關(guān)于MOS-AK Peking器件模型國(guó)際會(huì)議分析和介紹
所有投稿由技術(shù)專家委員會(huì)審核，5月28日是Abstract 提交截止日，內(nèi)容不需要多，1-2頁(yè)即可，....
關(guān)于中興通訊被制裁事件的分析介紹
模型從業(yè)者的商業(yè)模式?jīng)Q定了規(guī)模不可能大，而且是以研發(fā)為主，所以沒(méi)有國(guó)家支持是很難生存下去的。美國(guó)的C....
關(guān)于歐盟項(xiàng)目TARANTO的分析和介紹
半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈很長(zhǎng)，每個(gè)產(chǎn)品牽涉很多知識(shí)，所以XMOD也一直通過(guò)在參與歐盟項(xiàng)目的同時(shí)，把那些愿意把技術(shù)....
關(guān)于AI背景下的on-chip ESD (靜電保護(hù)）需求分析和應(yīng)用
ofics 的on-chip ESD 覆蓋目前主流工藝，應(yīng)用也非常廣泛，除了上面的人工智能，硅光電，....
關(guān)于先進(jìn)節(jié)點(diǎn)和特殊應(yīng)用下的On-chip ESD 研討會(huì)的分析和介紹
在和英國(guó)IP 供應(yīng)商Moortec，和Icsense三方的合作中，Sofics 成功得在28nm, ....
回顧關(guān)于MOS-AK北京器件模型會(huì)議邀請(qǐng)報(bào)告分析和發(fā)展介紹
半導(dǎo)體所的文章，首先回顧第一性原理（密度泛函理論）來(lái)計(jì)算納米電子，通過(guò)對(duì)二維（2D）材料為基礎(chǔ)的亞1....
關(guān)于MOS-AK北京器件模型邀請(qǐng)報(bào)告提要和分析
對(duì)于III-V族器件， 模型的問(wèn)題一直困擾者很多電路設(shè)計(jì)者，由于模型準(zhǔn)確度的局限性，很多時(shí)候，需要靠....
回顧關(guān)于MOS-AK 北京器件模型會(huì)議可靠性報(bào)告的發(fā)展
FinFET和FDSOI是先進(jìn)的工藝技術(shù)節(jié)點(diǎn)采用的新的器件創(chuàng)新來(lái)繼續(xù)保持摩爾定律。在這些器件結(jié)構(gòu)中，....
回顧MOS-AK 北京器件模型國(guó)際會(huì)議的主要內(nèi)容和主題
當(dāng)然，MOS-AK會(huì)議前期的培訓(xùn)部分也非常精彩，6月14日，Dr. Franz Sischka 的R....
關(guān)于用于功率和射頻的氮化鎵(GaN)的分析介紹和應(yīng)用
對(duì)于電容參數(shù)的描述，ASM GaN 是應(yīng)用場(chǎng)效應(yīng)板來(lái)解決的。當(dāng)然，模型開發(fā)出來(lái)后，需要和真正的器件進(jìn)....
關(guān)于Fraunhofer IAF W-band LNA 芯片的性能分析和應(yīng)用介紹
總的來(lái)說(shuō)，這款LNA的芯片在NF方面的表現(xiàn)是非常不錯(cuò)，對(duì)于其應(yīng)用還是非常廣泛的, 比如風(fēng)力發(fā)電中玻璃....
關(guān)于GaN微波器件大信號(hào)模型及其應(yīng)用和發(fā)展分析
然而上述兩種模型為了達(dá)到大信號(hào)特性高精度，仍舊需要引入較多的擬合參數(shù)，加大了模型參數(shù)提取的難度和模型....
對(duì)于24GHz雷達(dá)傳感器的性能分析和介紹
團(tuán)隊(duì)目前已經(jīng)開發(fā)出不同頻率，寬帶的傳感器，從基帶10Ghz, 24GHz, 122GHz, 到200....
關(guān)于SiGe HBT 技術(shù)和應(yīng)用的未來(lái)分析和介紹
在雷達(dá)應(yīng)用這塊， 除了早已上市的77-78，79-81GHz雷達(dá)，主用于ADAS。同時(shí)94GHz雷達(dá)....
關(guān)于鍺硅工藝的建模，設(shè)計(jì)和應(yīng)用分析和介紹
下午，主要由來(lái)自Silicon Radar的設(shè)計(jì)主管Dr. Wojciech Debski 帶來(lái)基于....
關(guān)于Graphcore 采用Sofics 16nm FinFET ESD 解決方案的介紹和分析
無(wú)論是0.18um CMOS還是12nm FinFet并不重要，設(shè)計(jì)公司將始終受益于更短的開發(fā)時(shí)間，....
關(guān)于SiGe HBT工藝120GHz超寬帶芯片SPEC的性能分析和應(yīng)用
122 GHz收發(fā)雷達(dá)前端（RFE）主要應(yīng)用領(lǐng)域是在短程/高分辨雷達(dá)系統(tǒng)，范圍高達(dá)約7米。通過(guò)使用附....
關(guān)于歐盟項(xiàng)目Kamerad的分析和介紹
作為歐盟項(xiàng)目自動(dòng)駕駛相關(guān)項(xiàng)目的活躍合作伙伴Silicon Radar, 將在6月20日的MOS-AK....
回顧MOS-AK成都器件模型國(guó)際會(huì)議的內(nèi)容介紹
成都電子科技大學(xué)團(tuán)隊(duì)的硅基磁光非互易光子器件向大家展示了團(tuán)隊(duì)在這方面所做的努力和成績(jī)。在先進(jìn)節(jié)點(diǎn)方面....
工商網(wǎng)監(jiān)