC單項目突破100萬片的關(guān)鍵在于成本,即“碳化硅器件成本僅為硅器件的2倍”。
2023-05-24 17:01:35698

MLCC龍頭漲價;車廠砍單芯片;臺積電28nm設(shè)備訂單全部取消!

%。西安二廠預(yù)計將生產(chǎn)13.5萬片,比之前的14.5萬片減少了約7%。業(yè)界觀察人士認為,三星選擇砍掉部分NAND產(chǎn)能,因為當(dāng)前內(nèi)存市場形勢慘淡。 【臺積電28nm設(shè)備訂單全部取消!】 4月消息,由于
2023-05-10 10:54:09

505nm、785nm、808nm、940nm激光二極管TO56 封裝、 500mW 100mw

808nm 激光二極管 TO56封裝 500mW XL-808TO56-ZSP-500 、XL-TO18-785-120、XL-9402TO5-ZS-1W、XL-505TO56-ZSP-100
2023-05-09 11:23:07

Rosenberger森伯 LTE2600M便攜式互調(diào)儀

 Rosenberger森伯 LTE2600M互調(diào)儀 便攜式互調(diào)儀為了滿足客戶現(xiàn)場測量互調(diào)失真的需求,森伯推出了一款小型、高集成度、便攜式無源互調(diào)分析儀,它能夠快速地在線測量連接器
2023-04-28 11:47:24

臺積電放棄28nm擴產(chǎn)?

。 陳其邁前一日被問到臺積電延后28納米量產(chǎn)目標時,表示市府尊重臺積電建廠進度,相關(guān)布局與市場考量,會積極給予協(xié)助。受訪時重申,機會是留給準備好的人,針對臺積電投資計劃,市府會協(xié)助周遭應(yīng)辦事項,全力配合。 中國臺灣高層王美花
2023-04-19 15:10:47852

英飛凌推出采用28nm芯片技術(shù)的SECORA? Pay 產(chǎn)品組合 具有將出色的交易性能與易于集成的全系統(tǒng)解決方案相結(jié)合

28nm。創(chuàng)新的產(chǎn)品設(shè)計使英飛凌進一步突破了支付卡技術(shù)工藝的極限。借此,該產(chǎn)品還為各大區(qū)域市場的支付生態(tài)系統(tǒng)提供一個可靠采購選項的最新技術(shù)。新產(chǎn)品系列在市場同類產(chǎn)品中是首款將領(lǐng)先的 28 nm芯片技術(shù)應(yīng)用于嵌入式非易失性存儲器的產(chǎn)品。其旨在緩解支付行業(yè)在成熟技術(shù)節(jié)點遇到的半導(dǎo)體短缺問題。
2023-04-04 14:16:18755

出售 SMB100A 矢量信號發(fā)生器

出售 SMB100A 矢量信號發(fā)生器 型號:與施瓦茨 SMB100A、SMBV100A、SMU200A  矢量信號發(fā)生器與施瓦茨 SMB100A特點:.靈活的頻率
2023-03-30 13:52:17

半導(dǎo)體Chiplet緩解先進制程焦慮

摩爾定律在制造端的提升已經(jīng)逼近極限,開始逐步將重心轉(zhuǎn)向封裝端和 設(shè)計端。隨著 AI、數(shù)字經(jīng)濟等應(yīng)用場景的爆發(fā),對算力的需求更加旺盛, 芯片的性能要求也在不斷提高,業(yè)界芯片的制造工藝從 28nm 向 7nm 以 下發(fā)展,TSMC 甚至已經(jīng)有了 2nm 芯片的風(fēng)險量產(chǎn)規(guī)劃。
2023-03-28 13:49:351544

Chiplet無法規(guī)模化落地的主要技術(shù)難點

隨著 AI、數(shù)字經(jīng)濟等應(yīng)用場景的爆發(fā),對算力的需求更加旺盛, 芯片的性能要求也在不斷提高,業(yè)界芯片的制造工藝從 28nm 向 7nm 以 下發(fā)展,TSMC 甚至已經(jīng)有了 2nm 芯片的風(fēng)險量產(chǎn)規(guī)劃。
2023-03-28 13:48:15892

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