16日，三星電子宣布在基于EUV的高級節(jié)點(diǎn)方面取得了重大進(jìn)展，包括7nm批量生產(chǎn)和6nm客戶流片，以及成功完成5nm FinFET工藝的開發(fā)。 三星電子宣布其5納米（nm）FinFET工藝技術(shù)的開發(fā)
2019-04-18 15:48:47
6010 作為業(yè)界少數(shù)幾家加入FinFET俱樂部的公司，中芯國際已經(jīng)開始使用其14 nm FinFET制造技術(shù)批量生產(chǎn)芯片。該公司設(shè)法開發(fā)了依賴于此類晶體管的制造工藝。有點(diǎn)遺憾的是，中芯國際的FinFET
2019-11-19 10:40:266858 全球電子設(shè)計創(chuàng)新企業(yè)Cadence設(shè)計系統(tǒng)公司日前宣布其與TSMC在3D IC設(shè)計基礎(chǔ)架構(gòu)開發(fā)方面的合作。
2012-06-11 09:47:431071 新思科技公司（Synopsys）在過去五年多與行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者合作共同開發(fā)了對FinFET技術(shù)的支持，通過提供經(jīng)生產(chǎn)驗證的設(shè)計工具與IP來推進(jìn)對FinFET技術(shù)的采用。
2013-02-19 10:42:54823 16nm/14nm FinFET技術(shù)將是一個Niche技術(shù)，或者成為IC設(shè)計的主流？歷史證明，每當(dāng)創(chuàng)新出現(xiàn)，人們就會勾勒如何加以利用以實現(xiàn)新的、而且往往是意想不到的價值。FinFET技術(shù)將開啟電腦、通信和所有類型消費(fèi)電子產(chǎn)品的大躍進(jìn)時代。
2013-03-28 09:26:472161 Cadence系統(tǒng)芯片開發(fā)工具已經(jīng)通過臺積電（TSMC） 16納米 FinFET制程的設(shè)計參考手冊第0.1版與 SPICE 模型工具認(rèn)證,客戶現(xiàn)在可以享用Cadence益華電腦流程為先進(jìn)制程所提供的速度、功耗與面積優(yōu)勢。
2013-06-06 09:26:451236 在Synopsys 的協(xié)助下，臺灣聯(lián)電（UMC）首款基于14nm制程及FinFET晶體管技術(shù)的測試用芯片日前完成了流片。聯(lián)電公司早前曾宣布明年下半年有意啟動14nm 制程FinFET產(chǎn)品的制造，而這
2013-06-28 09:57:581023 昨日臺積電官方宣布，16nm FinFET Plus（簡稱16FF+）工藝已經(jīng)開始風(fēng)險性試產(chǎn)。16FF+是標(biāo)準(zhǔn)的16nm FinFET的增強(qiáng)版本，同樣有立體晶體管技術(shù)在內(nèi)，號稱可比20nm SoC平面工藝性能提升最多40％，或者同頻功耗降低最多50％。
2014-11-14 09:31:582127 All Programmable 技術(shù)和器件的全球領(lǐng)先企業(yè)賽靈思公司（Xilinx， Inc. （NASDAQ:XLNX））今天宣布其與臺積公司（ TSMC）已經(jīng)就7nm工藝和3D IC技術(shù)開展合作，共同打造其下一代All Programmable FPGA、MPSoC和3D IC。
2015-05-29 09:09:491802 TSMC在FinFET工藝量產(chǎn)上落后于Intel、三星，不過他們在10nm及之后的工藝上很自信，2020年就會量產(chǎn)5nm工藝，還會用上EUV光刻工藝。
2016-07-18 10:47:09989 2016年各大晶圓廠的主流工藝都是14/16nm FinFET工藝，Intel、TSMC及三星明年還要推10nm工藝，由于Intel也要進(jìn)軍10nm代工了，這三家免不了一場大戰(zhàn)。但是另一家代工廠
2016-08-17 16:59:402693 今日，三星電子正式宣布已經(jīng)開始大規(guī)模生產(chǎn)基于10nm FinFET技術(shù)的SoC，這是業(yè)界內(nèi)首家提供10nm工藝代工廠商。新工藝下的SoC性能可以提供27%，功耗將降低40%。
2016-10-17 14:07:01873 全球第一大芯片自動化設(shè)計解決方案提供商及全球第一大芯片接口IP供應(yīng)商、信息安全和軟件質(zhì)量的全球領(lǐng)導(dǎo)者Synopsys（NASDAQ：SNPS）宣布，Synopsys IC Validator工具已獲得GLOBALFOUNDRIES（GF）認(rèn)證，將用于GF 14LPP工藝技術(shù)的物理驗證Signoff。
2018-05-23 17:51:226817 Cadence 112G-ELR SerDes IP 系列產(chǎn)品的新成員。在后摩爾時代的趨勢下，FinFET 晶體管的體積在 TSMC 3nm 工藝下進(jìn)一步縮小，進(jìn)一步采用系統(tǒng)級封裝設(shè)計（SiP）。通過
2023-05-19 16:25:12784 
、90nm、65nm、45nm、32nm、22nm、14nm、10nm...有人說5nm是半導(dǎo)體工藝的極限尺寸，也有人說1nm是半導(dǎo)體工藝的極限尺寸；iPhone6s的 A9處理器更出現(xiàn)了三星14nm
2017-01-06 14:46:20
IC認(rèn)證發(fā)證機(jī)構(gòu)(一) IC：由獲得IC場地注冊代碼的實驗室發(fā)證(二) IC ID： 由FCB / TCB機(jī)構(gòu)審核發(fā)證
2016-12-23 10:35:41
IC認(rèn)證介紹？IC 是加拿大工業(yè)部Industry Canada的簡稱,作為***機(jī)構(gòu)，負(fù)責(zé)電子電器產(chǎn)品進(jìn)入加拿大市場的認(rèn)證事務(wù)。其負(fù)責(zé)產(chǎn)品大致為廣播電視設(shè)備、信息技術(shù)設(shè)備、無線電設(shè)備、電信設(shè)備、工科醫(yī)設(shè)備等。IC認(rèn)證主要有兩種方式：IC 自我宣告; IC ID 認(rèn)證證書
2016-12-23 10:29:49
IC認(rèn)證時間周期及有效期(一)IC：1-2周；(二)IC ID：3-4周. 有效期標(biāo)準(zhǔn)過期更新
2016-12-12 09:30:45
IC設(shè)計：Synopsys2018 版本 EDA 工具免費(fèi)分享1. 下載的文件列表包含一下文件；加群Q：139869702ReadMe：文件就是現(xiàn)在你正在閱讀的文件，主要是詳細(xì)的說明軟件的使用和包含
2020-11-30 18:56:05
Synopsys安裝包及破解LicenseVerdi，DC，VCS，DFT Compiler，ICC，ICC2，PrimeTime，Library Compiler，S FPGA，PrimePower，F(xiàn)ormality，Hspice，SpyGlass....
2020-02-07 23:57:49
各位大神，小弟現(xiàn)在在做運(yùn)用Synopsys 工具的仿真?，F(xiàn)在希望通過仿真模擬獲得網(wǎng)表中所有node的值（包括wire和output）。目前使用的軟件有design compiler， TetraMax 和VCS。 請問有沒有辦法可以實現(xiàn)？謝謝。
2017-09-07 02:48:47
想問一下，TSMC350nm的工藝庫是不是不太適合做LC-VCO啊，庫里就一個電容能選的，也沒有電感可以選。（因為課程提供的工藝庫就只有這個350nm的，想做LC-VCO感覺又不太適合，好像只能做ring-VCO了）請問350nm有RF工藝嘛，或者您有什么其他的工藝推薦？
2021-06-24 08:06:46
TSMC 65nm HSPICE 蒙特卡羅分析，仿真出現(xiàn)錯誤，有人做過嗎 .prot .lib 'D:\crn65lp_v1d5.l' mc.lib 'D:\crn65lp_v1d5.l
2013-06-21 16:10:47
COMP ck=235PACKAGE EFA_Synopsys_2 snpslmd 2009.5 10E0A051DB52390448F9 COMP ck=221PACKAGE
2009-01-21 13:10:00
工藝認(rèn)證的 FinFET 和可識別多重圖形的設(shè)計Signoff 時序、寄生參數(shù)提取和功耗分析消除設(shè)計迭代從綜合到后期布線的高級區(qū)域恢復(fù)算法，以獲得最大利用率
2020-11-14 07:58:53
。該平臺通過使用Design Compiler? Graphical 和Design Compiler? NXT綜合、IC Compiler? II 布局布線和Fusion Compiler
2020-10-22 09:40:08
areas.PREFERRED:MS inEngineering or Science.Knowledge in20nm or FinFET technology, circuit design
2014-06-18 10:43:09
轉(zhuǎn)自http://www.eet-china.com/ART_8800697889_480201_NT_08124b24.HTM臺積電借16nm FinFET Plus及InFO WLP 通吃英特爾
2014-05-07 15:30:16
增加SRAM單元數(shù)量。表1：鰭片的高度、寬度與間距差異：i8 vs. S8另一方面是材料的選擇，從圖4c、4d的EDS圖像顯示，兩種10nm的FinFET成分組成是大同小異的，而且也沒有出現(xiàn)跟以往
2018-06-14 14:25:19
改進(jìn)，使我們的高端StratixIIIFPGA能夠用于高性能計算領(lǐng)域，而低成本CycloneIIIFPGA用于軟件無線電，MaxIIZCPLD則適合便攜式應(yīng)用。 在生產(chǎn)工藝方面，Altera在很大程度
2019-07-16 08:28:35
芯片除了核心數(shù)超過高通之外，在CPU性能、GPU性能、拍照、網(wǎng)絡(luò)等方面皆不如驍龍旗艦，而且制程工藝往往落后一代。因此，Helio X30原本規(guī)劃使用TSMC的16nm FinFET工藝，但同期的競品
2017-02-16 11:58:05
求TSMC90nm的工藝庫，請問可以分享一下嗎？
2021-06-22 06:21:52
求一份tsmc 7nm standard cell library求一份28nm或者40nm 的數(shù)字庫
2021-06-25 06:39:25
求助大神們，需要TSMC90nm RF庫用于學(xué)習(xí)
2021-06-22 06:28:17
反對。TSMC以前曾有些模棱兩可，推進(jìn)了16 nm finFET半節(jié)點(diǎn)計劃。而影響最大的是，NVIDIA CEO Jen-Hsun Huang公開質(zhì)疑整個20 nm節(jié)點(diǎn)的經(jīng)濟(jì)可行性，他認(rèn)為，每個晶體管
2014-09-01 17:26:49
近日，SIA發(fā)了個聳人聽聞的新聞，說intel放棄了10nm工藝的研發(fā)，當(dāng)然這肯定是假消息就是了，今天intel也出面辟謠。不過相信很多人也會覺得奇怪，那邊TSMC 7...
2021-07-26 08:10:47
之前只用過tsmc 65nm的，在設(shè)置電感時候是有indcutor finder的工具的，28nm下沒有了嗎？只能自己掃描參數(shù)一個一個試？28nm下是沒有MIM電容了嗎？相關(guān)的模擬射頻器件（比如
2021-06-24 06:18:43
大家都在談?wù)?b class="flag-6" style="color: red">FinFET——可以說，這是MOSFET自1960年商用化以來晶體管最大的變革。幾乎每個人——除了仍然熱心于全耗盡絕緣體硅薄膜(FDSOI)的人，都認(rèn)為20 nm節(jié)點(diǎn)以后，FinFET將成為SoC的未來。但是對于要使用這些SoC的系統(tǒng)開發(fā)人員而言，其未來會怎樣呢?
2019-09-27 06:59:21
, part of the Synopsys suiteof synthesis tools. FPGA Compiler II / FPGA Express reads an RTLVerilog HDL model of a discrete electro
2009-07-23 09:59:06
21 , part of the Synopsys suiteof synthesis tools. FPGA Compiler II / FPGA Express reads an RTLVerilog HDL model of a discrete electro
2009-07-23 10:01:2979 設(shè)計編譯器(Design Compiler)和設(shè)計分析器(Design Analyzer) Design Compiler(DC) 是Synopsys邏輯綜合工具的命令行接口
2009-11-19 13:32:1657 下一代的實體設(shè)計系統(tǒng)IC Compiler，為Synopsys Galaxy Design Platform 2005的核心，其設(shè)計概念就在解決這些浮現(xiàn)的挑戰(zhàn)，提供從RTL到芯片的一貫解決方案
2011-04-19 11:14:51970 雖然TSMC對于旗下28nm工藝依然保持著較為保守的態(tài)度，但是根據(jù)近期非官方的報道，由于來自官戶的需求不斷提升，TSMC將會對28nm晶元進(jìn)行提價。
2011-09-16 09:30:03955 
敦泰科技與TSMC近日共同宣布，由敦泰科技設(shè)計并委托TSMC生產(chǎn)制造的觸控芯片（Touch-Panel Controller IC）已突破總出貨一千萬顆的里程碑
2011-09-24 01:24:041397 珠海全志科技與TSMC今（26）日共同宣布，成功推出采用TSMC55納米工藝生產(chǎn)的A10系列系統(tǒng)整合芯片（SoC）平臺，藉由搭配珠海全志科技全新的Android 4.0.3 軟件開發(fā)工具包（Software Devel
2012-03-27 08:52:402408 TSMC28nm的產(chǎn)能，目前仍舊無法滿足Qualcomm、AMD以及NVIDIA三家客戶，似乎已經(jīng)是不爭的實施。
2012-05-15 08:37:20652 Mentor Graphics公司日前宣布Calibre LFD（光刻友好設(shè)計）光刻檢查工具已獲得TSMC的20nm IC制造工藝認(rèn)證。 Calibre LFD可對熱點(diǎn)進(jìn)行識別，還可對設(shè)計工藝空間是否充足進(jìn)行檢查。光學(xué)臨近校正法
2012-09-29 10:30:461761 電子發(fā)燒友網(wǎng)核心提示 :Mentor Graphics公司日前宣布Calibre LFD（光刻友好設(shè)計）光刻檢查工具已獲得TSMC的20nm IC制造工藝認(rèn)證。 Calibre LFD可對熱點(diǎn)進(jìn)行識別，還可對設(shè)計工藝空間是否充足進(jìn)
2012-10-08 16:00:14915 FinFET制程的設(shè)計規(guī)則手冊（DRM）第0.5版的認(rèn)證，同時從即刻起可以提供一套TSMC 16-nm可互通制程設(shè)計套件（iPDK）。憑借其對iPDK標(biāo)準(zhǔn)強(qiáng)大的支持，Synopsys的Laker定制解決方案為用戶提供了從180-nm到16-nm的多種TSMC工藝技術(shù)的全面對接。
2013-09-23 14:45:301050 2013年12月3號，北京——Altera公司（Nasdaq： ALTR）今天發(fā)布了Arria 10版Quartus II軟件，這是業(yè)界第一款支持20 nm FPGA和SoC的開發(fā)工具?；?b class="flag-6" style="color: red">TSMC
2013-12-03 10:48:471607 美國加利福尼亞州山景城，2015年3月-- 新思科技公司（Synopsys， Inc.，納斯達(dá)克股票市場代碼：SNPS）日前宣布：其 Galaxy? Design Platform 設(shè)計平臺支撐
2015-04-01 16:42:271007 俄勒岡州威爾遜維爾，2015 年 4 月 6 日—Mentor Graphics公司（納斯達(dá)克代碼：MENT ）今天宣布，TSMC和Mentor Graphics已經(jīng)達(dá)到在10nm EDA認(rèn)證合作的第一個里程碑
2015-04-20 14:18:061658 Mentor Graphics公司（納斯達(dá)克代碼：MENT）今天宣布，Calibre? nmPlatform 已通過TSMC 10nm FinFET V0.9 工藝認(rèn)證。此外，Mentor
2015-09-21 15:37:101300 2016年3月22日，中國上?！请娮樱绹?Cadence 公司，NASDAQ： CDNS）今日宣布，用于10納米 FinFET工藝的數(shù)字、定制／模擬和簽核工具通過臺積電（TSMC）V1.0設(shè)計參考手冊（DRM）及SPICE認(rèn)證。
2016-03-22 13:54:541026 Mentor Graphics公司（納斯達(dá)克代碼：MENT）今天宣布，借由完成 TSMC 10 納米 FinFET V1.0 認(rèn)證，進(jìn)一步增強(qiáng)和優(yōu)化Calibre? 平臺和 Analog
2016-03-24 11:13:19816 Custom Compiler?將定制設(shè)計任務(wù)時間由數(shù)天縮短至數(shù)小時，消弭了FinFET的生產(chǎn)力差距。
2016-04-13 15:23:312571 2016年半導(dǎo)體的主流工藝是14/16nm FinFET工藝，主要有Intel、TSMC及三星/GlobalFoundries（格羅方德）三大陣營，下一個節(jié)點(diǎn)是10nm，三方都會在明年量產(chǎn)，不過
2016-05-30 11:53:53858 導(dǎo)語：聯(lián)發(fā)科和華為均已確定下一代處理器將采用10nm工藝制程，高通也緊追其后遞交10nm芯片樣品給客戶，據(jù)悉，高通10nm訂單均交給三星代工生產(chǎn)。
2016-07-28 19:00:27680 2015年以來，英特爾（Intel）、三星、臺積電（TSMC）紛紛發(fā)力16/14nm FinFET工藝，而當(dāng)下芯片廠商正爭相蓄力2017款10nm半導(dǎo)體制造工藝。隨著高通CEO爆料，高通2017
2016-08-19 14:34:10809 有分析師透露消息指蘋果的A11處理器基本確定會采用臺積電的10nm工藝生產(chǎn)，這意味著臺積電的7nm工藝不會早于明年三季度，必然導(dǎo)致10nm工藝產(chǎn)能非常緊張。這對于寄望多款產(chǎn)品采用臺積電的10nm工藝來增強(qiáng)芯片競爭力的聯(lián)發(fā)科來說顯然是一個非常不好的消息。
2016-12-19 11:10:02498 有分析師透露消息指蘋果的A11處理器基本確定會采用臺積電的10nm工藝生產(chǎn)，這意味著臺積電的7nm工藝不會早于明年三季度，必然導(dǎo)致10nm工藝產(chǎn)能非常緊張。這對于寄望多款產(chǎn)品采用臺積電的10nm工藝來增強(qiáng)芯片競爭力的聯(lián)發(fā)科來說顯然是一個非常不好的消息。
2016-12-20 02:31:11600 消息稱，預(yù)計10納米工藝的低良率將導(dǎo)致明年的A10X芯片的iPad平板電腦可能推遲生產(chǎn)。臺積電的10nm芯片主要是由蘋果，海思，聯(lián)發(fā)科操刀，雖然有部分是代工。買方要求2017年第一季度就批量生產(chǎn)，但臺積電10納米芯片工藝技術(shù)的良率并不是代工生產(chǎn)公司希望看到的，消息人士說
2016-12-24 09:39:46640 TSMC、三星不僅要爭搶10nm工藝，再下一代的7nm工藝更為重要，因為10nm節(jié)點(diǎn)被認(rèn)為是低功耗型過渡工藝，7nm才是真正的高性能工藝，意義更重大。現(xiàn)在ARM宣布已將Artisan物理IP內(nèi)核授權(quán)給賽靈思（Xilinx）公司，制造工藝則是TSMC公司的7nm。
2017-01-13 12:57:111581 
企業(yè)賽靈思公司（Xilinx, Inc. (NASDAQ:XLNX)）今天宣布其與臺積公司（ TSMC）已經(jīng)就7nm工藝和3D IC技術(shù)開展合作，共同打造其下一代All Programmable
2017-02-09 03:48:04198 2015年，基于FinFET 工藝的IC產(chǎn)品將大量面市，除了英特爾的X86處理器和一些ASIC處理器外，F(xiàn)PGA也正式步入FinFET 3D晶體管時代，2月23日，羊年大年初五，賽靈思率先發(fā)布基于16nm FinFET 3D晶體管的FPGA新品，再次創(chuàng)下業(yè)界第一，開啟了FinFET FPGA的新時代。
2019-10-06 11:57:003095 Technology （12FFC） 和最新版本 7nm FinFET Plus 工藝的認(rèn)證。Nitro-SoCTM 布局和布線系統(tǒng)也通過了認(rèn)證，可以支持 TSMC 的 12FFC 工藝技術(shù)。
2017-10-11 11:13:422372 功耗低，面積小的優(yōu)點(diǎn)，臺灣積體電路制造股份有限公司（TSMC）等主要半導(dǎo)體代工已經(jīng)開始計劃推出自己的FinFET晶體管［4］，為未來的移動處理器等提供更快，更省電的處理器。從2012年起，FinFET已經(jīng)開始向20納米節(jié)點(diǎn)和14納米節(jié)點(diǎn)推進(jìn)。
2018-07-18 13:49:00119524 
臺積電南京工廠將會在明年5月提前量產(chǎn)30mm晶圓，據(jù)悉，臺積電會引進(jìn)16nm FinFET制造工藝，僅次于10nm FinFET，并在南京設(shè)立一個設(shè)計服務(wù)中心來吸引客戶訂單。
2017-12-10 09:30:46910 TSMC最新版5nm FinFET 和 7nm FinFET Plus 工藝的認(rèn)證。Mentor 同時宣布，已更新了 Calibre nmPlatform 工具，可支持TSMC的晶圓堆疊封裝 (WoW)技術(shù)
2018-05-17 15:19:003391 7-nm FinFET Plus工藝的極紫外光刻技術(shù)，IC Compiler II 進(jìn)行了專門的優(yōu)化，進(jìn)一步節(jié)省芯片面積。 采用TSMC的Wafer-on-Wafer（WoW）技術(shù)，平臺內(nèi)全面支持
2018-05-17 06:59:004461 Synopsys Synopsys近日宣布， Synopsys 設(shè)計平臺獲得TSMC最新版且最先進(jìn)的5nm工藝技術(shù)認(rèn)證，可用于客戶先期設(shè)計。通過與TSMC的早期密切協(xié)作，IC CompilerII
2018-06-01 09:35:003784 Synopsys宣布，Synopsys Design Platform已通過全球領(lǐng)先半導(dǎo)體技術(shù)企業(yè)三星電子的工藝認(rèn)證，支持三星代工部門的8nm LPP（低功耗+）工藝。Synopsys Design
2018-06-06 11:00:001441 采用新思科技Sentaurus、Process Explorer、StarRC、SiliconSmart、PrimeTime和IC Compiler II，DTCO方法學(xué)降低了先進(jìn)半導(dǎo)體工藝開發(fā)的成本，并加快了上市速度。
2018-09-21 11:53:527913 基于7nm工藝技術(shù)的控制器和PHY IP具有豐富的產(chǎn)品組合，包括LPDDR4X、MIPI CSI-2、D-PHY、PCI Express 4.0以及安全I(xiàn)P。
IP解決方案支持TSMC 7nm工藝技術(shù)所需的先進(jìn)汽車設(shè)計規(guī)則，滿足可靠性和15年汽車運(yùn)行要求。
2018-10-18 14:57:216541 IC Compiler II和Design Compiler Graphical提供了統(tǒng)一流程，實現(xiàn)最低功耗、最佳性能和最優(yōu)面積。
StarRC、PrimeTime和PrimeTime PX支持全流程設(shè)計實現(xiàn)并提供時序和功耗分析的signoff支持。
2018-10-23 14:29:145460 新思科技（Synopsys）推出支持TSMC 7nm FinFET工藝技術(shù)的汽車級DesignWare Controller和PHY IP。DesignWare LPDDR4x、MIPI CSI-2
2018-11-13 16:20:231517 關(guān)鍵詞：5nm , Compiler , PrimeTime 新思科技（Synopsys）宣布其數(shù)字和定制設(shè)計平臺通過了TSMC最先進(jìn)的5nm EUV工藝技術(shù)認(rèn)證。該認(rèn)證是多年廣泛合作的結(jié)果，旨在
2018-10-27 22:16:01255 關(guān)鍵詞： Design Compiler , Synthesis Design Compiler NXT將運(yùn)行時間縮短2倍，QoR提高5％，并支持5nm及更先進(jìn)的工藝節(jié)點(diǎn) 新思科技（Synopsys
2018-11-14 17:50:01220 新思科技近日宣布采用先進(jìn)Fusion技術(shù)的創(chuàng)新型IC Compiler? II布局布線解決方案已在瞻博網(wǎng)絡(luò)(Juniper Networks)部署，為瞻博網(wǎng)絡(luò)實現(xiàn)了更好的功耗和面積結(jié)果。此外，在IC Compiler II布局布線解決方案內(nèi)執(zhí)行時，工程變更指令(ECO)周轉(zhuǎn)時間可縮短40%以上。
2019-06-14 08:42:213057 最新版IC Compiler II通過新一代分布式并行、智能場景管理、高效基礎(chǔ)設(shè)施擴(kuò)展和固有核心引擎算法，提供快2倍的吞吐量
2019-08-13 16:23:532424 本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是ASIC邏輯綜合及Synopsys Design Compiler 的使用資料說明包括了：1、邏輯綜合基本概念 a） Synopsys綜合工具及相關(guān)工具 b） 邏輯綜合
2019-10-23 08:00:005 據(jù)介紹，14nm FinFET工藝使得界面態(tài)密度（Nit）提升40%以上，閃爍噪聲提高64%，數(shù)字邏輯功能芯片功耗降低34%。憑借14nm FinFET先進(jìn)工藝優(yōu)勢，144MP功耗有望降低42%。
2020-01-25 15:40:001317 
（功耗、性能和面積）優(yōu)勢，同時加快產(chǎn)品上市時間 ● 新思科技進(jìn)一步強(qiáng)化關(guān)鍵產(chǎn)品，以支持TSMC N3制造的進(jìn)階要求 新思科技（Synopsys）近日宣布，其數(shù)字和定制設(shè)計平臺已獲得TSMC 3nm制造技術(shù)驗證。此次驗證基于TSMC的最新設(shè)計參考手冊（DRM）和工藝設(shè)計工具包（
2020-10-14 10:47:571764 重點(diǎn) ● TSMC認(rèn)證基于新思科技3DIC Compiler統(tǒng)一平臺的CoWoS和InFO設(shè)計流程 ● 3DIC Compiler可提高先進(jìn)封裝設(shè)計生產(chǎn)率 ● 集成Ansys芯片封裝協(xié)同分析解決方案
2020-10-14 11:11:212099 重點(diǎn) ● 雙方在技術(shù)賦能方面的緊密合作使GLOBALFOUNDRIES 12LP、12LP+ （12nm FinFET） 以及22FDX （22nm FD-SOI） 平臺釋放最佳PPA潛能
2020-10-23 16:17:092050 的，目的在于加速為GAA 構(gòu)的生產(chǎn)流程提供高度優(yōu)化的參考方法。而因為三星的3 nm制程采用不同于臺積電或英特爾所采用的 FinFET 的架構(gòu)，而是采用 GAA 的結(jié)構(gòu)。在此情況下，三星需要
2021-07-01 15:27:444315 最小 Lg 是溝道柵極控制的函數(shù)，例如從具有不受約束的溝道厚度的單柵極平面器件轉(zhuǎn)移到具有 3 個柵極圍繞薄溝道的 FinFET，從而實現(xiàn)更短的 Lg。FinFET 的柵極控制在鰭底部最弱，優(yōu)化至關(guān)重要。
2023-01-04 15:54:511488 IP_數(shù)據(jù)表(I-10):USB2.0 Transceiver for TSMC 28nm HPC+
2023-03-16 19:34:540 推出一項將加速計算引入計算光刻技術(shù)領(lǐng)域的突破性成果。 在當(dāng)前生產(chǎn)工藝接近物理極限的情況下，這項突破使 ASML、TSMC 和 Synopsys 等半導(dǎo)體行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者能夠加快新一代芯片的設(shè)計和制造。 全球
2023-03-23 06:45:02310 IP_數(shù)據(jù)表(I-10):USB2.0 Transceiver for TSMC 28nm HPC+
2023-07-06 20:21:030 Compiler是統(tǒng)一的多裸晶芯片封裝探索、協(xié)同設(shè)計和分析的平臺，已經(jīng)獲得三星多裸晶芯集成工藝流程的認(rèn)證。 全面和可擴(kuò)展的新思科技多裸晶芯片系統(tǒng)能夠?qū)崿F(xiàn)從早期設(shè)計探索到芯片生命周期管理全流程的快速異構(gòu)集成。 新思科技（Synopsys）近日宣布，與三星晶圓廠（以下簡稱為“三星”）深化合作，助
2023-09-14 09:38:28839 臺積電推出了世界上第一個3nm智能手機(jī)芯片apple a17 pro，該芯片也用于新款iphone 15 pro。據(jù)悉，tsmc到2023年為止，將只批量生產(chǎn)蘋果的3nm工藝。
2023-09-25 14:25:28616 NVIDIA 于今日宣布，為加快下一代先進(jìn)半導(dǎo)體芯片的制造速度并克服物理限制，TSMC 和 Synopsys 將在生產(chǎn)中使用 NVIDIA 計算光刻平臺。
2024-03-20 09:52:00100
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