氟化氫，而且還將投資于半導體蝕刻液。 之前就有消息稱，SK海力士對韓國國產氟化氫經過數月質量測試后，已開始應用于部分制程。其供應商就是Ram Technology，從第三季度開始，Ram
2019-12-10 10:33:37
2909 保持該技術的高對比度。討論了氟化氫在水溶液中的分解，并應用氟化氫蝕刻二氧化硅的反應動力學獲得了蝕刻機理的信息。因此，分析了蝕刻速率的濃度依賴性，發(fā)現(xiàn)蝕刻過程可以描述為HF或HF 2的侵蝕，其由H+離子的存在催化支持。 我們將系統(tǒng)地研
2021-12-23 16:36:591300 倍。此外，堇青石和非晶相在氟化氫溶液中的活化能分別為52.5和30.6千焦/摩爾。非晶相完全溶解所需的時間取決于氟化氫濃度。在蝕刻實驗的基礎上，建立并完善了一個新的模型來評估的演變。此外，通過HF蝕刻獲得了具有高比表面和中孔結構的
2022-01-04 14:39:281654 
被劃分為與晶體表面的不同狀態(tài)和各種蝕刻機制相對應的部分。蝕刻后的晶體表面的形狀與同一溶液中沿同一方向蝕刻的凹槽的輪廓密切相關。 介紹 本文研究（100）砷化鎵在硫酸、過氧化氫和水溶液中的化學蝕刻具有重要的技術和科學意義。該解決方案通常用于
2022-01-25 10:32:242215 
本文介紹了在緩沖氧化物腐蝕(BOE)溶液中溫度對氮化物和氧化物層腐蝕速率的影響。明確的框架結構和減少的蝕刻時間將提高制造過程的生產率，該方法從圖案化氮化硅開始，以研究在BOE工藝之后形成的框架結構
2022-05-05 14:00:50907 
他方向上的蝕刻速度快，而各向同性蝕刻(如HF)會向所有方向侵蝕。使用KOH工藝是因為其在制造中的可重復性和均勻性，同時保持了較低的生產成本。異丙醇(IPA)經常添加到溶液中，以改變從{110}壁到{100}壁的選擇性，并提高表面光滑度。 氧化物和氮化物
2022-07-14 16:06:062774 
摘要：介紹了氧化物半導體甲烷氣體敏感元件的工作機理，論述了改善氧化物半導體甲烷氣敏傳感器性能的幾種途徑。采用加入催化劑、控制材料的微細結構、利用新制備工藝和表面修飾等新方法、新技術可提高氧化物半導體
2018-10-24 14:21:10
高效能、高電壓的射頻基礎設施。幾年后，即2008年，氮化鎵金屬氧化物半導場效晶體（MOSFET）（在硅襯底上形成）得到推廣，但由于電路復雜和缺乏高頻生態(tài)系統(tǒng)組件，使用率較低。
2023-06-15 15:50:54
物聯(lián)網的接入方式有哪幾種？物聯(lián)網網關具備哪幾個功能？物聯(lián)網網關在未來的物聯(lián)網中有什么作用？
2021-06-16 09:36:59
射頻半導體技術的市場格局近年發(fā)生了顯著變化。數十年來，橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)技術在商業(yè)應用中的射頻半導體市場領域起主導作用。如今，這種平衡發(fā)生了轉變，硅基氮化鎵(GaN-on-Si)技術成為接替?zhèn)鹘y(tǒng)LDMOS技術的首選技術。
2019-09-02 07:16:34
為了在基板上形成功能性的MEMS結構，必須蝕刻先前沉積的薄膜和/或基板本身。通常，蝕刻過程分為兩類：浸入化學溶液后材料溶解的濕法蝕刻干蝕刻，其中使用反應性離子或氣相蝕刻劑濺射或溶解材料在下文中，我們將簡要討論最流行的濕法和干法蝕刻技術。
2021-01-09 10:17:20
兼首席執(zhí)行官John Croteau表示：“本協(xié)議是我們引領射頻工業(yè)向硅上氮化鎵技術轉化的漫長征程中的一個里程碑。截至今天，MACOM通過化合物半導體小廠改善并驗證了硅上氮化鎵技術的優(yōu)勢，射頻性能和可靠性
2018-02-12 15:11:38
材料簡稱為半導（體）瓷；同時還添加增大其正電阻溫度系數的Mn、Fe、Cu、Cr的氧化物和起其他作用的添加物，采用一般陶瓷工藝成形、高溫燒結而使鈦酸鉑等及其固溶體半導化，從而得到正特性的熱敏電阻材料．其
2016-08-19 21:59:21
SiC MOS器件的柵極氧化物可靠性的挑戰(zhàn)是，在某些工業(yè)應用給定的工作條件下，保證最大故障率低于1 FIT，這與今天的IGBT故障率相當。除了性能之外，可靠性和堅固性是SiC MOSFET討論最多
2022-07-12 16:18:49
氟化氫 (HF)）的混合溶液中，使用貴金屬（例如 Au、Ag 或 Pt）蝕刻其下方的硅。1，3圖1描繪了MacEtch過程的示意圖。圖 2 顯示了 MacEtch 工藝流程。從圖 1 中可以看出，通過
2021-07-06 09:33:58
氧化物）中的高質量電介質。此外，在加工過程中，熱生長的氧化物可用作注入、擴散和蝕刻掩模。硅作為微電子材料的優(yōu)勢可歸因于這種高質量原生氧化物的存在以及由此產生的接近理想的硅/氧化物界面。濕法蝕刻包括
2021-07-06 09:32:40
) 和激光二極管 (LD)，并改進 III 族氮化物器件通過實現(xiàn) III 族氮化物器件薄膜的同質外延生長，顯著提高了性能。塊狀 GaN 單晶可以通過高壓溶液生長 (HPGS) 生長，氫化物氣相外延
2021-07-07 10:26:01
重要材料的濕法腐蝕，即氧化鋅、氮化鎵和碳化硅。雖然氧化鋅很容易在許多酸溶液中蝕刻，包括硝酸/鹽酸和氫氟酸/硝酸，在非酸性乙酰丙酮中，第三族氮化物和碳化硅很難濕法蝕刻，通常使用干法蝕刻。已經研究了用于氮化
2021-10-14 11:48:31
大多數 III 族氮化物的加工都是通過干式等離子體蝕刻完成的。 干式蝕刻有幾個缺點，包括產生離子誘導損傷 并且難以獲得激光所需的光滑蝕刻側壁。通過干法蝕刻產生的側壁的粗糙度約為 50 nm，盡管最近
2021-07-07 10:24:07
的開路條件下被光蝕刻。 介紹近年來，氮化鎵和相關氮化物半導體在藍綠色發(fā)光二極管、激光二極管和高溫大功率電子器件中的應用備受關注。蝕刻組成材料的有效工藝的可用性因此非常重要。由于第三族氮化物不尋常的化學
2021-10-13 14:43:35
的實驗結果。確定了幾個可能影響粘附的因素，并使用實驗設計 (DOE) 方法來研究所選因素的影響和相互作用。確定的最顯著的附著力改進是在光刻膠涂層之前立即加入天然氧化物蝕刻。除了提高附著力外，這種預涂層處理
2021-07-06 09:39:22
和 6 英寸晶片具有 100 納米 LPCVD 氮化物層掩蔽材料。晶片在一側用光刻法進行圖案化，然后在工藝流程中通過干法蝕刻氮化物和/或熱氧化物層以給出所需的圖案略III. 電阻結果與討論 略IV.
2021-07-19 11:03:23
的刻蝕速率約為300A/s。這個速率對于一個要求控制的工藝來說太快了。在實際中，氫氟酸與水或氟化銨及水混合。以氟化銨來緩沖加速刻蝕速率的氫離子的產生。這種刻蝕溶液稱為緩沖氧化物刻蝕或BOE。針對特定
2018-12-21 13:49:20
半導體傳感技術。硫化氫傳感器由兩片薄片組成：一片是加熱片，另一片是對硫化氫氣體敏感的氣敏片。兩片薄片都以真空鍍膜的方式安裝在一個硅芯片上。加熱片將氣敏片的工作溫度提升到能對硫化氫氣體反應的水平。氣敏片上有金屬氧化物，可動態(tài)地顯示硫化氫氣體濃度的變化。其敏感性可從十億分之一到百分之一。
2020-07-30 11:18:21
% 化學物及能源損耗，此外還能，再加上節(jié)省超過 50% 的包裝材料，那氮化鎵的環(huán)保優(yōu)勢，將遠遠大于傳統(tǒng)慢速比低速硅材料。
2023-06-15 15:47:44
金屬氧化物H+選擇性電極作為玻璃電極的替代材料已引起了廣泛的關注，文獻報導的金屬氧化物pH電化學傳感器大部分是基于貴金屬氧化物電極，制備成本較貴，但W及其氧化物價格相對比校低。
2019-09-16 10:05:21
氮化鎵，由鎵（原子序數 31）和氮（原子序數 7）結合而來的化合物。它是擁有穩(wěn)定六邊形晶體結構的寬禁帶半導體材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離所需要的能量，氮化鎵的禁帶寬度為 3.4eV，是硅
2023-06-15 15:41:16
什么是物聯(lián)網及物聯(lián)網終端？物聯(lián)網終端的基本原理及作用是什么？物聯(lián)網終端有哪些分類？
2021-06-08 07:05:58
電子產品中。這種氧化物是個好選擇，因為它能與AlGaN/GaN形成良好的肖特基接觸，并在GaN晶體管中起到柵極的作用。有一些報道證實在氮化鎵晶體管中可存在銦錫氧化物（ITO）柵極，并且已經表明，在氮化鎵器件
2020-11-27 16:30:52
單芯片互補式金屬氧化物半導體（CMOS）傳感器有哪幾種？它們分別有什么應用以及特點？
2021-06-17 08:54:54
提高蝕刻速度。這種方法適用于小型板或原型板。浸入蝕刻通常使用添加了過硫酸鍍或過氧化氫的硫酸作為蝕刻劑?！ ? 滋泡蝕刻 這項技術在浸入蝕刻技術上做了一些修改，它的不同在于空氣中的氣體進入到了蝕刻溶液中
2018-09-11 15:27:47
和一般燃料電池一樣，SOFC 也是把反應物的化學能直接轉化為電能的電化學裝置，只不過工作溫度較高，一般在800 —1000 ℃。 它也是由陽極、陰極及兩極之間的電解質組成。
2020-03-11 09:01:57
基于物聯(lián)網的智能家居有何作用呢？如何對基于物聯(lián)網的智能家居進行配置呢？
2021-12-20 06:12:23
壓敏電阻。 本期推文將為您介紹TDK ThermoFuse?壓敏電阻的特點及其與標準壓敏電阻相比時的優(yōu)點?！ 鹘y(tǒng)的壓敏電阻和帶熱脫扣的壓敏電阻有什么區(qū)別？ 一般情況下，金屬氧化物壓敏電阻（壓敏電阻
2021-08-05 15:58:15
柔性導熱墊往往作為較大間隙的填充物起到傳遞熱量的作用，它通常使用在PCB板之間、PCB板與機殼之間、功率器件與機殼之間或者就粘貼在芯片上作為散熱器使用。柔性導熱墊中的導熱填充顆粒一般為氧化鋁顆?；蛘呤?b class="flag-6" style="color: red">氧化鋁、氧化鎂及氮化硼的混合顆粒，具有良好的導熱性能，同時能夠防穿刺，真真起到絕緣的作用。
2019-09-20 09:01:26
民用燃氣的泄漏，檢測微波爐中食物烹調時產生的氣體從而自動控制微波爐 烹調食物；氣體傳感器在工業(yè)應用主要是應用在石化工業(yè)中檢測二氧化碳、氮氧化合物、硫氧化物、氨氣、硫化氫及氯氣等有害氣體；半導體和微電子
2017-11-10 14:13:39
石油氣和城市煤氣等民用燃氣的泄漏，檢測微波爐中食物烹調時產生的氣體從而自動控制微波爐烹調食物;氣體傳感器在工業(yè)應用主要是應用在石化工業(yè)中檢測二氧化碳、氮氧化合物、硫氧化物、氨氣、硫化氫及氯氣等有害氣體;半導體
2016-09-30 14:47:06
的目標。水中放電可以在水中產生各種活性粒子如羥基、過氧化氫以及各種激發(fā)態(tài)的原子、紫外光等,因而作為一種新的高級氧化技術,已廣泛應用于有機物降解和殺菌等方面[1-4]。國內外學者已對脈沖電壓下水中放電的放電全文下載
2010-05-13 09:12:45
由于其本身即是氧化物，所以高溫下穩(wěn)定，耐熱沖擊，負載能力強。但其在直流下容易發(fā)生電解使氧化物還原，性能不太穩(wěn)定。 最大工作電壓：250V溫度系數：+-700PPM（負溫：+-1200PPM）最大
2013-07-15 16:49:07
`由于其本身即是氧化物，所以高溫下穩(wěn)定，耐熱沖擊，負載能力強。但其在直流下容易發(fā)生電解使氧化物還原，性能不太穩(wěn)定。 最大工作電壓：250V溫度系數：+-700PPM（負溫：+-1200PPM）最大
2013-07-15 16:47:00
`半導體技術硫化氫檢測儀被設計用以監(jiān)測環(huán)境空氣中硫化氫氣體的濃度，它的測量范圍從標準型的0-20/50/100ppm（可在工作現(xiàn)場調節(jié)）到高測量范圍型的10,000ppm。該產品采用固體金屬氧化物
2018-08-10 15:48:29
絕緣硅脂是用硅油稠化而成的膏狀物。硅油的通式，R為CH3、C6H5。絕緣硅脂無毒、無味、閃點高、凝固點低、蒸氣壓低、黏溫系數小，耐高低溫、抗氧化、電絕緣性能好。
2020-03-10 09:03:09
對LINIO2、LIMN2I4、LINIXCO1AXO2、V2O5也有較多的研究；固體電解質膜方面以對LIPON膜的研究為主；陽極膜方面以對鋰金屬替代物的研究為主，比如錫和氮化物、氧化物以及非晶硅膜，研究多集中在循環(huán)交通的提高。在薄膜鋰電池結構方面，三維結構將是今后研究的一個重要方向。
2011-03-11 15:44:52
來激活化學氣相淀積反應。其淀積溫度一般在400℃以下，可以用來淀積氧化硅、氮化硅、PSG、BPSG、Al2O3等絕緣體及鈍化膜和非晶硅薄膜以及有機化合物和TiC、TiN等耐磨抗蝕膜。在表面硅MEMS工藝中
2018-11-05 15:42:42
珠狀ntc熱敏電阻低溫負90度電阻值大于1000k歐（正常使用300-400k歐），如何降低低溫下的阻值，使電阻曲線平坦?，F(xiàn)在使用錳銅鐵鎳四種氧化物，是否還需添加鋅或鎂。謝謝。
2018-03-10 11:20:56
氮化硅，刻蝕漿料主要利用釋放的氟化氫來刻蝕。也可以控制氧化硅的膜厚，形成半阻擋膜，一次性擴散。困難在，漿料的印刷性能，擴散均勻性，印刷對齊?！ ∪?、 直接印刷掩膜層 特點：要求掩膜的印刷特性要好，抗
2018-09-26 09:44:54
金屬氧化物變阻器 HighE 系列來自 Epcos 的 HighE 系列金屬氧化物變阻器提供高達 100kA 的浪涌電流容量，適合重型應用。 此類盤形金屬氧化物變阻器采用塑料外殼封裝，具有廣泛
2022-02-17 10:14:34
金屬氧化物變阻器應用于能量吸收電路的研究摘要：對金屬氧化物變阻器（MOV）的物理特性進行了分析，在此基礎上提出了將MOV 吸收能量的過程分為三個階段即：換流部分、線性吸收部分、電流漸近部分的分析方法
2009-08-20 18:18:01
美國斯坦福大學研究人員最新研究發(fā)現(xiàn)，加熱鐵銹之類金屬氧化物，可以提升特定太陽能電池的轉換效率和能量儲存效率。這一發(fā)現(xiàn)由《能源和環(huán)境科學》雜志刊載。與現(xiàn)有硅太陽能電池不同，這類太陽能電池是以金屬
2016-03-07 15:18:52
及高壓電工考試真題匯總，有助于高壓電工模擬試題考前練習。1、【判斷題】 電傷是指觸電時電流的熱效應、化學效應以及電刺擊引起的生物效應對人體外表造成的傷害。（√）2、【判斷題】 金屬氧化物避雷器的特點包括動作迅速、無續(xù)流、殘壓低、通流量大等。（√）3、【判斷題】 在變壓器閉合的鐵芯上...
2021-09-16 07:45:10
最新大綱及高壓電工考試真題匯總，有助于高壓電工證考試考前練習。1、【判斷題】 金屬氧化物避雷器的特點包括動作迅速、無續(xù)流、殘壓低、通流量大等。（√）2、【判斷題】 絕緣子是用來固定導線,并使導線與桿塔之間保持絕緣狀態(tài)。（√）3、【判斷題】 電氣設備冷備用狀態(tài)指設備的開關和刀閘均在打...
2021-09-16 06:24:36
大多數實用氣敏傳感器是金屬氧化物半導體或金屬氧化物固體電解質材料制作的．所以，把它們分為氧化物半導體氣敏傳感器和氧化物固體電解質氣敏傳感器兩類．前者利用待測
2009-04-06 09:09:27
30 DU28120T射頻功率 MOSFET 晶體管 120W，2-175MHz，28V數字金屬氧化物半導體 射頻功率 MOSFET 晶體管 120W，2-175MHz，28V 數字
2022-11-29 10:41:01
產品介紹YF-9800-NOX氮氧化物在線監(jiān)測系統(tǒng)，是奕帆科技按照《氮氧化物污染物排放標準》，專門針對排放類氣體，自主研發(fā)生產的用于連續(xù)監(jiān)測氮氧化物濃度的監(jiān)測系統(tǒng)，該套設備選用了7寸高清彩屏實時顯示
2023-03-13 14:53:41
該HI-8585 and HI-8586 是互補式金屬氧化物半導體集成電路，設計用于在8引腳封裝中直接驅動ARINC 429總線，兩個邏輯輸入控制輸出引腳之間的差分電壓，產生+10伏1、-10伏零
2024-02-19 09:26:34
HI-3182PSX-N、HI-3182PSX-N, HI-3184PSX-N and HI-3185PSX-N總線接口產品是根據ARINC 429總線規(guī)范設計的硅柵互補式金屬氧化物半導體器件。除了
2024-02-19 10:30:40
介紹 Detcon硫化氫氣體傳感器被設計用以監(jiān)視環(huán)境空氣中硫化氫氣體濃度，它的測量范圍從標準型的0-20/50/100PPM（可在工作現(xiàn)場調節(jié)）到高測量范圍型的1,000PPM。該產品采用固體氧化物半導體傳感技術。傳感器由兩片薄片組成：一片是加熱片，另一片是對硫化氫氣
2011-01-25 01:24:0643 日本對生產芯片的關鍵材料──蝕刻氣體（高純度氟化氫，high-purity hydrogen fluoride）和光阻劑下達限制令，三星亮起紅色警報。
2019-07-08 09:46:432388 李在镕提議將氟化氫 (蝕刻氣體) 的進口國，擴展到俄羅斯、中國大陸、臺灣地區(qū)等地，并且考慮在韓國國內進行原料產業(yè)的育成。
2019-07-16 14:28:322210 7月15日業(yè)界資訊，三星電子和SK海力士已完成針對本土氟化氫的可靠性和整合性測試，近日已投入到DRAM生產。
2019-07-17 10:03:302885 據BusinessKorea報道，為應對日本對韓國半導體材料的出口限制，SK海力士已經開始測試從中國進口的氟化氫材料，同時三星電子最近也從西安大規(guī)模訂購了高純度氟化氫。
2019-07-18 08:51:015071 三星、SK海力士已經開始測試驗證從中國進口的氟化氫材料了。
2019-07-19 09:48:012569 %的NAND供應，而日本這次嚴格限制了半導體生產所需的化工原料，而三星和海力士的這些東西嚴重依賴日本進口，據聞韓國只有一個月的氟化氫的供應，內存和閃存不漲才怪呢。
2019-07-24 08:53:262296 距離出口管制實施，已經過去約3周時間，期間最引人關注的并非日本幾乎壟斷的光刻膠和氟化PI材料，反而是高純度氟化氫。
2019-07-26 10:12:075195 在日本對韓出口限制名單中，氟化氫便是其中一個品項，韓國氟化氫有41.9％從日本進口，其中高純度氟化氫（99.999％以上）有9成以上依賴日本。
2019-07-29 13:51:392636 7月17日消息，據國外媒體報道，三星電子已啟動非日本產氟化氫性能試驗。
2019-07-30 16:22:402189 日本采取對韓出口限制措施后，韓國國內正積極尋求日本氟化氫替代方案。
2019-07-31 15:17:143243 目前日本政府對韓國實行出口管制的對象主要包括氟聚酰亞胺、光刻膠及蝕刻氣體（氟化氫）這3類半導體關鍵材料。而韓國半導體廠也是正擠破腦袋尋求替代貨源，繼三星被傳出在西安大規(guī)模采購高純度氟化氫后，又有消息人士透露，三星現(xiàn)已開始測試可能來自臺灣的氟化氫產品 。
2019-08-05 11:26:363179 據BusinessKorea報道，LG顯示首席技術官Kang In-byeong于7月9日表示，由于日本的半導體和顯示材料出口限制，該公司目前正在測試中國的氟化氫?！按蠹覠o需擔心日本的出口限制對我們的OLED面板和可卷曲電視制作的影響?！彼f。
2019-08-07 14:24:592239 根據《日本經濟新聞》專訪森田化學時，森田化學社長森田康夫指出，因為日本政府對韓國管制高科技原料出口之后，使得日本企業(yè)在全球市場的市占率將會因此下降。所以，森田化學將在中國工廠啟動高純度氟化氫生產，以向韓國廠商進行供貨。
2019-08-12 16:33:143578 日本對韓加強出口限制，造成許多半導體、顯示器原料出口困難，其中受政策影響的高純度氟化氫，近期韓國企業(yè)SoulBrain、SK Materials已相繼發(fā)表成果，明年初有望見到成果。
2019-08-13 10:18:592510 高純度的電子級氟化氫是氟精細化學品的一種，在半導體制造工藝中主要用于去除膜沉積后粘附在化學氣相沉積爐內的不必要化學物質、等離子刻蝕、光刻膠圖案化之后的蝕刻細槽或孔等流程，是一種半導體生產中非常重要的原材料，日本公司在這個領域占據主要份額。
2019-09-03 11:49:002155 韓國媒體朝鮮日報日文版、中央日報日文版3日、4日報導，三星電子已開始在部分半導體產線上使用國產（韓國制）氟化氫。三星于3日宣布，“最近、已開始在部份半導體工藝上投入國產氟化氫”。此為三星在日本提出
2019-09-04 15:11:152521 據韓國《中央日報》4日報道，在日本政府限制向韓國出口氟化氫、光刻膠、含氟聚酰亞胺等尖端半導體材料一個半月后，三星電子開始使用替代產品。
2019-09-04 16:35:053796 由于日韓兩國之間的貿易糾紛，日本政府7月初決定禁止三種重要半導體、顯示面板材料出口給韓國，迫使韓國公司走上獨立自主的道路。LG公司日前證實，旗下面板工廠已經完成使用國產氟化氫材料取代日本進口，100%韓國產。
2019-10-15 16:41:033092 據韓國國際廣播電臺（KBS）報道，16日有消息稱，日本政府批準向韓國三星電子和SK海力士出口，被列為對韓出口限制項目之一的液體氟化氫。
2019-11-19 16:26:093292 韓國產業(yè)通商資源部日前表示，韓國化工企業(yè)已確立能以高純度大量生產氟化氫的制造技術。氟化氫被用于晶圓的清洗等方面。
2020-01-03 16:06:452552 近日，據國外媒體報道，韓國產業(yè)通商資源部日前表示，韓國化工企業(yè)已確立能以高純度大量生產氟化氫的制造技術。氟化氫被用于晶圓的清洗等方面。
2020-01-06 16:05:012479 據日媒報道，本月11日，日本政府宣布已批準日本森田化學公司的申請，允許向韓國出口99.9999999999%（12N）純度的液態(tài)氟化氫產品。
2020-01-13 11:40:432148 在很多的一些水污染中，其實都會使用到氮氧化物檢測儀。氮氧化物監(jiān)測是污染預警、污染物監(jiān)測和治理效果評定等工作的重要方式，需要氮氧化物檢測儀提供和實時的監(jiān)測數據。氮氧化物檢測儀可實現(xiàn)對氮氧化物排放的有效監(jiān)控，從而降低事故發(fā)生。那么您知道氮氧化物檢測儀的檢測原理是怎樣的嗎？
2020-10-29 16:34:377235 之后，晶片表面立即被元素碑的棕色層覆蓋。該層的厚度和均勻性取決于蝕刻過程中的光照和氟化氫濃度。在存儲蝕刻晶片的過程中，碑層被三氧化二碑顆粒代替。結果表明，只有當晶片暴露在空氣中的光線下時，才會形成氧化物顆粒。 實驗 所有實
2021-12-28 16:34:37627 
鎵的均方粒根粗糙度在16nm之間，在尖晶石基質上生長的氮化鎵的均方根粒度在11和0.3nm之間。 雖然已經發(fā)現(xiàn)基于氫氧化鉀的溶液可以蝕刻氮化鋁和氮化銦錫，但之前還沒有發(fā)現(xiàn)能夠蝕刻高質量氮化鎵的酸或堿溶液.在這篇文章中，我們使用乙二醇代替水作
2022-01-17 15:38:05942 
摘要 在銅化學機械平面化CMP過程中，本文評價了銅對漿液pH和過氧化氫濃度的去除和蝕刻作用。在酸性漿液pH4中，銅的溶解反應大于鈍化反應。靜態(tài)和動態(tài)蝕刻速率在10vol%過氧化氫時達到最高值。然而
2022-01-25 17:14:381179 
第三族氮化物已成為短波長發(fā)射器、高溫微波晶體管、光電探測器和場發(fā)射尖端的通用半導體。這些材料的加工非常重要，因為它們具有異常高的鍵能。綜述了近年來針對這些材料發(fā)展起來的濕法刻蝕方法。提出了通過
2022-02-23 16:20:242208 
量的稀釋氣體氙 (Xe) 結合，可在不發(fā)生蝕刻停止的情況下提高氮化物的選擇性。 發(fā)明領域 本發(fā)明一般涉及硅集成電路的蝕刻。特別地，本發(fā)明涉及在能夠大大降低對氮化硅15和其他非氧化物材料的蝕刻速率但仍然在氧化物中產生垂直輪廓的工藝
2022-02-24 13:42:292426 
緩沖氧化物蝕刻(BOE)或僅僅氫氟酸用于蝕刻二氧化硅在硅上晶片。 緩沖氧化蝕刻是氫氟酸和氟化銨的混合物。含氟化銨的蝕刻使硅表面具有原子平滑的表面高頻。 由于這一過程中所涉及的酸具有很高的健康風險，建議用戶使用在執(zhí)行工藝之前，請仔細閱讀材料安全數據表。
2022-03-10 16:43:35798 
效的顆粒去除劑。這種混合物也被稱為氫氧化胺、過氧化氫混合物(APM)。SC-I溶液通過蝕刻顆粒下面的晶片來促進顆粒去除；從而松動顆粒，使機械力可以很容易地從晶圓表面去除顆粒。 本文將討論一個詳細的SC-I清洗的化學模型。了解導致氧化物同時生長和蝕刻的
2022-03-25 17:02:502376 
用氟化氫-氯化氫-氯氣混合物進行各向異性酸性蝕刻是一種有效的方法 單晶硅晶片紋理化的替代方法 在晶片表面形成倒金字塔結構[1，2]形貌取決于以下成分 蝕刻混合物[3]硅在HF-HCl[1]Cl2
2022-04-12 14:10:22361 
本文提供了用于蝕刻膜的方法和設備。一個方面涉及一種在襯底上蝕刻氮化硅的方法，該方法包括:(a)將氟化氣體引入等離子體發(fā)生器并點燃等離子體以a形成含氟蝕刻溶液；(b)從硅源向等離子體提供硅；以及
2022-04-24 14:58:51979 
半導體設備技術和工藝控制的不斷進步，加上制造亞微米尺寸器件對襯底清潔度提出的更嚴格要求，重新引起了人們對汽相HF氧化物蝕刻技術的興趣，在文中描述了一種系統(tǒng) 我們華林科納通過將氮氣通過HF水溶液引入
2022-05-31 15:14:13671 
氧化物的性質有害，這反過來影響整個器件的性質。 種程序用于清潔硅晶片。一個廣泛使用的程序是標準的RCA清潔。RCA清洗包括暴露在三種不同的溶液中——SC1、氫氟酸和SC2。SC1溶液包含氫氧化銨、過氧化氫和水，通常能有效去除顆
2022-06-21 17:07:391229 
大多數iii\-氮化物的蝕刻目前是通過干燥工藝完成的。雖然干蝕刻具有許多理想的特性，包括高蝕刻率和獲得垂直壁的能力，但干蝕刻有幾個缺點，包括產生離子致?lián)p傷和難以獲得光滑的蝕刻側壁，這是激光所需要的。
2023-03-22 10:55:501109 
GaN及相關合金可用于制造藍色/綠色/紫外線發(fā)射器以及高溫、高功率電子器件。由于 III 族氮化物的濕法化學蝕刻結果有限，因此人們投入了大量精力來開發(fā)干法蝕刻工藝。干法蝕刻開發(fā)一開始集中于臺面結構，其中需要高蝕刻速率、各向異性輪廓、光滑側壁和不同材料的同等蝕刻。
2023-10-07 15:43:56319 
目前，大多數III族氮化物的加工都是通過干法等離子體蝕刻完成的。干法蝕刻有幾個缺點，包括產生離子誘導損傷和難以獲得激光器所需的光滑蝕刻側壁。干法蝕刻產生的側壁典型均方根(rms)粗糙度約為50納米
2023-11-24 14:10:30241 
由于其獨特的材料特性，III族氮化物半導體廣泛應用于電力、高頻電子和固態(tài)照明等領域。加熱的四甲基氫氧化銨(TMAH)和KOH3處理的取向相關蝕刻已經被用于去除III族氮化物材料中干法蝕刻引起的損傷，并縮小垂直結構。
2023-11-30 09:01:58166 
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