使用STM32H723ZG通過FMC操作外部SDRAM W9825G6KH時, 數(shù)據(jù)寬度16bit, 總線頻率108M, FMC操作時序如圖
SDRAM CAS值為2,從0XC0000000到
2024-03-11 06:40:14
在mdk里面可以利用attribute關(guān)鍵字來將數(shù)組存放在外擴的SDRAM里面。但是在cubeide里面這樣做就會報錯，哪位大佬可以解釋一下
2024-03-06 07:25:37
服務(wù)器內(nèi)存條和普通內(nèi)存條的區(qū)別? 服務(wù)器內(nèi)存條和普通內(nèi)存條是計算機中常見的兩種內(nèi)存設(shè)備。它們在設(shè)計、功能和應(yīng)用方面存在一些顯著的區(qū)別。 1.物理特性 普通內(nèi)存條通常采用DIMM封裝形式，而服務(wù)器
2024-02-19 10:19:58
466 ，時序電路可以分為同步時序電路和異步時序電路。接下來，我們將詳細(xì)討論時序電路的分類以及其基本單元電路。 一、同步時序電路 同步時序電路是指所有的時鐘信號在整個電路中具有相同的時鐘頻率和相位。它包括鎖存器、觸發(fā)器
時序電路是由觸發(fā)器等時序元件組成的數(shù)字電路，用于處理時序信號，實現(xiàn)時序邏輯功能。根據(jù)時序元件的類型和組合方式的不同，時序電路可以分為同步時序電路和異步時序電路。本文將從這兩個方面詳細(xì)介紹時序
2024-02-06 11:22:30288 產(chǎn)生相應(yīng)的輸出信號。本文將詳細(xì)介紹時序邏輯電路的分類、基本原理、設(shè)計方法以及與組合邏輯電路的區(qū)別。 一、時序邏輯電路的分類 時序邏輯電路主要分為三類：鎖存器、觸發(fā)器和計數(shù)器。 鎖存器（Latch）： 鎖存器是一種用于存
2024-02-06 11:18:34496 系統(tǒng)內(nèi)存和運行內(nèi)存都是計算機中重要的概念，它們在計算機的存儲和運行方面起著不可或缺的作用。雖然它們與計算機存儲和運行息息相關(guān)，但是它們具有不同的功能和實現(xiàn)方式。接下來我將詳細(xì)介紹系統(tǒng)內(nèi)存和運行內(nèi)存
2024-01-15 16:32:25461 STM32H750是STMicroelectronics推出的一款高性能微控制器，其特點之一是可擴展的SDRAM（同步動態(tài)隨機存儲器）接口。本文將詳細(xì)介紹STM32H750擴展SDRAM的相關(guān)知識
2024-01-04 14:09:23339 和DDR5的主要特點。LPDDR5是為移動設(shè)備設(shè)計的內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)，它具有低功耗的特點，能夠提供高帶寬和大容量的存儲。而DDR5是桌面和服務(wù)器領(lǐng)域的內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)，它更注重性能和可靠性。 在時序方面，LPDDR5的時序比DDR5慢。這是因為LPDDR5的主要目標(biāo)是降低功耗，因此它采用
2024-01-04 10:22:061156 的引腳介紹
DDR內(nèi)存條的引腳數(shù)，取決于內(nèi)存條的類型和規(guī)格。以下是一些常見的 DDR內(nèi)存條類型和它們的引腳數(shù) ：
DDR1內(nèi)存條，184引腳（92針對每側(cè)）
DDR2內(nèi)存條，240引腳（120針對每側(cè)
2023-12-25 14:02:58
的引腳介紹
DDR內(nèi)存條的引腳數(shù)，取決于內(nèi)存條的類型和規(guī)格。以下是一些常見的 DDR內(nèi)存條類型和它們的引腳數(shù) ：
DDR1內(nèi)存條，184引腳（92針對每側(cè)）
DDR2內(nèi)存條，240引腳（120針對每側(cè)
2023-12-25 13:58:55
JESD79-5B DDR5 SDRAM-2022 JEDEC
2023-12-25 09:51:55
2 內(nèi)存溢出與內(nèi)存泄漏：定義、區(qū)別與解決方案? 內(nèi)存溢出和內(nèi)存泄漏是計算機科學(xué)中常見的問題，在開發(fā)和調(diào)試過程中經(jīng)常會遇到。本文將詳細(xì)介紹內(nèi)存溢出和內(nèi)存泄漏的定義、區(qū)別以及解決方案。 一、內(nèi)存溢出的定義
2023-12-19 14:10:12883 時，位寬變?yōu)?4bit，即8個字節(jié)，于是SIMM就順勢變?yōu)镈IMM（Double-Inline Memory Module）。這種形態(tài)一直延續(xù)至今，也是內(nèi)存條的基本形態(tài)。
2023-12-16 15:00:571072 
電源時序規(guī)格：電源導(dǎo)通時的時序工作
2023-12-08 18:21:43326 
什么是內(nèi)存呢？在計算機的組成結(jié)構(gòu)中，有一個很重要的部分，就是存儲器。存儲器是用來存儲程序和數(shù)據(jù)的部件，對于計算機來說，有了存儲器，才有記憶功能，才能保證正常工作。存儲器的種類很多，按其用途可分為
2023-12-07 11:02:27622 追風(fēng)A60采用新一代DDR5內(nèi)存規(guī)格，相較DDR4，性能提升接近1倍。高配6000MHz頻率實現(xiàn)DDR4 3200MHz的1.6倍傳輸速度和1.9倍傳輸帶寬，讓用戶在使用臺電內(nèi)存條時獲得更快速、更流暢的電腦體驗。
2023-12-05 15:52:49411 
將詳細(xì)介紹每個運行時數(shù)據(jù)內(nèi)存的作用和特點。 堆內(nèi)存（Heap Memory）: 堆內(nèi)存是JVM管理的最大的一塊內(nèi)存，用于存儲對象實例。當(dāng)我們使用new關(guān)鍵字創(chuàng)建對象時，對象實例被分配在堆內(nèi)存中。堆內(nèi)存是線程共享的，所有的線程都可以訪問堆中的對象。它被劃
2023-12-05 14:09:34167 JVM（Java虛擬機）是Java程序的運行平臺，它負(fù)責(zé)將Java程序轉(zhuǎn)換成機器碼并在計算機上執(zhí)行。在JVM中，內(nèi)存模型和內(nèi)存結(jié)構(gòu)是兩個重要的概念，本文將詳細(xì)介紹它們。 一、JVM內(nèi)存模型 JVM
2023-12-05 11:08:39320 通過 SDRAM 的 7 個模式寄存器，可以對 SDRAM 的特性，功能以及設(shè)置進行編程。這些寄存器本身通過 MRS 命令編輯。模式寄存器一般在初始化期間進行設(shè)定，但也可以在后續(xù)正常工作期間進行修改。
2023-12-02 13:44:08921 
過程中常見的問題之一，可能導(dǎo)致應(yīng)用程序崩潰、性能下降甚至系統(tǒng)崩潰。在本文中，將詳細(xì)介紹如何排查和解決Java內(nèi)存溢出問題。 一、什么是Java內(nèi)存溢出 在開始解決Java內(nèi)存溢出問題之前，首先需要了解Java內(nèi)存
2023-11-23 14:46:07539 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《多電源系統(tǒng)監(jiān)控和時序控制介紹.pdf》資料免費下載
2023-11-22 16:04:240 FPGA開發(fā)過程中，離不開時序約束，那么時序約束是什么？簡單點說，F(xiàn)PGA芯片中的邏輯電路，從輸入到輸出所需要的時間，這個時間必須在設(shè)定的時鐘周期內(nèi)完成，更詳細(xì)一點，即需要滿足建立和保持時間
2023-11-15 17:41:10
隨著科技的不斷進步，光纖技術(shù)已經(jīng)成為現(xiàn)代通信網(wǎng)絡(luò)的核心組成部分。其中，光纖反射內(nèi)存產(chǎn)品作為一種新型的存儲方式，在數(shù)據(jù)存儲、傳輸和處理等方面具有顯著的優(yōu)勢，逐漸得到了廣泛的應(yīng)用。本文將詳細(xì)介紹光纖反射
2023-11-11 12:26:121110 時序數(shù)據(jù)庫的一哥 InfluxDB，是我們最初選擇的時序數(shù)據(jù)庫。但隨著時序曲線的規(guī)模變大，InfluxDB 的局限性也開始暴露了出來。同時社區(qū)中關(guān)于 InfluxDB OOM 的討論也日益增多
2023-10-13 16:04:25257 
遇到一個比較有意思的問題。一個朋友問我說：他的電腦內(nèi)存壞了，想換一條新的內(nèi)存，換DDR5內(nèi)存條是不是更好？看了他的配置之后，電腦使用的是DDR4的條子。顯然這是不能換的。
2023-10-10 11:18:13606 
什么是內(nèi)存 我們想準(zhǔn)備運行程序進程需要經(jīng)過那幾個步驟，這里猜測一下。 首先要去申請內(nèi)存，操作系統(tǒng)根據(jù)現(xiàn)在剩余的地毯空間與你地毯的規(guī)模劃分一塊相應(yīng)大小的內(nèi)存給你，接著你就可以愉快的運行程序進程
2023-10-09 16:23:42433 
在電腦上拆到2條rdram內(nèi)存條，這個和sdram內(nèi)存條有什么區(qū)別，可以兼容嗎
2023-10-08 09:01:45
事件內(nèi)存管理定義為在DEM模塊中添加、更新和刪除事件內(nèi)存條目的過程。DEM模塊確定事件內(nèi)存條目是新的還是當(dāng)前存在于事件內(nèi)存中。 Event retention Event retention定義
2023-10-04 11:45:00317 SDRAM的內(nèi)部是一個存儲陣列，將數(shù)據(jù)“填”進去，你可以它想象成一張表格。和表格的檢索原理一樣，先指定一個行（Row），再指定一個列（Column），我們就可以準(zhǔn)確地找到所需要的單元格，這就是內(nèi)存芯片尋址的基本原理。
2023-09-28 17:26:29637 
SDRAM（synchronous dynamic random-access memory）即同步動態(tài)隨機存取內(nèi)存。在介紹SDRAM前，我們先了解下DRAM（Dynamic random-access memory），DRAR中文譯為動態(tài)隨機存取內(nèi)存
2023-09-27 15:02:321004 
DRAM 由于其結(jié)構(gòu)簡單，設(shè)計體積小，在服務(wù)器的內(nèi)存中占主導(dǎo)地位，并得到了長足的發(fā)展，從 DRAM 逐漸演進到 SDRAM 再到 DDR SDRAM 系列。SDRAM為同步的動態(tài)隨機處理器，同步
2023-09-15 10:13:03964 
最新的32Gb DDR5內(nèi)存芯片，繼續(xù)采用12nm級別工藝制造，相比三星1983年推出的4Kb容量的第一款內(nèi)存產(chǎn)品，容量已經(jīng)增加了50多萬倍！
2023-09-04 14:28:11264 關(guān)于農(nóng)林氣象站的基本介紹
2023-08-23 16:58:56220 石墨烯電池技術(shù)詳細(xì)介紹? 石墨烯電池技術(shù)是當(dāng)今電池領(lǐng)域的新寵，它擁有高功率、長壽命、較低的負(fù)載，以及高能量密度等特點，正逐漸成為該領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)突破的重要技術(shù)手段之一。本文將為大家詳細(xì)介紹石墨烯電池技術(shù)
2023-08-22 17:06:072468 時序路徑作為時序約束和時序分析的物理連接關(guān)系，可分為片間路徑和片內(nèi)路徑。
2023-08-14 17:50:02451 
PL340內(nèi)存控制器是一款高性能、面積優(yōu)化的SDRAM或移動SDR內(nèi)存控制器，兼容高級微控制器總線架構(gòu)(AMBA)AXI協(xié)議。
有關(guān)AXI協(xié)議的詳細(xì)說明，請參閱AMBA AXI協(xié)議規(guī)范。
本節(jié)總結(jié)
2023-08-12 06:25:03
PL341內(nèi)存控制器是一款高性能、面積優(yōu)化的DDR2 SDRAM內(nèi)存控制器，兼容高級微控制器總線架構(gòu)(AMBA)AXI協(xié)議。
有關(guān)AXI協(xié)議的詳細(xì)說明，請參閱AMBA AXI協(xié)議規(guī)范。
本節(jié)總結(jié)了周期模型的功能與硬件的功能，以及周期模型的性能和準(zhǔn)確性。
2023-08-12 06:01:49
我手上有一張DDR200T的開發(fā)板，板載了一塊512M的SDRAM內(nèi)存，板子燒了一個UX600的demosoc，我是要在這個板子跑RT-Thread。
要是想使用這塊SDRAM應(yīng)該怎么做呢？應(yīng)該
2023-08-11 08:05:46
SDRAM全稱Synchronous Dynamic RAM，同步動態(tài)隨機存儲器。首先，它是RAM，即隨機存儲器的一種。
2023-08-08 15:10:46896 
貼片Y電容是一種常見的電子元件，它在電子設(shè)備中具有廣泛的應(yīng)用。貼片Y電容的型號眾多，每個型號都有其獨特的特點和應(yīng)用場景。今天弗瑞鑫小編將詳細(xì)介紹貼片Y電容的各種型號及其特點，以便讀者更好地了解和選擇適合自己應(yīng)用的型號。
2023-08-04 08:41:38558 關(guān)于該產(chǎn)品是DMC-620的高級概述。
DMC-620是Arm AMBA 5芯片SoC外設(shè)，由Arm開發(fā)、測試和許可。它是一款高性能、區(qū)域優(yōu)化的內(nèi)存控制器，與AMBA 5 CHI協(xié)議兼容。
它支持
2023-08-02 11:55:49
1. 本指南介紹由 Armv8-A 架構(gòu)定義的內(nèi)存定序模型,并介紹所提供的不同內(nèi)存障礙;本指南還確定一些需要明確定序的常見情況,以及如何使用內(nèi)存障礙以確保實現(xiàn)正確操作;本指南適用于低級別代碼的開發(fā)者
2023-08-02 11:03:30
可以作為內(nèi)存堆，但是 STM32 內(nèi)部 RAM 比較小，遇到那些需要大容量 RAM 的應(yīng)用就不行了，如音視頻處理。不過? STM32 可以外接 SRAM 甚至大容量的 SDRAM ，如果
2023-07-30 10:47:42500 的工作原理 DDR芯片內(nèi)存的工作原理可以分為兩部分， 一部分是時序，一部分是數(shù)據(jù)傳輸 。 控制DDR內(nèi)存的時序，是由內(nèi)存控制器控制的，它負(fù)責(zé)管理內(nèi)存的讀寫操作。內(nèi)存控制器會向DDR內(nèi)存發(fā)送時鐘信號，這個時鐘信號被稱為 系統(tǒng)時鐘 。 DDR內(nèi)存的數(shù)據(jù)傳輸，是通過前沿和下降沿來實現(xiàn)的
2023-07-28 13:12:061883 
時序：字面意思，時序就是時間順序，實際上在通信中時序就是通信線上按照時間順序發(fā)生的電平變化，以及這些變化對通信的意義就叫時序。
2023-07-26 10:06:031641 今天要介紹的時序基本概念是Mode（模式）. 這是Multiple Scenario環(huán)境下Sign off的一個重要概念。芯片的設(shè)計模式包括最基本的功能function模式，以及各種各樣相關(guān)的測試模式。
2023-07-10 17:21:381716 
今天主要介紹的時序概念是時序庫lib，全稱liberty library format(以? lib結(jié)尾)，
2023-07-07 17:15:001638 
今天我們要介紹的時序基本概念是Timing arc，中文名時序弧。這是timing計算最基本的組成元素，在昨天的lib庫介紹中，大部分時序信息都以Timing arc呈現(xiàn)。
2023-07-06 15:00:021396 
今天我們要介紹的時序分析概念是 **時序路徑** （Timing Path）。STA軟件是基于timing path來分析timing的。
2023-07-05 14:54:43985 
今天要介紹的時序分析基本概念是Slew，信號轉(zhuǎn)換時間，也被稱為transition time。
2023-07-05 14:50:531530 
今天要介紹的時序分析基本概念是skew，我們稱為偏差。
2023-07-05 10:29:372119 
今天我們要介紹的時序分析基本概念是MMMC分析(MCMM)。全稱是multi-mode, multi-corner, 多模式多端角分析模式。這是在先進工藝下必須要使用的一種時序分析模式。
2023-07-04 15:40:131461 
今天要介紹的時序分析基本概念是Latency, 時鐘傳播延遲。主要指從Clock源到時序組件Clock輸入端的延遲時間。
2023-07-04 15:37:081305 
??本文主要介紹了時序設(shè)計和時序約束。
2023-07-04 14:43:52691 ??本文主要介紹了靜態(tài)時序分析 STA。
2023-07-04 14:40:06525 
今天我們要介紹的時序分析概念是 **AOCV** 。全稱Stage Based Advanced OCV。我們知道，在OCV分析過程中，我們會給data path,clock path上設(shè)定單一的timing derate值。
2023-07-03 16:29:051155 
今天我們要介紹的基本sdc是 **時序特例** ，也就是我們常說的Path exception。針對一些路徑需要的一些特殊設(shè)定，常用的有set_false_path, set_multicycle_path， set_max_delay，set_min_delay等
2023-07-03 15:34:52471 
今天我們要介紹的時序分析概念是clock gate。 clock gate cell是用data signal控制clock信號的cell，它被頻繁地用在多周期的時鐘path，可以節(jié)省功耗。
2023-07-03 15:06:031481 
今天我們要介紹的時序分析概念是 **min pulse width** ，全稱為最小脈沖寬度檢查。這也是一種非常重要的timing arc check，經(jīng)常用在時序器件或者memory上面。
2023-07-03 14:54:111197 
今天要介紹的時序分析基本概念是lookup table。中文全稱時序查找表。
2023-07-03 14:30:34664 向量和動態(tài)仿真 。本文將介紹靜態(tài)時序分析的基本概念和方法，包括時序約束，時序路徑，時序裕量，setup檢查和hold檢查等。 時序路徑 同步電路設(shè)計中，時序是一個主要的考慮因素，它影響了電路的性能和功能。為了驗證電路是否能在最
2023-06-28 09:38:57714 
同步電路設(shè)計中，時序是一個主要的考慮因素，它影響了電路的性能和功能。為了驗證電路是否能在最壞情況下滿足時序要求，我們需要進行靜態(tài)時序分析，即不依賴于測試向量和動態(tài)仿真，而只根據(jù)每個邏輯門的最大延遲來檢查所有可能的時序違規(guī)路徑。
2023-06-28 09:35:37490 
今天介紹一下，如何在Vivado中添加時序約束，Vivado添加約束的方法有3種：xdc文件、時序約束向?qū)В–onstraints Wizard）、時序約束編輯器（Edit Timing Constraints ）
2023-06-26 15:21:111834 
本設(shè)計筆記顯示了用于工作站和服務(wù)器的高速內(nèi)存系統(tǒng)的雙倍數(shù)據(jù)速率 （DDR） 同步 DRAM （SDRAM）。使用MAX1864 xDSL/電纜調(diào)制解調(diào)器電源，電路產(chǎn)生等于并跟蹤VREF的終止電壓（VTT）。
2023-06-26 10:34:36549 
前面幾篇文章已經(jīng)詳細(xì)介紹了FPGA時序約束基礎(chǔ)知識以及常用的時序約束命令，相信大家已經(jīng)基本掌握了時序約束的方法。
2023-06-23 17:44:001260 本文介紹 Armv8-A 架構(gòu)的內(nèi)存序模型，并介紹 arm 的各種內(nèi)存屏障。本文還會指出一些需要明確內(nèi)存保序的場景，并指明如何使用內(nèi)存屏障以讓程序運行正確。
2023-06-15 18:19:37864 
，頻率更高：采用超短進口雙頭探針設(shè)計，相比同類測試產(chǎn)品使IC與PCB之間數(shù)據(jù)傳輸距離更短；
⑥可自行維修，節(jié)省時間：采用帶定位孔內(nèi)存顆粒測試專用PCB，探針板與PCB 孔定位，保證探針與PCB精確定位；以上就是關(guān)于DDR內(nèi)存條治具六大特點 的介紹 ，希望對您有益~
2023-06-15 15:45:22
在FPGA設(shè)計中，時序約束對于電路性能和可靠性非常重要。在上一篇的文章中，已經(jīng)詳細(xì)介紹了FPGA時序約束的主時鐘約束。
2023-06-12 17:29:211229 在FPGA設(shè)計中，時序約束的設(shè)置對于電路性能和可靠性都至關(guān)重要。在上一篇的文章中，已經(jīng)詳細(xì)介紹了FPGA時序約束的基礎(chǔ)知識。
2023-06-06 18:27:136199 
內(nèi)存管理是計算機系統(tǒng)中負(fù)責(zé)管理系統(tǒng)內(nèi)存資源的一種機制，主要包括內(nèi)存分配、內(nèi)存釋放、內(nèi)存映射和虛擬內(nèi)存管理等方面。它是計算機系統(tǒng)中非常重要的一個組成部分，能夠有效地提高系統(tǒng)的資源利用率和應(yīng)用程序的性能。
2023-05-29 14:09:371356 
內(nèi)存，也就是電腦中的內(nèi)存條，其用于暫時存放CPU中的運算數(shù)據(jù)，以及與硬盤等外部存儲器交換的數(shù)據(jù)。只要計算機開始運行，操作系統(tǒng)就會把需要運算的數(shù)據(jù)從內(nèi)存調(diào)到CPU中進行運算，當(dāng)運算完成，CPU將結(jié)果傳送出來。內(nèi)存決定了我們應(yīng)用的上限，也就是我們能夠同時運行多少應(yīng)用，從硬盤向CPU調(diào)取多少數(shù)據(jù)。
2023-05-26 11:22:3215066 
時序電路的考察主要涉及分析與設(shè)計兩個部分，上文介紹了時序邏輯電路的一些分析方法，重點介紹了同步時序電路分析的步驟與注意事項。 本文就時序邏輯電路設(shè)計的相關(guān)問題進行討論，重點介紹時序邏輯電路的核心部分——計數(shù)器。
2023-05-22 17:01:291879 
5G單站驗證詳細(xì)介紹
2023-05-22 12:38:38309 
本篇介紹了UML時序圖的基礎(chǔ)知識，并通過visio繪制一個物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備WIFI配網(wǎng)的UML時序圖實例，來介紹UML時序圖的畫法與所表達(dá)的含義。
2023-05-16 09:09:221225 
本文介紹接口和協(xié)議時序
2023-05-10 15:37:162022 
我想將 i.MX RT1024 與外部 64MB SDRAM 一起使用。根據(jù)數(shù)據(jù)表，它支持 8/16 位 SDRAM 外部存儲器接口。從性能的角度來看，哪種模式更好？如何？如果有任何鏈接/參考可以通過此詳細(xì)信息，請告訴我。謝謝
2023-05-05 11:17:30
本公司目前MCU系列，到目前為止, SWM34x 支持外接8M16M SDRAM，SWD34S系列已經(jīng)把SDRAM合封入芯片，合封的SDRAM大小根據(jù)芯片型號不同，具體見官方手冊。
2023-04-28 09:30:221496 
想用SDRAM運行SAI，修改內(nèi)存配置后好像不能正常運行。是什么原因？
我在 SDK 中使用 evkmimxrt1020_sai_edma_record_playback，并調(diào)整 RAM 以指向 BOARD_SDRAM。該程序似乎無法正常運行。
2023-04-26 06:42:50
本章教程主要在SPI單工通信方式下進行1條時鐘線和1條單向數(shù)據(jù)線配置，并進行主機接收從機發(fā)送。 1、SPI簡介及相關(guān)函數(shù)介紹關(guān)于SPI單工通信模式下1條時鐘線和1條單向數(shù)據(jù)線配置介紹，在第46章已經(jīng)
2023-04-25 16:50:41
本章教程主要在SPI單工通信方式下進行1條時鐘線和1條雙向數(shù)據(jù)線配置，并進行主機接收從機發(fā)送。 1、SPI簡介及相關(guān)函數(shù)介紹關(guān)于SPI單工通信模式下1條時鐘線和1條雙向數(shù)據(jù)線配置介紹，在第46章已經(jīng)
2023-04-25 16:48:14
詳細(xì)介紹安科瑞產(chǎn)品中關(guān)于絕緣監(jiān)測和絕緣故障定位的相關(guān)產(chǎn)品，從含義，解決方法，產(chǎn)品技術(shù)參數(shù)等 詳細(xì)介紹。
2023-04-23 15:29:14495 
大佬們，這個free在finsh里面介紹是列出系統(tǒng)使用的內(nèi)存，我把sdram打開了，在list——memheap里面能找到sdram，為什么在free里面的total不包括sdram的大小
2023-04-14 10:06:25
SDRAM的驅(qū)動需要用到一些命令，介紹幾個常見的命令。
2023-04-04 17:13:191814 
DDR內(nèi)存1代已經(jīng)淡出市場，直接學(xué)習(xí)DDR3 SDRAM感覺有點跳躍；如下是DDR1、DDR2以及DDR3之間的對比。
2023-04-04 17:08:472867 
本章節(jié)主要介紹一些簡單的時序約束的概念。
2023-03-31 16:37:57928 
SDRAM SLICE CARD
2023-03-30 12:05:53
我正在嘗試修改 SDK 示例以使用一個 SDRAM 而不是板上可用的兩個。我修改了內(nèi)存設(shè)置和DCD文件。我嘗試了多種配置，但總是以錯誤告終。如何使用一個 SDRAM 運行 lVGL 示例？
2023-03-30 07:27:47
讀寫整個行，我們可以利用突發(fā)終止命令將其終止掉。 下面兩個時序就是SDRAM的頁讀頁寫時序，在某個位置使用突發(fā)終止命令將其終止掉。 頁寫被終止時序圖：頁讀被終止時序圖： 具體的參考設(shè)計請參考圖像顯示系統(tǒng)設(shè)計。
2023-03-27 17:09:14
在win10/win11下使用PADS layout時，報錯‘’Out of memory‘’，或者報錯‘’數(shù)據(jù)庫嚴(yán)重錯誤編號 2010‘’已經(jīng)嘗試過：1.加大內(nèi)存條內(nèi)存，無法解決2.加大虛擬內(nèi)存
2023-03-25 18:58:13
SDRAM支持讀寫的長度為1、2、4、8和一行（整頁）。
具體的SDR SDRAM的介紹可以查看手冊。下面只介紹幾個相對重要的時序圖。
在SDR SDRAM正常使用之前，需要進行初始化。初始化
2023-03-23 17:40:58
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