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電子發(fā)燒友網(wǎng)>制造/封裝>半導(dǎo)體技術(shù)>工藝/制造>淺析TSMC和FinFET工藝技術(shù)的Mentor解決方案

淺析TSMC和FinFET工藝技術(shù)的Mentor解決方案

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2016-03-15 14:06:02988

TSMC認(rèn)證Synopsys IC Compiler II適合10-nm FinFET生產(chǎn)

TSMC已經(jīng)按照Synopsys的IC Compiler? II布局及 布線解決方案,完成了在其最先進(jìn)的10-納米(nm)級(jí)FinFET v1.0技術(shù)節(jié)點(diǎn)上運(yùn)行Synopsys數(shù)字、驗(yàn)收及自定義實(shí)施工具的認(rèn)證。
2016-03-23 09:12:011731

Mentor Graphics增強(qiáng)對(duì)TSMC 7納米工藝設(shè)計(jì)開發(fā)和10納米工藝量產(chǎn)的支援

Mentor Graphics公司(納斯達(dá)克代碼:MENT)今天宣布,借由完成 TSMC 10 納米 FinFET V1.0 認(rèn)證,進(jìn)一步增強(qiáng)和優(yōu)化Calibre? 平臺(tái)和 Analog
2016-03-24 11:13:19816

ARM攜手臺(tái)積電打造多核10納米FinFET測(cè)試芯片 推動(dòng)前沿移動(dòng)計(jì)算未來(lái)

  2016年5月19日,北京訊——ARM今日發(fā)布了首款采用臺(tái)積電公司(TSMC)10納米FinFET工藝技術(shù)的多核 64位 ARM?v8-A 處理器測(cè)試芯片。仿真基準(zhǔn)檢驗(yàn)結(jié)果顯示,相較于目前常用于多款頂尖智能手機(jī)計(jì)算芯片的16納米FinFET+工藝技術(shù),此測(cè)試芯片展現(xiàn)更佳運(yùn)算能力與功耗表現(xiàn)。
2016-05-19 16:41:50662

半導(dǎo)體工藝技術(shù)

半導(dǎo)體的制造流程以及各工位的詳細(xì)工藝技術(shù)
2016-05-26 11:46:340

PCB測(cè)試工藝技術(shù)

PCB測(cè)試工藝技術(shù),很詳細(xì)的
2016-12-16 21:54:480

撓性電路板化學(xué)鎳鈀金工藝技術(shù)研究

撓性電路板化學(xué)鎳鈀金工藝技術(shù)研究
2017-01-22 20:56:130

震撼!Xilinx宣布與TSMC開展7nm工藝合作

確保連續(xù)四代全可編程技術(shù)及多節(jié)點(diǎn)擴(kuò)展的領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)四代先進(jìn)工藝技術(shù)和3D IC以及第四代FinFET技術(shù)合作 2015年5月28日, 中國(guó)北京 - All Programmable 技術(shù)和器件的全球領(lǐng)先
2017-02-09 03:48:04198

三星10nm工藝技術(shù)已經(jīng)在Galaxy S8上提供支持

三星10納米工藝技術(shù)公告:全球領(lǐng)先的三星電子先進(jìn)的半導(dǎo)體元器件技術(shù)正式宣布,其第二代10納米(nm)FinFET工藝技術(shù),10LPP(Low Power Plus)已經(jīng)合格并準(zhǔn)備就緒用于批量生產(chǎn)。
2017-05-03 01:00:11580

Cadence數(shù)字、簽核與定制/模擬工具助力實(shí)現(xiàn)三星7LPP和8LPP工藝技術(shù)

節(jié)點(diǎn)FinFET技術(shù),7LPP和8LPP工藝技術(shù)不僅進(jìn)一步優(yōu)化了功耗、性能和面積特性,擴(kuò)展能力也更為出色。目前,客戶已經(jīng)可以應(yīng)用下一代技術(shù)開始早期設(shè)計(jì)。
2017-06-02 16:04:341237

什么是FinFET?FinFET的工作原理是什么?

在2011年初,英特爾公司推出了商業(yè)化的FinFET,使用在其22納米節(jié)點(diǎn)的工藝上[3]。從IntelCorei7-3770之后的22納米的處理器均使用了FinFET技術(shù)。由于FinFET具有
2018-07-18 13:49:00119524

楷登電子公布與臺(tái)灣積體電路公司全新 12FFC 緊湊型工藝技術(shù)開發(fā)的合作內(nèi)容

楷登電子(美國(guó) Cadence 公司)今日正式公布其與臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司(TSMC)全新12nm FinFET緊湊型(12FFC)工藝技術(shù)開發(fā)的合作內(nèi)容。憑借Cadence 數(shù)字
2018-05-08 11:07:001422

Platform 中的多項(xiàng)工具已通過(guò)TSMC最新版5nm FinFET 和 7nm FinFET Plus 工藝的認(rèn)證

TSMC最新版5nm FinFET 和 7nm FinFET Plus 工藝的認(rèn)證。Mentor 同時(shí)宣布,已更新了 Calibre nmPlatform 工具,可支持TSMC的晶圓堆疊封裝 (WoW)技術(shù)
2018-05-17 15:19:003391

Synopsys設(shè)計(jì)平臺(tái)獲得TSMC工藝認(rèn)證_7-nm FinFET Plus工藝技術(shù)

Synopsys設(shè)計(jì)平臺(tái)用于高性能、高密度芯片設(shè)計(jì) 重點(diǎn): Synopsys設(shè)計(jì)平臺(tái)獲得TSMC工藝認(rèn)證,支持高性能7-nm FinFET Plus工藝技術(shù),已成功用于客戶的多個(gè)設(shè)計(jì)項(xiàng)目。 針對(duì)
2018-05-17 06:59:004461

Synopsys 設(shè)計(jì)平臺(tái)獲得TSMC最新版且最先進(jìn)的5nm工藝

Synopsys Synopsys近日宣布, Synopsys 設(shè)計(jì)平臺(tái)獲得TSMC最新版且最先進(jìn)的5nm工藝技術(shù)認(rèn)證,可用于客戶先期設(shè)計(jì)。通過(guò)與TSMC的早期密切協(xié)作,IC CompilerII
2018-06-01 09:35:003784

Mentor 的電路啟用英特爾面向 Intel Custom Foundry 客戶的 14nm三柵極工藝技術(shù)

Mentor Graphics Corp. 與英特爾公司宣布,Mentor 的電路模擬和驗(yàn)收工具已經(jīng)完全啟用英特爾面向 Intel Custom Foundry 客戶的 14nm三柵極工藝技術(shù)
2018-06-02 12:00:001381

微間距LED顯示屏的各項(xiàng)工藝技術(shù)淺析

印刷電路板工藝:伴隨微間距LED顯示屏發(fā)展趨勢(shì),4層、6層板被采用,印制電路板將采用微細(xì)過(guò)孔和埋孔設(shè)計(jì),印制電路圖形導(dǎo)線細(xì)、微孔化窄間距化,加工中所采用的機(jī)械方式鉆孔工藝技術(shù)已不能滿足要求,迅速發(fā)展起來(lái)的激光鉆孔技術(shù)將滿足微細(xì)孔加工。
2018-07-06 14:11:063768

新思科技推出基于TSMC 7nm FinFET工藝技術(shù)的汽車級(jí)IP

基于7nm工藝技術(shù)的控制器和PHY IP具有豐富的產(chǎn)品組合,包括LPDDR4X、MIPI CSI-2、D-PHY、PCI Express 4.0以及安全I(xiàn)P。 IP解決方案支持TSMC 7nm工藝技術(shù)所需的先進(jìn)汽車設(shè)計(jì)規(guī)則,滿足可靠性和15年汽車運(yùn)行要求。
2018-10-18 14:57:216541

Synopsys推出支持TSMC 7nm工藝技術(shù)

新思科技(Synopsys)推出支持TSMC 7nm FinFET工藝技術(shù)的汽車級(jí)DesignWare Controller和PHY IP。DesignWare LPDDR4x、MIPI CSI-2
2018-11-13 16:20:231517

新思科技數(shù)字與定制設(shè)計(jì)平臺(tái)通過(guò)TSMC 5nm EUV工藝技術(shù)認(rèn)證

關(guān)鍵詞:5nm , Compiler , PrimeTime 新思科技(Synopsys)宣布其數(shù)字和定制設(shè)計(jì)平臺(tái)通過(guò)了TSMC最先進(jìn)的5nm EUV工藝技術(shù)認(rèn)證。該認(rèn)證是多年廣泛合作的結(jié)果,旨在
2018-10-27 22:16:01255

三星宣布已完成5納米FinFET工藝技術(shù)開發(fā)

4月16日,三星官網(wǎng)發(fā)布新聞稿,宣布已經(jīng)完成5納米FinFET工藝技術(shù)開發(fā),現(xiàn)已準(zhǔn)備好向客戶提供樣品。
2019-04-16 17:27:233008

曝光成像與顯影工藝技術(shù)的原理及特點(diǎn)

PCB板上的線路圖形就是PCB線路板廠家采用曝光成像與顯影蝕刻工藝技術(shù)來(lái)完成的,無(wú)論是PCB多層線路板還是柔性線路板在制作線路圖形時(shí)都要用到曝光成像與顯影工藝技術(shù)。下面來(lái)詳細(xì)介紹這兩種工藝的加工特點(diǎn)及加工原理。
2019-04-28 15:10:5231336

SONNET中的工藝技術(shù)層介紹

在14版本中,SONNET新引入了一種名為工藝技術(shù)層的屬性定義層,以實(shí)現(xiàn)EDA框架和設(shè)計(jì)流程的平滑過(guò)渡。該工藝技術(shù)層實(shí)際上是用戶創(chuàng)建的EM工程中 的多個(gè)屬性對(duì)象的集合體,其中包括了很多基本屬性設(shè)置,比如層的命名、物理位置、金屬屬性、網(wǎng)格控制選項(xiàng)等等。
2019-10-08 15:17:412021

Mentor系列IC設(shè)計(jì)工具獲得臺(tái)積電最新N5和N6制程技術(shù)認(rèn)證

MentorTSMC 的合作現(xiàn)已擴(kuò)展到先進(jìn)封裝技術(shù)領(lǐng)域, Mentor Calibre? 平臺(tái)的 3DSTACK 封裝技術(shù)將進(jìn)一步支持 TSMC 的先進(jìn)封裝平臺(tái)。
2020-05-28 08:48:251011

CMOS工藝技術(shù)的學(xué)習(xí)課件免費(fèi)下載

本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是CMOS工藝技術(shù)的學(xué)習(xí)課件免費(fèi)下載。
2020-12-09 08:00:000

Arasan宣布用于臺(tái)積公司22nm工藝技術(shù)的eMMC PHY IP立即可用

日 /美通社/ -- Arasan Chip Systems為臺(tái)積公司(TSMC)行業(yè)領(lǐng)先的22nm工藝技術(shù)擴(kuò)展其IP產(chǎn)品,用于臺(tái)積公司22nm工藝SoC設(shè)計(jì)的eMMC PHY IP立即可用。臺(tái)積公司22nm工藝
2021-01-21 10:18:232385

PCBA灌膠的工藝技術(shù)和三種方法資料下載

電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供PCBA灌膠的工藝技術(shù)和三種方法資料下載的電子資料下載,更有其他相關(guān)的電路圖、源代碼、課件教程、中文資料、英文資料、參考設(shè)計(jì)、用戶指南、解決方案等資料,希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2021-03-31 08:43:4034

SiFive成功采用臺(tái)積電N5工藝技術(shù)首個(gè)SoC

最大的RISC-V架構(gòu)廠商SiFive近日宣布,其OpenFive部門已成功采用臺(tái)積電(TSMC)的N5工藝技術(shù)流片公司首個(gè)SoC,采用2.5D封裝HBM3存儲(chǔ)單元,帶寬7.2Gbps。在半導(dǎo)體行業(yè)中,流片意味著芯片設(shè)計(jì)大功告成,一般會(huì)在一年內(nèi)投入商用。
2021-05-01 09:33:002960

多絞屏蔽線處理及焊接工藝技術(shù)綜述

多絞屏蔽線處理及焊接工藝技術(shù)綜述
2021-07-12 09:45:593

楷登電子數(shù)字和模擬流程獲TSMC N3和N4工藝技術(shù)認(rèn)證

Cadence 和 TSMC 聯(lián)手進(jìn)行 N3 和 N4 工藝技術(shù)合作, 加速賦能移動(dòng)、人工智能和超大規(guī)模計(jì)算創(chuàng)新 雙方共同客戶現(xiàn)可廣泛使用已經(jīng)認(rèn)證的 N3 和 N4 流程 PDK 進(jìn)行設(shè)計(jì) 完整
2021-10-26 15:10:581928

淺析ROHM的汽車照明解決方案

淺析ROHM的汽車照明解決方案
2021-11-19 14:50:285

淺析LED電磁兼容解決方案

淺析LED電磁兼容解決方案
2022-01-25 16:10:5910

西門子mPower解決方案獲N7和N5技術(shù)認(rèn)證_國(guó)巨推出電路保護(hù)元件產(chǎn)品TVS

Siemens Digital Industries Software 宣布,其用于模擬、數(shù)字和混合信號(hào) IC 設(shè)計(jì)的電源完整性分析的全新 mPower? 解決方案現(xiàn)已通過(guò) TSMC 的 N7 和 N5 工藝技術(shù)認(rèn)證。
2022-03-16 14:36:141489

全面解讀電子封裝工藝技術(shù)

全面解讀電子封裝工藝技術(shù)
2022-10-10 11:00:51876

Ansys多物理場(chǎng)解決方案榮獲臺(tái)積電N4工藝技術(shù)和FINFLEX?架構(gòu)認(rèn)證

工藝技術(shù)的FINFLEX架構(gòu)認(rèn)證 此外,該認(rèn)證也可擴(kuò)展到臺(tái)積電N4工藝技術(shù) Ansys宣布Ansys電源完整性解決方案榮獲臺(tái)積電FINFLEX創(chuàng)新架構(gòu)以及N4工藝技術(shù)認(rèn)證,持續(xù)深化與臺(tái)積電的長(zhǎng)期技術(shù)
2022-11-17 15:31:57696

2006電子元器件搪錫工藝技術(shù)要求

2006電子元器件搪錫工藝技術(shù)要求
2023-08-23 16:48:033

Cadence 定制/模擬設(shè)計(jì)遷移流程加速 TSMC 先進(jìn)制程技術(shù)的采用

流程,能兼容所有的 TSMC(臺(tái)積電)先進(jìn)節(jié)點(diǎn),包括最新的 N3E 和 N2 工藝技術(shù)。 這款生成式設(shè)計(jì)遷移流程由 Cadence 和 TSMC 共同開發(fā),旨在實(shí)現(xiàn)定制和模擬 IC 設(shè)計(jì)在 TSMC
2023-09-27 10:10:04301

電子產(chǎn)品裝聯(lián)工藝技術(shù)詳解

電子產(chǎn)品裝聯(lián)工藝技術(shù)詳解
2023-10-27 15:28:22373

MEMS封裝中的封帽工藝技術(shù)

密性等。本文介紹了五種用于MEMS封裝的封帽工藝技術(shù),即平行縫焊、釬焊、激光焊接、超聲焊接和膠粘封帽??偨Y(jié)了不同封帽工藝的特點(diǎn)以及不同MEMS器件對(duì)封帽工藝的選擇。本文還介紹了幾種常用的吸附劑類型,針對(duì)吸附劑易于飽和問(wèn)題,給出了封帽工藝解決方案,探
2024-02-25 08:39:28171

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