我們提出了一種觀察鋁層蝕刻截面的方法，并將其應(yīng)用于靜止蝕刻蝕刻的試件截面的觀察。觀察結(jié)果成功地闡明了蝕刻截面幾何形狀的時間變化，和抗蝕劑寬度對幾何形狀的影響，并對蝕刻過程進行了數(shù)值模擬。驗證了蝕刻截面的模擬幾何形狀與觀測結(jié)果一致，表明本數(shù)值模擬可以有效地預(yù)測蝕刻截面的幾何形狀。
2021-12-14 17:12:05
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保持該技術(shù)的高對比度。討論了氟化氫在水溶液中的分解，并應(yīng)用氟化氫蝕刻二氧化硅的反應(yīng)動力學(xué)獲得了蝕刻機理的信息。因此，分析了蝕刻速率的濃度依賴性，發(fā)現(xiàn)蝕刻過程可以描述為HF或HF 2的侵蝕，其由H+離子的存在催化支持。 我們將系統(tǒng)地研
2021-12-23 16:36:591300 對于蝕刻反應(yīng)具有不同的活化能，并且Si的KOH蝕刻不受擴散限制而是受蝕刻速率限制，所以蝕刻過程各向異性地發(fā)生:{100}和{110}面比穩(wěn)定面蝕刻得更快 充當蝕刻停止{111}平面。 (111)取向
2022-07-11 16:07:221342 
超聲增強化學(xué)腐蝕被用來制作多孔硅層，通過使用HF溶液和HNO3在p型(111)取向硅中制備多孔硅層，發(fā)現(xiàn)超聲波改善了p型硅上多孔硅層的結(jié)構(gòu)，用這種方法可以制作品質(zhì)因數(shù)高得多的多孔硅微腔，由超聲波蝕刻
2022-05-06 17:06:511048 
。 39、Wet Process濕式制程 電路板之制造過程有干式的鉆孔、壓合、曝光等作業(yè)；但也有需浸入水溶液中的鍍通孔、鍍銅，甚至影像轉(zhuǎn)移中的顯像與剝膜等站別，后者皆屬濕式制程，原文稱為Wet Process。
2018-08-29 16:29:01
濕蝕刻是光刻之后的微細加工過程，該過程中使用化學(xué)物質(zhì)去除晶圓層。晶圓，也稱為基板，通常是平面表面，其中添加了薄薄的材料層，以用作電子和微流體設(shè)備的基礎(chǔ)；最常見的晶圓是由硅或玻璃制成的。濕法刻蝕
2021-01-08 10:15:01
PCB，電路板，基板上面如何出現(xiàn)電路呢？這就要蝕刻來實現(xiàn)。所謂蝕刻，先在板子外層需保留的銅箔部分，也就是電路的圖形部分，在上面預(yù)鍍一層鉛錫抗蝕層，然后用化學(xué)方式將其余的銅箔腐蝕掉。銅有兩層，一層
2017-02-21 17:44:26
為了在基板上形成功能性的MEMS結(jié)構(gòu)，必須蝕刻先前沉積的薄膜和/或基板本身。通常，蝕刻過程分為兩類：浸入化學(xué)溶液后材料溶解的濕法蝕刻干蝕刻，其中使用反應(yīng)性離子或氣相蝕刻劑濺射或溶解材料在下文中，我們將簡要討論最流行的濕法和干法蝕刻技術(shù)。
2021-01-09 10:17:20
連續(xù)再生循環(huán)使用，成本低。 2.蝕刻過程中的主要化學(xué)反應(yīng)在氯化銅溶液中加入氨水，發(fā)生絡(luò)合反應(yīng)：CuCl2＋4NH3 →Cu(NH3)4Cl2在蝕刻過程中，板面上的銅被[Cu(NH3)4]2+絡(luò)離子氧化
2018-02-09 09:26:59
PCB的8步指南通過在整個基板上粘合銅層來制作PCB。有時，基板的兩面都被銅層覆蓋。進行PCB蝕刻工藝（也稱為受控水平工藝）是使用臨時掩模從PCB面板上去除多余的銅。在蝕刻過程之后，電路板上留有
2020-11-03 18:45:50
抗蝕層)，退除干膜(或濕膜)，進行堿性蝕刻，從而得到所需要的導(dǎo)線圖形。退掉表面和孔內(nèi)的錫鍍層，網(wǎng)印阻焊和字符，熱風(fēng)整平，機加工，電性能測試，得到所需要的PCB. (3) 特點工序多，復(fù)雜，但相對可靠
2018-09-21 16:45:08
，做到嚴格的控制工藝條件，就能夠更好的改善溶液與基板銅表面的接觸狀態(tài)?！ ?）粘度：蝕刻過程中，隨著銅的不斷溶解，蝕刻液的粘度就會增加，使蝕刻液在基板銅箔表面上流動性就差，直接影響蝕刻效果。要達到理想的蝕刻液的最佳狀態(tài)就要充分利用蝕刻機的功能，確保溶液的流動性。
2018-09-11 15:19:38
溶液與基板銅表面的接觸狀態(tài)。麥|斯|艾|姆|P|CB樣板貼片,麥1斯1艾1姆1科1技全國1首家P|CB樣板打板 2）粘度：蝕刻過程中，隨著銅的不斷溶解，蝕刻液的粘度就會增加，使蝕刻液在基板銅箔表面上
2013-10-31 10:52:34
的。但是所有有關(guān)蝕刻的理論都承認這樣一條最基本的原則，即盡量快地讓金屬表面不斷的接觸新鮮的蝕刻液。對蝕刻過程所進行的化學(xué)機理分析也證實了上述觀點。在氨性蝕刻中，假定所有其它參數(shù)不變，那么蝕刻速率主要由蝕刻液
2018-11-26 16:58:50
的PH值，保持適宜的通風(fēng)，勿使氨氣直接進入板子輸送行進的區(qū)域?！ 。?）A良好的干膜可耐PH=9以上?！ 采用工藝試驗法檢驗干膜耐堿性能或更換新的光致抗蝕劑品牌。 15. 問題：印制電路中蝕刻過
2018-09-19 16:00:15
不同的設(shè)計方式和設(shè)備結(jié)構(gòu)。這些理論往往是大相徑庭的。但是所有有關(guān)蝕刻的理論都承認這樣一條最基本的原則，即盡量快地讓金屬表面不斷的接觸新鮮的蝕刻液。對蝕刻過程所進行的化學(xué)機理分析也證實了上述觀點。在氨性蝕刻中，假定
2018-09-13 15:46:18
使用化學(xué)溶液去除材料。在 CMOS 制造中，濕法工藝用于清潔晶片和去除薄膜。濕法清潔過程在整個工藝流程中重復(fù)多次。一些清潔過程旨在去除微粒，而另一些則是去除有機和/或無機表面污染物。濕蝕刻劑可以是各向同性
2021-07-06 09:32:40
晶體學(xué)和濕蝕刻的性質(zhì)? 濕的在基于KOH的化學(xué)中，GaN 的化學(xué)蝕刻具有高度的各向異性，能夠形成垂直和光滑的多面納米結(jié)構(gòu)。文章全部詳情，請加V獲?。篽lknch / xzl1019? 我們 可以
2021-07-08 13:09:52
`書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：GaN的晶體濕化學(xué)蝕刻[/td][td]編號：JFSJ-21-0作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com/index.html 目前
2021-07-07 10:24:07
) 掩蓋樣品的一部分。然后將樣品垂直浸入蝕刻劑中。在蝕刻過程中不施加攪拌。蝕刻時間根據(jù)可用蝕刻層的厚度，從 1 到 15 分鐘不等。去除的材料量決不允許超過總層厚的 95%。通過在流動的蒸餾水中沖洗樣品約
2021-07-09 10:23:37
書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：光刻前 GaAs 表面處理以改善濕化學(xué)蝕刻過程中的光刻膠附著力和改善濕蝕刻輪廓[/td][td]編號：JFSJ-21-0作者：炬豐科技網(wǎng)址：http
2021-07-06 09:39:22
理論往往是大相徑庭的。但是所有有關(guān)蝕刻的理論都承認這樣一條最基本的原則，即盡量快地讓金屬表面不斷的接觸新鮮的蝕刻液。對蝕刻過程所進行的化學(xué)機理分析也證實了上述觀點。在氨性蝕刻中，假定所有其它參數(shù)不變
2018-04-05 19:27:39
做一款產(chǎn)品要用到濕敏電阻，根據(jù)環(huán)境的要求，濕敏電阻會和水直接接觸。此時不需要濕敏電阻能正常工作，但脫離水環(huán)境后，濕敏電阻還能正常工作。請問大家有沒有用過類似的元器件的。在此先謝過大家
2015-09-24 15:37:47
摘要：在印制電路制作過程中，蝕刻是決定電路板最終性能的最重要步驟之一。所以，研究印制電路的蝕刻過程具有很強的指導(dǎo)意義，特別是對于精細線路。本文將在一定假設(shè)的基礎(chǔ)上建立模型，并以流體力學(xué)為理論基礎(chǔ)
2018-09-10 15:56:56
本帖最后由 gk320830 于 2015-3-7 16:48 編輯
印制電路板蝕刻過程中的問題蝕刻是印制電路板制作工業(yè)中重要的一步。它看上去簡單，但實際上，如果在蝕刻階段出現(xiàn)問題將會影響板
2013-09-11 10:58:51
)。 每個蝕刻過程和每種實用的溶液都有一個最佳的噴射壓力的問題﹐就目前而言﹐蝕刻艙內(nèi)噴射壓力在30磅/平方英(2Bar)以上的情況微乎其微。但有一個原則﹐一種蝕刻溶液的密度(即比重或玻美度)越高﹐最佳的噴射
2017-06-23 16:01:38
晶片邊緣的蝕刻機臺，特別是能有效地蝕刻去除晶片邊緣劍山的一種蝕刻機，在動態(tài)隨機存取存儲單元(dynamic random access memory，DRAM)的制造過程中，為了提高產(chǎn)率，便采用
2018-03-16 11:53:10
我司是做濕法蝕刻藥水的，所以在濕法這塊有很多年的研究。所以有遇到濕法蝕刻問題歡迎提問，很愿意為大家解答。謝謝！QQ：278116740
2017-05-08 09:58:09
磁保持濕簧管繼電器的內(nèi)部結(jié)構(gòu)如圖所示。由濕簧管、激勵線圈、銜鐵、永久磁鐵等構(gòu)成。磁保持濕簧管繼電器的工作過程是:當激勵線圈通過電流時，銜鐵被吸向一側(cè)的靜觸點1，與靜觸點2斷開，此時銜鐵在永久性磁鐵A的吸引下與1靜觸點保持接通，當激勵線圈中的電流消失，銜鐵因有永久磁鐵A的作用，仍與1靜觸點保持接通狀態(tài)。
2020-03-12 09:01:42
檢測激勵線圈：如圖2所示。用直流穩(wěn)壓電源(6～24 V)給磁保持濕簧式繼電器的激勵線圈加一個正脈沖電壓或負脈沖電壓，看濕簧式繼電器的銜鐵片是否能動作。若銜鐵片不動作，則是激勵線圈已損壞。 用萬用表電阻檔只能測出激勵線圈是否開路(線圈開路后，其阻值為無窮大)，而局部短路故障無法測出。
2021-05-25 07:21:55
適當?shù)那鍧嵒驅(qū)θ芤哼M行補加。 蝕刻過程中應(yīng)注意的問題 減少側(cè)蝕和突沿﹐提高蝕刻系數(shù) 側(cè)蝕會產(chǎn)生突沿。通常印制板在蝕刻液中的時間越長,側(cè)蝕的情況越嚴重。側(cè)蝕將嚴重影響印制導(dǎo)線的精度，嚴重的側(cè)蝕將不
2017-06-24 11:56:41
膜在精細線條的內(nèi)層制作過程中合格率大大提高，同干膜相比節(jié)約20%的材料成本。顯影濕的速度要快30%，蝕刻速度也可提高10—20%，褪膜的速度也可增加，從而節(jié)約了能源、提高設(shè)備的利用率，最終成本降低
2018-08-29 10:20:48
往往是大相徑庭的。但是所有有關(guān)蝕刻的理論都承認這樣一條最基本的原則，即盡量快地讓金屬表面不斷的接觸新鮮的蝕刻液。對蝕刻過程所進行的化學(xué)機理分析也證實了上述觀點。在氨性蝕刻中，假定所有其它參數(shù)不變，那么蝕刻
2018-09-19 15:39:21
1. 減少側(cè)蝕和突沿，提高蝕刻系數(shù) 側(cè)蝕產(chǎn)生突沿。通常印制板在蝕刻液
2006-04-16 21:21:181990 蝕刻是印制電路板制作工業(yè)中重要的一步。它看上去簡單，但實際上，如果在蝕刻階段出現(xiàn)問題將會影響板子的最終質(zhì)量，特別是在生產(chǎn)細紋或高精度印制電路板時，尤為重要。在制作
2011-08-30 11:14:183281 
印刷線路板從光板到顯出線路圖形的過程是一個比較復(fù)雜的物理和化學(xué)反應(yīng)的過程，本文就對其最后的一步--蝕刻進行解析。目前,印刷電路板(PCB)加工的典型工藝采用"圖形電鍍法"。即先在板子外層需保留的銅箔部分上，也就是電路的圖形部分上預(yù)鍍一層鉛錫抗蝕層，然后用化學(xué)方式將其余的銅箔腐蝕掉,稱為蝕刻。
2017-12-26 08:57:1628231 本文首先介紹了蝕刻機的分類及用途，其次闡述了蝕刻機的配件清單，最后介紹了蝕刻機的技術(shù)參數(shù)及應(yīng)用。
2018-04-10 14:38:324723 蝕刻過程是PCB生產(chǎn)過程中基本步驟之一，簡單的講就是基底銅被抗蝕層覆蓋，沒有被抗蝕層保護的銅與蝕刻劑發(fā)生反應(yīng)，從而被咬蝕掉，最終形成設(shè)計線路圖形和焊盤的過程。當然，蝕刻原理用幾句話就可以輕而易舉
2018-08-12 10:29:499586 蝕刻液的種類：不同的蝕刻液化學(xué)組分不同，其蝕刻速率就不同，蝕刻系數(shù)也不同。例如：酸性氯化銅蝕刻液的蝕刻系數(shù)通常為3，堿性氯化銅蝕刻液的蝕刻系數(shù)可達到4。近來的研究表明，以硝酸為基礎(chǔ)的蝕刻系統(tǒng)可以做到幾乎沒有側(cè)蝕，達到蝕刻的線條側(cè)壁接近垂直。這種蝕刻系統(tǒng)正有待于開發(fā)。
2018-10-12 11:27:366335 維護蝕刻設(shè)備的最關(guān)鍵因素就是要保證噴嘴的高清潔度及無阻塞物，使噴嘴能暢順地噴射。阻塞物或結(jié)渣會使噴射時產(chǎn)生壓力作用，沖擊板面。而噴嘴不清潔，則會造成蝕刻不均勻而使整塊電路板報廢。
2018-10-16 10:23:002558 維護蝕刻設(shè)備的最關(guān)鍵因素就是要保證噴嘴的高清潔度及無阻塞物，使噴嘴能暢順地噴射。阻塞物或結(jié)渣會使噴射時產(chǎn)生壓力作用，沖擊板面。而噴嘴不清潔，則會造成蝕刻不均勻而使整塊電路板報廢。
2019-01-10 11:42:171232 蝕刻過程是PCB生產(chǎn)過程中基本步驟之一，簡單的講就是基底銅被抗蝕層覆蓋，沒有被抗蝕層保護的銅與蝕刻劑發(fā)生反應(yīng)，從而被咬蝕掉，最終形成設(shè)計線路圖形和焊盤的過程。當然，蝕刻原理用幾句話就可以輕而易舉
2019-07-23 14:30:313894 
通常所指蝕刻也稱腐蝕或光化學(xué)蝕刻（photochemicaletching），指通過曝光制版、顯影后，將要蝕刻區(qū)域的保護膜去除，在蝕刻時接觸化學(xué)溶液，達到溶解腐蝕的作用，形成凹凸或者鏤空成型的效果。
2019-04-25 15:41:3614173 側(cè)蝕會產(chǎn)生突沿。通常印制板在蝕刻液中的時間越長，側(cè)蝕的情況越嚴重。側(cè)蝕將嚴重影響印制導(dǎo)線的精度，嚴重的側(cè)蝕將不可能制作精細導(dǎo)線。當側(cè)蝕和突沿降低時，蝕刻系數(shù)就會升高，高蝕刻系數(shù)表示有保持細導(dǎo)線的能力
2019-05-07 14:55:161110 印刷線路板從光板到顯出線路圖形的過程是一個比較復(fù)雜的物理和化學(xué)反應(yīng)的過程，本文就對其最后的一步——蝕刻進行解析。
2019-05-31 16:14:093307 單面柔性PCB：此設(shè)計包括單個導(dǎo)電銅層，可以粘合在兩層絕緣層之間，或者由一個聚酰亞胺絕緣層和未覆蓋側(cè)面構(gòu)建。然后內(nèi)部銅層經(jīng)過化學(xué)蝕刻過程，產(chǎn)生電路設(shè)計。單面柔性PCB板設(shè)計支持包含元件，連接器，引腳和加強板。
2019-07-30 09:04:141680 圖形電鍍抗蝕金屬-錫鉛合金鍍層的主要目的作為蝕刻時保護基體銅鍍層。但必須嚴格控制鍍層厚度，以保證蝕刻過程能有效地保護基體金屬。
2019-10-28 16:58:383570 維護蝕刻設(shè)備的最關(guān)鍵因素就是要保證噴嘴的高清潔度及無阻塞物，使噴嘴能暢順地噴射。阻塞物或結(jié)渣會使噴射時產(chǎn)生壓力作用，沖擊板面。而噴嘴不清潔，則會造成蝕刻不均勻而使整塊電路板報廢。
2019-09-10 14:40:121339 1、PCB線路設(shè)計不合理，用厚銅箔設(shè)計過細的線路，也會造成線路蝕刻過度而甩銅。
2、銅箔蝕刻過度，市場上使用的電解銅箔一般為單面鍍鋅（俗稱灰化箔）及單面鍍銅（俗稱紅化箔），常見的甩銅一般為70um以上的鍍鋅銅箔，紅化箔及18um以下灰化箔基本都未出現(xiàn)過批量性的甩銅。
2019-09-12 15:01:19849 表面的受控溶解過程中去除材料。在進行電解液拋光后，可以通過電解液蝕刻過程在試樣的顯微組織結(jié)構(gòu)上提供對比。 2、如何進行電解液制備 要進行電解制備，必須選擇正確的方法。 3、正確的涂覆步驟 將試樣放在拋光臺之后，會掃描預(yù)
2020-06-29 15:08:549532 
在噴淋蝕刻過程中，蝕刻液是通過蝕刻機上的噴頭，在一定壓力下均勻地噴淋到印制電路板上的。蝕刻液到達印制板之后進入干鏌之間的凹槽內(nèi)并與凹槽內(nèi)露出的銅發(fā)生化學(xué)反應(yīng)。
2020-04-08 14:53:253295 
PCB板蝕刻工藝用傳統(tǒng)的化學(xué)蝕刻過程腐蝕未被保護的區(qū)域。有點像是挖溝，是一種可行但低效的方法。在蝕刻過程中也分正片工藝和負片工藝之分，正片工藝使用固定的錫保護線路，負片工藝則是使用干膜或者濕膜來保護線路。用傳統(tǒng)的蝕刻方法到線或焊盤的邊緣是畸形的。
2020-07-12 10:26:563060 ，錫鉛為抗蝕劑。 二、蝕刻反應(yīng)基本原理 1．酸性氯化銅蝕刻液 ①．特性 -蝕刻速度容易控制，蝕刻液在穩(wěn)定狀態(tài)下能達到高的蝕刻質(zhì)量 -蝕銅量大 -蝕刻液易再生和回收 ②．主要反應(yīng)原理 蝕刻過程中，Cu2+有氧化性，將板面銅氧化成Cu+：Cu+CuCl2→2CuC
2020-12-11 11:40:587458 大型PCB制造商使用電鍍和蝕刻工藝在板上生產(chǎn)走線。對于電鍍，生產(chǎn)過程始于覆蓋外層板基板的電鍍銅。 光刻膠蝕刻也用作生產(chǎn)印刷電路板的另一個關(guān)鍵步驟。在蝕刻過程中保護所需的銅需要在去除不希望有的銅和在
2020-12-31 11:38:583561 1、 PCB蝕刻介紹 蝕刻是使用化學(xué)反應(yīng)而移除多余材料的技術(shù)。PCB線路板生產(chǎn)加工對蝕刻質(zhì)量的基本要求就是能夠?qū)⒊刮g層下面以外的所有銅層完全去除干凈，僅此而已。在PCB制造過程中，如果要精確地
2021-04-12 13:48:0031004 
研究發(fā)現(xiàn)，高頻信號比低頻信號更容易造成信號傳輸損失。所以，為了有效傳輸5G信號，需要使用傳輸損耗低的PCB板。這里說的PCB板主要是指應(yīng)用在5G通訊基站上的高速高頻多層板。多層板，是指擁有3層以上的導(dǎo)電圖形層。通過在核心層的頂層和底層重復(fù)蝕刻過程和鉆孔過程，
2021-01-20 16:26:104049 
引言 陶瓷很難蝕刻。它們的化學(xué)惰性使它們非常穩(wěn)定，并且通常需要熱蝕刻技術(shù)來獲得它們的微結(jié)構(gòu)。我們介紹一項旨在簡化陶瓷蝕刻過程的技術(shù)。 陶瓷有著廣泛的應(yīng)用，從簡單的絕緣材料到非常復(fù)雜的外科植入物
2021-12-23 16:38:27532 之后，晶片表面立即被元素碑的棕色層覆蓋。該層的厚度和均勻性取決于蝕刻過程中的光照和氟化氫濃度。在存儲蝕刻晶片的過程中，碑層被三氧化二碑顆粒代替。結(jié)果表明，只有當晶片暴露在空氣中的光線下時，才會形成氧化物顆粒。 實驗 所有實
2021-12-28 16:34:37627 
引言 通過在含有H2O2的HF溶液中蝕刻，在兩步工藝中對商用硅太陽能電池進行紋理化。銀納米粒子作為催化位點，有助于蝕刻過程。確定了在表面制備納米孔的蝕刻時間。利用光譜儀測量了硅太陽能電池表面納米結(jié)構(gòu)
2022-01-04 17:15:35629 
(HFETs) 和AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)雙極晶體管(HBT)。 在本研究中，我們描述了對高質(zhì)量氮化鋁和氮化鎵單晶襯底之間的蝕刻選擇性以及兩種塊體材料的兩種極性之間的選擇性的研究。確定了每次蝕刻過程后的蝕刻
2022-01-14 11:16:262492 
金剛石蝕刻的等離子體工藝并不是選擇性的，等離子體誘導(dǎo)的對金剛石的損害會降低其器件性能。在此，我們報道了一種在高溫水蒸氣中的熱化學(xué)反應(yīng)對單晶金剛石的非等離子體蝕刻過程。鎳箔下的金剛石被選擇性地蝕刻，在其他位置沒
2022-01-21 13:21:54892 
法測定CIGSe的溶解動力學(xué)速率。x射線光電子能譜分析表明，處理表面酸性溴溶液的蝕刻過程提供了一個控制的化學(xué)變薄過程，這使得幾乎平坦的表面和非常低的表面Se0 成為可能。 實驗細節(jié) 刻蝕條件：本文的溶液氫溴酸：溴：水配方為0.25molL?1：0.02molL?1，超純?nèi)ルx子水。溶解過程在
2022-01-24 10:37:49286 
的磷酸和氫氧化鉀溶液中，氮化鎵上可以觀察到氧化鎵的形成。這歸因于兩步反應(yīng)過程并且在此過程中，紫外線照射可以增強氮化鎵的氧化溶解。 實驗中，我們使用深紫外紫外光照射來研究不同酸堿度電解質(zhì)中的濕法蝕刻過程。因此，我們能夠首次在PEC蝕
2022-01-24 16:30:31948 
中mems晶圓蝕刻的蝕刻溶液，以液體二氧化碳為溶劑，以丙酮為蝕刻溶液，這兩種組分混合不均勻，呈相分離現(xiàn)象，下層的液體二氧化碳干擾了蝕刻過程中丙酮與毫米晶片的接觸，沖洗和干燥后的效果不佳。根據(jù)不同實驗條件下的結(jié)果，建
2022-02-08 17:04:28762 
可以導(dǎo)致足夠的通過制造過程的速率。窄帶隙銦氮化鎵(InGaN)層將允許設(shè)計CL-PEC發(fā)射蝕刻過程，如果只有一個帶隙響應(yīng)進入射光子，這是不可能的。
2022-02-09 16:11:40503 
功率、施加到襯底支架的負偏壓和氫氣流速對蝕刻過程速率的影響。實驗結(jié)果首次評估了工藝參數(shù)對刻蝕速率的影響。結(jié)果表明，工藝參數(shù)對所研究條件的影響依次為:反應(yīng)室壓力、偏壓、射頻功率、氫氣流速。
2022-02-17 15:25:421804 
，向溶液中加入 1 M 異丙醇。這表明反應(yīng)確定受反應(yīng)動力學(xué)影響，而不是受輸運限制。在所有情況下，表面都被淺蝕刻坑覆蓋，與晶體中的缺陷無關(guān)。這意味著決定蝕刻速率的實際因素是這些凹坑底部新空位島的二維成核。該過程可能由反應(yīng)產(chǎn)物的局部積累催化，其優(yōu)先發(fā)生在掩模邊緣附近。
2022-03-04 15:07:09845 
在半導(dǎo)體器件制造中，蝕刻是指選擇性地從襯底上的薄膜去除材料并通過這種去除在襯底上創(chuàng)建該材料的圖案的技術(shù)。該圖案由一個能夠抵抗蝕刻過程的掩模定義，其創(chuàng)建過程在光刻中有詳細描述。一旦掩模就位，就可以通過濕化學(xué)或“干”物理方法蝕刻不受掩模保護的材料。圖1顯示了該過程的示意圖。
2022-03-10 13:47:364332 
了解形成MEMS制造所需的三維結(jié)構(gòu)，需要SILICON的各向異性蝕刻，此時使用的濕式蝕刻工藝考慮的事項包括蝕刻率、長寬比、成本、環(huán)境污染等[1]。用于硅各向異性濕式蝕刻。
2022-03-11 13:57:43336 
為了獲得功能正常的半導(dǎo)體器件，我們在納米制造過程中依賴于嚴格的尺寸控制。在該初步校準之后，在相同的處理條件下在真實晶片上運行制造，隨后再次進行后處理測量檢查。這種迭代方法有明顯的缺點，包括重復(fù)運行
2022-03-14 10:51:201226 
微加工過程中有很多加工步驟。蝕刻是微制造過程中的一個重要步驟。術(shù)語蝕刻指的是在制造時從晶片表面去除層。這是一個非常重要的過程，每個晶片都要經(jīng)歷許多蝕刻過程。用于保護晶片免受蝕刻劑影響的材料被稱為掩模
2022-03-16 16:31:581134 
，氧化產(chǎn)物的氧化速率和擴散速率之間的競爭決定了陽極氧化是蝕刻過程還是鈍化過程。研究了重摻雜硅的蝕停止，原因是高載流子濃度下氧化膜的生長速率提高。 采用（I00）方向的商業(yè)n和pSt。n-St的電阻率為6~i~-cm，p-St的電阻率為15~20~-cm。這些樣品
2022-03-17 17:00:081119 
關(guān)于在進行這種濕法或干法蝕刻過程中重要的表面反應(yīng)機制，以Si為例，以基礎(chǔ)現(xiàn)象為中心進行解說。蝕刻不僅是在基板上形成的薄膜材料的微細加工、厚膜材料的三維加工和基板貫通加工，而且是通過研磨和研磨等機械
2022-04-06 13:31:254183 
引言 硅晶圓作為硅半導(dǎo)體制造的基礎(chǔ)材料，是極其重要的，將作為鑄錠成長的硅單晶加工成晶圓階段的切斷、研磨、研磨中，晶圓表面會產(chǎn)生加工變質(zhì)層。為了去除該加工變質(zhì)層，進行化學(xué)蝕刻，在硅晶片的制造工序
2022-04-08 17:02:101679 
硅晶圓作為硅半導(dǎo)體制造的基礎(chǔ)材料，是極其重要的，將作為鑄錠成長的硅單晶加工成晶圓階段的切斷、研磨、研磨中，晶圓表面會產(chǎn)生加工變質(zhì)層。為了去除該加工變質(zhì)層，進行化學(xué)蝕刻，在硅晶片的制造工序中，使共有
2022-04-12 15:28:16943 
濕式蝕刻過程的原理是利用化學(xué)溶液將固體材料轉(zhuǎn)化為液體化合物，選擇性非常高，因為所使用的化學(xué)物質(zhì)可以非常精確地適應(yīng)于單個薄膜。對于大多數(shù)溶液的選擇性大于100：1。液體化學(xué)必須滿足以下要求：掩模
2022-04-15 14:56:572049 
微加工過程中有很多加工步驟。蝕刻是微制造過程中的一個重要步驟。術(shù)語蝕刻指的是在制造時從晶片表面去除層。這是一個非常重要的過程，每個晶片都要經(jīng)歷許多蝕刻過程。用于保護晶片免受蝕刻劑影響的材料被稱為掩模
2022-04-20 16:11:571972 
本次在補救InGaP/GaAs NPN HBT的噴霧濕法化學(xué)腐蝕過程中光刻膠粘附失效的幾個實驗的結(jié)果。確定了可能影響粘附力的幾個因素，并使用實驗設(shè)計(DOE)方法來研究所選因素的影響和相互作用。確定
2022-05-10 15:58:32504 
我們?nèi)A林科納研究了一種干法各向異性刻蝕石墨和石墨烯的方法，能夠通過調(diào)整蝕刻參數(shù)，如等離子體強度、溫度和持續(xù)時間，從邊緣控制蝕刻，蝕刻過程歸因于碳原子的氫化和揮發(fā)，蝕刻動力學(xué)與甲烷形成一致，這種簡單、干凈、可控且可擴展的技術(shù)與現(xiàn)有的半導(dǎo)體處理技術(shù)兼容。
2022-05-19 17:06:461781 
密度通常隨著溫度的升高、濃度的降低或通過在小分子大小的弱酸中蝕刻而增加。觀察到的多晶ZnO:Al膜的腐蝕趨勢在ZnO單晶上得到證實。我們從蝕刻速率和凹坑形成的角度詳細討論了蝕刻過程。根據(jù)最近提出的ZnO腐蝕模型解釋了結(jié)果，并給出了可能的物理解釋。
2022-05-23 16:51:232566 
通常在蝕刻過程之后通過將總厚度變化除以蝕刻時間或者通過對不同的蝕刻時間進行幾次厚度測量并使用斜率的“最佳擬合”來測量，當懷疑蝕刻速率可能不隨時間呈線性或蝕刻開始可能有延遲時，這樣做有時可以實時測量蝕刻速率。
2022-05-27 15:12:133471 本文提出了基于濺射Ti/Pt/Cr和Cr/Pt/Cr金屬多層膜在熱王水中濕法腐蝕Pt薄膜的簡單制備方案，鉻(Cr)或鈦(Ti)用作鉑的粘附層，Cr在Pt蝕刻過程中被用作硬掩模層，因為它可以容易
2022-05-30 15:29:152171 
引言 我們?nèi)A林科納討論了一種高速率各向異性蝕刻工藝，適用于等離子體一次蝕刻一個晶片。結(jié)果表明，蝕刻速率主要取決于Cl濃度，而與用于驅(qū)動放電的rf功率無關(guān)。幾種添加劑用于控制蝕刻過程。加入BCl以開始
2022-06-13 14:33:14904 
本文報道了InGaP/GaAsNPNHBTs在噴霧濕化學(xué)蝕刻過程中修復(fù)光刻膠粘附失敗的實驗結(jié)果。我們確定了幾個可能影響粘附性的因素，并采用實驗設(shè)計(DOE)方法研究了所選因素的影響和相互作用。最顯著
2022-06-29 11:34:59
0 的初始蝕刻；(2)快速整體蝕刻階段和(3)結(jié)束時的緩慢蝕刻階段。表明方法特別適合于研究蝕刻過程結(jié)束時的現(xiàn)象，在這種情況下，孤立的膜塊仍然粘附在襯底上。
2022-07-01 14:39:132242 
(氯與銦的比率)分別為7.2和0.38，還觀察到，由于離子化雜質(zhì)散射，表面殘留副產(chǎn)物降低了載流子遷移率，如在蝕刻過程后的ITO圖案中所見，由于快速蝕刻速率，王水發(fā)生了嚴重的底切，因此，9 M HCl溶液更適合作為ITO/有機發(fā)光二極管應(yīng)用的蝕刻劑。 本研
2022-07-01 16:50:561350 
本文介紹了我們?nèi)A林科納在半導(dǎo)體制造過程中進行的濕法蝕刻過程和使用的藥液，在晶圓表面，為了形成LSI布線，現(xiàn)在幾乎所有的半導(dǎo)體器件都使用干蝕刻方式，這是因為干法蝕刻與濕法蝕刻相比，各向異性較好，對于形成細微的布線是有利的。
2022-07-06 16:50:321538 
蝕刻工藝 蝕刻過程分類
2022-08-08 16:35:34736 
何時完全蝕刻了一個特定的層并到達下一個層。通過監(jiān)測等離子體在蝕刻過程中產(chǎn)生的發(fā)射線，可以精確跟蹤蝕刻過程。這種終點檢測對于使用基于等離子體的蝕刻工藝的半導(dǎo)體材料生產(chǎn)至關(guān)重要。 等離子體是一種被激發(fā)的、類似氣
2022-09-21 14:18:37694 
蝕刻不是像沉積或鍵合那樣的“加”過程，而是“減”過程。另外，根據(jù)刮削方式的不同，分為兩大類，分別稱為“濕法蝕刻”和“干法蝕刻”。簡單來說，前者是熔法，后者是挖法。
2023-01-29 09:39:003850 金屬蝕刻是一種通過化學(xué)反應(yīng)或物理沖擊去除金屬材料的技術(shù)。金屬蝕刻技術(shù)可分為濕蝕刻和干蝕刻。金屬蝕刻由一系列化學(xué)過程組成。不同的蝕刻劑對不同的金屬材料具有不同的腐蝕特性和強度。
2023-03-20 12:23:433172 干法蝕刻與濕法蝕刻之間的爭論是微電子制造商在項目開始時必須解決的首要問題之一。必須考慮許多因素來決定應(yīng)在晶圓上使用哪種類型的蝕刻劑來制作電子芯片，是液體（濕法蝕刻）還是氣體（干法蝕刻）
2023-04-12 14:54:331004 過去利用堿氫氧化物水溶液研究了硅的取向依賴蝕刻，這是制造硅中微結(jié)構(gòu)的一種非常有用的技術(shù)。以10M氫氧化鉀（KOH）為蝕刻劑，研究了單晶硅球和晶片的各向異性蝕刻過程，測量了沿多個矢量方向的蝕刻速率，用單晶球發(fā)現(xiàn)了最慢的蝕刻面。英思特利用這些數(shù)據(jù)，提出了一種預(yù)測不同方向表面的傾角的方法
2023-05-29 09:42:40618 
等離子體蝕刻是氮化鎵器件制造的一個必要步驟，然而，載體材料的選擇可能會實質(zhì)上改變蝕刻特性。在小型單個芯片上制造氮化鎵（GaN）設(shè)備，通常會導(dǎo)致晶圓的成本上升。在本研究中，英思特通過鋁基和硅基載流子來研究蝕刻過程中蝕刻速率、選擇性、形貌和表面鈍化的影響。
2023-05-30 15:19:54452 
離子束蝕刻 (Ion beam etch) 是一種物理干法蝕刻工藝。由此，氬離子以約1至3keV的離子束輻射到表面上。由于離子的能量，它們會撞擊表面的材料。晶圓垂直或傾斜入離子束，蝕刻過程是絕對
2023-06-20 09:48:563989 
蝕刻是一種從材料上去除的過程?；砻嫔系囊环N薄膜基片。當掩碼層用于保護特定區(qū)域時在晶片表面，蝕刻的目的是“精確”移除未覆蓋的材料戴著面具。
2023-07-12 09:26:03190 
蝕刻是一種從材料上去除的過程?；砻嫔系囊环N薄膜基片。當掩碼層用于保護特定區(qū)域時在晶片表面，蝕刻的目的是“精確”移除未覆蓋的材料戴著面具。
2023-07-14 11:13:32183 
電解提銅過程中，陽極區(qū)的氫離子會透過陽離子膜遷移到陽極區(qū)中，使藥水酸度增加，正好可以補充蝕刻過程中藥水酸度的損耗，使蝕刻液可以不斷循環(huán)使用。
2023-07-18 15:01:43383
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