的性能和功耗優(yōu)化。 采用5納米的新工藝，與公司的7納米工藝相比，相同的Cortex-A72內(nèi)核可實(shí)現(xiàn)1.8倍的邏輯密度和15％的速度提升。 5nm工藝采用EUV光刻（極紫外曝光）制造，與公司以前的節(jié)點(diǎn)相比，通過簡(jiǎn)化制造工藝和在同一發(fā)展階段實(shí)現(xiàn)出色的技術(shù)成熟度，可
2019-04-10 09:18:16
1114 已經(jīng)完成，現(xiàn)在可以為客戶提供樣品。通過在其基于極紫外（EUV）的工藝產(chǎn)品中添加另一個(gè)尖端節(jié)點(diǎn)，三星再次證明了其在先進(jìn)晶圓代工市場(chǎng)的領(lǐng)導(dǎo)地位。 與7nm相比，三星的5nm FinFET工藝技術(shù)將邏輯區(qū)域效率提高了25％，功耗降低了20％，性能提高了10％，從而使其能夠擁有更多創(chuàng)
2019-04-18 15:48:476010 共享一些設(shè)計(jì)規(guī)則。新的N5工藝將提供7nm變體以上的完整節(jié)點(diǎn)增加，并在10層以上的層中廣泛使用EUV技術(shù)，從而減少了7nm以上的生產(chǎn)總步驟。新的5nm工藝還采用了臺(tái)積電的下一代FinFET技術(shù)。 芯片命名 公開資料顯示，臺(tái)積電5nm EUV工藝可提供整體邏輯密度增加約1.84倍，功率
2019-12-13 11:18:574940 TSMC在FinFET工藝量產(chǎn)上落后于Intel、三星，不過他們?cè)?0nm及之后的工藝上很自信，2020年就會(huì)量產(chǎn)5nm工藝，還會(huì)用上EUV光刻工藝。
2016-07-18 10:47:09989 · 新思科技Custom Design Platform為三星7LPP工藝技術(shù)提供經(jīng)認(rèn)證的工具、PDK、仿真模型、運(yùn)行集（runsets）以及定制參考流程。
· 新思科技Custom
2018-07-18 11:46:357228 在7nm及以下節(jié)點(diǎn)上，臺(tái)積電的進(jìn)展是最快的，今年量產(chǎn)7nm不說，最快明年4月份就要試產(chǎn)5nm EUV工藝了，不過這個(gè)節(jié)點(diǎn)的投資花費(fèi)也是驚人的，臺(tái)積電投資250億美元建廠，5nm芯片設(shè)計(jì)費(fèi)用也要比7nm工藝提升50%。
2018-10-08 09:52:333674 10月10日晚間消息，著名半導(dǎo)體制造公司臺(tái)積電宣布了有關(guān)極紫外光刻(EUV)技術(shù)的兩項(xiàng)重磅突破，一是首次使用7nm EUV工藝完成了客戶芯片的流片工作，二是5nm工藝將在六個(gè)月后開始試產(chǎn)！
2018-10-11 11:45:233704 其5nm工藝。不過，最近有消息傳出，三星遇到麻煩了，其5nm工藝的良率竟然低于50%。 韓國(guó)媒體報(bào)道，三星電子華城園區(qū)V1廠，最近面臨晶圓代工良率改善難題，5nm等部分工藝良率低于50%。 三星華城園區(qū)共有V1、S3及S4等晶圓廠，其中V1為EUV專用廠，于201
2021-07-05 18:35:593553 3nm 時(shí)代來臨了！Cadence 在 2023 年 TSMC 北美技術(shù)研討會(huì)期間發(fā)布了面向臺(tái)積電 3nm 工藝（N3E）的 112G 超長(zhǎng)距離（112G-ELR）SerDes IP 展示，這是
2023-05-19 16:25:12784 
翁壽松(無錫市羅特電子有限公司，江蘇無錫214001)1 32 nm/22 nm工藝進(jìn)展2006年1月英特爾推出全球首款45 nm全功能153 Mb SRAM芯片。英特爾將投資90億美元在以下4座
2019-07-01 07:22:23
基于10nm++開發(fā)7nm工藝、基于7nm設(shè)計(jì)開發(fā)5nm工藝，基于5nm工藝來開發(fā)3nm工藝，毫無疑問，每一個(gè)“+”或者“++”所擁有的技術(shù)更新都將有可能進(jìn)入下一代節(jié)點(diǎn)的設(shè)計(jì)之中。 在7nm節(jié)點(diǎn)之后
2020-07-07 11:38:14
研究機(jī)構(gòu)IMEC已經(jīng)發(fā)表了一篇論文，該研究表明，在5nm節(jié)點(diǎn)上，STT-MRAM與SRAM相比可以為緩存提供節(jié)能效果。這種優(yōu)勢(shì)比非易失性和較小的空間占用更重要。
2019-10-18 06:01:42
是通過提升技術(shù)成本來平衡工序成本和周期成本。例如，按照格羅方德的測(cè)算，啟用EUV技術(shù)，在7nm和5nm節(jié)點(diǎn)，都僅需要1個(gè)光罩即可生產(chǎn)。這樣理論上來說，就可以起到簡(jiǎn)化工藝流程，減少生產(chǎn)周期的作用。對(duì)此，芯謀
2017-11-14 16:24:44
想問一下，TSMC350nm的工藝庫(kù)是不是不太適合做LC-VCO啊，庫(kù)里就一個(gè)電容能選的，也沒有電感可以選。（因?yàn)檎n程提供的工藝庫(kù)就只有這個(gè)350nm的，想做LC-VCO感覺又不太適合，好像只能做ring-VCO了）請(qǐng)問350nm有RF工藝嘛，或者您有什么其他的工藝推薦？
2021-06-24 08:06:46
EMC設(shè)計(jì)、工藝技術(shù)基本要點(diǎn)和問題處理流程推薦給大家參考。。
2015-08-25 12:05:04
感到非常鼓舞人心。我們已與用戶設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)密切合作，設(shè)計(jì)能夠在高級(jí)工藝節(jié)點(diǎn)上應(yīng)對(duì)日益升級(jí)的技術(shù)挑戰(zhàn)的平臺(tái)。通過使用7nm Fusion Design Platform，設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)能夠顯著提高生產(chǎn)力，增加
2020-10-22 09:40:08
Sic mesfet工藝技術(shù)研究與器件研究針對(duì)ＳｉＣ 襯底缺陷密度相對(duì)較高的問題，研究了消除或減弱其影響的工藝技術(shù)并進(jìn)行了器件研制。通過優(yōu)化刻蝕條件獲得了粗糙度為２?０７ ｎｍ的刻蝕表面；犧牲氧化
2009-10-06 09:48:48
從7nm到5nm，半導(dǎo)體制程芯片的制造工藝常常用XXnm來表示，比如Intel最新的六代酷睿系列CPU就采用Intel自家的14nm++制造工藝。所謂的XXnm指的是集成電路的MOSFET晶體管柵極
2021-07-29 07:19:33
）光刻技術(shù)，而GlobalFoundries當(dāng)年也曾經(jīng)研究過7nm EUV工藝，只不過現(xiàn)在已經(jīng)放棄了?！ 《褂脴O紫外光（EUV）作為光源的光刻機(jī)就是EUV光刻機(jī)，當(dāng)然這絕對(duì)不是單純只換個(gè)光源這么簡(jiǎn)單
2020-07-07 14:22:55
Research、東京電子和中微半導(dǎo)體，而通過臺(tái)積電5nm工藝認(rèn)證的則更少。在這個(gè)領(lǐng)域，中國(guó)大陸的中微半導(dǎo)體取得了可喜的進(jìn)步，其5nm蝕刻機(jī)已經(jīng)打入臺(tái)積電供應(yīng)鏈。中微半導(dǎo)體主要生產(chǎn)蝕刻機(jī)、MOCVD等設(shè)備
2020-03-09 10:13:54
業(yè)界對(duì)哪種半導(dǎo)體工藝最適合某一給定應(yīng)用存在著廣泛的爭(zhēng)論。雖然某種特殊工藝技術(shù)能更好地服務(wù)一些應(yīng)用，但其它工藝技術(shù)也有很大的應(yīng)用空間。像CMOS、BiCMOS、砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP
2019-07-05 08:13:58
業(yè)界對(duì)哪種半導(dǎo)體工藝最適合某一給定應(yīng)用存在著廣泛的爭(zhēng)論。雖然某種特殊工藝技術(shù)能更好地服務(wù)一些應(yīng)用，但其它工藝技術(shù)也有很大的應(yīng)用空間。像CMOS、BiCMOS、砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP
2019-08-20 08:01:20
7nm以下的工藝也將導(dǎo)入EUV技術(shù)。據(jù)***媒體報(bào)道，臺(tái)積電5nm制程將于今年第二季度量產(chǎn)。據(jù)臺(tái)積電介紹， 5nm是臺(tái)積公司第二代使用極紫外光（EUV）技術(shù)的制程，其已展現(xiàn)優(yōu)異的光學(xué)能力與符合預(yù)期的良好
2020-02-27 10:42:16
臺(tái)積電宣布5nm基本完工開始試產(chǎn)：面積縮小45%、性能提升15%.pdf(105.52 KB)
2019-04-24 06:00:42
如何提高多層板層壓品質(zhì)在工藝技術(shù)
2021-04-25 09:08:11
求TSMC90nm的工藝庫(kù)，請(qǐng)問可以分享一下嗎？
2021-06-22 06:21:52
求一份tsmc 7nm standard cell library求一份28nm或者40nm 的數(shù)字庫(kù)
2021-06-25 06:39:25
新思科技與中芯國(guó)際合作推出用于中芯65納米低漏電工藝技術(shù)的、獲得USB標(biāo)志認(rèn)證的DesignWareUSB 2.0 nanoPHY
通過芯片驗(yàn)證的DesignWare PHY IP
2010-05-20 17:39:09589 隨著芯片微縮，開發(fā)先進(jìn)工藝技術(shù)的成本也越來越高。TSMC對(duì)外發(fā)言人孫又文表示，臺(tái)積電會(huì)繼續(xù)先進(jìn)工藝技術(shù)節(jié)點(diǎn)的投入和開發(fā)，今年年底臺(tái)積電將推出20nm工藝
2012-08-30 14:34:301782 Mentor Graphics公司日前宣布Calibre LFD（光刻友好設(shè)計(jì)）光刻檢查工具已獲得TSMC的20nm IC制造工藝認(rèn)證。 Calibre LFD可對(duì)熱點(diǎn)進(jìn)行識(shí)別，還可對(duì)設(shè)計(jì)工藝空間是否充足進(jìn)行檢查。光學(xué)臨近校正法
2012-09-29 10:30:461761 電子發(fā)燒友網(wǎng)核心提示 :Mentor Graphics公司日前宣布Calibre LFD（光刻友好設(shè)計(jì)）光刻檢查工具已獲得TSMC的20nm IC制造工藝認(rèn)證。 Calibre LFD可對(duì)熱點(diǎn)進(jìn)行識(shí)別，還可對(duì)設(shè)計(jì)工藝空間是否充足進(jìn)
2012-10-08 16:00:14915 FinFET制程的設(shè)計(jì)規(guī)則手冊(cè)（DRM）第0.5版的認(rèn)證，同時(shí)從即刻起可以提供一套TSMC 16-nm可互通制程設(shè)計(jì)套件（iPDK）。憑借其對(duì)iPDK標(biāo)準(zhǔn)強(qiáng)大的支持，Synopsys的Laker定制解決方案為用戶提供了從180-nm到16-nm的多種TSMC工藝技術(shù)的全面對(duì)接。
2013-09-23 14:45:301050 ? Analog FastSPICE? 電路驗(yàn)證平臺(tái)已完成了電路級(jí)和器件級(jí)認(rèn)證，Olympus-SoC? 數(shù)字設(shè)計(jì)平臺(tái)正在進(jìn)行提升，以幫助設(shè)計(jì)工程師利用 TSMC 10nm FinFET 技術(shù)更有效地驗(yàn)證和優(yōu)化其設(shè)計(jì)。10nm V1.0 工藝的認(rèn)證預(yù)計(jì)在 2015 年第 4 季度完成。
2015-09-21 15:37:101300 Technology （12FFC） 和最新版本 7nm FinFET Plus 工藝的認(rèn)證。Nitro-SoCTM 布局和布線系統(tǒng)也通過了認(rèn)證，可以支持 TSMC 的 12FFC 工藝技術(shù)。
2017-10-11 11:13:422372 本周在火奴魯魯舉行的VLSI（超大規(guī)模集成電路）研討會(huì)上，三星首次分享了基于EUV技術(shù)的7nm工藝細(xì)節(jié)。
2018-06-22 15:16:00970 EUV被認(rèn)為是推動(dòng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)制造更小芯片的重要里程碑，但是根據(jù)目前的EUV微影技術(shù)發(fā)展進(jìn)程來看，10奈米（nm）和7nm制程節(jié)點(diǎn)已經(jīng)準(zhǔn)備就緒，就是5nm仍存在很大的挑戰(zhàn)。
2018-01-24 10:52:392279 
TSMC最新版5nm FinFET 和 7nm FinFET Plus 工藝的認(rèn)證。Mentor 同時(shí)宣布，已更新了 Calibre nmPlatform 工具，可支持TSMC的晶圓堆疊封裝 (WoW)技術(shù)
2018-05-17 15:19:003391 Synopsys設(shè)計(jì)平臺(tái)用于高性能、高密度芯片設(shè)計(jì) 重點(diǎn)： Synopsys設(shè)計(jì)平臺(tái)獲得TSMC工藝認(rèn)證，支持高性能7-nm FinFET Plus工藝技術(shù)，已成功用于客戶的多個(gè)設(shè)計(jì)項(xiàng)目。 針對(duì)
2018-05-17 06:59:004461 Intel 10nm工藝還在苦苦掙扎，臺(tái)積電和三星已經(jīng)開始量產(chǎn)7nm，下一步自然就是5nm，臺(tái)積電近日也首次公開了5nm的部分關(guān)鍵指標(biāo)，看起來不是很樂觀。 明年，臺(tái)積電的第二代7nm工藝會(huì)在部分
2018-05-15 14:35:133793 
5nm、4nm、3nm工藝，直逼 這兩年，三星電子、臺(tái)積電在半導(dǎo)體工藝上一路狂奔，雖然有技術(shù)之爭(zhēng)但把曾經(jīng)的領(lǐng)導(dǎo)者Intel遠(yuǎn)遠(yuǎn)甩在身后已經(jīng)是不爭(zhēng)的事實(shí)。
2018-06-08 07:12:003709 Synopsys Synopsys近日宣布， Synopsys 設(shè)計(jì)平臺(tái)獲得TSMC最新版且最先進(jìn)的5nm工藝技術(shù)認(rèn)證，可用于客戶先期設(shè)計(jì)。通過與TSMC的早期密切協(xié)作，IC CompilerII
2018-06-01 09:35:003784 10月10日晚間消息，著名半導(dǎo)體制造公司臺(tái)積電宣布了有關(guān)極紫外光刻(EUV)技術(shù)的兩項(xiàng)重磅突破，一是首次使用7nm EUV工藝完成了客戶芯片的流片工作，二是5nm工藝將在六個(gè)月后開始試產(chǎn)！
2018-10-11 08:44:334918 基于7nm工藝技術(shù)的控制器和PHY IP具有豐富的產(chǎn)品組合，包括LPDDR4X、MIPI CSI-2、D-PHY、PCI Express 4.0以及安全I(xiàn)P。
IP解決方案支持TSMC 7nm工藝技術(shù)所需的先進(jìn)汽車設(shè)計(jì)規(guī)則，滿足可靠性和15年汽車運(yùn)行要求。
2018-10-18 14:57:216541 IC Compiler II和Design Compiler Graphical提供了統(tǒng)一流程，實(shí)現(xiàn)最低功耗、最佳性能和最優(yōu)面積。
StarRC、PrimeTime和PrimeTime PX支持全流程設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)并提供時(shí)序和功耗分析的signoff支持。
2018-10-23 14:29:145460 新思科技（Synopsys）推出支持TSMC 7nm FinFET工藝技術(shù)的汽車級(jí)DesignWare Controller和PHY IP。DesignWare LPDDR4x、MIPI CSI-2
2018-11-13 16:20:231518 國(guó)內(nèi)的中微電子已經(jīng)研發(fā)成功5nm等離子刻蝕機(jī)，并通過了臺(tái)積電的認(rèn)證，將用于全球首條5nm工藝。
2018-12-20 08:55:2624111 工智能（AI）市場(chǎng)。 臺(tái)積電表示，相較7nm制程，5nm的微縮功能在Arm的Cortex-A72核心上能夠提供1.8倍的邏輯密度，性能可提升15%。此外，5nm制程將會(huì)完全采用極紫外光（EUV）微影技術(shù)，因此可帶來EUV技術(shù)提供的制程簡(jiǎn)化效益。 臺(tái)積電指出，5nm制程能提供芯片設(shè)計(jì)業(yè)者
2019-04-04 11:16:022899 臺(tái)積電指出，5nm制程將會(huì)完全采用極紫外光(EUV)微影技術(shù)，因此可帶來EUV技術(shù)提供的制程簡(jiǎn)化效益。5nm制程能夠提供全新等級(jí)的效能及功耗解決方案，支援下一代的高端移動(dòng)及高效能運(yùn)算需求的產(chǎn)品。目前，其他晶元廠的7nm工藝尚舉步維艱，在5nm時(shí)代臺(tái)積電再次領(lǐng)先。
2019-04-04 16:05:571660 包括7nm批量生產(chǎn)和6nm產(chǎn)品的流片, 三星電子在基于EUV技術(shù)的先進(jìn)制程工藝開發(fā)上取得重大進(jìn)展 4月16日,三星電子宣布，其5nm FinFET( 鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管)工藝技術(shù)已經(jīng)開發(fā)完成，該技術(shù)
2019-04-18 20:48:54272 通過使用三星7nm EUV工藝代替臺(tái)積電的7nm工藝，Nvidia可能能夠獲得更多供應(yīng)。
2019-06-10 09:06:126225 新思科技近日宣布，三星(Samsung Electronics)認(rèn)證了新思科技Fusion Design Platform?，用于三星采用EUV光刻技術(shù)的5納米Low-Power Early(早期
2019-06-12 13:48:353553 近日，全球知名的EDA工具廠商新思科技(Synopsys)宣布，面向三星7LPP（7nm Low Power Plus）和更先進(jìn)工藝的良率學(xué)習(xí)平臺(tái)設(shè)計(jì)取得了重大突破，這將為三星后續(xù)5nm、4nm、3nm工藝的量產(chǎn)和良品率的提升奠定堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。
2019-07-09 17:13:484225 全球知名的EDA工具廠商新思科技(Synopsys)宣布，面向三星7LPP（7nm Low Power Plus）和更先進(jìn)工藝的良率學(xué)習(xí)平臺(tái)設(shè)計(jì)取得了重大突破
2019-07-11 14:49:473326 采用極紫外（EUV）光刻技術(shù)的Cadence 數(shù)字全流程解決方案已通過Samsung Foundry 5nm早期低功耗版（5LPE）工藝認(rèn)證。
2019-07-11 16:36:473437 近兩年先進(jìn)半導(dǎo)體制造主要是也終于迎來了EUV光刻機(jī)，這也使7nm之后的工藝發(fā)展得以持續(xù)進(jìn)行下去。臺(tái)積電和三星都對(duì)自家工藝發(fā)展進(jìn)行了規(guī)劃，現(xiàn)在兩家已經(jīng)逐步開始進(jìn)行7nm EUV工藝的量產(chǎn)，隨后還有5nm工藝及3nm工藝。
2019-07-24 11:45:422702 7nm+ EUV節(jié)點(diǎn)之后，臺(tái)積電5nm工藝將更深入地應(yīng)用EUV極紫外光刻技術(shù)，綜合表現(xiàn)全面提升，官方宣稱相比第一代7nm EDV工藝可以帶來最多80%的晶體管密度提升，15%左右的性能提升或者30%左右的功耗降低。
2019-09-26 14:49:114798 日前，高通發(fā)布了新一代旗艦平臺(tái)驍龍865、主流平臺(tái)驍龍765/765G，分別采用臺(tái)積電7nm、三星8nm工藝制造。那么，高通為何在兩個(gè)平臺(tái)上使用兩種工藝？驍龍865為何沒用最新的7nm EUV？5nm方面高通有何規(guī)劃？
2019-12-09 17:23:236488 在全球晶圓代工市場(chǎng)上，已經(jīng)沒有公司能超過臺(tái)積電了，他們的16/12nm訂單居高不下，7nm及改良版7nm EUV工藝如火如荼，下一代的5nm工藝進(jìn)展也非常順利，據(jù)悉現(xiàn)在的良率就比7nm工藝初期要好了。
2019-12-01 09:57:11776 高通發(fā)布了新一代旗艦平臺(tái)驍龍865、主流平臺(tái)驍龍765/765G，分別采用臺(tái)積電7nm、三星8nm工藝制造。那么，高通為何在兩個(gè)平臺(tái)上使用兩種工藝？驍龍865為何沒用最新的7nm EUV？5nm方面高通有何規(guī)劃？
2019-12-09 17:56:293685 臺(tái)積電將會(huì)在今年年中開始進(jìn)行5nm EUV工藝的量產(chǎn)，屆時(shí)臺(tái)積電的主要5nm工藝客戶有蘋果和華為兩家。根據(jù)MyDrivers報(bào)道，華為的下一代旗艦處理器可能命名為麒麟1020，有5nm EUV工藝加持后性能會(huì)比麒麟990 5G SoC提升50%！
2020-03-07 15:52:092486 臺(tái)積電5nm制造工藝基于ULV，也就是紫外線光刻技術(shù)實(shí)現(xiàn)，之前的7nm EUV工藝同樣也是基于這項(xiàng)技術(shù)。那么制程的縮小又意味著什么？相比于7nm工藝，5nm工藝可以進(jìn)一步提升芯片的晶體管密度，提升性能并降低功耗，可廣泛用于PC、智能手機(jī)等設(shè)備的元器件中。
2020-03-12 14:10:442570 在開發(fā)5nm制程技術(shù)僅一年之后，三星就開始了 5nm EUV（極紫外）生產(chǎn)線的建設(shè)。三星公司希望在2030年之前擊敗臺(tái)積電，并成為半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的領(lǐng)導(dǎo)者。
2020-03-12 14:30:362065 2020年，全球最先進(jìn)的半導(dǎo)體工藝要從7nm升級(jí)到5nm了，臺(tái)積電最近上半年就開始量產(chǎn)5nm EUV工藝，而三星也加碼投資，預(yù)計(jì)6月底完成5nm EUV生產(chǎn)線。
2020-03-13 08:35:012624 臺(tái)積電上周發(fā)布了3月及Q1季度財(cái)報(bào)，營(yíng)收同比大漲了42%，淡季不淡。不過接下來的日子半導(dǎo)體行業(yè)可能不太好過了，ASML的EUV光刻機(jī)已經(jīng)斷貨，要延期交付，好在臺(tái)積電今年已經(jīng)在5nm工藝上搶先三星了。
2020-04-15 08:55:173193 4月20日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，按計(jì)劃，在7nm工藝量產(chǎn)近兩年之后，芯片代工商臺(tái)積電今年將大規(guī)模量產(chǎn)5nm芯片，臺(tái)積電方面日前也透露，他們的5nm工藝已經(jīng)量產(chǎn)，良品率也非常可觀。
2020-04-20 17:00:032742 ，雖然整體多少還是受到疫情影響，但臺(tái)積電強(qiáng)調(diào)5nm工藝技術(shù)影響程度不大，僅接下來的3nm工藝試產(chǎn)可能會(huì)有延后情況。
2020-04-21 15:56:232478 基于5nm EUV工藝。 到底哪家的5nm工藝更穩(wěn)，要等雙雙有終端上市后才能掰一掰腕子。 另外，AMD的Zen3和RDNA2都沒有上馬5nm，而是7nm增強(qiáng)版。除了
2020-09-17 13:58:01790 （功耗、性能和面積）優(yōu)勢(shì)，同時(shí)加快產(chǎn)品上市時(shí)間 ● 新思科技進(jìn)一步強(qiáng)化關(guān)鍵產(chǎn)品，以支持TSMC N3制造的進(jìn)階要求 新思科技（Synopsys）近日宣布，其數(shù)字和定制設(shè)計(jì)平臺(tái)已獲得TSMC 3nm制造技術(shù)驗(yàn)證。此次驗(yàn)證基于TSMC的最新設(shè)計(jì)參考手冊(cè)（DRM）和工藝設(shè)計(jì)工具包（
2020-10-14 10:47:571764 重點(diǎn) ● TSMC認(rèn)證基于新思科技3DIC Compiler統(tǒng)一平臺(tái)的CoWoS和InFO設(shè)計(jì)流程 ● 3DIC Compiler可提高先進(jìn)封裝設(shè)計(jì)生產(chǎn)率 ● 集成Ansys芯片封裝協(xié)同分析解決方案
2020-10-14 11:11:212099 5nm工藝是7nm之后臺(tái)積電又一項(xiàng)行業(yè)領(lǐng)先、可帶來持久營(yíng)收的重要工藝，隨著投產(chǎn)時(shí)間的延長(zhǎng)，其產(chǎn)能也會(huì)有明顯提升，會(huì)有更多的客戶獲得產(chǎn)能，5nm工藝為臺(tái)積電帶來的營(yíng)收也會(huì)大幅增加。
2020-10-16 16:40:021732 在先進(jìn)半導(dǎo)體工藝上，臺(tái)積電已經(jīng)一騎絕塵了，其他人望不到尾燈了，今年量產(chǎn)了5nm，明年就輪到3nm了。
2020-10-17 09:12:381777 1080處理器是三星首款基于最新的5nm EUV FinFET工藝制造的處理器，進(jìn)一步提高設(shè)備的電源效率和性能。 三星Exynos在11月12日在上海舉行首場(chǎng)國(guó)內(nèi)線下發(fā)布會(huì)；據(jù)介紹，vivo將首發(fā)搭載
2020-11-12 18:13:203186 Shin稱，通過采用和集成現(xiàn)有的最先進(jìn)技術(shù)，例如5nm EUV和最新的處理內(nèi)核，Exynos 1080可以在移動(dòng)設(shè)備中提供5G，設(shè)備內(nèi)置AI技術(shù)
2020-11-12 16:48:021631 制造工藝EUV（極紫外光刻）。Exynos 1080 所采用的 5nm EUV 工藝與 8nm LPP（成熟低功耗）相比，性能提升 14%，功耗降低 30%；與 7nm DUV（深紫外光刻）相比，
2020-11-12 16:48:291671 在先進(jìn)工藝上，臺(tái)積電可以說是天字一號(hào)晶圓代工廠了，7nm工藝領(lǐng)先別家兩年量產(chǎn)，5nm工藝今年也搶到了蘋果、華為兩個(gè)大客戶，盡管華為9月份之后就被迫退出了。
2020-12-22 12:45:551235 ，AMD、NVIDIA等公司也會(huì)跟進(jìn)5nm，不過至少要到2021年底了，在此之前臺(tái)積電的5nm工藝會(huì)有一段空缺，有報(bào)告稱明年Q2季度5nm利用率會(huì)降至80%以下。 誰能來填補(bǔ)這個(gè)空缺？礦機(jī)廠商現(xiàn)在已經(jīng)找到機(jī)會(huì)了，一方面是最近比特幣價(jià)格大漲，數(shù)字貨幣市場(chǎng)全面復(fù)興
2020-12-22 14:12:281618 日 /美通社/ -- Arasan Chip Systems為臺(tái)積公司（TSMC）行業(yè)領(lǐng)先的22nm工藝技術(shù)擴(kuò)展其IP產(chǎn)品，用于臺(tái)積公司22nm工藝SoC設(shè)計(jì)的eMMC PHY IP立即可用。臺(tái)積公司22nm工藝
2021-01-21 10:18:232386 SoC 設(shè)計(jì)與應(yīng)用技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)廠商Socionext Inc.(以下“Socionext”)宣布，公司將采用臺(tái)積電最新5nm制程工藝(N5P)用于下一代汽車定制芯片業(yè)務(wù)。Socionext汽車定制芯片
2021-02-05 11:50:271835 ）宣布，其數(shù)字和定制/模擬流程已獲得 TSMC N3 和 N4 工藝技術(shù)認(rèn)證，支持最新的設(shè)計(jì)規(guī)則手冊(cè)（DRM）。通過持續(xù)合作，Cadence 和 TSMC 發(fā)布了 TSMC N3 和 N
2021-10-26 15:10:581928 ”）已在5nm、4nm和3nm工藝技術(shù)中認(rèn)證了新思科技的PrimeLib統(tǒng)一庫(kù)表征和驗(yàn)證解決方案，可滿足高性能計(jì)算、5G、汽車、超連接、以及人工智能芯片等下一代設(shè)計(jì)的高級(jí)計(jì)算需求。此次認(rèn)證還包括
2021-11-09 16:59:261459 技（Synopsys）近日宣布其數(shù)字定制設(shè)計(jì)平臺(tái)已獲臺(tái)積公司N3制程技術(shù)認(rèn)證，雙方將共同優(yōu)化下一代芯片的功耗、性能和面積（PPA）?；诙嗄甑拿芮泻献鳎敬谓?jīng)嚴(yán)格驗(yàn)證的認(rèn)證是基于臺(tái)積公司最新版本的設(shè)計(jì)規(guī)則手冊(cè)（DRM）和制程設(shè)計(jì)套件（PDK）。此外，新思科技
2021-11-16 11:06:321558 Siemens Digital Industries Software 宣布，其用于模擬、數(shù)字和混合信號(hào) IC 設(shè)計(jì)的電源完整性分析的全新 mPower? 解決方案現(xiàn)已通過 TSMC 的 N7 和 N5 工藝技術(shù)認(rèn)證。
2022-03-16 14:36:141489 楷登電子（美國(guó) Cadence 公司，NASDAQ：CDNS）今日宣布，其數(shù)字和定制 / 模擬設(shè)計(jì)流程已獲得 TSMC N3E 和 N4P 工藝認(rèn)證，支持最新的設(shè)計(jì)規(guī)則手冊(cè)（DRM）。
2022-06-17 17:33:054800 新思科技數(shù)字和定制設(shè)計(jì)流程獲得臺(tái)積公司的N3E和N4P工藝認(rèn)證，并已推出面向該工藝的廣泛IP核組合。
2022-07-12 11:10:51877 ，納斯達(dá)克股票代碼：SNPS ）近日宣布，得益于與臺(tái)積公司的長(zhǎng)期合作，新思科技針對(duì)臺(tái)積公司N3E工藝技術(shù)取得了多項(xiàng)關(guān)鍵成就，共同推動(dòng)先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)的持續(xù)創(chuàng)新。新思科技經(jīng)產(chǎn)品驗(yàn)證的數(shù)字和定制設(shè)計(jì)流程已在臺(tái)積公司N3E工藝上獲得認(rèn)證。此外，該流程和新思科技廣泛的
2022-11-08 13:37:191360 Ansys憑借實(shí)現(xiàn)靈活的功耗/性能權(quán)衡，通過臺(tái)積電N3E工藝技術(shù)創(chuàng)新型FINFLEX架構(gòu)認(rèn)證?? 主要亮點(diǎn) Ansys Redhawk-SC與Ansys Totem電源完整性平臺(tái)榮獲臺(tái)積電N3E
2022-11-17 15:31:57697 楷登電子（美國(guó) Cadence 公司，NASDAQ：CDNS）近日宣布，Cadence 數(shù)字和定制/模擬設(shè)計(jì)流程已通過 TSMC N3E 和 N2 先進(jìn)工藝的設(shè)計(jì)規(guī)則手冊(cè)（DRM）認(rèn)證。兩家公司還發(fā)
2023-05-09 10:09:23708 已經(jīng)過 SF2 和 SF3 流程認(rèn)證 ●?Cadence 數(shù)字全流程針對(duì)先進(jìn)節(jié)點(diǎn)實(shí)現(xiàn)了最佳 PPA 結(jié)果 ●Cadence 定制/模擬工具，包括基于 AI 的 Virtuoso Studio，已針對(duì)
2023-07-05 10:12:14381 流程現(xiàn)已通過 Intel 16 FinFET 工藝技術(shù)認(rèn)證，其 Design IP 現(xiàn)可支持 Intel Foundry Services（IFS）的此工藝節(jié)點(diǎn)。 與此同時(shí)，Cadence 和 Intel 共同發(fā)布
2023-07-14 12:50:02382 
Cadence近日宣布，其數(shù)字和定制/模擬流程在Intel的18A工藝技術(shù)上成功通過認(rèn)證。這一里程碑式的成就意味著Cadence的設(shè)計(jì)IP將全面支持Intel的代工廠在這一關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)上的工作，并提
2024-02-27 14:02:18160
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