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電子發(fā)燒友網(wǎng)>制造/封裝>Cu CMP后清洗中添加劑對顆粒粘附和去除的影響

Cu CMP后清洗中添加劑對顆粒粘附和去除的影響

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食品添加劑檢測儀改變傳統(tǒng)快檢方式

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摘要 本研究開發(fā)了一種低擁有成本的臭氧去離子水清洗工藝。室溫下40 ppm的臭氧濃度用于去除有機蠟?zāi)ず?b class="flag-6" style="color: red">顆粒。僅經(jīng)過商業(yè)脫蠟處理后,仍殘留有厚度超過200的蠟殘留物。由于臭氧的擴散限制反應(yīng),代替脫蠟
2022-01-26 16:02:02321

PVA刷擦洗對CMP清洗過程的影響報告

關(guān)鍵詞:銅化學機械拋光后清洗,聚乙烯醇刷,非接觸模式,流體動力阻力。 介紹 聚乙烯醇刷洗是化學溶液清洗過程中常用的方法。聚乙烯醇刷擦洗可分為兩大類,根據(jù)其接觸類型(非接觸,完全接觸)。全接觸擦洗
2022-01-26 16:40:36405

化學機械拋光后刷洗的理論分析報告

化學機械平面化后的葉片清洗,特別是刷子擦洗,是半導體器件制造的一個關(guān)鍵步驟,尚未得到充分了解。臨界粒子雷諾數(shù)方法用于評估在刷擦洗過程中去除晶圓表面的粘附顆粒,或者是否必須發(fā)生刷-粒子接觸??紤]了直徑
2022-01-27 10:25:27335

顆粒晶圓清洗干燥技術(shù)報告

中占有非常重要的地位。隨著超大規(guī)模集成電路器件圖案密度的增加,越來越需要無污染的清洗和干燥系統(tǒng)。對于通過化學溶液處理從硅r中去除顆粒污染物,已經(jīng)發(fā)現(xiàn)NH OH-HCO溶液是極好的,并且溶液中NH OH
2022-02-11 14:51:13380

使用標準濕法清潔從EUV掩??瞻字?b class="flag-6" style="color: red">去除納米顆粒

藝必須發(fā)揮關(guān)鍵作用,以去除這些微小的顆粒缺陷。然而,由于缺乏薄膜保護,EUV掩模清洗面臨著與反射掩模結(jié)構(gòu)、諸如釕(Ru)覆蓋層的新材料以及更頻繁的清洗相關(guān)的獨特挑戰(zhàn)。因此,它必須足夠溫和,不會損壞EUV掩模上的脆弱圖案和表面,特別是非常薄的釕覆蓋層。競爭的需求使得EUV口罩清潔更具挑戰(zhàn)性。
2022-02-17 14:59:271349

濕法清洗過程中硅片表面顆粒去除

研究了在半導體制造過程中使用的酸和堿溶液從硅片表面去除粒子。 結(jié)果表明,堿性溶液的顆粒去除效率優(yōu)于酸性溶液。 在堿性溶液中,顆粒去除的機理已被證實如下:溶液腐蝕晶圓表面以剝離顆粒,然后顆粒被電排斥到晶圓表面。 實驗結(jié)果表明,需要0.25 nm /min以上的刻蝕速率才能使吸附在晶圓表面的顆粒脫落。
2022-02-17 16:24:272167

SC-1顆粒去除和piranha后漂洗的機理研究

去,除重有機污染物,piranha清洗是一個有效的過程;然而,piranha后殘留物頑強地粘附在晶片表面,導致顆粒生長現(xiàn)象。已經(jīng)進行了一系列實驗來幫助理解這些過程與硅的相互作用。
2022-02-23 13:26:322010

濕法清洗系統(tǒng)對晶片表面顆粒污染的影響

泵(非脈動流)中,晶圓清洗過程中添加到晶圓上的顆粒數(shù)量遠少于兩個隔膜泵(脈動流)。 介紹 粒子產(chǎn)生的來源大致可分為四類:環(huán)境、人員、材料和設(shè)備/工藝。晶圓表面污染的比例因工藝類型和生產(chǎn)線級別而異。在無塵室中,顆粒
2022-03-02 13:56:46521

超細金屬顆粒在硅片表面的行為研究

的方法。使用氣體沉積方法將直徑為幾納米到幾百納米的超細金屬顆粒沉積在硅表面。研究了使用各種清潔溶液去除超細顆粒的效率。APM(NH4OH~H2O2-H2O)清洗可以去除150nm的Au顆粒,但不能去除直徑小于幾十納米的超細Au顆粒。此外,當執(zhí)行 DHF-H2O2 清洗
2022-03-03 14:17:36376

半導體工藝—晶片清洗工藝評估

摘要 本文介紹了半導體晶片加工中為顆粒去除(清洗)工藝評估而制備的受污染測試晶片老化的實驗研究。比較了兩種晶片制備技術(shù):一種是傳統(tǒng)的濕法技術(shù),其中裸露的硅晶片浸泡在充滿顆粒的溶液中,然后干燥;另一種
2022-03-04 15:03:502588

檸檬酸清洗液對金屬去除效果的評價

我們?nèi)A林科納研究了基于檸檬酸(CA)的清洗液來去除金屬污染物硅片表面。 采用旋涂法對硅片進行Fe、Ca、Zn、Na、Al、Cu等標準污染,并在各種添加Ca的清洗液中進行清洗。 金屬的濃度采用氣相分
2022-03-07 13:58:161071

用兆頻超聲波能量從有機溶劑中的硅片上去除顆粒的實驗

時間化學成分,對幾種清洗配方進行評估。當使用低兆聲波功率時,發(fā)現(xiàn)粒子在分離后聚集并重新沉積在晶片表面上。這種現(xiàn)象可以用特定溶劑中顆粒和硅表面的帶電現(xiàn)象來解釋。添加表面活性劑以防止聚集和再沉積,從而顯著提高顆粒去除效率。
2022-03-07 15:26:56541

DHF在氧化后CMP清洗工藝中的應(yīng)用

晶圓-機械聚晶(CMP)過程中產(chǎn)生的漿體顆粒對硅晶片表面的污染對設(shè)備工藝中收率(Yield)的下降有著極大的影響。
2022-03-14 10:50:141077

兆聲清洗晶片過程中去除力的分析

的方向傳播。兆頻超聲波清洗領(lǐng)域的大部分工作都是針對尋找兆頻超聲波功率和磁場持續(xù)時間等條件來優(yōu)化粒子去除。已知或相信在兆電子領(lǐng)域中有幾個過程是有效的,即微空化、聲流和壓力誘導的化學效應(yīng)。兆聲波可以想象為以音速傳播到流體中的壓力變化。當聲波通過固體顆粒時,該波中的壓力梯度會對該顆粒施加作用力。
2022-03-15 11:28:22460

使用臭氧和HF清洗去除金屬雜質(zhì)的研究

本研究在實際單位工藝中容易誤染,用傳統(tǒng)的濕式清潔方法去除Cu和Fe等金屬雜質(zhì),為了提高效率,只進行了HF濕式清洗,考察了對表面粗糙度的影響,為了知道上面提出的清洗的效果,測量了金屬雜質(zhì)的去除
2022-03-24 17:10:271760

濕臺清洗顆粒去除的新概念

面損傷有負面影響。近年來,它已被修改為加入更稀的溶液,以減少由氫氧化銨引起的表面微觀粗糙度。在本文中,提出了一種新思路,即使用去離子水快速傾倒沖洗 (QDR) 模式從對話設(shè)置轉(zhuǎn)變?yōu)楦倪M模式。使用 DIW 進行修改的修改配方可以在加工過程中完全去除顆粒。
2022-03-30 14:29:42311

如何成功地清除來自晶片表面的顆粒污染

為了成功地清除來自晶片表面的顆粒污染,有必要了解顆粒與接觸的基底之間的附著力和變形,變形亞微米顆粒粘附和去除機理在以往的許多研究中尚未得到闡明。亞微米聚苯乙烯乳膠顆粒(0.1-0.5mm)沉積
2022-04-06 16:53:501046

濕法和顆粒去除工藝的簡要概述

過程的內(nèi)在能力和局限性。已經(jīng)確定了三種顆粒去除過程——能夠去除所有顆粒尺寸和類型的通用過程,甚至來自圖案晶片,具有相同理論能力但實際上受到粒子可及性的限制,最后是無法去除所有顆粒尺寸的清洗。 通過計算施加給細顆粒
2022-04-08 17:22:531231

濕法和顆粒去除工藝詳解

能力和局限性。已經(jīng)確定了三種顆粒去除過程——能夠去除所有顆粒尺寸和類型的通用過程,甚至來自圖案晶片,具有相同理論能力但實際上受到粒子可及性的限制,最后是無法去除所有顆粒尺寸的清洗。
2022-04-11 16:48:42520

PVA刷接觸式清洗過程中超細顆粒清洗現(xiàn)象

為了LSI的小型·高性能化, 為了實現(xiàn)高精度的基板表面粗糙度,在制造工序中推進了微細且多層布線化。 要求使用粒徑100 nm以下的納米粒子的CMP(Chemical Mechanical
2022-04-15 10:53:51516

半導體制造工序中CMP后的晶圓清洗工序

CMP裝置被應(yīng)用于納米級晶圓表面平坦化的拋光工藝。拋光顆粒以各種狀態(tài)粘附到拋光后的晶片表面。必須確實去除可能成為產(chǎn)品缺陷原因的晶圓表面附著物,CMP后的清洗技術(shù)極為重要。在本文中,關(guān)于半導體制造工序
2022-04-18 16:34:342912

PVA刷擦洗對CMP清洗過程的影響

介紹 聚乙烯醇刷洗是化學溶液清洗過程中常用的方法。聚乙烯醇刷擦洗可分為兩大類,根據(jù)其接觸類型(非接觸,完全接觸)。全接觸擦洗被認為是去除晶片表面污染物的最佳有效清潔方法之一。然而,許多研究人員指責
2022-04-27 16:56:281310

聚乙烯醇刷非接觸洗滌對CMP清洗的影響

全接觸洗滌被認為是去除晶圓表面污染的最佳有效清潔方法之一。為了使刷與晶片之間的小間隙最大限度地增加水動力阻力,在晶片上安裝了壓電傳感器(圓片型)。為了研究磨料顆粒Cu和PETEOS(等離子體增強
2022-05-06 15:24:47298

采用臨界粒子雷諾數(shù)方法去除晶圓表面的粘附顆粒

化學機械平面化后的葉片清洗,特別是刷子擦洗,是半導體器件制造的一個關(guān)鍵步驟,尚未得到充分了解。臨界粒子雷諾數(shù)方法用于評估在刷擦洗過程中去除晶圓表面的粘附顆粒,或者是否必須發(fā)生刷-粒子接觸??紤]了直徑
2022-05-07 15:48:381575

硅晶片的清洗技術(shù)

本文闡述了金屬雜質(zhì)和顆粒雜質(zhì)在硅片表面的粘附機理,并提出了一些清洗方法。
2022-05-11 16:10:274

稀釋SC1過程中使用兆聲波來增強顆粒去除效率

本文介紹了我們?nèi)A林科納在稀釋SC1過程中使用兆聲波來增強顆粒去除,在SC1清洗過程中,兩種化學成分之間存在協(xié)同和補償作用,H2O2氧化硅并形成化學氧化物,這種氧化物的形成受到氧化性物質(zhì)擴散的限制
2022-05-18 17:12:59575

使用全濕法去除Cu BEOL中的光刻膠和BARC

上蝕刻后光刻膠和BARC層的去除,掃描電子顯微鏡(SEM)和X射線光電子能譜(XPS)用于評估清洗效率,使用平面電容器結(jié)構(gòu)確定暴露于等離子體和濕化學對低k膜的介電常數(shù)的影響。 對圖案化結(jié)構(gòu)的橫截面SEM檢查表明,在幾種實驗條件和化學條件下可以實現(xiàn)蝕刻后PR的完
2022-05-30 17:25:241115

濕法清洗去除硅片表面的顆粒

用半導體制造中的清洗過程中使用的酸和堿溶液研究了硅片表面的顆粒去除。
2022-07-05 17:20:171683

RCA清洗中晶片表面的顆粒粘附和去除

溶液中顆粒和晶片表面之間發(fā)生的基本相互作用是范德華力(分子相互作用)和靜電力(雙電層的相互作用)。近年來,與符合上述兩種作用的溶液中的晶片表面上的顆粒粘附機制相關(guān)的研究蓬勃發(fā)展,并為闡明顆粒粘附機制做了大量工作。
2022-07-13 17:18:441491

不同添加劑(FEC、VC、CEC)電解液對電池性能影響!

本文作者對扣式鋰離子電池進行充放電性能測試,通過分析不同EC基電解液添加劑比例下電池的放電比容量、首次庫侖效率、循環(huán)穩(wěn)定性等,探究EC基電解液添加劑對Si-C負極體系性能的影響。
2023-03-29 10:55:589338

什么是晶圓清洗

晶圓清洗工藝的目的是在不改變或損壞晶圓表面或基板的情況下去除化學雜質(zhì)和顆粒雜質(zhì)。晶圓表面必須保持不受影響,這樣粗糙、腐蝕或點蝕會抵消晶圓清潔過程的結(jié)果
2023-05-11 22:03:03785

食品添加劑檢測儀器的技術(shù)參數(shù)及應(yīng)用領(lǐng)域

養(yǎng)、鈣質(zhì)、維生素、微量元素,都無法利用吸收。添加劑中的顆粒物質(zhì)難以消化,如果應(yīng)用過多,容易影響到胃腸功能的情況,導致出現(xiàn)有腹瀉嘔吐等情況的發(fā)生。也會有害于骨骼的情況
2021-03-09 17:57:15338

cmp是什么意思 cmp工藝原理

段來分可以分為前段制程(FEOL)和后段制程(BEOL),前段制程工藝主要為 STI-CMP 和 Poly-CMP,后段制程工藝主要為介質(zhì)層 ILD-CMP、IMD-CMP 以及金屬層 W-CMP、Cu-CMP 等。
2023-07-18 11:48:183035

電路板臟了?如何清洗?

電路板沾污物的危害:顆粒性污染物——電短路。極性沾污物—介質(zhì)擊穿、漏電、元件/電路腐蝕。非極性沾污—影響外觀、白色粉點、粘附灰塵、電接觸不良。線路板的清洗方式: 普通清洗主要使用單個清洗槽,需要清洗的PCB放在清洗劑液體里浸泡清洗。
2023-08-17 15:29:371354

在濕臺工藝中使用RCA清洗技術(shù)

半導體制造業(yè)依賴復雜而精確的工藝來制造我們需要的電子元件。其中一個過程是晶圓清洗,這個是去除硅晶圓表面不需要的顆粒或殘留物的過程,否則可能會損害產(chǎn)品質(zhì)量或可靠性。RCA清洗技術(shù)能有效去除硅晶圓表面的有機和無機污染物,是一項標準的晶圓清洗工藝。
2023-12-07 13:19:14236

Microvision/維視智造+機器視覺系統(tǒng)解決方案+食品干燥包裝袋封口檢測

一般涉及到空包、連包、夾料等包裝問題,主要在干燥、脫氧、食品添加劑等袋裝產(chǎn)品的生產(chǎn)包裝過程。其中食品干燥在人們的生活應(yīng)用最為廣泛,一般附帶于食品起到食品保鮮的作用;是不能食用的產(chǎn)品包附帶
2021-01-25 10:40:51

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