英飛凌EasyDUAL CoolSiC MOSFET模塊升級為新型氮化鋁陶瓷

9月9-11日，英飛凌將隆重亮相PCIM Asia深圳展會，通過四大展示空間“工業(yè)與能源”、“電動車輛”、“高能效智能家居”和“數(shù)字島”向來訪者展示了英飛凌在技術和產(chǎn)品上的成果，用全新的形式與業(yè)內(nèi)人士交流互動產(chǎn)品和應用技術。

借英飛凌碳化硅20周年之際，9月10日，我們在展會會場，隆重舉辦第三屆碳化硅應用技術發(fā)展論壇，敬請蒞臨。

英飛凌科技股份公司(FSE:IFX/OTCQX:IFNNY)將EasyDUAL CoolSiC MOSFET模塊升級為新型氮化鋁(AIN) 陶瓷。該器件采用半橋配置， EasyDUAL 1B版本的導通電阻(RDS(on))為11 mΩ，EasyDUAL 2B版本的導通電阻(RDS(on))為6mΩ。升級為高性能AIN后，該1200 V器件適合用于高功率密度應用，包括太陽能系統(tǒng)、不間斷電源、輔助逆變器、儲能系統(tǒng)、大功率DCDC變換器、高速電機和電動汽車充電樁等。

EasyDUAL模塊FF11MR12W1M1_B70和FF6MR12W2M1_B70采用具有優(yōu)良的柵極氧化層可靠性最新CoolSiC MOSFET技術。由于DCB材料的熱導率更高，結到散熱器的熱阻(RthJH)最多可以降低40%。在CoolSiC Easy模塊中，該新型AIN陶瓷可幫助提高輸出功率或降低結溫，進而可以延長系統(tǒng)壽命。

供貨情況

EasyDUAL CoolSiC MOSFET模塊FF11MR12W1M1_B70和FF6MR12W2M1_B70現(xiàn)在即可訂購。點擊文末“閱讀原文”，了解更多產(chǎn)品信息

英飛凌設計、開發(fā)、制造并銷售各種半導體和系統(tǒng)解決方案。其業(yè)務重點包括汽車電子、工業(yè)電子、射頻應用、移動終端和基于硬件的安全解決方案等。

英飛凌將業(yè)務成功與社會責任結合在一起，致力于讓人們的生活更加便利、安全和環(huán)保。半導體雖幾乎看不到，但它已經(jīng)成為了我們?nèi)粘Ｉ钪胁豢苫蛉钡囊徊糠?。不論在電力生產(chǎn)、傳輸還是利用等方面，英飛凌芯片始終發(fā)揮著至關重要的作用。此外，它們在保護數(shù)據(jù)通信，提高道路交通安全性，降低車輛的二氧化碳排放等領域同樣功不可沒。

責任編輯：haq