最適于延長(zhǎng)家用醫(yī)療保健器材等的使用壽命，新日本無(wú)線株式會(huì)社現(xiàn)已開發(fā)了具有超低功耗的單電路CMOS運(yùn)放系列NJU77000/001*1及NJU77000A/001A＊2 共4款產(chǎn)品
2012-12-04 10:48:45
1123 電阻式RAM（（隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）的低功耗和小單元面積的特點(diǎn)使其成為非易失性存儲(chǔ)器中的佼佼者。
2015-04-22 09:50:246202 
近年來(lái)，隨著芯片工藝制造的進(jìn)步，工藝制程逐漸接近物理極限，深度神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的發(fā)展使得計(jì)算量和參數(shù)量呈指數(shù)上升。具有高密度，非易失，易加工等優(yōu)點(diǎn)的阻變存儲(chǔ)器(RRAM)，被認(rèn)為是最具代表性的新型存儲(chǔ)器之一，是低功耗，低成本、高算力兼?zhèn)涞睦硐脒x擇。
2022-10-14 11:41:08786 擦除或者重新改寫數(shù)據(jù)，所以就方便許多，而且壽命也很長(zhǎng)（幾萬(wàn)到幾十萬(wàn)次不等）。
FLASH，稱之為閃速存儲(chǔ)器，屬于EEPROM的改進(jìn)產(chǎn)品，它的最大特點(diǎn)是必須按塊(Block)擦除(每個(gè)區(qū)塊的大小不定
2010-11-04 18:15:42
擦除或者重新改寫數(shù)據(jù)，所以就方便許多，而且壽命也很長(zhǎng)（幾萬(wàn)到幾十萬(wàn)次不等）。
FLASH，稱之為閃速存儲(chǔ)器，屬于EEPROM的改進(jìn)產(chǎn)品，它的最大特點(diǎn)是必須按塊(Block)擦除(每個(gè)區(qū)塊的大小不定
2010-11-01 13:14:23
概述：ST24C16是意法半導(dǎo)體公司（STMicroelectronics）出品的一款支持I2C總線協(xié)議的16kbit EEPROM存儲(chǔ)器，其具備100萬(wàn)次可擦寫、保存40年數(shù)據(jù)不丟失等特性，...
2021-04-08 07:55:26
新型低功耗無(wú)線標(biāo)準(zhǔn)ZigBee技術(shù)解析，不看肯定后悔
2021-06-04 06:28:11
吸波材料已不能滿足民用、尤其是軍事應(yīng)用需求。因此，研制更薄、更輕、頻帶更寬的新型吸波材料已成為當(dāng)前的緊迫課題。超材料（Metamaterial，MTM）是近年來(lái)電磁領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)之一，其特點(diǎn)是具有亞
2019-05-28 07:01:30
存儲(chǔ)器和 TPS65218 電源管理 IC 組成，并已針對(duì)新型低功耗模式進(jìn)行優(yōu)化，同時(shí)支持傳統(tǒng)低功耗模式。通過(guò)關(guān)閉除 RTC 電源外的所有處理器電源，可最大限度降低處理器電源。包括電源控制在內(nèi)的系統(tǒng)
2015-03-31 09:44:00
描述PMP20026 參考設(shè)計(jì)可為 DDR4 存儲(chǔ)器提供高效的低功耗解決方案。電源由 12V 的源供電，并將輸出調(diào)節(jié)為 1.2V（電流高達(dá) 6A）。TPS53515 以單相降壓模式運(yùn)行（頻率為
2018-08-31 09:18:47
自動(dòng)流程跑一次需要寫一次FLASH操作，那么FLASH很快就會(huì)掛掉。原因很簡(jiǎn)單，因?yàn)镕LASH的一般壽命都在10萬(wàn)次左右，好點(diǎn)的也就100萬(wàn)次，按照客戶要求去計(jì)算的話，一年最大可能要寫FLASH將近
2020-05-04 05:55:58
存儲(chǔ)空間是如何進(jìn)行配置的？存儲(chǔ)器的特點(diǎn)是什么？FLASH和OTP存儲(chǔ)器的功耗模式有哪幾種狀態(tài)？
2021-10-21 08:28:25
便攜式存儲(chǔ)的現(xiàn)狀是怎樣的FPGA能否滿足便攜式存儲(chǔ)應(yīng)用的低功耗要求？
2021-04-29 06:47:36
嵌入式系統(tǒng)的海量存儲(chǔ)器多采用Flash存儲(chǔ)器實(shí)現(xiàn)擴(kuò)展，由于Flash存儲(chǔ)器具有有限寫入次數(shù)的壽命限制，因此對(duì)于Flash存儲(chǔ)器局部的頻繁操作會(huì)縮短Flash存儲(chǔ)器的使用壽命。如何設(shè)計(jì)出一個(gè)合理
2019-08-16 07:06:12
M451中，F(xiàn)MC控制flash讀寫，數(shù)據(jù)可否做到寫100萬(wàn)次？要用什么機(jī)制？有沒(méi)有例程？
2023-06-25 08:02:41
STT-MRAM萬(wàn)能存儲(chǔ)器芯片
2021-01-06 06:31:10
描述PMP20026 參考設(shè)計(jì)可為 DDR4 存儲(chǔ)器提供高效的低功耗解決方案。電源由 12V 的源供電，并將輸出調(diào)節(jié)為 1.2V（電流高達(dá) 6A）。TPS53515 以單相降壓模式運(yùn)行（頻率為
2022-09-15 07:36:02
5V輸出，并且空載功耗僅有0.002mA（2μA）。這也就是說(shuō)，在不考慮電池自放電的情況下，一節(jié)300mAh容量電芯理論上可滿足長(zhǎng)達(dá)15年的待機(jī) ，這讓藍(lán)牙充電盒的待機(jī)時(shí)間和電池循環(huán)壽命大幅提升。耐壓
2022-03-01 11:38:36
今年7月，東南大學(xué)有序物質(zhì)科學(xué)研究中心研究團(tuán)隊(duì)發(fā)現(xiàn)了一類新型分子壓電材料，首次在壓電性能上達(dá)到了傳統(tǒng)無(wú)機(jī)壓電材料的水平，這一材料將有望使電子產(chǎn)品體積進(jìn)一步縮小、彎折衣服就可對(duì)手機(jī)充電等應(yīng)用成為可能。那么，壓電材料是什么？新型分子壓電材料是什么樣子的？它具有哪些優(yōu)勢(shì)？
2020-08-19 07:58:38
ROMEPROMEEPROMFLASH數(shù)據(jù)保存方法施加電壓施加電壓+更新不需要讀取次數(shù)∞∞100億～1兆次∞∞∞∞可改寫次數(shù)∞∞0次100次10萬(wàn)～100萬(wàn)次1萬(wàn)～10萬(wàn)次在電路板上的寫入可以可以可以××可以可以讀取時(shí)間
2019-04-21 22:57:08
發(fā)信號(hào)使火爐、風(fēng)扇或空調(diào)裝置開啟。然而，99%以上的時(shí)間僅需要休眠模式。由于大量時(shí)間處于休眠模式，因此改善休眠電流就能大幅增加系統(tǒng)的電池使用壽命。新型低功耗模式為了使MCU具有亞?A級(jí)的功耗模式，許多
2012-08-27 15:41:15
） 功耗小，但是成本高，壽命到期后讀不出來(lái)信息，并且難以修復(fù)。 7、光盤存儲(chǔ)器 價(jià)格低，容量大，耐用，可用于長(zhǎng)期保存數(shù)據(jù)。但是讀出和傳輸速度比硬盤慢得多。光盤存儲(chǔ)器三大類型：CD光盤存儲(chǔ)器，DVD 光盤存儲(chǔ)器，BD光盤存儲(chǔ)器。
2019-06-05 23:54:02
某些新型低功耗模式在各種應(yīng)用中的使用來(lái)對(duì)其進(jìn)行探究。我們將使用電池壽命估算器（BLE）軟件工具和16位MCU對(duì)不同應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)的各種功耗模式進(jìn)行比較。Microchip的BLE是免費(fèi)的軟件工具，允許
2014-09-02 15:51:28
用電就能擦除或者重新改寫數(shù)據(jù)，所以就方便許多，而且壽命也很長(zhǎng)（幾萬(wàn)到幾十萬(wàn)次不等）。FLASH，稱之為閃速存儲(chǔ)器，屬于EEPROM的改進(jìn)產(chǎn)品，它的最大特點(diǎn)是必須按塊(Block)擦除(每個(gè)區(qū)塊的大小不定
2021-11-24 09:13:46
據(jù)新華社7月2日?qǐng)?bào)道，相變存儲(chǔ)器，具有功耗低、寫入速度快、斷電后保存數(shù)據(jù)不丟失等優(yōu)點(diǎn)，被業(yè)界稱為下一代存儲(chǔ)技術(shù)的最佳解決方案之一。記者近日從中科院上海微系統(tǒng)所獲悉，由該所研發(fā)的國(guó)際領(lǐng)先的嵌入式相變存儲(chǔ)器現(xiàn)已成功應(yīng)用在打印機(jī)領(lǐng)域，并實(shí)現(xiàn)千萬(wàn)量級(jí)市場(chǎng)化銷售，未來(lái)中國(guó)在該領(lǐng)域有望實(shí)現(xiàn)“彎道超車”。
2019-07-16 06:44:43
用變址尋址原理突破EEPROM存儲(chǔ)器的擦寫壽命極限
2021-03-18 06:00:25
超低功耗內(nèi)存專家sureCore正在招聘在內(nèi)存設(shè)計(jì)方面擁有10年或以上經(jīng)驗(yàn)的工程師。其嵌入式 SRAM IP 面向服務(wù)于可穿戴和物聯(lián)網(wǎng) (IoT) 應(yīng)用且對(duì)功耗、散熱和電池壽命敏感的片上系統(tǒng)
2021-12-14 07:54:06
，即便在斷電后也能保留數(shù)據(jù)。 盡管從名稱上說(shuō)，F(xiàn)RAM 是鐵電存儲(chǔ)器，但它不受磁場(chǎng)的影響，因?yàn)樾酒胁缓F基材料（鐵）。 鐵電材料可在電場(chǎng)中切換極性，但是它們不受磁場(chǎng)的影響。 2. FRAM
2018-08-20 09:11:18
的安全性，又可保證非安全區(qū)存儲(chǔ)器的實(shí)際擦寫次數(shù)大于１００億次，從而延長(zhǎng)鐵電存儲(chǔ)器的實(shí)際使用壽命。鐵電存儲(chǔ)器的特殊性在于每一次的讀操作都會(huì)破壞原有的數(shù)據(jù)，因此必須在完成讀操作后再執(zhí)行一個(gè)回寫過(guò)程，這樣，每
2019-04-28 09:57:17
可選，并能夠以低電流進(jìn)行備用電池供電。此外，產(chǎn)品還應(yīng)盡可能地提高響應(yīng)速度，并具備更多的內(nèi)部資源。 近日，微芯(Microchip)公司推出的具有多種靈活低功耗休眠模式且工作電流超低的PIC24F
2019-07-10 08:10:06
隨著移動(dòng)電話向著具有豐富媒體功能的無(wú)線平臺(tái)發(fā)展，對(duì)功率預(yù)算的控制是開發(fā)的重點(diǎn)。降低存儲(chǔ)器的功耗可以顯著延長(zhǎng)移動(dòng)電話的電池壽命。為了降低存儲(chǔ)器的功耗，業(yè)界使用了兩種不同的基于DRAM的存儲(chǔ)器架構(gòu)：本地
2009-10-08 15:53:49
Actel公司的ILGOO系列器件是低功耗FPGA產(chǎn)品，是在便攜式產(chǎn)品設(shè)計(jì)中替代ASIC和CPLD的最佳方案。它在Flash*Freeze模式時(shí)的靜態(tài)功耗最低可達(dá)到2μW，電池壽命是采用主流PLD
2019-07-31 07:05:45
均值和報(bào)警次數(shù)。5. 使用For 循環(huán)、Case 結(jié)構(gòu)及順序結(jié)構(gòu)構(gòu)建VI。要求分別使用公式節(jié)點(diǎn)和LabVIEW 算術(shù)函 數(shù)實(shí)現(xiàn)開普勒方程 y=x-esin x , 0≤e≤1，使用利用順序結(jié)構(gòu)和定時(shí)選板下的時(shí)間計(jì)數(shù) 器.vi 比較兩種實(shí)現(xiàn)方法計(jì)算200 萬(wàn)次開普勒方程所用時(shí)間。
2014-04-02 11:14:33
內(nèi)存地址空間是否一定大于所有物理存儲(chǔ)器的容量？
2023-10-17 07:14:45
電動(dòng)扳手用超級(jí)電容_法拉超級(jí)電容壽命：常溫循環(huán)壽命：25℃，VR到1/2VR之間循環(huán)100萬(wàn)次，容量衰減≤30% 內(nèi)阻變化≤3倍 高溫耐久壽命：70℃，保持VR，1000小時(shí)，容量衰減≤30%，內(nèi)阻
2021-09-10 10:39:34
。 隨著PCM存儲(chǔ)單元壓縮，發(fā)生狀態(tài)改變的GST材料體積縮小，所以可使功耗變小或更高的寫入性能。PCM技術(shù)的這種獨(dú)一無(wú)二的特性使得其縮放能力超越其它存儲(chǔ)器技術(shù)。PCM在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用嵌入式系統(tǒng)中
2018-05-17 09:45:35
存儲(chǔ)測(cè)試器有什么工作原理？存儲(chǔ)測(cè)試器低功耗的實(shí)現(xiàn)方法有哪些？存儲(chǔ)測(cè)試器技術(shù)指標(biāo)有哪些？請(qǐng)問(wèn)怎樣去設(shè)計(jì)低功耗存儲(chǔ)測(cè)試器？
2021-04-13 07:02:43
便攜式和無(wú)線傳感應(yīng)用的電池壽命。FRAM是一種新型非易失性存儲(chǔ)器，集SRAM的速度、靈活性與耐用度和閃存的穩(wěn)定性和可靠性于一身，但總功耗更低。M24C16-WMN6TP FRAM MCU是世界上首款具...
2021-11-03 07:28:04
器件始終處于通電狀態(tài)，從而實(shí)現(xiàn)連續(xù)監(jiān)控和快速響應(yīng)低功耗 Bluetooth? (BLE) 無(wú)線連接降低了安裝成本，并可實(shí)現(xiàn)多個(gè)傳感器與單個(gè)主機(jī)的通信自檢和剩余壽命監(jiān)控能夠識(shí)別發(fā)生故障的氣體傳感器，并且每五分鐘報(bào)告一次狀態(tài)（可配置）一氧化碳?xì)怏w檢測(cè)范圍為 0 至 1000ppm，精度為 ±15%
2022-09-21 06:20:37
。電解液的類型根據(jù)電極材料的性質(zhì)進(jìn)行選擇。 超級(jí)電容產(chǎn)品具有如下技術(shù)特性 ?。?）充電速度快。充滿其額定容量的95%以上僅需10秒～10分鐘; ?。?）循環(huán)壽命長(zhǎng)。深度充放電循環(huán)可達(dá)1～50萬(wàn)次，例如
2020-12-17 16:42:12
壽命均在50萬(wàn)次以上；（3）能量轉(zhuǎn)換效率高。大電流能量循環(huán)效率》90%；（4）功率密度高。可達(dá)300W/kg—50000W/kg，為蓄電池的5～10倍；（5）原材料生產(chǎn)、使用、存儲(chǔ)及拆解過(guò)程均無(wú)
2020-12-24 17:40:21
KB 的非易失性 FRAM 存儲(chǔ)器。主要特色? CR-2032 紐扣電池的電池壽命大于 5 年? CR-2032 紐扣電池的電池壽命大于 5 年? 符合 RF430 NFC 動(dòng)態(tài)標(biāo)簽類型 4B
2018-09-10 09:20:29
10 萬(wàn)次，EMMC 的塊擦寫最高也會(huì)有 1 萬(wàn)次；同理，EEPROM、SD 卡、CF 卡、U 盤、Flash 硬盤等存儲(chǔ)介質(zhì)在都存在寫壽命的問(wèn)題。在文件系統(tǒng)向?qū)憯?shù)據(jù)的底層存儲(chǔ)器塊寫數(shù)據(jù)時(shí)，常規(guī)會(huì)
2020-09-16 10:58:10
存儲(chǔ)器和 TPS65218 電源管理 IC 組成，并已針對(duì)新型低功耗模式進(jìn)行優(yōu)化，同時(shí)支持傳統(tǒng)低功耗模式。通過(guò)關(guān)閉除 RTC 電源外的所有處理器電源，可最大限度降低處理器電源。包括電源控制在內(nèi)的系統(tǒng)
2018-12-13 14:10:54
存儲(chǔ)器的寫入次數(shù)可達(dá)一億億次，這幾乎可以認(rèn)為是無(wú)限次； iii. 超低功耗。FRAM的靜態(tài)工作電流小于10μA，讀寫電流小于150μA。2.1.2FM25640與MCU的連接圖 上圖是一款適用于電表
2014-04-25 11:05:59
，無(wú)等待時(shí)間寫入循環(huán)時(shí)間 =讀取循環(huán)時(shí)間寫入時(shí)間： E2PROM的1/30,000具有更高的讀寫耐久性確保最大1012次循環(huán)（100萬(wàn)億循環(huán)）/位的耐久力耐久性：超過(guò)100萬(wàn)次的 E2PROM具有更低
2014-06-19 15:49:33
循環(huán)至壽命終止時(shí)的循環(huán)次數(shù)， 后者是指電池在某個(gè)狀態(tài)下存儲(chǔ)至壽命終止時(shí)所需的時(shí)間。鋰電池在充放電過(guò)程中會(huì)發(fā)生很多復(fù)雜的物理及化學(xué)反應(yīng)， 因此影響鋰電池循環(huán)壽命的因素有很多。另一方面，循環(huán)壽命測(cè)試往往
2021-04-22 10:42:43
的連接方式與NOR閃速存儲(chǔ)器相同，寫入邏輯為反相（NOR寫人時(shí)V th 變高，而AND式則降低），命名為AND式?，F(xiàn)在的NOR閃速存儲(chǔ)器也致力于改良，目的在于將寫人操作也采用隧道方式以降低功耗，或者通過(guò)
2018-04-09 09:29:07
方塊卷繞超級(jí)電容產(chǎn)品壽命：常溫循環(huán)壽命：25℃，VR到1/2VR之間循環(huán)100萬(wàn)次，容量衰減≤30% 內(nèi)阻變化≤3倍 高溫耐久壽命：70℃，保持VR，1000小時(shí)，容量衰減≤30%，內(nèi)阻變化≤3倍 超級(jí)
2021-09-03 11:15:15
變壓器材料介紹一.線架(BOBBIN)（一）作用：顧名思義，BOBBIN(線架)在變壓器中起支撐COIL(線圈)的作用.（二）BOBBIN 的分類：1.依據(jù)變壓器的性
2008-10-22 22:48:18
10 鐵電存儲(chǔ)器FRAM 是具有低功耗、高寫入速度、高耐久力的新型非易失性存儲(chǔ)器，應(yīng)用范圍廣泛。本文介紹FRAM 及其應(yīng)用， 并給出FRAM 與MCS-51 單片機(jī)的接口電路和軟件設(shè)計(jì)。
2009-05-13 16:25:4525 變壓器材料原理簡(jiǎn)介
2009-11-16 17:17:4922 Ramtron的MaxArias?系列無(wú)線存儲(chǔ)器將非易失性F-RAM存儲(chǔ)器技術(shù)的低功耗、高速度和高耐久性等特性與行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)無(wú)線存取功能相結(jié)合，實(shí)現(xiàn)了創(chuàng)新的移動(dòng)數(shù)據(jù)采集功能，MaxArias無(wú)線存儲(chǔ)器是
2010-08-06 11:55:4418 摘要：磁電存儲(chǔ)器不僅存取速度快、功耗小，而且集動(dòng)態(tài)RAM、磁盤存儲(chǔ)和高速緩沖存儲(chǔ)器功能于一身，因而已成為動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器研究領(lǐng)域的一個(gè)熱點(diǎn)。文章總結(jié)了磁電
2006-03-24 13:01:371460 
摘 要： 本文簡(jiǎn)單介紹了鐵電存儲(chǔ)器、磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器和相變存儲(chǔ)器這三種比較有發(fā)展?jié)摿?b class="flag-6" style="color: red">存儲(chǔ)器的原理、研究進(jìn)展及存在的問(wèn)題等。引言 更高密度、更大帶寬、更
2006-03-24 13:32:182412 
DS3655 超低功耗篡改檢測(cè)電路，帶有無(wú)痕跡存儲(chǔ)器
DS3655是一款防篡改存儲(chǔ)器，特別用于需要數(shù)據(jù)保護(hù)和要求高安全性的設(shè)備。器件包括64字節(jié)專有的無(wú)痕跡
2009-03-02 14:54:19526 Vishay推出具有兩百萬(wàn)次循環(huán)壽命的高可靠性面板電位計(jì)P30L
Vishay推出升級(jí)版本的P30L緊湊型面板電位計(jì)，將其循環(huán)壽命比原來(lái)增加了一倍，達(dá)到額定功率下使用2百萬(wàn)次，而升
2009-11-04 15:24:25440 相變存儲(chǔ)器：能實(shí)現(xiàn)全新存儲(chǔ)器使用模型的新型存儲(chǔ)器
從下面的幾個(gè)重要特性看，相變存儲(chǔ)器（PCM）技術(shù)均符合當(dāng)前電子系統(tǒng)對(duì)存儲(chǔ)器子系統(tǒng)的需求：
容量
2009-12-31 10:09:301115 Ramtron MaxArias無(wú)線存儲(chǔ)器將非易性F-RAM的低功耗、高速度和高性能的特性與無(wú)線接入技術(shù)相融合，使創(chuàng)新型的數(shù)據(jù)采集能力應(yīng)用更廣泛的領(lǐng)域。MaxArias WM710xx 系列是Ramtron的首個(gè)無(wú)線存儲(chǔ)器
2011-03-24 11:02:28786 Ramtron宣布提供全新4至64Kb串口非易失性鐵電 RAM (F-RAM)存儲(chǔ)器的預(yù)認(rèn)證樣片，新產(chǎn)品采用Ramtron全新美國(guó)晶圓供應(yīng)商的鐵電存儲(chǔ)器工藝制造，具有1萬(wàn)次 (1e12)的讀/寫循環(huán)、低功耗和無(wú)延遲
2011-10-27 09:34:131244 Ramtron宣布推出世界上最低功耗的非易失性存儲(chǔ)器。該16 kb器件的型號(hào)為FM25P16，是業(yè)界功耗最低的非易失性存儲(chǔ)器，為對(duì)功耗敏感的系統(tǒng)設(shè)計(jì)開創(chuàng)了全新的機(jī)遇.
2012-02-07 09:00:551190 新型低功耗CO檢測(cè)系統(tǒng)的研制，下來(lái)看看。
2016-12-17 15:26:597 低功耗的高性能四路組相聯(lián)CMOS高速緩沖存儲(chǔ)器
2017-01-19 21:22:5412 將存儲(chǔ)器帶寬提升了20倍，而相比競(jìng)爭(zhēng)性存儲(chǔ)器技術(shù)，則將單位比特功耗降低4倍。這些新型器件專為滿足諸如機(jī)器學(xué)習(xí)、以太網(wǎng)互聯(lián)、8K視頻和雷達(dá)等計(jì)算密集型應(yīng)用所需的更高存儲(chǔ)器帶寬而打造，同時(shí)還提供CCIX IP，支持任何CCIX處理器的緩存一致性加速，滿足計(jì)算加速應(yīng)用要求。
2018-07-31 09:00:002545 盡管ㄧ些新存儲(chǔ)器技術(shù)已經(jīng)研發(fā)出來(lái)，但在這競(jìng)爭(zhēng)激烈的市場(chǎng)，只有極少數(shù)能夠成功。 圖1是ㄧ些新存儲(chǔ)器技術(shù)的列表。然而，無(wú)論哪一個(gè)技術(shù)勝出，這些新型非易失性技術(shù)系統(tǒng)的功耗肯定會(huì)低于現(xiàn)有的嵌入式 NOR 閃存和 SRAM，或是，離散 的 DRAM 和 NAND 閃存的系統(tǒng)。
2018-12-24 11:04:3410846 
巨大影響。讓我們分析一下這些關(guān)鍵的存儲(chǔ)器元件，以便更好地了解如何最有效地使用它們來(lái)最大限度地提高性能，降低功耗并優(yōu)化系統(tǒng)成本。
2019-02-06 11:09:002958 
為代表的多種新型存儲(chǔ)器技術(shù)因具備高集成度、低功耗等特點(diǎn)而受到國(guó)內(nèi)外研究者的廣泛關(guān)注，本文介紹相變存儲(chǔ)器的工作原理、技術(shù)特點(diǎn)及其國(guó)內(nèi)外最新研究進(jìn)展。 一、相變存儲(chǔ)器的工作原理 相變存儲(chǔ)器(Phase Change Random Access Memo
2019-03-19 15:43:016997 
新一代存儲(chǔ)器材料又有新突破！臺(tái)成功大學(xué)物理系研究團(tuán)隊(duì)最新發(fā)表存儲(chǔ)器新材料「鐵酸鉍(BiFeO3)」操控方式，相關(guān)研究成果本月初獲刊載于國(guó)際頂尖期刊「自然材料」（Nature Materials）。
2019-05-23 10:56:021028 業(yè)界普遍認(rèn)為未來(lái)從數(shù)據(jù)中將能挖掘出最大的價(jià)值，但要挖掘數(shù)據(jù)的價(jià)值除了需要很強(qiáng)的計(jì)算能力之外，數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)也非常關(guān)鍵。目前，新型存儲(chǔ)器也是領(lǐng)先的企業(yè)非常關(guān)注的一個(gè)方向，蘭開斯特大學(xué)（Lancaster University）的研究人員最近發(fā)表論文稱其研究的新型存儲(chǔ)器可以兼具穩(wěn)定、高速、超低功耗的優(yōu)點(diǎn)。
2019-06-25 09:16:232881 新一代存儲(chǔ)器材料又有新突破！臺(tái)成功大學(xué)物理系研究團(tuán)隊(duì)最新發(fā)表存儲(chǔ)器新材料「鐵酸鉍(BiFeO3)」操控方式，相關(guān)研究成果本月初獲刊載于國(guó)際頂尖期刊「自然材料」（Nature Materials）。
2019-09-04 16:44:36583 浙江大學(xué)信息與電子工程學(xué)院趙毅教授課題組研發(fā)出一種低成本、低功耗的新型存儲(chǔ)器。這項(xiàng)基于可工業(yè)化生產(chǎn)的半導(dǎo)體集成電路制造工藝的工作，將大幅提高數(shù)據(jù)交換速度，降低網(wǎng)絡(luò)芯片的制造成本，進(jìn)而從理論上為“萬(wàn)物互聯(lián)”打下基礎(chǔ)。
2019-09-20 11:14:32615 繼電器的電氣壽命通常只有10萬(wàn)次，如想再提供壽命那么器件的可選范圍可能就小了，且成本居高不下。經(jīng)實(shí)際測(cè)試，用零電壓吸合零電流釋放這一技術(shù)，可以極大的提高繼電器的壽命至50萬(wàn)次到100萬(wàn)次，且上面提到的這些不良現(xiàn)象的發(fā)生概率降低很多。
2020-01-20 14:46:0015337 目前新型存儲(chǔ)器上受到廣泛關(guān)注的新型存儲(chǔ)器主要有相變存儲(chǔ)器(PCM)，其中有以英特爾與美光聯(lián)合研發(fā)的3D Xpoint為代表;MRAM以美國(guó)Everspin公司推出的STT-MRAM為代表;阻變存儲(chǔ)器
2020-04-25 11:05:572584 
8 BIT 單片機(jī)，由于能支持的RAM存儲(chǔ)比較小，內(nèi)部緩存又不夠；或者16 BIT MCU，支持的RAM比較大，但對(duì)低功耗有要求而無(wú)法用DRAM的系統(tǒng)。那么如何設(shè)計(jì)SRAM存儲(chǔ)主板呢?下面由英尚微電子介紹SRAM存儲(chǔ)器主板基本設(shè)計(jì)的五大步驟。 1.地址緩沖器在提供給存儲(chǔ)器的
2020-04-28 14:16:361185 記錄數(shù)據(jù)的可靠性，通常只考慮到突然掉電、寫入不完全等，往往忽略了存儲(chǔ)器件的使用壽命。存儲(chǔ)器件的擦除次數(shù)壽命是行業(yè)公認(rèn)的客觀事實(shí)，工程師只能盡量的符合器件使用規(guī)范，以免過(guò)快損耗擦寫壽命。
2020-10-08 14:34:003339 
存儲(chǔ)器是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的記憶設(shè)備，用來(lái)存放程序和數(shù)據(jù)。構(gòu)成存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)介質(zhì)，目前主要采用半導(dǎo)體器件和磁性材料。
2021-01-19 10:16:3611656 
微博宣布，其新型低功耗OLED面世，并且成功實(shí)現(xiàn)了新型有機(jī)材料的商業(yè)化。較上一代OLED，不僅大幅提升發(fā)光效率，還大大降低了功耗。 三星表示，OLED通過(guò)有機(jī)發(fā)光材料來(lái)表現(xiàn)色彩。在沒(méi)有背光源的情況下，有機(jī)材料通電即可發(fā)光。因此，
2021-01-26 10:56:081982 ADAS1000-3/ADAS1000-4：低功耗、3電極心電圖(ECG)模擬前端
2021-03-20 12:37:086 電磁突破可以降
低功耗，提高數(shù)字
存儲(chǔ)器的速度?？死锼沟侔病け葍?nèi)克（Christian Binek）說(shuō)，“達(dá)到這一點(diǎn)是一個(gè)非常痛苦的過(guò)程?！?/div>
2021-04-14 16:40:361626 FRAM是一種新型存儲(chǔ)器，具有高速、高密度、低功耗和抗輻射等優(yōu)點(diǎn)，與EEPROM、FLASH相比，F(xiàn)RAM的讀寫更快、壽命更長(zhǎng)，F(xiàn)RAM已經(jīng)應(yīng)用于IC卡和MCU中，預(yù)計(jì)未來(lái)具有廣闊的市場(chǎng)前景。FRAM產(chǎn)品具有明顯的高新技術(shù)特點(diǎn)，符合科創(chuàng)板屬性，目前上市公司中尚沒(méi)有從事該產(chǎn)品的開發(fā)。
2021-05-11 17:32:202107 低功耗SRAM存儲(chǔ)器應(yīng)用于內(nèi)有電池供電對(duì)功耗非常敏感的產(chǎn)品，是靜態(tài)隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)器的一種類別，靜態(tài)隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)器（SRAM）作為最重要的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，廣泛地嵌入于高性能微處理器。隨著集成電路制造工藝
2021-06-08 16:49:321933 華中科技大學(xué)成功研制全球最低功耗相變存儲(chǔ)器：比主流產(chǎn)品1000倍 來(lái)源：芯智訊 1月20日，從華中科技大學(xué)集成電路學(xué)院獲悉，該學(xué)院團(tuán)隊(duì)研制出全世界功耗最低的相變存儲(chǔ)器，比主流產(chǎn)品功耗低了1000
2022-01-21 13:15:00545 隨著微電子技術(shù)的迅猛發(fā)展，SRAM存儲(chǔ)器逐漸呈現(xiàn)出高集成度、快速及低功耗的發(fā)展趨勢(shì)。在半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的發(fā)展中，靜態(tài)存儲(chǔ)器(SRAM)由于其...
2022-02-07 11:25:292 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《TPS53515低功耗DDR存儲(chǔ)器電源參考設(shè)計(jì).zip》資料免費(fèi)下載
2022-09-06 16:18:370 后數(shù)據(jù)不會(huì)丟失，是非易失性存儲(chǔ)器； 讀寫速度快：無(wú)延時(shí)寫入數(shù)據(jù)，可覆蓋寫入； 壽命長(zhǎng)：可重復(fù)讀寫，重復(fù)次數(shù)可達(dá)到萬(wàn)億次，耐久性強(qiáng)，使用壽命長(zhǎng)； 功耗低：待機(jī)電流低，無(wú)需后備電池，無(wú)需采用充電泵電路； 可靠性高：兼容CMOS工藝，工作溫度范圍寬，可靠性
2022-11-10 17:00:141785 
AN4777_STM32微控制器低功耗下存儲(chǔ)器接口配置啟示
2022-11-21 17:06:460 基于上述因素，越來(lái)越多的MCU大廠開始選擇在MCU中集成新型存儲(chǔ)器，比如相變存儲(chǔ)器（PCM）、磁RAM（MRAM）和阻變存儲(chǔ)器（RRAM）等，當(dāng)然不同的大廠也有著他們不同的選擇…
2022-12-01 20:28:06639 在筆者看來(lái)，市場(chǎng)對(duì)新興存儲(chǔ)器并不友善，盡管人們?nèi)匀幌Ｍ鎯?nèi)計(jì)算（copute in memory）能夠重振基于電阻、相變和其他特性的新型存儲(chǔ)器。
2023-02-14 11:33:401484 
MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)是一種新型的非揮發(fā)性的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)的高速讀取寫入能力，以及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器
2023-04-19 17:45:462548 無(wú)錫拍字節(jié)科技有限公司自成立以來(lái)，一直專注于新型存儲(chǔ)芯片研發(fā)與銷售的高新技術(shù)，尤其是新型3D鐵電存儲(chǔ)器（VFRAM）新材料的研發(fā)，3D架構(gòu)和工藝的創(chuàng)新設(shè)計(jì)以及相關(guān)產(chǎn)品的制造及量產(chǎn)。經(jīng)過(guò)不懈的努力
2022-04-29 15:34:081079 
在某汽車鑰匙方案中，工程師需要一個(gè)128Kb的存儲(chǔ)用來(lái)存一些參數(shù)。由于汽車鑰匙產(chǎn)品普遍使用紐扣電池供電，對(duì)功耗的要求比較嚴(yán)格，一般運(yùn)行功耗要求10mA以內(nèi)，低功耗10μA以下。拍字節(jié)鐵電存儲(chǔ)器
2022-11-23 10:25:54449 
鐵電存儲(chǔ)器(FRAM)具有非易失性，讀寫速度快，沒(méi)有寫等待時(shí)間等優(yōu)勢(shì)，能夠像RAM一樣操作，低功耗，擦寫使用壽命長(zhǎng)，芯片的擦寫次數(shù)為100萬(wàn)次，比一般的E2PROM存儲(chǔ)器高10倍。特別適合在為工業(yè)
2023-06-29 09:39:03382 隨著信息技術(shù)的飛速發(fā)展，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求日益增長(zhǎng)。作為一種新型的非易失性存儲(chǔ)器，NAND Flash因其高容量、低功耗、高密度等優(yōu)勢(shì)，在各個(gè)領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。本文將對(duì)NAND Flash存儲(chǔ)器的工作原理、結(jié)構(gòu)特點(diǎn)、性能指標(biāo)及應(yīng)用領(lǐng)域進(jìn)行詳細(xì)解析，以期為讀者提供一個(gè)全面的了解。
2023-09-27 18:26:171446 近日，三星宣布正在研發(fā)一種新型的LLW DRAM存儲(chǔ)器，這一創(chuàng)新技術(shù)具有高帶寬和低功耗的特性，有望引領(lǐng)未來(lái)內(nèi)存技術(shù)的發(fā)展。
2024-01-12 14:42:03282 已全部加載完成
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論