高密度IC器件涉及互連的多層堆疊。化學(xué)機(jī)械平坦化（CMP）工藝為光刻需求提供了晶圓上的平滑表面，已成為半導(dǎo)體制造中獲得高良率的關(guān)鍵工藝。
2021-01-27 10:36:35
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引言 Cu作為深度亞微米的多電級(jí)器件材料，由于其電阻低、電遷移電阻高和電容降低，與鋁相比的時(shí)間延遲。本文從理論和實(shí)驗(yàn)上研究了檸檬酸基銅化學(xué)機(jī)械平坦化后二氧化硅顆粒對(duì)銅膜的粘附力以及添加劑對(duì)顆粒粘附
2021-12-29 11:00:011082 
在芯片制造制程和工藝演進(jìn)到一定程度、摩爾定律因沒(méi)有合適的拋光工藝無(wú)法繼續(xù)推進(jìn)之時(shí)，CMP技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生，是集成電路制造過(guò)程中實(shí)現(xiàn)晶圓表面平坦化的關(guān)鍵工藝。傳統(tǒng)的機(jī)械拋光和化學(xué)拋光去除速率均低至無(wú)法滿足
2023-02-03 10:27:053660 
沉積到PCB焊盤(pán)表面的一種工藝。這種方法通過(guò)在焊盤(pán)表面用銀（ Ag ）置換銅（ Cu ），從而在其上沉積一層銀鍍層。
優(yōu)點(diǎn)與缺點(diǎn)并存，優(yōu)點(diǎn)是可焊性、平整度高，缺點(diǎn)是存儲(chǔ)要求高，易氧化。
沉金板
沉金
2023-12-12 13:35:04
，制造出復(fù)雜的MEMS器件，并定期發(fā)布更新的標(biāo)準(zhǔn)工藝文件，接受來(lái)自世界各地的按照標(biāo)準(zhǔn)工藝文件形成的MEMS設(shè)計(jì)。在一批工藝流水中包含數(shù)十種設(shè)計(jì)，通過(guò)這種方式提供廉價(jià)、迅速的MEMS表面加工服務(wù)。目前
2018-11-05 15:42:42
這篇應(yīng)用筆記描述了怎么使用AT32F415xx的比較器(CMP)。AT32F415系列內(nèi)置兩個(gè)超低功耗比較器CMP1和CMP2，可以用于多種功能，包括：外部模擬信號(hào)的監(jiān)測(cè)控制及從低功耗模式喚醒，與內(nèi)置定時(shí)器結(jié)合使用，進(jìn)行脈沖寬度測(cè)量和PWM信號(hào)控制等。
2023-10-24 07:38:06
AT32F421 CMP 使用指南描述了怎么使用AT32F421xx的比較器(CMP)。AT32F421系列內(nèi)置一個(gè)超低功耗比較器CMP，它可用作獨(dú)立器件（I/O上提供了全部接口），也可以與定時(shí)器結(jié)合使用。
2023-10-24 08:07:14
ME-Pro? 是業(yè)界獨(dú)創(chuàng)的用于橋接集成電路設(shè)計(jì)和工藝開(kāi)發(fā)的創(chuàng)新性設(shè)計(jì)平臺(tái)，通過(guò)完整的SPICE模型分析和驗(yàn)證、工藝平臺(tái)的評(píng)估和比較、以及基于工藝平臺(tái)的設(shè)計(jì)輔助等功能，可以針對(duì)特定的設(shè)計(jì)需求選擇
2020-07-01 09:34:29
通過(guò)系統(tǒng)狀態(tài)了解CU計(jì)算資源和存儲(chǔ)的消耗情況， 如圖所示： 上圖①可以選擇所查看的資源組，根據(jù)選擇的資源組，展示當(dāng)前資源組的消耗信息和當(dāng)前存儲(chǔ)量。 上圖②可以選擇查看所選資源組的時(shí)間區(qū)間，選擇的區(qū)間
2018-02-07 12:51:07
MEI001規(guī)定的方法處理，防止污染環(huán)境?！ ?nèi)層干菲林 一、原理 在板面銅箔上貼上一層感光材料（感光油或干膜），然后通過(guò)黑菲林進(jìn)行對(duì)位曝光，顯影后形成線路圖形?！ 《?b class="flag-6" style="color: red">工藝流程圖： 三、化學(xué)清洗
2018-09-19 16:23:19
熱風(fēng)焊料整平(俗稱噴錫)，它是在PCB表面涂覆熔融錫(鉛)焊料并用加熱壓縮空氣整(吹)平的工藝，使其形成一層既抗銅氧化，又可提供良好的可焊性的涂覆層。熱風(fēng)整平時(shí)焊料和銅在結(jié)合處形成銅錫金屬間化合物
2018-11-28 11:08:52
來(lái)看，PCB的表面處理工藝方面的變化并不是很大，好像還是比較遙遠(yuǎn)的事情，但是應(yīng)該注意到：長(zhǎng)期的緩慢變化將會(huì)導(dǎo)致巨大的變化。在環(huán)保呼聲愈來(lái)愈高的情況下，PCB的表面處理工藝未來(lái)肯定會(huì)發(fā)生巨變。 二. 表面處理
2018-09-17 17:17:11
1、熱風(fēng)整平(噴錫) 熱風(fēng)整平又名熱風(fēng)焊料整平(俗稱噴錫)，它是在PCB表面涂覆熔融錫(鉛)焊料并用加熱壓縮空氣整(吹)平的工藝，使其形成一層既抗銅氧化，又可提供良好的可焊性的涂覆層。熱風(fēng)整平時(shí)
2019-08-13 04:36:05
(俗稱噴錫)，它是在PCB表面涂覆熔融錫（鉛）焊料并用加熱壓縮空氣整（吹）平的工藝，使其形成一層既抗銅氧化，又可提供良好的可焊性的涂覆層。熱風(fēng)整平時(shí)焊料和銅在結(jié)合處形成銅錫金屬間化合物。PCB進(jìn)行熱風(fēng)整
2017-02-08 13:05:30
本文主要對(duì)PCB表面處理工藝中兩種最常用制程：化學(xué)鎳金及OSP工藝步驟和特向進(jìn)行分析?！ ?、化學(xué)鎳金 1.1基本步驟 脫脂→水洗→中和→水洗→微蝕→水洗→預(yù)浸→鈀活化→吹氣攪拌水洗→無(wú)電鎳
2018-09-10 16:28:08
具有很多的優(yōu)勢(shì)：它是最便宜的PCB，而且通過(guò)多次回流焊、清洗和存儲(chǔ)后表面層還可以焊接。對(duì)于ICT而言，HASL也提供了焊料自動(dòng)覆蓋測(cè)試焊盤(pán)和過(guò)孔的工藝。然而，與現(xiàn)有的替代方法相比，HASL表面的平整性
2017-10-31 10:49:40
與電路元件混合布設(shè)或是使電源和電路合用地線。因?yàn)檫@種布線不僅容易產(chǎn)生干擾，同時(shí)在維修時(shí)無(wú)法將負(fù)載斷開(kāi)，到時(shí)只能切割部分印制導(dǎo)線，從而損傷印制板。 雖然目前來(lái)看，PCB的表面處理工藝方面的變化并不是很大
2018-09-19 15:36:04
原理：在電路板銅表面上形成一層有機(jī)膜，牢固地保護(hù)著新鮮銅表面，并在高溫下也能防氧化和污染。OSP膜厚度一般控制在0.2-0.5微米。工藝流程：除油→水洗→微蝕→水洗→酸洗→純水洗→OSP→純水
2017-08-23 09:16:40
隨著人類(lèi)對(duì)于居住環(huán)境要求的不斷提高，目前PCB生產(chǎn)過(guò)程中涉及到的環(huán)境問(wèn)題顯得尤為突出。有關(guān)鉛和溴的話題是最熱門(mén)的，無(wú)鉛化和無(wú)鹵化將在很多方面影響著PCB的發(fā)展。 雖然目前來(lái)看，PCB的表面處理工藝
2018-07-14 14:53:48
加工，流程相對(duì)簡(jiǎn)單。此類(lèi)表面處理的產(chǎn)品保質(zhì)周期最短，當(dāng)然過(guò)了保質(zhì)期之后可以適當(dāng)返工，品質(zhì)也可以保障。下圖是常用的水平OSP生產(chǎn)線。表面處理流程的主要產(chǎn)品特性是厚度，比如錫厚，金鎳厚，OSP膜厚等，通過(guò)X-RAY設(shè)備和化學(xué)分析的方法進(jìn)行測(cè)量和監(jiān)控。具體的厚度要求可參照IPC6012中的相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)，有詳細(xì)的要求。
2023-03-24 16:58:06
表面貼裝方法分類(lèi) 根據(jù)SMT的工藝制程不同，把SMT分為點(diǎn)膠制程（波峰焊）和錫膏制程（回流焊）。它們的主要區(qū)別為： 貼片前的工藝不同，前者使用貼片膠，后者使用焊錫膠。貼片后的工藝不同，前者過(guò)回流爐只
2016-05-24 15:59:16
中更加嚴(yán)重。這是因?yàn)闊o(wú)鉛合金的表面張力較強(qiáng)的原因。解決的原理和含鉛技術(shù)一樣，其中通過(guò)DFM控制器件焊端和焊盤(pán)尺寸以及兩端熱容量最為有效。其次可通過(guò)工藝調(diào)整減少器件兩端的溫差。該注意的是，雖然原理不變
2016-05-25 10:10:15
無(wú)鉛工藝和有鉛工藝技術(shù)特點(diǎn)對(duì)比表：類(lèi)別無(wú)鉛工藝特點(diǎn)有鉛工藝特點(diǎn)焊料合金焊料合金成分有多種焊料合金可供選擇，目前逐步同意為Sn96.5Ag3Cu0.5(SAC305)；最好回流焊接和波峰焊接都選擇同一
2016-07-14 11:00:51
請(qǐng)教個(gè)問(wèn)題：wafer表面被laser mark后，能通過(guò)電測(cè)嗎？wafer表面被laser燒灼了一個(gè)圖案，帶有圖案的wafer做完封裝后到測(cè)試，測(cè)試可以通過(guò)嗎？謝謝
2022-11-05 22:46:04
書(shū)籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：DI-O3水在晶圓表面制備中的應(yīng)用編號(hào)：JFSJ-21-034作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com/index.html摘要
2021-07-06 09:36:27
(HVPE)、 氨熱生長(zhǎng)、和液相外延 (LPE)。 塊狀晶體生長(zhǎng)后，晶體經(jīng)歷晶圓加工，包括切割、研磨、機(jī)械拋光和化學(xué)機(jī)械拋光 (CMP)。機(jī)械加工產(chǎn)生的表面具有密集的劃痕和損壞網(wǎng)絡(luò)。然而，要通過(guò)同質(zhì)外延在
2021-07-07 10:26:01
挑戰(zhàn)性。在這項(xiàng)研究中，我們研究了 BCB 的化學(xué)機(jī)械平坦化 (CMP)，以便在這種平坦化的表面上制作超薄粘合層。采用實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)的方法來(lái)研究不同的漿料成分、拋光墊和工藝參數(shù)對(duì) BCB 平面化的影響。使用這種
2021-07-08 13:14:11
將全面介紹濕化學(xué)工藝的應(yīng)用以及從這些分析技術(shù)中獲得的數(shù)據(jù)的有用性。這篇論文不僅將涵蓋人們期望通過(guò)濕法進(jìn)行的那些測(cè)試，例如化學(xué)品中的金屬分析，還將涵蓋濕化學(xué)分析的許多不尋常應(yīng)用，例如它們?cè)?b class="flag-6" style="color: red">評(píng)估來(lái)自各種
2021-07-09 11:30:18
solder leveling）
表面處理技術(shù)足以滿足波峰焊的
工藝要求，當(dāng)然對(duì)于結(jié)點(diǎn)強(qiáng)度（尤其是接觸式連接）要求較高的場(chǎng)合，多采用電鍍鎳/金的方法。HASL是在世界范圍內(nèi)主要應(yīng)用的
表面處理技術(shù)，但是有三個(gè)主要?jiǎng)恿?/div>
2017-09-04 11:30:02
。因而，電子封裝及組裝工藝必須跟上這一快速發(fā)展的步伐。隨著材料性能、設(shè)備及工藝水平的不斷提高，使得越來(lái)越多的電子制造服務(wù)公司(EMS)不再滿足于常規(guī)的表面貼裝工藝(SMT)，而不斷嘗試使用新型的組裝工藝
2018-11-26 16:13:59
測(cè)量金屬制品的長(zhǎng)度、寬度、高度等維度參數(shù)。
除了測(cè)量金屬表面的形狀和輪廓外，光學(xué)3D表面輪廓儀還可以生成三維點(diǎn)云數(shù)據(jù)和色彩圖像，用于進(jìn)一步分析和展示：
1、三維點(diǎn)云數(shù)據(jù)可以用于進(jìn)行CAD模型比對(duì)、工藝
2023-08-21 13:41:46
隨著半導(dǎo)體工業(yè)沿著摩爾定律的曲線急速下降 ,驅(qū)使加工工藝向著更高的電流密度、更高的時(shí)鐘頻率和更多的互聯(lián)層轉(zhuǎn)移。由于器件尺寸的縮小、光學(xué)光刻設(shè)備焦深的減小 , 要求片子表面可接受的分辨率的平整度達(dá)到
2023-09-19 07:23:03
`含鉛表面組裝工藝和無(wú)鉛表面組裝工藝差別：1、焊錫的物理屬性、熔點(diǎn)、表面張力、氧化的可能性、冶金以及金屬浸析的可能性；2、峰值溫度更高；3、預(yù)熱溫度更高；4、板和元件的無(wú)鉛表面處理（最好是有無(wú)鉛表面
2016-07-13 09:17:36
的PCB，而且通過(guò)多次回流焊、清洗和存儲(chǔ)后表面層還可以焊接。對(duì)于ICT而言，HASL也提供了焊料自動(dòng)覆蓋測(cè)試焊盤(pán)和過(guò)孔的工藝。然而，與現(xiàn)有的替代方法相比，HASL表面的平整性或者同面性很差?，F(xiàn)在出現(xiàn)了一些無(wú)
2008-06-18 10:01:53
現(xiàn)在有許多PCB表面處理工藝，常見(jiàn)的是熱風(fēng)整平、有機(jī)涂覆、化學(xué)鍍鎳/浸金、浸銀和浸錫這五種工藝，下面將逐一介紹。
2021-04-23 06:26:30
常見(jiàn)的PCB表面處理工藝
2012-08-20 13:27:03
概述：CU47C433AN-002是一看單片彩電微處理器，其具備音量控制、行場(chǎng)信號(hào)處理等功能。CU47C433AN-002采用42引腳DIP封裝工藝。 一、CU47C433AN-002
2021-04-06 08:19:29
），與金屬的化合物一起硅化之后，MOS的三個(gè)電極滋生的電阻就會(huì)降低，對(duì)金屬布線層的電阻也隨之降低。硅化是通過(guò)自對(duì)準(zhǔn)硅化（化學(xué)蝕刻），選擇性地去除鈷薄膜。8、介質(zhì)膜：為使晶體表面凹凸不平的部分變得平坦，必須
2016-07-13 11:53:44
機(jī)械加工工藝分析 1 超精度研磨工藝 速加網(wǎng)機(jī)械的加工過(guò)程中對(duì)于其加工表面的粗糙程度有著嚴(yán)格的要求，如在（1～2）cm應(yīng)保持相同水平的粗糙精度，在傳統(tǒng)的加工工藝中一般采用硅片拋光來(lái)達(dá)到這一要求。而
2018-11-15 17:55:38
求助type Cu***接口封裝
2017-10-31 20:22:04
、化學(xué)化工、半導(dǎo)體及薄膜、能源、微電子、信息產(chǎn)業(yè)及環(huán)境領(lǐng)域等高新技術(shù)的迅猛發(fā)展，對(duì)于表面分析技術(shù)的需求日益增多?！ ∮捎谧罱鼛资瓿哒婵?、高分辨和高靈敏電子測(cè)量技術(shù)的快速發(fā)展，表面分析技術(shù)也有了長(zhǎng)足進(jìn)步
2015-08-06 17:17:09
表面形貌分析方法主要是指利用掃描電鏡（SEM）對(duì)電弧侵蝕后的觸頭表面區(qū)域進(jìn)行顯微結(jié)構(gòu)觀測(cè)，得到侵蝕區(qū)域的表面形貌圖像。通過(guò)對(duì)觸頭接觸表面 SEM 的觀察，可獲得觸頭表面的凹陷與凸起、微粒的沉積或
2018-03-07 08:55:14
隨著人類(lèi)對(duì)于居住環(huán)境要求的不斷提高，目前PCB生產(chǎn)過(guò)程中涉及到的環(huán)境問(wèn)題顯得尤為突出。有關(guān)鉛和溴的話題是最熱門(mén)的，無(wú)鉛化和無(wú)鹵化將在很多方面影響著PCB的發(fā)展。 雖然目前來(lái)看，PCB的表面處理工藝
2018-08-18 21:48:12
請(qǐng)問(wèn)，通過(guò)上位機(jī)讀取cu320變頻控制器參數(shù)時(shí)，如何填寫(xiě)參數(shù)地址？ 我們已經(jīng)通過(guò)上位機(jī)實(shí)現(xiàn)讀取cu320數(shù)據(jù)功能，如讀取DB37.DBD1024。但我們不知道cu320中參數(shù)地址的映射關(guān)系，如我們想
2023-11-06 07:12:37
含鉛表面工藝和無(wú)鉛表面工藝差別：1、焊錫的物理屬性、熔點(diǎn)、表面張力、氧化的可能性、冶金以及金屬浸析的可能性；2、峰值溫度更高；3、預(yù)熱溫度更高；4、板和元件的無(wú)鉛表面處理（最好是有無(wú)鉛表面處理）；5、焊錫的外觀和表面效應(yīng)；6、可焊性的差別，如潤(rùn)濕速度和鋪展情況；7、元件自行定心或?qū)φ哪芰^低。
2016-07-13 16:02:31
金屬分析檢測(cè)項(xiàng)目項(xiàng)目含義[/tr]元素分析是利用先進(jìn)的分析手段對(duì)金屬材料或制品進(jìn)行分析檢測(cè)，確定其成分和含量，用于了解金屬的材質(zhì)和質(zhì)量的一個(gè)過(guò)程。牌號(hào)鑒定是通過(guò)儀器分析手段確定樣品的成分及其比例后
2019-08-31 09:46:29
雙色漆，無(wú)法區(qū)分極性、相序者涂白漆?！ ?.銅排電鍍-鍍錫-鍍鎳-鍍銀 優(yōu)點(diǎn)：工藝成熟.操作周期短，普遍采用。缺點(diǎn)：時(shí)間長(zhǎng)了表面發(fā)暗，人手做不到。不環(huán)保！ 工藝流程：表面拋光除油等前處理→純水
2021-04-08 13:34:48
``銅箔軟連接的制作工藝：壓焊和釬焊1、壓焊軟連接：壓焊是將銅箔疊片部分壓在一起，采用分子擴(kuò)散焊，通過(guò)大電流加熱壓焊成型；銅箔：0.05mm至0.3mm厚。2、釬焊軟連接：釬焊是將銅箔疊片部分壓在
2018-08-07 11:15:11
`銅箔軟連接采用T2銅箔，經(jīng)分絲成各種寬度，通過(guò)高分子擴(kuò)散焊或氬弧焊工藝進(jìn)行熔壓焊接，整體或表面可鍍銀鍍錫處理。銅箔材質(zhì)：T2無(wú)氧銅鍍層：表面鍍錫或鍍銀處理接觸面：接觸面長(zhǎng)度可按安裝要求設(shè)計(jì)。鉆孔
2018-08-25 14:14:33
通過(guò)X射線衍射和XPS對(duì)電磁線絕緣膜下表面黑膜及模擬腐蝕試樣的表面膜進(jìn)行了分析，測(cè)得表面黑膜主要由Cu,O,Cu O,CuCO,,C u(O H)Z,C u 的抓化物和硫化物以及鈉鹽,Si等組成.由此對(duì)電磁線絕
2009-07-03 15:39:42
25 通過(guò)對(duì)無(wú)氧銅電磁線芯悶罐退火后表面出現(xiàn)的變色 發(fā)黑現(xiàn)象的研究分析 提出了相應(yīng)的工藝改進(jìn)措施 采用改進(jìn)的退火工藝和對(duì)退火產(chǎn)品采取緩蝕劑保護(hù)的方法 產(chǎn)品質(zhì)量得到明顯的
2009-07-06 15:20:1726 研究了熱處理對(duì)Cu-Cr合金接頭鑄件性能的影響，并確定了最佳工藝參數(shù)。
2009-12-21 13:30:259 CMP401和CMP402分別為23 ns和65 ns四通道比較器，采用獨(dú)立的輸入和輸出電源。獨(dú)立電源使輸入級(jí)可以采用+3 V至±6 V電源供電。輸出可以采用+3 V或+5 V電源供電，具體取決于
2023-06-28 17:19:58
CMP401 和CMP402分別為23 ns和65 ns四通道比較器，采用獨(dú)立的輸入和輸出電源。獨(dú)立電源使輸入級(jí)可以采用+3 V至±6 V電源供電。輸出可以采用3 V或5 V電源供電，具體取決于接口
2023-06-28 17:22:15
無(wú)鉛PCB的出現(xiàn)對(duì)在電路測(cè)試(ICT)提出了新的問(wèn)題，本文描述了現(xiàn)有的PCB表面處理工藝，并分析了這些工藝對(duì)ICT的影響，指出影響ICT的關(guān)鍵是探針與測(cè)試點(diǎn)間的接觸可靠性，并介紹了為
2010-07-26 16:14:1412 綜述了半導(dǎo)體材料SiC拋光技術(shù)的發(fā)展,介紹了SiC單晶片CMP技術(shù)的研究現(xiàn)狀, 分析了CMP的原理和工藝參數(shù)對(duì)拋光的影響,指出了SiC單晶片CMP急待解決的技術(shù)和理論問(wèn)題,并對(duì)其發(fā)展方
2010-10-21 15:51:210 PCB化學(xué)鎳金及OSP工藝步驟和特性分析
本文主要對(duì)PCB表面處理工藝中兩種最常用制程：化學(xué)鎳金及OSP工藝步驟和特向進(jìn)行分析。
2009-11-17 13:59:582170 SMT表面貼裝工藝中的靜電防護(hù)知識(shí)
SMT表面貼裝工藝中的靜電防護(hù)
一、靜電防護(hù)原理
電子產(chǎn)品制造中，不
2009-11-18 09:14:353537 CMP設(shè)備市場(chǎng)及技術(shù)現(xiàn)狀
2017-09-15 08:48:1742 6.11 CMP比較指令 1．指令的編碼格式 CMP（Compare）比較指令使用寄存器Rn的值減去operand2的值，根據(jù)操作的結(jié)果更新CPSR中相應(yīng)的條件標(biāo)志位，以便后面的指令根據(jù)相應(yīng)的條件
2017-10-18 13:38:532 當(dāng)前有許多專(zhuān)業(yè)也認(rèn)為無(wú)鉛技術(shù)還有許多問(wèn)題有待于進(jìn)一步認(rèn)識(shí)，如著名工藝專(zhuān)家李寧成博士也認(rèn)為當(dāng)前的無(wú)鉛工藝技術(shù)的發(fā)展還沒(méi)有有鉛技術(shù)成熟，如先前的無(wú)鉛焊接采用的最多的Sn3Ag0.5Cu焊料合金，最近發(fā)現(xiàn)由于Cu的含量稍低，焊點(diǎn)可靠性有些問(wèn)題。
2019-09-02 09:15:364128 Mirra Mesa工藝與Applied的Endura屏障/種子和Electra機(jī)電電鍍系統(tǒng)集成，作為捆綁的一部分 - Applied正在追求的模塊策略（見(jiàn)4月5日的故事）。應(yīng)用材料公司CMP產(chǎn)品
2019-08-13 10:58:343445 帶大家了解PCB板的表面工藝，對(duì)比一下不同的PCB板表面處理工藝的優(yōu)缺點(diǎn)和適用場(chǎng)景。
2019-08-19 11:16:556616 在晶圓制造材料中，CMP拋光材料占據(jù)了7%的市場(chǎng)。根據(jù)不同工藝制程和技術(shù)節(jié)點(diǎn)的要求，每一片晶圓在生產(chǎn)過(guò)程中都會(huì)經(jīng)歷幾道甚至幾十道的CMP拋光工藝步驟。
2020-05-20 11:41:085236 化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）是化學(xué)腐蝕與機(jī)械磨削相結(jié)合的一種拋光方法，是集成電路制造過(guò)程中實(shí)現(xiàn)晶圓表面平坦化的關(guān)鍵工藝。從CMP材料的細(xì)分市場(chǎng)來(lái)看，拋光液和拋光墊的市場(chǎng)規(guī)模占比最大。從全球企業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局來(lái)看
2020-09-04 14:08:074875 
化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）是化學(xué)腐蝕與機(jī)械磨削相結(jié)合的一種拋光方法，是集成電路制造過(guò)程中實(shí)現(xiàn)晶圓表面平坦化的關(guān)鍵工藝。
2020-11-02 16:07:401967 在線路板表面處理中有一種使用非常普遍的工藝，叫沉金。沉金工藝之目的的是在PCB板印制線路表面上沉積顏色穩(wěn)定，光亮度好，鍍層平整，可焊性良好的鎳金鍍層。 簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)，沉金就是采用化學(xué)沉積的方法，通過(guò)化學(xué)
2020-12-01 17:22:536341 通過(guò)PROFINET實(shí)現(xiàn)S7-1200與CU320-2PN通訊說(shuō)明。
2021-04-23 09:28:5073 CMP401/CMP402：23 ns和65 ns低壓比較器數(shù)據(jù)表
2021-04-23 10:36:390 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供TE(ti)CU1641-000相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè)，更有CU1641-000的引腳圖、接線圖、封裝手冊(cè)、中文資料、英文資料，CU1641-000真值表，CU1641-000管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2021-08-09 14:00:03
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供TE(ti)CU1647-000相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè)，更有CU1647-000的引腳圖、接線圖、封裝手冊(cè)、中文資料、英文資料，CU1647-000真值表，CU1647-000管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2021-08-10 16:00:03
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2021-08-10 22:00:04
隨著先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)的尺度微縮和3D IC的縱向延伸，CMP拋光的工藝創(chuàng)新需要在納米尺度材料界面有不斷的認(rèn)知和探索。
2021-11-08 11:36:241126 
、異物、泥漿磨料、劃痕和中空金屬工藝。它還消除了在輥?zhàn)铀⑶鍧嵾^(guò)程中間歇性發(fā)生的圓環(huán)缺陷。TXRF掃描確認(rèn)在使用混合清潔過(guò)程時(shí)AlOx缺陷的減少。XPS光譜顯示了堿性和雜化清潔過(guò)程之間相似的銅表面氧化態(tài)。通過(guò)使用新的清潔工藝，可以提高短期和開(kāi)放的產(chǎn)量。討論了巨大的缺陷減少效益的潛在機(jī)制。
2022-01-27 16:53:00383 晶圓-機(jī)械聚晶(CMP)過(guò)程中產(chǎn)生的漿體顆粒對(duì)硅晶片表面的污染對(duì)設(shè)備工藝中收率（Yield）的下降有著極大的影響。
2022-03-14 10:50:141077 
的半導(dǎo)體芯片的結(jié)構(gòu)也變得復(fù)雜，包括從微粉化一邊倒到三維化，半導(dǎo)體制造工藝也變得多樣化。其中使用的材料也被迫發(fā)生變化，用于制造的半導(dǎo)體器件和材料的技術(shù)革新還沒(méi)有停止。為了解決作為半導(dǎo)體制造工藝之一的CMP
2022-03-21 13:39:083886 
采用化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)工藝，在半導(dǎo)體工業(yè)中已被廣泛接受氧化物電介質(zhì)和金屬層平面化。使用它以確保多層芯片之間的互連是實(shí)現(xiàn)了介質(zhì)材料的可靠和厚度是一致且充分的。在CMP過(guò)程中，晶圓是當(dāng)被載體
2022-03-23 14:17:511643 
本文章將對(duì)表面組織工藝優(yōu)化進(jìn)行研究，多晶硅晶片表面組織化工藝主要分為干法和濕法，其中利用酸或堿性溶液的濕法蝕刻工藝在時(shí)間和成本上都比較優(yōu)秀，主要適用于太陽(yáng)能電池量產(chǎn)工藝。本研究在多晶晶片表面組織化工藝
2022-03-25 16:33:49516 
CMP裝置被應(yīng)用于納米級(jí)晶圓表面平坦化的拋光工藝。拋光顆粒以各種狀態(tài)粘附到拋光后的晶片表面。必須確實(shí)去除可能成為產(chǎn)品缺陷原因的晶圓表面附著物，CMP后的清洗技術(shù)極為重要。在本文中，關(guān)于半導(dǎo)體制造工序
2022-04-18 16:34:342912 
全接觸洗滌被認(rèn)為是去除晶圓表面污染的最佳有效清潔方法之一。為了使刷與晶片之間的小間隙最大限度地增加水動(dòng)力阻力，在晶片上安裝了壓電傳感器（圓片型）。為了研究磨料顆粒在Cu和PETEOS（等離子體增強(qiáng)
2022-05-06 15:24:47298 
聲表面波濾波器行業(yè)市場(chǎng)未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)分析及投資規(guī)模評(píng)估預(yù)測(cè)咨詢
2022-07-20 18:24:311487 平整度(DP)描述了從微米到毫米范圍內(nèi)硅片表面的起伏變化，具體是指對(duì)于某一臺(tái)階處，在完成CMP工藝之后這個(gè)位置硅片表面的平整程度。
2022-10-26 11:38:49942 CMP 所采用的設(shè)備及耗材包括拋光機(jī)、拋光液（又稱研磨液)、拋光墊、拋光后清洗設(shè)備、拋光終點(diǎn)(End Point)檢測(cè)及工藝控制設(shè)備、廢物處理和檢測(cè)設(shè)備等。
2022-11-08 09:48:1211572 機(jī)涂覆工藝不同于其他表面處理工藝，它是在銅和空氣間充當(dāng)阻隔層；有機(jī)涂覆工藝簡(jiǎn)單、成本低廉，這使得它能夠在業(yè)界廣泛使用。
2022-12-26 09:55:16945 今天帶大家了解PCB板的表面工藝，對(duì)比一下不同的PCB板表面處理工藝的優(yōu)缺點(diǎn)和適用場(chǎng)景。
2023-04-14 13:20:141506 熱壓鍵合工藝的基本原理與傳統(tǒng)擴(kuò)散焊工藝相同，即上下芯片的Cu 凸點(diǎn)對(duì)中后直接接觸，其實(shí)現(xiàn)原子擴(kuò)散鍵合的主要影響參數(shù)是溫度、壓力、時(shí)間. 由于電鍍后的Cu 凸點(diǎn)表面粗糙并存在一定的高度差。
2023-05-05 11:30:171380 
早先對(duì)于晶圓表面金屬的濃度檢測(cè)需求為1010atoms/cm2，隨著工藝演進(jìn)，偵測(cè)極限已降至108 atoms/cm2，可以滿足此分析需求的技術(shù)以全反射式熒光光譜儀(Total Reflection X-ray Fluorescence, TXRF)與感應(yīng)耦合電漿質(zhì)譜儀 (ICP-MS) 兩種為主
2023-05-24 14:55:572148 
在前道加工領(lǐng)域：CMP 主要負(fù)責(zé)對(duì)晶圓表面實(shí)現(xiàn)平坦化。晶圓制造前道加工環(huán)節(jié)主要包括7個(gè)相互獨(dú)立的工藝流程：光刻、刻蝕、薄膜生長(zhǎng)、擴(kuò)散、離子注入、化學(xué)機(jī)械拋光、金屬化 CMP 則主要用于銜接不同薄膜工藝，其中根據(jù)工藝段來(lái)分可以分為前段制程（FEOL）和后段制程（BEOL）
2023-07-10 15:14:333567 
段來(lái)分可以分為前段制程（FEOL）和后段制程（BEOL），前段制程工藝主要為 STI-CMP 和 Poly-CMP，后段制程工藝主要為介質(zhì)層 ILD-CMP、IMD-CMP 以及金屬層 W-CMP、Cu-CMP 等。
2023-07-18 11:48:183030 
一站式PCBA智造廠家今天為大家講講如何通過(guò)顏色辨別PCB表面處理工藝?通過(guò)顏色辨別PCB表面處理工藝。電路板的表面外層通常有三種顏色：金色、銀色、淺紅色。金色最貴，銀色較便宜，淺紅色最便宜。那么
2023-08-21 09:16:01394 
如何使用AT32F415比較器(CMP)？
2023-11-01 17:17:16316 
以粗糙度指標(biāo)為例，電鍍工藝后的Cu 表面粗糙并存在一定的高度差，所以鍵合前需要對(duì)其表面進(jìn)行平坦化處理，如化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)，使得鍵合時(shí)Cu 表面能夠充分接觸，實(shí)現(xiàn)原子擴(kuò)散，由此可見(jiàn)把控Bump
2023-08-17 09:44:330 近年來(lái)，銅(Cu)作為互連材料越來(lái)越受歡迎，因?yàn)樗哂械碗娮杪省⒉粫?huì)形成小丘以及對(duì)電遷移(EM)故障的高抵抗力。傳統(tǒng)上，化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)方法用于制備銅細(xì)線。除了復(fù)雜的工藝步驟之外，該方法的一個(gè)顯著缺點(diǎn)是需要許多對(duì)環(huán)境不友好的化學(xué)品，例如表面活性劑和強(qiáng)氧化劑。
2023-11-08 09:46:21188 
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