引言 橢偏光譜(SE)、原子力顯微鏡(AFM)、X射線光電子能譜(XPS)、潤濕性和光致發(fā)光(PL)測量研究了HF水 溶液中化學(xué)清洗的GaP(OOl)表面。SE數(shù)據(jù)清楚地表明，溶液在浸入樣品后(W1
2021-12-22 17:30:40
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引言 精細(xì)陶瓷由于其優(yōu)越的機(jī)械性能和功能性能，在過去的二十年中得到了發(fā)展。最近，從環(huán)境和經(jīng)濟(jì)的角度來看，希望開發(fā)具有較低能量的制造工藝，因為生產(chǎn)精細(xì)陶瓷需要相當(dāng)大的能量。另一方面，由于包括各種精細(xì)陶瓷在內(nèi)的大量固體廢物的排放，自然資源和填埋場的枯竭正成為一個嚴(yán)重的問題。為了解決這些問題，有必要為這些陶瓷開發(fā)一個回收系統(tǒng)。然而，精細(xì)陶瓷回收的研究和開發(fā)還沒有進(jìn)行。 實驗 si3n 4陶瓷的水熱處理使用在JFCC，通過添
2021-12-23 16:39:451506 
摘要 研究了高頻和高頻/HCI溶液中的不同平衡點(diǎn)，并研究了SiQ的蝕刻反應(yīng)作為高頻溶液中不同物種的函數(shù)?；贖F二聚體的存在，建立了一種新的SiO~蝕刻機(jī)制模型， SiQ在高頻溶液中的溶解
2021-12-31 11:08:013593 
被劃分為與晶體表面的不同狀態(tài)和各種蝕刻機(jī)制相對應(yīng)的部分。蝕刻后的晶體表面的形狀與同一溶液中沿同一方向蝕刻的凹槽的輪廓密切相關(guān)。 介紹 本文研究（100）砷化鎵在硫酸、過氧化氫和水溶液中的化學(xué)蝕刻具有重要的技術(shù)和科學(xué)意義。該解決方案通常用于
2022-01-25 10:32:242215 
本文研究了硅的氧化物和氮化物的氣相氟化氫蝕刻作用，新的氧化物選擇性模式，概述了通過將無水高頻與控制量的水蒸汽混合而產(chǎn)生高頻蒸汽蝕刻劑的實現(xiàn)方法，描述了一種通過將氮?dú)馔ㄟ^高頻水溶液而引入高頻蒸汽的系統(tǒng)。
2022-04-11 16:41:191101 
在濕法各向異性蝕刻中，底切凸角的蝕刻輪廓取決于蝕刻劑的類型。已經(jīng)進(jìn)行了大量的研究來解釋這種凸角底切并確定底切平面的方向。然而，還不清楚為什么不同蝕刻劑會出現(xiàn)不同形狀的底切前沿。
2022-05-24 14:27:261571 
反應(yīng)離子蝕刻 (RIE)是一種干法蝕刻工藝，與半導(dǎo)體工業(yè)中使用的互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)方法兼容。
2023-04-14 14:26:161253 
需要全部蝕刻，而留下的另一層就是電路。蝕刻的方法，我們主要討論化學(xué)方法，主要分為浸漬蝕刻、攪拌蝕刻以及噴射蝕刻。浸漬蝕刻就是把線路板進(jìn)入容器中，容器中盛有蝕刻藥液。這種蝕刻方法比較慢，而且會存在凹陷
2017-02-21 17:44:26
為了在基板上形成功能性的MEMS結(jié)構(gòu)，必須蝕刻先前沉積的薄膜和/或基板本身。通常，蝕刻過程分為兩類：浸入化學(xué)溶液后材料溶解的濕法蝕刻干蝕刻，其中使用反應(yīng)性離子或氣相蝕刻劑濺射或溶解材料在下文中，我們將簡要討論最流行的濕法和干法蝕刻技術(shù)。
2021-01-09 10:17:20
連續(xù)再生循環(huán)使用，成本低。 2.蝕刻過程中的主要化學(xué)反應(yīng)在氯化銅溶液中加入氨水，發(fā)生絡(luò)合反應(yīng)：CuCl2＋4NH3 →Cu(NH3)4Cl2在蝕刻過程中，板面上的銅被[Cu(NH3)4]2+絡(luò)離子氧化
2018-02-09 09:26:59
蝕問題，蝕刻后的導(dǎo)線側(cè)壁接近垂直?！ ?b class="flag-6" style="color: red">3）溫度：溫度對蝕刻液特性的影響比較大，通常在化學(xué)反應(yīng)過程中，溫度對加速溶液的流動性和減小蝕刻液的粘度，提高蝕刻速率起著很重要的作用。但溫度過高，也容易引起蝕刻液
2018-09-11 15:19:38
化學(xué)反應(yīng)過程中，溫度對加速溶液的流動性和減小蝕刻液的粘度，提高蝕刻速率起著很重要的作用。但溫度過高，也容易引起蝕刻液中一些化學(xué)成份揮發(fā)，造成蝕刻液中化學(xué)組份比例失調(diào)，同時溫度過高，可能會造成高聚物抗
2013-10-31 10:52:34
中的氨（NH3）來決定。因此用新鮮溶液與蝕刻表面作用,其目的主要有兩個：一是沖掉剛剛產(chǎn)生的銅離子；二是不斷提供進(jìn)行反應(yīng)所需要的氨（NH3）。 在印制電路工業(yè)的傳統(tǒng)知識里,特別是印制電路原料的供應(yīng)商
2018-11-26 16:58:50
隨著等離子體加工技術(shù)運(yùn)用的日益普及，在PCB 制程中目前主要有以下功用： (1) 孔壁凹蝕 / 去除孔壁樹脂鉆污 對于一般FR-4多層印制電路板制造來說，其數(shù)控鉆孔后的去除孔壁樹脂鉆污和凹蝕
2018-09-21 16:35:33
的規(guī)定或適當(dāng)降低抽風(fēng)量執(zhí)行。 ?。?b class="flag-6" style="color: red">3）按工藝要求排放出部分比重高的溶液經(jīng)分析后補(bǔ)加氯化銨和氨的水溶液，使蝕刻液的比重調(diào)整到工藝充許的范圍?！ ?b class="flag-6" style="color: red">3.問題：印制電路中金屬抗蝕鍍層被浸蝕 原因： ?。?
2018-09-19 16:00:15
所有其它參數(shù)不變，那么蝕刻速率主要由蝕刻液中的氨（NH3）來決定。因此用新鮮溶液與蝕刻表面作用，其目的主要有兩個：一是沖掉剛剛產(chǎn)生的銅離子；二是不斷提供進(jìn)行反應(yīng)所需要的氨（NH3）?！ ≡谟≈齐娐饭I(yè)
2018-09-13 15:46:18
重要材料的濕法腐蝕，即氧化鋅、氮化鎵和碳化硅。雖然氧化鋅很容易在許多酸溶液中蝕刻，包括硝酸/鹽酸和氫氟酸/硝酸，在非酸性乙酰丙酮中，第三族氮化物和碳化硅很難濕法蝕刻，通常使用干法蝕刻。已經(jīng)研究了用于氮化
2021-10-14 11:48:31
常見的加工方法進(jìn)行。對于我們的第一步，我們使用了幾種不同的處理方法，包括氯基等離子體中的反應(yīng)離子蝕刻、KOH 溶液中的 PEC 蝕刻和切割。第二步是通過浸入能夠在晶體學(xué)上蝕刻 GaN 的化學(xué)品中完成
2021-07-07 10:24:07
過程具有反應(yīng)受限的性質(zhì)。HClH3PO4:H2O2 蝕刻劑是 HCl 和 H2O2 在 H3PO4 中的非水溶液溶劑。作為氧化劑的H2O2起著非常重要的作用。單獨(dú)的鹽酸，不含 H2O2，不會侵蝕 GaAs
2021-07-09 10:23:37
問題，因為涉及的損害很低。此外，它們比干法蝕刻方法更便宜且不復(fù)雜。另一個重要的優(yōu)點(diǎn)是濕法蝕刻可以選擇性地去除不同的材料。本文介紹了n型氮化鎵在幾種電解質(zhì)水溶液中(光)電化學(xué)行為的基礎(chǔ)研究結(jié)果，以及在
2021-10-13 14:43:35
氟化氫 (HF)）的混合溶液中，使用貴金屬（例如 Au、Ag 或 Pt）蝕刻其下方的硅。1，3圖1描繪了MacEtch過程的示意圖。圖 2 顯示了 MacEtch 工藝流程。從圖 1 中可以看出，通過
2021-07-06 09:33:58
，那么蝕刻速率主要由蝕刻液中的氨(NH3)來決定。因此用新鮮溶液與蝕刻表面作用,其目的主要有兩個：一是沖掉剛剛產(chǎn)生的銅離子;二是不斷提供進(jìn)行反應(yīng)所需要的氨(NH3)。在印制電路工業(yè)的傳統(tǒng)知識里,特別是
2018-04-05 19:27:39
典型的硅刻蝕是用含氮的物質(zhì)與氫氟酸的混合水溶液。這一配比規(guī)則在控制刻蝕中成為一個重要的因素。在一些比率上，刻蝕硅會有放熱反應(yīng)。加熱反應(yīng)所產(chǎn)生的熱可加速刻蝕反應(yīng)，接下來又產(chǎn)生更多的熱，這樣進(jìn)行下去會
2018-12-21 13:49:20
的關(guān)系 在蝕刻過程中，蝕刻液中的反應(yīng)離子是通過流體運(yùn)動，擴(kuò)散運(yùn)動達(dá)到露銅箔的表面并與銅發(fā)生化學(xué)反應(yīng)的。流體運(yùn)動的速度與擴(kuò)散層的厚度決定著反應(yīng)的速率。在流體運(yùn)動時，其受到銅箔表面流體的阻力f作用。根據(jù)
2018-09-10 15:56:56
x500) mm 的板子。在印制電路板制作中，在第二個蝕刻周期前放置板子的架子可以旋轉(zhuǎn)180° ，此外還提供了一個刷洗槽以沖洗蝕刻后的板子。這套設(shè)備蝕刻的極子走線分辨率可達(dá)小于(大于?)0. 1mm ，而且在新的FeCI3蝕刻溶液中其蝕刻速度只能達(dá)到90s 。
2018-09-11 15:27:47
P FIB 與DB FIB師出同源，最大差異在離子源與蝕刻效率。DB FIB的離子源Ga+容易附著在樣品表面，P FIB使用Xe可減少樣品Ga污染問題。P FIB可大范圍面積快速執(zhí)行，蝕刻速率提升20倍。
2019-08-15 15:57:55
﹐就是盡速讓金屬表面不斷地接觸新鮮的蝕刻液。 在氨性蝕刻中﹐假定所有參數(shù)不變﹐那么蝕刻的速率將主要由蝕刻液中的氨(NH3)來決定。因此, 使用新鮮溶液與蝕刻表面相互作用﹐其主要目的有兩個﹕沖掉剛產(chǎn)生的銅
2017-06-23 16:01:38
怎么用LABVIEW索引出對應(yīng)溫度（列）和體積濃度（行，百分比）下的乙二醇水溶液的密度（中間的數(shù)值）
2017-08-12 20:41:36
濕法蝕刻工藝的原理是使用化學(xué)溶液將固體材料轉(zhuǎn)化為液體化合物。選擇性非常高，因為所用化學(xué)藥品可以非常精確地適應(yīng)各個薄膜。對于大多數(shù)解決方案，選擇性大于100：1。
2021-01-08 10:12:57
，LiNbO3材料，頻譜儀，線圈等。實驗內(nèi)容：提出了一款工作在45kHz的壓電天線。分析壓電天線的遠(yuǎn)場磁感應(yīng)強(qiáng)度和輻射效率的理論計算公式，并通過在COMSOL中仿真不同壓電材料，不同圓柱體尺寸、不同鍍金厚度
2021-11-10 08:00:00
適當(dāng)?shù)那鍧嵒驅(qū)?b class="flag-6" style="color: red">溶液進(jìn)行補(bǔ)加。 蝕刻過程中應(yīng)注意的問題 減少側(cè)蝕和突沿﹐提高蝕刻系數(shù) 側(cè)蝕會產(chǎn)生突沿。通常印制板在蝕刻液中的時間越長,側(cè)蝕的情況越嚴(yán)重。側(cè)蝕將嚴(yán)重影響印制導(dǎo)線的精度，嚴(yán)重的側(cè)蝕將不
2017-06-24 11:56:41
。2．克升濃度計算： 定義：一升溶液里所含溶質(zhì)的克數(shù)?！ ∨e例：100克硫酸銅溶于水溶液10升，問一升濃度是多少? 100/10=10克/升3．重量百分比濃度計算 (1)定義：用溶質(zhì)的重量占全部溶液
2018-08-29 10:20:51
速率主要由蝕刻液中的氨(NH3)來決定。因此用新鮮溶液與蝕刻表面作用,其目的主要有兩個：一是沖掉剛剛產(chǎn)生的銅離子;二是不斷提供進(jìn)行反應(yīng)所需要的氨(NH3)?！ ≡谟≈齐娐饭I(yè)的傳統(tǒng)知識里,特別是
2018-09-19 15:39:21
鋅銅電池通常包含兩個燒杯、鋅片、銅片、鹽橋和導(dǎo)線。裝置如下圖。鋅片放出電子變成鋅離子，進(jìn)入溶液中。電子經(jīng)由外電路到達(dá)銅片。銅片的作用只是傳遞電子給水溶液中的銅離子。
2019-09-10 10:42:39
超聲波輻照水溶液時，空化泡在聲波的作用下形成、振蕩、生長、收縮至崩潰?？栈荼罎r在空化泡周圍的極小空間內(nèi)可以產(chǎn)生5000K以上的高溫和高達(dá)5 X 107Pa的高壓等極端物理條件
2008-11-24 21:51:53
12 分析了厚電極厚緩沖層的共面波導(dǎo)Mach-Zehnder行波電極LiNbO3光調(diào)制器，討論了電極厚度和緩沖層厚度對調(diào)制器特性參數(shù)的影響，得到了調(diào)制器的有效折射率、特征阻抗、半波電壓及
2009-02-28 10:36:1033 因產(chǎn)品配置不同, 價格貨期需要電議, 圖片僅供參考, 一切以實際成交合同為準(zhǔn)伯東公司日本原裝設(shè)計制造離子蝕刻機(jī) IBE. 提供微米級刻蝕, 均勻性: ≤±5%, 滿足
2022-11-07 16:27:40
因產(chǎn)品配置不同, 價格貨期需要電議, 圖片僅供參考, 一切以實際成交合同為準(zhǔn)離子蝕刻機(jī) 4 IBE伯東公司日本原裝進(jìn)口小型離子蝕刻機(jī), 適用于科研院所
2022-11-07 16:30:42
因產(chǎn)品配置不同, 價格貨期需要電議, 圖片僅供參考, 一切以實際成交合同為準(zhǔn)伯東公司日本原裝進(jìn)口小型離子蝕刻機(jī), 適用于科研院所, 實驗室研究, 干式制程的微細(xì)加工
2022-11-07 16:38:17
斜輻照激光等離子體輻射X光子特性:在神光Ⅱ高功率激光裝置上，實驗研究了激光斜輻照形成的激光等離子體輻射X射線光子的特性及真空噴射熱等離子體流的方向。采用
2009-10-29 14:11:3915 Eu3 + 摻雜LiNbO3 晶體的變溫發(fā)射光譜特征
在488 nm 波長光的激發(fā)下, 研究了用坩堝下降法生長的摻雜Eu3 + 離子的下部與上部LiNbO3 晶體從77 到600 K的變溫發(fā)射光譜特征。實
2010-02-22 11:53:5410 摘要 分析了在垂直LiNbO3晶體光軸方向加電壓,光沿近光軸方向傳播時,入射光偏振方向?qū)﹄姽庹{(diào)制器的影響.通過計算加電場后雙折射光程差的變化和偏光振動方向的轉(zhuǎn)動,畫出在正交
2010-11-30 13:12:3523 膠體電池回充性好、極板耐硫化的機(jī)理
普通鉛酸蓄電池的離子運(yùn)動傳導(dǎo)介質(zhì)是硫酸的水溶液。
硫酸膠體化是將水溶液狀態(tài)的硫酸液
2009-11-06 09:03:00848 1. 克升濃度計算：
定義：一升溶液里所含溶質(zhì)的克數(shù)。
舉例：100克硫酸銅溶于水溶液10升，問一升濃度是多少？
10
2010-10-26 17:33:241946 對于我們常用的不可充電的原電池，國際標(biāo)準(zhǔn)IEC 60086-5“原電池—-第5部分：水溶液電解質(zhì)電池的安全”中就對其安全使用提出了諸多建議。
2012-05-30 15:39:241373 本文主要介紹了配比鹽霧試驗所用鹽水溶液的三種方法。
2018-06-21 12:00:000 通常所指蝕刻也稱腐蝕或光化學(xué)蝕刻（photochemicaletching），指通過曝光制版、顯影后，將要蝕刻區(qū)域的保護(hù)膜去除，在蝕刻時接觸化學(xué)溶液，達(dá)到溶解腐蝕的作用，形成凹凸或者鏤空成型的效果。
2019-04-25 15:41:3614173 按工藝要求排放出部分比重高的溶液經(jīng)分析后補(bǔ)加氯化銨和氨的水溶液，使蝕刻液的比重調(diào)整到工藝充許的范圍。
2019-06-10 16:31:111816 酸性蝕刻是指用酸性溶液蝕去非線路銅層，露出線路部分，完成最后線路成形。
2019-10-03 15:05:0013387 如今，鋰離子電池充電越來越快且性能也越來越高，但也越來越昂貴且越來越易燃。
2019-12-21 10:42:55572 內(nèi)部，正極和負(fù)極兩個電極浸在液體電解質(zhì)中。電池充放電時，液體電解質(zhì)就會傳導(dǎo)離子。水溶液電解質(zhì)因不可燃性而備受關(guān)注。而且，在制造過程中，與非水電解質(zhì)不同，水溶液電解質(zhì)不易受水分影響，更方便操作，成本更低。對于這種材料來說，最大的挑戰(zhàn)在于如何保持性能。
2020-10-29 22:27:00635 的粗糙度大大增加，這將導(dǎo)致質(zhì)量文章全部詳情：壹叁叁伍捌零陸肆叁叁叁差柵氧化層擊穿性能。?SC-1清洗后的硅片粗糙度降低，采用雙氧水溶液和氫氟酸溶液循環(huán)處理，而不是只用hf清洗。 介紹 ? 硅超大規(guī)模集成電路技術(shù)要求超凈硅表面具有特征，即無污染物、無氧化物、
2023-04-19 10:01:00129 
在壓電天線的諧振頻率的實測中，利用函數(shù)信號發(fā)生器發(fā)送45 kHz的正弦波，再利用ATA- -2161電壓放大器將正弦波的電壓幅度放大，將放大的電壓輸入到LiNbO3晶體兩端，再利用接收線圈接收
2021-11-05 16:51:502944 我們?nèi)A林科納研究了不同醇類添加劑對氫氧化鉀溶液的影響。據(jù)說醇導(dǎo)致硅蝕刻各向異性的改變。具有一個羥基的醇表現(xiàn)出與異丙醇相似的效果。它們導(dǎo)致(hh 1)型平面的蝕刻速率大大降低，通常在蝕刻凸形圖形的側(cè)壁處發(fā)展。這就是凸角根切減少的原因。具有一個以上羥基的醇不影響蝕刻各向異性，并導(dǎo)致表面光潔度變差。
2021-12-17 15:27:53641 引言 了解形成MEMS制造所需的三維結(jié)構(gòu)，需要SILICON的各向異性蝕刻，此時使用的濕式蝕刻工藝考慮的事項包括蝕刻率、長寬比、成本、環(huán)境污染等[1]。用于硅各向異性濕式蝕刻 溶液有KOH
2021-12-23 09:55:35484 
引言 鈮酸鋰是一種廣泛應(yīng)用于光學(xué)和聲表面波器件的鐵電材料。鈮酸鋰通常不用于微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)應(yīng)用，部分原因是鈮酸鋰的體微加工不如與其他材料的加工那樣好理解。已經(jīng)公布了硅和石英對晶體取向的完全蝕刻
2021-12-24 15:43:43723 
方法。本文結(jié)合理論模擬和實驗，綜合分析了所提出的旋轉(zhuǎn)交換濕蝕刻法的蝕刻結(jié)果。發(fā)現(xiàn)質(zhì)子交換層可以很容易地使用氫氟酸/硝酸混合酸蝕刻阻擋層，從而改善提取率和表面形貌。最佳波導(dǎo)的最低粗糙度被測量為0.81毫米，這有利于基
2021-12-24 16:24:52400 
引言 我們研究了四種硅在高頻水溶液中的陽極電流-電勢特性。根據(jù)不同電位陽極氧化的樣品的表面條件，電流-電位曲線上通常有三個區(qū)域：電流隨電位指數(shù)變化區(qū)域的多孔硅形成，恒流區(qū)域的硅的電泳拋光，以及
2021-12-28 16:40:16905 
引言 到目前為止，GaAs晶片的直接再利用受到晶片表面上的殘留物的限制，這些殘留物不能利用一般的清洗方法方式去除。因此，用顯微技術(shù)、輪廓術(shù)和x光電子能譜研究了氫氟酸對GaAs晶片的腐蝕。發(fā)現(xiàn)在蝕刻
2021-12-28 16:34:37627 
電感耦合等離子體反應(yīng)離子蝕刻獲得的高蝕刻速率和高度各向異性的輪廓。光增強(qiáng)濕法蝕刻提供了一種獲得高蝕刻速率而沒有離子誘導(dǎo)損傷的替代途徑。該方法適用于器件制造以及n-氮化鎵中位錯密度的估算。這有可能發(fā)展成為一種快
2021-12-30 10:36:17989 
引言 氫氧化鉀溶液通常用于改善硅(100)表面光滑度和減少三維硅結(jié)構(gòu)的凸角底切。異丙醇降低了氫氧化鉀溶液的表面張力，改變了硅的蝕刻各向異性，顯著降低了(110)和(hh1)面的蝕刻速率，并在較小程度
2022-01-13 13:47:261156 
引言 我們?nèi)A林科納研究了KOH基溶液中AIN的濕式化學(xué)蝕刻與蝕刻溫度和材料質(zhì)量的關(guān)系。這兩種材料的蝕刻速率都隨著蝕刻溫度的增加而增加，從20~80°C不等。通過在1100°C下快速熱退火，提高了反應(yīng)
2022-01-17 16:21:48324 
摘要 我們江蘇華林科納講述了倒置有機(jī)太陽能電池(IOSCs)的光伏(PV)性能。氧化鋅薄膜采用簡單的水溶液路線沉積在ITO/玻璃溶液上。氧化鋅薄膜通過濕化學(xué)蝕刻得到氧化鋅納米結(jié)構(gòu)。與使用氧化鋅薄膜
2022-01-20 11:27:38298 
，表面的Ga-As鍵斷裂，元素砷留在砷化鎵表面。此外，用鹽酸+2-丙醇溶液蝕刻時可以觀察到吸附的2-丙醇分子，但用氨水溶液蝕刻時沒有檢測到吸附的水分子。 介紹 濕式化學(xué)蝕刻工藝在器件制造中已被廣泛應(yīng)用。半導(dǎo)體/電解質(zhì)界面上發(fā)生的過程
2022-01-24 15:07:301071 
本文探討了紫外輻照對生長在藍(lán)寶石襯底上的非有意摻雜n型氮化鎵(GaN)層的濕法化學(xué)刻蝕的影響。實驗過程中，我們發(fā)現(xiàn)氮化鎵的蝕刻發(fā)生在pH值分別為2-1和11-15的磷酸水溶液和氫氧化鉀溶液中。在稀釋
2022-01-24 16:30:31948 
刻蝕電介質(zhì)(二氧化硅、氮化硅)和晶體硅。論文的第二部分致力于蝕刻ⅲ-ⅴ族化合物半導(dǎo)體，其中基于氮化鎵材料的反應(yīng)離子刻蝕結(jié)果，揭示了一種簡單實用的熱力學(xué)方法，解釋了選擇蝕刻特定材料的最佳化學(xué)物質(zhì)的標(biāo)準(zhǔn)，并解釋了氮化鎵蝕刻
2022-02-07 14:39:361642 
基于HC1的蝕刻劑被廣泛應(yīng)用于InP半導(dǎo)體器件，HC1溶液中其他酸的存在對蝕刻速率有顯著影響，然而，InP并不溶在涉及簡單氧化劑的傳統(tǒng)蝕刻劑中，為了解決溶解機(jī)理的問題，我們江蘇華林科納研究了p-InP在不同HC1溶液中的刻蝕作用和電化學(xué)反應(yīng)。
2022-02-09 10:54:58727 
下的抗激光損傷能力。這種比較是在高損傷閾值拋光熔融石英光學(xué)器件上設(shè)計的劃痕上進(jìn)行的。我們證明氫氧化鉀和氫氟酸/硝酸溶液都能有效鈍化劃痕，從而提高其損傷閾值，達(dá)到拋光表面的水平。還研究了這些濕蝕刻對表面粗糙度和外觀的影響。我們表明，在
2022-02-24 16:26:032429 
在 KOH 水溶液中進(jìn)行濕法化學(xué)蝕刻期間，硅 (1 1 1) 的絕對蝕刻速率已通過光學(xué)干涉測量法使用掩膜樣品進(jìn)行了研究。蝕刻速率恒定為0.62 ± 0.07 μm/h 且與 60
2022-03-04 15:07:09845 
在高頻水溶液中，SiO的蝕刻可以通過電場的應(yīng)用而被阻礙或停止。在CMOS制造中，非常低水平的光可以導(dǎo)致這種影響。對溶解過程提出了平行反應(yīng)路徑，并加上電場在中間步驟中停止或重定向反應(yīng)的能力。
2022-03-07 15:28:241519 
HF對基片進(jìn)行了研究，主要分為隨機(jī)蝕刻和周期性蝕刻。 我們討論了蝕刻的問題機(jī)理、蝕刻速率、硬掩膜材料、周期性光俘獲結(jié)構(gòu)。
2022-03-08 11:52:411213 
在本文中，我們首次報道了實現(xiàn)硅111和100晶片的晶體蝕刻的酸性溶液。通過使用六氟硅酸(也稱為氟硅酸)和硝酸的混合物，獲得暴露出各種面外111平面的硅111的晶體蝕刻。本文描述了用于該研究的溶液的化學(xué)組成，隨后是使用電子和光學(xué)顯微鏡獲得的結(jié)果。蝕刻的機(jī)理，雖然沒有完全理解，將在下面的章節(jié)中討論。
2022-03-09 14:35:42460 
本文研究了KOH基溶液中AIN的濕式化學(xué)蝕刻與蝕刻溫度和材料質(zhì)量的關(guān)系。這兩種材料的蝕刻速率都隨著蝕刻溫度的增加而增加，從20~80°C不等。通過在1100°C下快速熱退火，提高了反應(yīng)性濺射制備
2022-03-09 14:37:47431 
緩沖氧化物蝕刻(BOE)或僅僅氫氟酸用于蝕刻二氧化硅在硅上晶片。 緩沖氧化蝕刻是氫氟酸和氟化銨的混合物。含氟化銨的蝕刻使硅表面具有原子平滑的表面高頻。 由于這一過程中所涉及的酸具有很高的健康風(fēng)險，建議用戶使用在執(zhí)行工藝之前，請仔細(xì)閱讀材料安全數(shù)據(jù)表。
2022-03-10 16:43:35798 
本文研究了用金剛石線鋸切和標(biāo)準(zhǔn)漿料鋸切制成的180微米厚5英寸半寬直拉單晶硅片與蝕刻時間的關(guān)系，目的是確定FAS晶片損傷蝕刻期間蝕刻速率降低的根本原因，無論是與表面結(jié)構(gòu)相關(guān)，缺陷相關(guān)，由于表面存在的氧化層，還是由于有機(jī)殘差。
2022-03-16 13:08:09619 
本文根據(jù)測量的OCP和平帶電壓，構(gòu)建了氫氧化鉀水溶液中n-St的定量能帶圖，建立了同一電解質(zhì)中p-St的能帶圖，進(jìn)行了輸入電壓特性的測量來驗證這些能帶圖，硅在陽極偏置下的鈍化作用歸因于氧化物膜的形成
2022-03-17 17:00:081119 
本文我們?nèi)A林科納半導(dǎo)體有限公司研究了類似的現(xiàn)象是否發(fā)生在氫氧化鉀溶液中添加的其他醇，詳細(xì)研究了丁基醇濃度對（100）和（110）Si平面表面形貌和蝕刻速率的影響，并給出了異丙醇對氫氧化鉀溶液的蝕刻結(jié)果，為了研究醇分子在蝕刻溶液中的行為機(jī)理，我們還對溶液的表面張力進(jìn)行了測量。
2022-03-18 13:53:01288 
使用酸性或氟化物溶液對硅表面進(jìn)行濕蝕刻具有重大意義，這將用于生產(chǎn)微電子包裝所需厚度的可靠硅芯片。本文研究了濕蝕刻對浸入48%高頻/水溶液中的硅片厚度耗散、減重、蝕刻速率、表面形貌和結(jié)晶性
2022-03-18 16:43:11528 
薄晶片已成為各種新型微電子產(chǎn)品的基本需求。 需要更薄的模具來適應(yīng)更薄的包裝。 使用最后的濕蝕刻工藝在背面變薄的晶圓與標(biāo)準(zhǔn)的機(jī)械背面磨削相比，應(yīng)力更小。 硅的各向同性濕蝕刻通常是用硝酸和氫氟酸的混合物
2022-04-07 14:46:33751 
本文章提出了一種新的半導(dǎo)體超鹵素深度分析方法，在通過臭氧氧化去除一些硅原子層，然后用氫氟酸蝕刻氧化物后，重復(fù)測量，然后確定了成分和表面電位的深度分布，因此這種分析技術(shù)提供了優(yōu)于0.5納米的深度分辨率
2022-04-18 16:35:05261 
本文提供了用于蝕刻膜的方法和設(shè)備。一個方面涉及一種在襯底上蝕刻氮化硅的方法，該方法包括:(a)將氟化氣體引入等離子體發(fā)生器并點(diǎn)燃等離子體以a形成含氟蝕刻溶液；(b)從硅源向等離子體提供硅；以及
2022-04-24 14:58:51979 
金屬涂層，如銅膜，可以很容易地沉積在半導(dǎo)體材料上，如硅晶片，而無需使無電鍍工藝進(jìn)行預(yù)先的表面預(yù)處理。然而，銅膜的粘附性可能非常弱，并且容易剝離。在本研究中，研究了在氫氟酸溶液中蝕刻作為硅晶片化學(xué)鍍
2022-04-29 15:09:06464 
本文章提出了一種新的半導(dǎo)體超鹵素深度分析方法，在通過臭氧氧化去除一些硅原子層，然后用氫氟酸蝕刻氧化物后重復(fù)測量，確定了成分和表面電位的深度分布，因此這種分析技術(shù)提供了優(yōu)于0.5納米的深度分辨率，通過
2022-05-06 15:50:39366 
我們?nèi)A林科納研究探索了一種新的濕法腐蝕方法和減薄厚度在100 μm以下玻璃的解決方案，為了用低氫氟酸制備蝕刻溶液，使用NH4F或nh4hf 2作為主要成分并加入硫酸或硝酸是有效的，研究了混合酸溶液
2022-05-20 16:20:243160 本文講述了我們?nèi)A林科納研究了M111N蝕刻速率最小值的高度，以及決定它的蝕刻機(jī)制，在涉及掩模的情況下，M111N最小值的高度可以受到硅/掩模結(jié)處的成核的影響，以這種方式影響蝕刻或生長速率的結(jié)可以
2022-05-20 17:12:59853 
摘要 微流體和光學(xué)傳感平臺通常由玻璃和熔融石英(石英)制成，因為它們具有光學(xué)透明性和化學(xué)惰性。氫氟酸(HF)溶液是用于深度蝕刻二氧化硅襯底的選擇的蝕刻介質(zhì)，但是由于HF遷移穿過大多數(shù)掩模材料的侵蝕性
2022-05-23 17:22:141229 
引用 本文介紹了我們?nèi)A林科納半導(dǎo)體研究了取向硅在氫氧化鉀水溶液中的各向異性腐蝕特性和凸角底切機(jī)理。首先，確定控制底切的蝕刻前沿的晶面，并測量它們的蝕刻速率。然后，基于測量數(shù)據(jù)，檢驗了凸角補(bǔ)償技術(shù)
2022-06-10 17:03:481113 
引言 我們?nèi)A林科納描述了一種與去離子水中銅的蝕刻相關(guān)的新的成品率損失機(jī)制。在預(yù)金屬化濕法清洗過程中，含有高濃度溶解氧的水會蝕刻通孔底部的銅。蝕刻在金屬化后殘留的Cu中產(chǎn)生空隙，導(dǎo)致受影響的陣列電路
2022-06-16 16:51:101801 
的蝕刻去除了金屬污染物。用氰化氫HCN水溶液清洗被金屬污染的碳化硅，然后進(jìn)行RCA清洗，反之亦然，可以完全去除它們。結(jié)果表明，強(qiáng)吸附金屬和粗糙碳化硅表面底部區(qū)域的金屬不能分別用RCA法和HCN法去除。由于
2022-09-08 17:25:461451 
反應(yīng)性離子蝕刻綜合了離子蝕刻和等離子蝕刻的效果：其具有一定的各向異性，而且未與自由基發(fā)生化學(xué)反應(yīng)的材料會被蝕刻。首先，蝕刻速率顯著增加。通過離子轟擊，基材分子會進(jìn)入激發(fā)態(tài)，從而更加易于發(fā)生反應(yīng)。
2022-09-19 15:17:553386 鈮酸鋰（LiNbO3，LN）是一種集電光、聲光、壓電、熱釋電和非線性光學(xué)效應(yīng)于一體的多功能鐵電晶體。
2023-01-08 16:35:031020 在濕蝕刻的情況下，隨著SiNx/SiOy層的厚度減小，剩余的SiOy層由于表面張力而坍塌，蝕刻溶液對孔的滲透變得更具挑戰(zhàn)性。
2023-03-27 10:17:49402 
過去利用堿氫氧化物水溶液研究了硅的取向依賴蝕刻，這是制造硅中微結(jié)構(gòu)的一種非常有用的技術(shù)。以10M氫氧化鉀（KOH）為蝕刻劑，研究了單晶硅球和晶片的各向異性蝕刻過程，測量了沿多個矢量方向的蝕刻速率，用單晶球發(fā)現(xiàn)了最慢的蝕刻面。英思特利用這些數(shù)據(jù)，提出了一種預(yù)測不同方向表面的傾角的方法
2023-05-29 09:42:40618 
上海伯東美國?KRi?考夫曼公司大口徑射頻離子源?RFICP 380, RFICP 220 成功應(yīng)用于 12英寸和 8英寸?IBE 離子束蝕刻機(jī), 實現(xiàn) 300mm 和 200mm 硅片蝕刻, 刻蝕
2023-06-15 14:58:47665 
隨著集成電路互連線的寬度和間距接近3pm，鋁和鋁合金的等離子體蝕刻變得更有必要。為了防止蝕刻掩模下的橫向蝕刻，我們需要一個側(cè)壁鈍化機(jī)制。盡管AlCl和AlBr都具有可觀的蒸氣壓，但大多數(shù)鋁蝕刻的研究
2023-06-27 13:24:11318 
目前，大多數(shù)III族氮化物的加工都是通過干法等離子體蝕刻完成的。干法蝕刻有幾個缺點(diǎn)，包括產(chǎn)生離子誘導(dǎo)損傷和難以獲得激光器所需的光滑蝕刻側(cè)壁。干法蝕刻產(chǎn)生的側(cè)壁典型均方根(rms)粗糙度約為50納米
2023-11-24 14:10:30241 
按工藝要求排放出部分比重高的溶液經(jīng)分析后補(bǔ)加氯化銨和氨的水溶液，使蝕刻液的比重調(diào)整到工藝充許的范圍。
2023-12-06 15:01:46285
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