根據(jù)IC Insights的最新研究報告顯示，目前IC公司提供的面向邏輯芯片工藝技術(shù)比以往任何時候都多，邏輯IC工藝技術(shù)已經(jīng)取得重大進(jìn)步。盡管開發(fā)成本不斷增加，但IC制造商仍在繼續(xù)取得巨大進(jìn)步
2019-02-24 15:15:07
5427 模擬IC往往需要采用能夠優(yōu)化性能和精度的特殊IC工藝技術(shù)。這種獨(dú)立設(shè)計最終在系統(tǒng)級芯片(SoC)方案中獲得了廣泛的應(yīng)用。
2012-03-15 15:43:381705 
Altera公司與臺積公司今日共同宣布在55納米嵌入式閃存 （EmbFlash） 工藝技術(shù)上展開合作，Altera公司將采用臺積公司的55納米前沿嵌入式閃存工藝技術(shù)生產(chǎn)可程序器件，廣泛支持汽車及工業(yè)等各類市場的多種低功耗、大批量應(yīng)用。
2013-04-16 09:05:09925 上一篇文章“51單片機(jī)最高頻率”中提及經(jīng)典51單片機(jī)是不支持乘法運(yùn)算的。這里我來解釋一遍：①因為IC工藝技術(shù)問題，以前單片機(jī)工藝可能不是nm單位而已um單位。所以集成不了那么多晶體管。②因為IC工藝
2021-11-25 06:38:05
PCB和系統(tǒng)級設(shè)計中的EMI控制。在考慮EMI控制時，設(shè)計工程師及PCB板級設(shè)計工程師首先應(yīng)該考慮IC芯片的選擇。集成電路的某些特征如封裝類型、偏置電壓和芯片的：工藝技術(shù)(例如CMoS、ECI)等都對電磁干擾有很大的影響。下面將著重探討IC對EMI控制的影響。
2019-05-31 07:28:26
COMS工藝制程技術(shù)主要包括了：1.典型工藝技術(shù)：①雙極型工藝技術(shù)② PMOS工藝技術(shù)③NMOS工藝技術(shù)④ CMOS工藝技術(shù)2.特殊工藝技術(shù)。BiCOMS工藝技術(shù)，BCD工藝技術(shù)，HV-CMOSI藝
2019-03-15 18:09:22
EMC設(shè)計、工藝技術(shù)基本要點(diǎn)和問題處理流程推薦給大家參考。。
2015-08-25 12:05:04
，同樣對于確保進(jìn)出IC的信號的完整性也起到重要的作用。3、其它相關(guān)的IC工藝技術(shù)問題集成電路芯片偏置和驅(qū)動的電源電壓Vcc是選擇IC時要注意的重要問題。從IC電源管腳吸納的電流主要取決于該電壓值以及該IC
2014-11-19 15:16:38
RFID應(yīng)用參考架構(gòu)是由哪些部分組成的？RFID應(yīng)用中的7類技術(shù)問題你都知道嗎？
2021-05-25 06:32:28
<br/>? 九. 檢驗工藝<br/>? 十. SMT生產(chǎn)中的靜電防護(hù)技術(shù)<br/><
2008-09-12 12:43:03
。 SMT有關(guān)的技術(shù)組成 1、電子元件、集成電路的設(shè)計制造技術(shù) 2、電子產(chǎn)品的電路設(shè)計技術(shù) 3、電路板的制造技術(shù) 4、自動貼裝設(shè)備的設(shè)計制造技術(shù) 5、電路裝配制造工藝技術(shù) 6、裝配制造中使用的輔助材料的開發(fā)生產(chǎn)技術(shù)
2010-03-09 16:20:06
Sic mesfet工藝技術(shù)研究與器件研究針對ＳｉＣ 襯底缺陷密度相對較高的問題，研究了消除或減弱其影響的工藝技術(shù)并進(jìn)行了器件研制。通過優(yōu)化刻蝕條件獲得了粗糙度為２?０７ ｎｍ的刻蝕表面；犧牲氧化
2009-10-06 09:48:48
;nbsp; &nbsp;<br/>薛競成----無鉛工藝技術(shù)應(yīng)用和可靠性&nbsp;<br/>主辦單位&
2009-07-27 09:02:35
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:54 編輯
請問誰有PCB板三防工藝，三防時如何解決元器件腳尖端不留漆、絕緣不達(dá)標(biāo)的問題。
2009-04-24 11:54:19
哪種半導(dǎo)體工藝最適合某一指定應(yīng)用？對此，業(yè)界存在著廣泛的爭論。雖然某種特殊工藝技術(shù)能更好地服務(wù)一些應(yīng)用，但其它工藝技術(shù)也有很大的應(yīng)用空間。像CMOS、BiCMOS、砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP
2019-08-02 08:23:59
和日趨完善?！ ∪詣淤N裝工藝是表面貼裝技術(shù)中對設(shè)備依賴性最強(qiáng)的一個工序，整個SNIT生產(chǎn)線的產(chǎn)能、效率和產(chǎn)品適應(yīng)性，主要取決于貼裝工序，在全自動貼裝中貼片機(jī)設(shè)備起決定性作用。但是這絕不意味著設(shè)備決定一切
2018-11-22 11:08:10
PCB部件使用PI膜作為柔性芯板，并覆蓋聚酰亞胺或丙烯酸膜。粘合劑使用低流動性預(yù)浸料，最后將這些基材層壓在一起以制成剛撓性PCB。剛?cè)嵝訮CB制造工藝技術(shù)的發(fā)展趨勢：未來，剛?cè)峤Y(jié)合PCB將朝著超薄，高密度
2019-08-20 16:25:23
業(yè)界對哪種半導(dǎo)體工藝最適合某一給定應(yīng)用存在著廣泛的爭論。雖然某種特殊工藝技術(shù)能更好地服務(wù)一些應(yīng)用，但其它工藝技術(shù)也有很大的應(yīng)用空間。像CMOS、BiCMOS、砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP
2019-07-05 08:13:58
業(yè)界對哪種半導(dǎo)體工藝最適合某一給定應(yīng)用存在著廣泛的爭論。雖然某種特殊工藝技術(shù)能更好地服務(wù)一些應(yīng)用，但其它工藝技術(shù)也有很大的應(yīng)用空間。像CMOS、BiCMOS、砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP
2019-08-20 08:01:20
本文所介紹的各種方法與技巧有利于提高PCB的EMC特性，當(dāng)然這些只是EMC設(shè)計中的一部分，通常還要考慮反射噪聲，輻射發(fā)射噪聲，以及其他工藝技術(shù)問題引起的干擾。
2021-04-27 06:20:32
我在論壇上提出了一個關(guān)于開發(fā)板的簡單技術(shù)問題，它已經(jīng)過了一個多月，我收到了回復(fù)，但沒有回答。我嘗試了“知識庫”，搜索文檔，查看了“參考設(shè)計”。似乎沒有辦法打開傳統(tǒng)的“服務(wù)請求”。（在此頁面
2020-05-27 07:47:30
正確性和準(zhǔn)確性完全取決于操作者的技術(shù)水平和責(zé)任心，因此這種方式既不可靠，也很對于BGA，CSP等IC封裝及1005以下的片式元件，采用手工貼裝方式已經(jīng)是捉襟見很難保證貼裝質(zhì)量了?！ D1（a） 手工貼裝方式示意圖 圖1（b） 手工貼裝用真空吸筆
2018-09-05 16:37:41
五個技術(shù)指標(biāo) 1. 集成度（Integration Level）是以一個IC芯片所包含的元件(晶體管或門/數(shù))來衡量，（包括有源和無源元件） 。隨著集成度的提高，使IC及使用IC的電子設(shè)備的功能增強(qiáng)
2018-08-24 16:30:28
就是層壓，層壓品質(zhì)的控制在多層板制造中顯得愈來愈重要。因此要保證多層板層壓品質(zhì)，需要對多層板層壓工藝有一個比較好的了解．為此就多年的層壓實踐，對如何提高多層板層壓品質(zhì)在工藝技術(shù)上作如下總結(jié)： 一
2018-11-22 16:05:32
如何提高多層板層壓品質(zhì)在工藝技術(shù)
2021-04-25 09:08:11
的工藝技術(shù)可用于晶圓凸起，每種技術(shù)有各自的優(yōu)缺點(diǎn)。其中金線柱焊接凸點(diǎn)和電解或化學(xué)鍍金焊接凸點(diǎn)主要用于引腳數(shù)較少的封裝應(yīng)用領(lǐng)域包括玻璃覆晶封裝、軟膜覆晶封裝和RF模塊。由于這類技術(shù)材料成本高、工序
2011-12-01 14:33:02
電網(wǎng)通信技術(shù)問題求解，已知電力電纜物理條件，及電壓、頻率，數(shù)據(jù)信號的頻率，如何計算數(shù)據(jù)信號傳輸距離。求解！
2015-09-29 16:50:15
請詳細(xì)敘述腐蝕工藝工段的工藝流程以及整個前道的工藝技術(shù)
2011-04-13 18:34:13
再流焊工藝技術(shù)研究(SMT工藝):隨著表面貼裝技術(shù)的發(fā)展，再流焊越來越受到人們的重視。本文介紹了再流焊接的一般技術(shù)要求，并給出了典型溫度曲線以及溫度曲線上主要控制點(diǎn)
2009-03-25 14:44:33
30 和艦科技自主創(chuàng)新研發(fā)的0.16 微米硅片制造工藝技術(shù)在原有比較成熟的0.18 微米工藝技術(shù)基礎(chǔ)上，將半導(dǎo)體器件及相關(guān)繞線尺寸進(jìn)行10%微縮（實際尺寸為0.162 微米），大大降低了芯
2009-12-14 11:23:3625 高壓0.18um 先進(jìn)工藝技術(shù)上海華虹 NEC 電子有限公司工程一部1、簡介項目名稱：高壓0.18μm 先進(jìn)工藝技術(shù)，該項目產(chǎn)品屬于30V 高工作電壓的關(guān)鍵尺寸為0.18μm 的邏輯器件。
2009-12-14 11:37:329 選擇性焊接工藝技術(shù)的研究烽火通信科技股份有限公司 鮮飛摘要: 本文介紹了選擇性焊接的概念、特點(diǎn)、分類和使用工藝要點(diǎn)。選擇性焊接是現(xiàn)代組裝技術(shù)的新概念，它的出現(xiàn)
2009-12-19 08:19:4114 La、Co 代換永磁鐵氧體的高性能化與工藝技術(shù)何水校關(guān)鍵詞：永磁鐵氧體，離子代換，高性能，工藝技術(shù)摘 要：介紹了日本TDK、日立公司等開發(fā)高性能永磁鐵氧體的一些基
2010-02-05 22:26:1934 常用PCB工藝技術(shù)參數(shù).
2010-07-15 16:03:1766 摘 要：熱風(fēng)整平技術(shù)是目前應(yīng)用較為成熟的技術(shù)，但因為其工藝 處于一個
2006-04-16 21:33:461902 無鉛波峰焊接工藝技術(shù)與設(shè)備1．無鉛焊接技術(shù)的發(fā)展趨勢
2006-04-16 21:37:53669 提高多層板層壓品質(zhì)工藝技術(shù)技巧 由于電子技術(shù)的飛速發(fā)展，促使了印制電路技術(shù)的不斷發(fā)展。PCB板經(jīng)由單面-雙面一多層發(fā)展，并
2009-11-18 14:13:12967 IGBT核心技術(shù)及人才缺失 工藝技術(shù)缺乏
新型電力半導(dǎo)體器件的代表，IGBT的產(chǎn)業(yè)化在我國還屬空白。無論技術(shù)、設(shè)備還是人才，我國都處于全方位的落后狀態(tài)。應(yīng)當(dāng)認(rèn)識
2009-12-18 10:39:01805 ADI完成制造工藝技術(shù)的升級，有效提高晶圓制造效率
Analog Devices, Inc.，最近成功完成了對專有模擬、混合信號和 MEMS（微機(jī)電系統(tǒng)）制造工藝技術(shù)的升級和改進(jìn)，目的是
2009-12-24 08:44:23659 什么是CPU的生產(chǎn)工藝技術(shù)/向下兼容？
CPU的生產(chǎn)工藝技術(shù) 我們?？梢栽贑PU性能列表上看到“工藝技術(shù)”一項，其中有“
2010-02-04 10:41:53742 創(chuàng)建靈敏的MEMS結(jié)構(gòu)的工藝技術(shù)介紹
表面微加工技術(shù)可用于創(chuàng)建微機(jī)電傳感器及激勵器系統(tǒng)，它能夠通過高適應(yīng)度的彈性，形成錨
2010-03-11 14:20:49651 超細(xì)線蝕刻工藝技術(shù)介紹
目前，集成度呈越來越高的趨勢，許多公司紛紛開始SOC技術(shù)，但SOC并不能解決所有系統(tǒng)集成的問題，因
2010-03-30 16:43:081181 采用SiGe：C BiCMOS工藝技術(shù)的射頻/微波產(chǎn)品
恩智浦將在2010年底前推出超過50種采用SiGe：C技術(shù)的產(chǎn)品，其QUBiC4 SiGe：C工藝技術(shù)可提供高功率增益和優(yōu)
2010-05-24 11:06:351367 日前，記者從有關(guān)方面獲悉，昆山工研院新型平板顯示技術(shù)中心(簡稱昆山平板顯示中心)和維信諾公司在中國本土率先全線打通了LTPS-TFT背板和OLED顯示屏制造工藝技術(shù)，并于201
2010-12-29 09:29:35534 光刻膠與光刻工藝技術(shù) 微電路的制造需要把在數(shù)量上精確控制的雜質(zhì)引入到硅襯底上的微小 區(qū)域內(nèi),然后把這些區(qū)域連起來以形成器件和VLSI電路.確定這些區(qū)域圖形 的工藝是由光刻來完成的,也就是說,首先在硅片上旋轉(zhuǎn)涂覆光刻膠,再將 其曝露于某種光源下,如紫外光,
2011-03-09 16:43:210 對3D封裝技術(shù)結(jié)構(gòu)特點(diǎn)、主流多層基板技術(shù)分類及其常見鍵合技術(shù)的發(fā)展作了論述,對過去幾年國際上硅通孔( TSV)技術(shù)發(fā)展動態(tài)給與了重點(diǎn)的關(guān)注。尤其就硅通孔關(guān)鍵工藝技術(shù)如硅片減薄
2011-12-07 11:00:52149 可植入、可消化、可互動、可互操作以及支持因特網(wǎng)，這些醫(yī)療設(shè)備現(xiàn)在及未來獨(dú)特的需求都要求合適的IC工藝技術(shù)與封裝。本文將對醫(yī)療半導(dǎo)體器件采用的雙極性（bipolar）與CMOS工藝進(jìn)
2012-07-16 17:54:572873 
科銳公司（CREE）宣布推出兩項新型GaN工藝：0.25微米、漏極電壓最高為40V的G40V4和0.4微米、漏極電壓最高為50VG50V3。新的工藝技術(shù)增加了工作電壓和無線射頻功率密度，與傳統(tǒng)的技術(shù)相比
2012-07-18 14:30:561306 隨著芯片微縮，開發(fā)先進(jìn)工藝技術(shù)的成本也越來越高。TSMC對外發(fā)言人孫又文表示，臺積電會繼續(xù)先進(jìn)工藝技術(shù)節(jié)點(diǎn)的投入和開發(fā)，今年年底臺積電將推出20nm工藝
2012-08-30 14:34:301782 本文重點(diǎn)描述運(yùn)用MEMS微機(jī)械加工工藝技術(shù)設(shè)計、加工、生產(chǎn)胎壓傳感器IC芯片，希望對大家學(xué)習(xí)MEMS有所幫助
2012-12-11 14:17:267238 日前，聯(lián)華電子與SuVolta公司宣布聯(lián)合開發(fā)28納米工藝技術(shù)，該工藝將SuVolta的SuVolta的Deeply Depleted Channel晶體管技術(shù)集成到聯(lián)華電子的28納米High-K/Metal Gate高效能移動工藝。
2013-07-25 10:10:521049 2015年4月27日 – 移動應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國防應(yīng)用中RF解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商Qorvo， Inc.（納斯達(dá)克代碼：QRVO）日前宣布推出一項全新的砷化鎵（GaAs）贗晶型高電子遷移率晶體管（pHEMT）工藝技術(shù)，與競爭對手的半導(dǎo)體工藝相比，該技術(shù)能夠提供更高的增益/帶寬和更低的功耗。
2015-04-28 11:37:09973 半導(dǎo)體的制造流程以及各工位的詳細(xì)工藝技術(shù)。
2016-05-26 11:46:340 PCB測試工藝技術(shù)，很詳細(xì)的
2016-12-16 21:54:480 發(fā)電機(jī)轉(zhuǎn)子銅排成型工藝技術(shù)指標(biāo)的優(yōu)化_胡陽
2017-01-01 15:31:541 撓性電路板化學(xué)鎳鈀金工藝技術(shù)研究
2017-01-22 20:56:130 三星10納米工藝技術(shù)公告：全球領(lǐng)先的三星電子先進(jìn)的半導(dǎo)體元器件技術(shù)正式宣布，其第二代10納米(nm)FinFET工藝技術(shù)，10LPP(Low Power Plus)已經(jīng)合格并準(zhǔn)備就緒用于批量生產(chǎn)。
2017-05-03 01:00:11580 2017年6月2日，上?！请娮樱绹?Cadence 公司，NASDAQ： CDNS） 今日宣布其數(shù)字、簽核與定制／模擬工具成功在三星電子公司7LPP和8LPP工藝技術(shù)上實現(xiàn)。較前代高階工藝
2017-06-02 16:04:341237 Technology （12FFC） 和最新版本 7nm FinFET Plus 工藝的認(rèn)證。Nitro-SoCTM 布局和布線系統(tǒng)也通過了認(rèn)證，可以支持 TSMC 的 12FFC 工藝技術(shù)。
2017-10-11 11:13:422372 業(yè)界對哪種 半導(dǎo)體 工藝最適合某一給定應(yīng)用存在著廣泛的爭論。雖然某種特殊工藝技術(shù)能更好地服務(wù)一些應(yīng)用，但其它工藝技術(shù)也有很大的應(yīng)用空間。像 CMOS 、B iC MOS、砷化鎵（GaAs）、磷化
2017-11-25 02:35:02456 業(yè)界對哪種半導(dǎo)體工藝最適合某一給定應(yīng)用存在著廣泛的爭論。雖然某種特殊工藝技術(shù)能更好地服務(wù)一些應(yīng)用，但其它工藝技術(shù)也有很大的應(yīng)用空間。像CMOS、BiCMOS、砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP
2019-03-15 11:06:13447 Synopsys設(shè)計平臺用于高性能、高密度芯片設(shè)計 重點(diǎn)： Synopsys設(shè)計平臺獲得TSMC工藝認(rèn)證，支持高性能7-nm FinFET Plus工藝技術(shù)，已成功用于客戶的多個設(shè)計項目。 針對
2018-05-17 06:59:004461 印刷電路板工藝：伴隨微間距LED顯示屏發(fā)展趨勢，4層、6層板被采用，印制電路板將采用微細(xì)過孔和埋孔設(shè)計，印制電路圖形導(dǎo)線細(xì)、微孔化窄間距化，加工中所采用的機(jī)械方式鉆孔工藝技術(shù)已不能滿足要求，迅速發(fā)展起來的激光鉆孔技術(shù)將滿足微細(xì)孔加工。
2018-07-06 14:11:063768 基于7nm工藝技術(shù)的控制器和PHY IP具有豐富的產(chǎn)品組合，包括LPDDR4X、MIPI CSI-2、D-PHY、PCI Express 4.0以及安全I(xiàn)P。
IP解決方案支持TSMC 7nm工藝技術(shù)所需的先進(jìn)汽車設(shè)計規(guī)則，滿足可靠性和15年汽車運(yùn)行要求。
2018-10-18 14:57:216541 新思科技（Synopsys）推出支持TSMC 7nm FinFET工藝技術(shù)的汽車級DesignWare Controller和PHY IP。DesignWare LPDDR4x、MIPI CSI-2
2018-11-13 16:20:231517 本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是CMOS工藝制程技術(shù)的詳細(xì)資料說明。主要包括了：1.典型工藝技術(shù)：①雙極型工藝技術(shù)② PMOS工藝技術(shù)③NMOS工藝技術(shù)④ CMOS工藝技術(shù)2.特殊工藝技術(shù)。BiCOMS工藝技術(shù)，BCD工藝技術(shù)，HV-CMOSI藝技術(shù)。
2019-01-08 08:00:0075 IC產(chǎn)業(yè)的進(jìn)步取決于IC制造商繼續(xù)提供更多性能和功能的能力。隨著主流CMOS工藝在理論，實踐和經(jīng)濟(jì)方面的限制
2019-02-25 09:24:512768 PCB板上的線路圖形就是PCB線路板廠家采用曝光成像與顯影蝕刻工藝技術(shù)來完成的，無論是PCB多層線路板還是柔性線路板在制作線路圖形時都要用到曝光成像與顯影工藝技術(shù)。下面來詳細(xì)介紹這兩種工藝的加工特點(diǎn)及加工原理。
2019-04-28 15:10:5231336 在14版本中，SONNET新引入了一種名為工藝技術(shù)層的屬性定義層，以實現(xiàn)EDA框架和設(shè)計流程的平滑過渡。該工藝技術(shù)層實際上是用戶創(chuàng)建的EM工程中 的多個屬性對象的集合體，其中包括了很多基本屬性設(shè)置，比如層的命名、物理位置、金屬屬性、網(wǎng)格控制選項等等。
2019-10-08 15:17:412021 
MCM電子工藝技術(shù)簡介 表面安裝元器件也稱作貼片式元器件或片狀元器件它有兩個顯著的特點(diǎn)： 1、在SMT元器件的電極上有些焊端完全沒有引線，有些只有非常短小的引線；相鄰電極=之間的距離比傳統(tǒng)的雙列
2020-03-10 11:18:461246 本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是CMOS工藝技術(shù)的學(xué)習(xí)課件免費(fèi)下載。
2020-12-09 08:00:000 這幾年來，微間距LED顯示屏的高清顯示、高刷新頻率、無縫拼接、良好的散熱系統(tǒng)、拆裝方便靈活、節(jié)能環(huán)保等特點(diǎn)已經(jīng)被廣大的行業(yè)用戶熟知，但是，再進(jìn)一步，說到微間距LED屏具體的工藝技術(shù)，普通大眾則很少知曉，“只知其一不知其二”，專業(yè)知識的匱乏，直接導(dǎo)致了選購盲點(diǎn)的出現(xiàn)。
2020-12-24 10:14:521903 IBM日前推出一項微芯片工藝技術(shù)中的新改進(jìn)。該公司表示，這項改進(jìn)將讓為手機(jī)和其它通信設(shè)備制造更高速的硅設(shè)備
2021-03-26 11:08:541281 多絞屏蔽線處理及焊接工藝技術(shù)綜述
2021-07-12 09:45:593 Cadence 和 TSMC 聯(lián)手進(jìn)行 N3 和 N4 工藝技術(shù)合作， 加速賦能移動、人工智能和超大規(guī)模計算創(chuàng)新 雙方共同客戶現(xiàn)可廣泛使用已經(jīng)認(rèn)證的 N3 和 N4 流程 PDK 進(jìn)行設(shè)計 完整
2021-10-26 15:10:581928 上一篇文章“51單片機(jī)最高頻率”中提及經(jīng)典51單片機(jī)是不支持乘法運(yùn)算的。這里我來解釋一遍：①因為IC工藝技術(shù)問題，以前單片機(jī)工藝可能不是nm單位而已um單位。所以集成不了那么多晶體管。②因為IC工藝
2021-11-17 10:21:0216 電子工藝技術(shù)論文-反射層對倒裝LED芯片性能的影響
2021-12-08 09:55:046 詳細(xì)描述了PCB的加工工藝技術(shù)
2022-02-11 16:29:300 Siemens Digital Industries Software宣布，其用于模擬、數(shù)字和混合信號集成電路 （IC） 設(shè)計的電源完整性分析的全新 mPower? 解決方案現(xiàn)已通過 Tower Semiconductor 的 SBC13 和 SBC18 工藝技術(shù)的認(rèn)證。
2022-03-16 14:56:571762 全面解讀電子封裝工藝技術(shù)
2022-10-10 11:00:51876 Ansys憑借實現(xiàn)靈活的功耗/性能權(quán)衡，通過臺積電N3E工藝技術(shù)創(chuàng)新型FINFLEX架構(gòu)認(rèn)證?? 主要亮點(diǎn) Ansys Redhawk-SC與Ansys Totem電源完整性平臺榮獲臺積電N3E
2022-11-17 15:31:57696 氮化鎵工藝技術(shù)是什么意思？ 氮化鎵是一種無機(jī)物，化學(xué)式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。此化合物結(jié)構(gòu)類似纖鋅礦，硬度
2023-02-05 10:24:521177 ，包括最新的 N3E 和 N2 工藝技術(shù)。這一新的生成式設(shè)計遷移流程由 Cadence 和臺積電共同開發(fā)，旨在實現(xiàn)定制和模擬 IC 設(shè)計在臺積電工藝技術(shù)之間的自動遷移。與人工遷移相比，已使用該流程的客戶成功地將遷移時間縮短了 2.5 倍。
2023-05-06 15:02:15801 2006電子元器件搪錫工藝技術(shù)要求
2023-08-23 16:48:033 電子產(chǎn)品裝聯(lián)工藝技術(shù)詳解
2023-10-27 15:28:22373 
多層印制板層壓工藝技術(shù)及品質(zhì)控制（一）
2022-12-30 09:21:223 多層印制板層壓工藝技術(shù)及品質(zhì)控制（三）
2022-12-30 09:21:223 多層印制板層壓工藝技術(shù)及品質(zhì)控制（二）
2022-12-30 09:21:235 DOH新工藝技術(shù)助力提升功率器件性能及使用壽命
2024-01-11 10:00:33120 
密性等。本文介紹了五種用于MEMS封裝的封帽工藝技術(shù),即平行縫焊、釬焊、激光焊接、超聲焊接和膠粘封帽?？偨Y(jié)了不同封帽工藝的特點(diǎn)以及不同MEMS器件對封帽工藝的選擇。本文還介紹了幾種常用的吸附劑類型,針對吸附劑易于飽和問題,給出了封帽工藝解決方案,探
2024-02-25 08:39:28171 
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評論