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電子發(fā)燒友網(wǎng)>制造/封裝>SC-1顆粒去除和piranha后漂洗的機(jī)理研究

SC-1顆粒去除和piranha后漂洗的機(jī)理研究

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合成射流激勵(lì)器的頻率和電壓特性(附圖3)。完成合成射流激勵(lì)器標(biāo)定,使用高速相機(jī)和雙脈沖激光器進(jìn)行粒子圖像測(cè)速(PIV)實(shí)驗(yàn)獲得流場(chǎng)數(shù)據(jù),以研究合成射流高效摻混機(jī)理。   實(shí)驗(yàn)結(jié)果:合成射流激勵(lì)器在
2024-03-08 17:47:25

解開(kāi)顆粒燃料熱量化驗(yàn)儀器的神秘面紗

用來(lái)化驗(yàn)顆粒燃料發(fā)熱量的顆粒燃料專(zhuān)用量熱儀已經(jīng)問(wèn)世,DCLRY-9000顆粒燃料專(zhuān)用量熱儀設(shè)計(jì)原理完全符合顆粒燃料高發(fā)熱量,低灰分、低含硫量的特點(diǎn),穩(wěn)定性更高,精確度也有了質(zhì)的飛躍,可以實(shí)現(xiàn)零誤差!二
2018-11-03 18:01:42

金屬纖維氈用于鍋爐煙氣高溫除塵的研究

金屬纖維氈用于鍋爐煙氣高溫除塵的研究分析了金屬纖維氈用于鍋爐煙氣高溫除塵的可行性,對(duì)金屬纖維氈的除塵性能進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)測(cè)試。金屬纖維氈能夠滿足燃煤鍋爐煙氣的除塵要求,特別是對(duì)小顆粒粉塵有很好的去除作用。關(guān)鍵詞: 除塵; 高溫除塵過(guò)濾; 金屬纖維氈; 纖維過(guò)濾[hide][/hide]
2010-04-02 10:02:04

Fe-Si-O顆粒膜的霍爾效應(yīng)研究

利用射頻共濺射方法制備了一系列不同金屬含量x的Fex(SiO2)(1−x)金屬−絕緣體顆粒膜,系統(tǒng)地研究了薄膜的霍爾效應(yīng)及其產(chǎn)生機(jī)理。在室溫和1.3 T的磁場(chǎng)下,當(dāng)體積分?jǐn)?shù)為0.52
2008-12-03 13:10:259

體聲波傳感器對(duì)22巰基苯駢噻唑緩蝕機(jī)理研究

采用體聲波傳感器(BAW ) 系統(tǒng)研究了22巰基苯駢噻唑(MBT ) 在酸性、中性和堿性介質(zhì)中的緩蝕行為, 并提出了相應(yīng)的緩蝕機(jī)理。關(guān)鍵詞: 體聲波傳感器; 22硫基苯駢噻唑; 緩蝕機(jī)理A
2009-07-15 08:33:517

碳基雙電層電容器的結(jié)構(gòu)機(jī)理研究進(jìn)展

碳基雙電層電容器的結(jié)構(gòu)機(jī)理研究進(jìn)展 摘要活性炭基雙電層電容器是一種新型電化學(xué)能量?jī)?chǔ)存裝置,其儲(chǔ)電機(jī)理是利用電極材料比較大的比表面積在電極和電
2009-11-16 14:35:0813

粗粒土顆粒滲透系數(shù)計(jì)算模型的研究

粗粒土顆粒滲透系數(shù)計(jì)算模型的研究摘要: 滲透系數(shù)是滲流分析中最基本的也是非常重要的計(jì)算參數(shù), 研究粗粒土顆粒滲流系數(shù)計(jì)算模型為工程設(shè)計(jì)提供相對(duì)準(zhǔn)確可
2010-04-28 11:48:2315

SC-1型超聲波加濕器電路圖

SC-1型超聲波加濕器電路圖
2009-02-28 00:21:033350

腦電信號(hào)偽跡去除研究進(jìn)展_杜曉燕

腦電信號(hào)偽跡去除研究進(jìn)展腦電信號(hào)偽跡去除研究進(jìn)展
2016-01-15 16:15:390

高壓IGBT關(guān)斷狀態(tài)失效的機(jī)理研究

高壓IGBT關(guān)斷狀態(tài)失效的機(jī)理研究,IGBT原理,PT,NPT,Planar IGBT, Trench IGBT
2016-05-16 18:04:330

免疫機(jī)理的圖像去噪方法研究

免疫機(jī)理的圖像去噪方法研究_劉歡
2017-01-03 15:24:450

中頻電源間諧波發(fā)射特性機(jī)理研究_朱明星

中頻電源間諧波發(fā)射特性機(jī)理研究_朱明星
2017-01-08 11:20:200

磁致伸縮液位傳感器機(jī)理研究_任波

磁致伸縮液位傳感器機(jī)理研究_任波
2017-03-21 20:01:594

氣液固三相湍流環(huán)境中氣泡破裂對(duì)SiC顆粒運(yùn)動(dòng)的可控性研究

為解決氣液固三相磨粒流拋光加T巾氣泡破裂對(duì)SiC顆粒運(yùn)動(dòng)的可控性研究等問(wèn)題,研究了氣液固三相流巾近壁面微納米氣泡破裂對(duì)周?chē)鲌?chǎng)和顆粒的影響,采用Fluent軟件巾多相流體體積模型與可實(shí)現(xiàn)k-s湍流
2018-02-28 14:11:350

顆粒碰撞耗能機(jī)理分析

針對(duì)機(jī)械構(gòu)件主系的封閉空間巾填充微小顆粒,進(jìn)行振動(dòng)抑制問(wèn)題,對(duì)填充顆粒的尺寸、數(shù)量以及材料特性因素對(duì)振動(dòng)抑制效果的影響開(kāi)展了研究。通過(guò)采用離散單元法( discrete element method
2018-03-10 09:56:201

5G移動(dòng)技術(shù)支持,索尼無(wú)人駕駛概念車(chē) Cart SC-1開(kāi)啟測(cè)試

新概念Cart SC-1是一款概念車(chē),融合了索尼研發(fā)的人工智能(AI)和機(jī)器人技術(shù)。
2019-03-31 10:07:433868

關(guān)于重型柴油車(chē)顆粒物煙度傳感器技術(shù)的應(yīng)用

我們都知道發(fā)動(dòng)機(jī)顆粒物排放的形貌、結(jié)構(gòu)取決于顆粒物的生成條件,對(duì)他們特性的研究有助于了解不同條件下顆粒物的生成機(jī)理,同時(shí),柴油車(chē)發(fā)動(dòng)機(jī)顆粒物的形貌、結(jié)構(gòu)特征的微觀特征又決定了顆粒物的氧化特性,氧化
2020-07-13 14:53:391378

洗碗機(jī)的主洗泵和漂洗泵分別用的是什么電機(jī)

大型餐廳洗碗機(jī)酒店洗碗機(jī)優(yōu)質(zhì)洗碗機(jī)主要用動(dòng)力在主洗泵和漂洗泵,這類(lèi)型的洗碗機(jī)電機(jī)主要應(yīng)用到單相交流電機(jī)不同尺寸。 洗碗機(jī)清洗主洗泵,功率強(qiáng)大,高效旋轉(zhuǎn)式洗滌和漂洗臂,洗碗機(jī)電機(jī)應(yīng)用到單相
2020-11-30 09:42:204699

負(fù)極衰減機(jī)理研究進(jìn)展

電池容量衰減的機(jī)理已被廣泛研究和報(bào)道過(guò)。電池容量衰減的影響因素主要有:主要因素是電極表面副反應(yīng)引起的可循環(huán)鋰量的減少;次要因素是活性物質(zhì)的減少(如金屬的溶出、結(jié)構(gòu)的破壞、材料的相變等);電池阻抗的增加。而負(fù)極與上述衰減機(jī)理中的許多影響因素均有關(guān)系。
2021-03-04 16:52:221716

關(guān)于刷洗清洗過(guò)程中的顆粒去除機(jī)理研究報(bào)告

它們已經(jīng)成為當(dāng)今晶片清潔應(yīng)用的主要工具之一。 本文重點(diǎn)研究了納米顆粒刷洗滌器清洗過(guò)程中的顆粒去除機(jī)理研究了從氮化物基質(zhì)中去除平均尺寸為34nm的透明二氧化硅顆粒的方法。在洗滌器清洗后,檢查晶片上顆粒徑向表面濃度
2022-01-18 15:55:30449

關(guān)于臭氧化去離子水去除最終拋光晶片上的顆粒研究報(bào)告

器的DIO3處理在8000的厚蠟層上顯示出低去除率。脫蠟器與DIO3漂洗相結(jié)合,以減少蠟去除時(shí)間并完全去除蠟殘留物。用DIO3漂洗代替去離子漂洗導(dǎo)致表面接觸角小于5°,這表明不需要進(jìn)一步的清洗步驟。通過(guò)將SC-1清洗步驟與DIO3漂洗過(guò)程相結(jié)合,進(jìn)一步提
2022-01-26 16:02:02321

稀釋HF清洗過(guò)程中硅表面顆粒沉積的機(jī)理報(bào)告

本文討論了稀氫氟酸清洗過(guò)程中顆粒沉積在硅片表面的機(jī)理。使用原子力顯微鏡的直接表面力測(cè)量表明,硅表面上的顆粒再沉積是由于顆粒和晶片表面之間的主要相互作用。表面活性劑的加入可以通過(guò)改變顆粒和晶片之間
2022-02-11 14:44:271443

使用標(biāo)準(zhǔn)濕法清潔從EUV掩??瞻字?b class="flag-6" style="color: red">去除納米顆粒

納米。另一方面,在2008年發(fā)表的報(bào)告中,對(duì)于32納米高壓線和空間圖案,EUV掩模上吸收體缺陷的臨界缺陷尺寸被描述為大約24納米,這意味著必須去除具有相同尺寸的顆粒。在如此嚴(yán)格的缺陷要求下,清潔工
2022-02-17 14:59:271349

濕法清洗過(guò)程中硅片表面顆粒去除

研究了在半導(dǎo)體制造過(guò)程中使用的酸和堿溶液從硅片表面去除粒子。 結(jié)果表明,堿性溶液的顆粒去除效率優(yōu)于酸性溶液。 在堿性溶液中,顆粒去除機(jī)理已被證實(shí)如下:溶液腐蝕晶圓表面以剝離顆粒,然后顆粒被電排斥到晶圓表面。 實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,需要0.25 nm /min以上的刻蝕速率才能使吸附在晶圓表面的顆粒脫落。
2022-02-17 16:24:272167

SC-1顆粒去除piranha漂洗機(jī)理研究

SC-l和piranha(H2SO4/H2O2)清潔劑已經(jīng)使用多年來(lái)去除顆粒和有機(jī)污染物。盡管SC-1清潔劑(通常與施加的兆頻超聲波功率一起使用)被認(rèn)為對(duì)顆粒去除非常有效,但去除機(jī)制仍不清楚。對(duì)于
2022-02-23 13:26:322010

超細(xì)金屬顆粒在硅片表面的行為研究

摘要 隨著 ULSI 設(shè)備越來(lái)越小型化,對(duì)產(chǎn)量產(chǎn)生不利影響的顆粒直徑一直在縮小。最近,直徑為 0.1 或更小的超細(xì)顆粒變得很重要。預(yù)計(jì)這種類(lèi)型的超細(xì)顆粒難以去除。本研究建立了一種評(píng)估超細(xì)顆粒去除效率
2022-03-03 14:17:36376

用兆頻超聲波能量從有機(jī)溶劑中的硅片上去除顆粒的實(shí)驗(yàn)

本文介紹了用兆頻超聲波能量從有機(jī)溶劑中的硅片上去除顆粒的實(shí)驗(yàn)。納米粒子首先通過(guò)可控污染工藝沉積在硅晶片上。對(duì)于新沉積和老化的顆粒,研究了作為兆頻超聲波功率的函數(shù)的顆粒去除效率。通過(guò)改變處理?xiàng)l件和漂洗
2022-03-07 15:26:56541

水痕去除的有效方法有哪些

應(yīng)用兆頻超聲波能量去除顆粒已被證明是一種非常有效的非接觸式清潔方法。對(duì)晶片表面的清潔同樣重要的是干燥過(guò)程。一種非常常見(jiàn)的方法是高速旋轉(zhuǎn)干燥,但從減少顆粒和防止水痕的角度來(lái)看,這都是無(wú)效的。一種高性能的替代品是基于旋轉(zhuǎn)力和馬蘭戈尼力的“旋轉(zhuǎn)戈尼”干燥器。這兩種技術(shù)的結(jié)合為清洗和干燥晶片提供了有效的平臺(tái)。
2022-03-15 11:27:481023

采用化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)工藝去除機(jī)理

面朝下按壓時(shí),繞軸旋轉(zhuǎn)以及對(duì)著旋轉(zhuǎn)拋光墊覆蓋的載體膜。具有特定化學(xué)性質(zhì)的硅溶膠泥漿(圖1)。例如,由50 - 70納米組成的磨料漿 熔融石英在水溶液中,濃度在8.5-11之間,在材料種去除機(jī)理中起著重要作用。
2022-03-23 14:17:511643

使用臭氧和HF清洗去除金屬雜質(zhì)的研究

研究在實(shí)際單位工藝中容易誤染,用傳統(tǒng)的濕式清潔方法去除的Cu和Fe等金屬雜質(zhì),為了提高效率,只進(jìn)行了HF濕式清洗,考察了對(duì)表面粗糙度的影響,為了知道上面提出的清洗的效果,測(cè)量了金屬雜質(zhì)的去除
2022-03-24 17:10:271760

詳解SC-I清洗的化學(xué)模型

RCA標(biāo)準(zhǔn)清潔,在去除硅表面污染方面非常有效。RCA清潔包括兩個(gè)順序步驟:標(biāo)準(zhǔn)清潔1(SC-1)和標(biāo)準(zhǔn)清潔2(SC-2)。SC-1溶液由氫氧化銨、過(guò)氧化氫和水的混合物組成,是迄今為止發(fā)現(xiàn)的最有
2022-03-25 17:01:252376

過(guò)氧化氫在SC1清潔方案中的作用說(shuō)明

介紹 RCA標(biāo)準(zhǔn)清潔,在去除硅表面污染方面非常有效。RCA清潔包括兩個(gè)順序步驟:標(biāo)準(zhǔn)清潔1(SC-1)和標(biāo)準(zhǔn)清潔2(SC-2)。SC-1溶液由氫氧化銨、過(guò)氧化氫和水的混合物組成,是迄今為止發(fā)現(xiàn)的最有
2022-03-25 17:02:502376

濕臺(tái)清洗中顆粒去除的新概念

對(duì)于亞微米或深亞微米 ULSI 的制造,完全抑制在硅晶片表面產(chǎn)生的顆粒和污染非常重要。清潔需求的傳統(tǒng)概念是使用化學(xué)成分(APM、氨和過(guò)氧化氫混合物)發(fā)揮主要作用。不幸的是,SC-1 (APM) 對(duì)表
2022-03-30 14:29:42311

如何成功地清除來(lái)自晶片表面的顆粒污染

為了成功地清除來(lái)自晶片表面的顆粒污染,有必要了解顆粒與接觸的基底之間的附著力和變形,變形亞微米顆粒的粘附和去除機(jī)理在以往的許多研究中尚未得到闡明。亞微米聚苯乙烯乳膠顆粒(0.1-0.5mm)沉積
2022-04-06 16:53:501046

濕法和顆粒去除工藝的簡(jiǎn)要概述

過(guò)程的內(nèi)在能力和局限性。已經(jīng)確定了三種顆粒去除過(guò)程——能夠去除所有顆粒尺寸和類(lèi)型的通用過(guò)程,甚至來(lái)自圖案晶片,具有相同理論能力但實(shí)際上受到粒子可及性的限制,最后是無(wú)法去除所有顆粒尺寸的清洗。 通過(guò)計(jì)算施加給細(xì)顆粒
2022-04-08 17:22:531231

濕法和顆粒去除工藝詳解

能力和局限性。已經(jīng)確定了三種顆粒去除過(guò)程——能夠去除所有顆粒尺寸和類(lèi)型的通用過(guò)程,甚至來(lái)自圖案晶片,具有相同理論能力但實(shí)際上受到粒子可及性的限制,最后是無(wú)法去除所有顆粒尺寸的清洗。
2022-04-11 16:48:42520

用于硅晶圓的全新RCA清洗技術(shù)

為目的的鹽酸-過(guò)氧化氫溶液組成的SC―2洗滌相結(jié)合的洗滌技術(shù)。SC-1洗滌的機(jī)理說(shuō)明如下。首先,用過(guò)氧化氫氧化硅晶片的表面,用作為堿的氨蝕刻氧化硅,并通過(guò)剝離去除各種顆粒。另一方面,在SC-2清洗中,許多
2022-04-21 12:26:571552

半導(dǎo)體濕法中臭氧溶液去除有機(jī)/無(wú)機(jī)污染

研究利用臭氧去離子水(DIO3)開(kāi)發(fā)了擁有低成本的新型清洗工藝(氧化亞鈷),臭氧濃度為40ppm,用于去除有機(jī)蠟?zāi)ず?b class="flag-6" style="color: red">顆粒,僅經(jīng)過(guò)商業(yè)除蠟處理后,蠟渣仍超過(guò)200A。 DIO3代替脫蠟劑在8000a
2022-05-05 16:38:33834

采用臨界粒子雷諾數(shù)方法去除晶圓表面的粘附顆粒

化學(xué)機(jī)械平面化后的葉片清洗,特別是刷子擦洗,是半導(dǎo)體器件制造的一個(gè)關(guān)鍵步驟,尚未得到充分了解。臨界粒子雷諾數(shù)方法用于評(píng)估在刷擦洗過(guò)程中去除晶圓表面的粘附顆粒,或者是否必須發(fā)生刷-粒子接觸??紤]了直徑
2022-05-07 15:48:381575

開(kāi)發(fā)一種低成本的臭氧去離子水清洗工藝

器的DIO3處理在8000的厚蠟層上顯示出低去除率。脫蠟器與DIO3漂洗相結(jié)合,以減少蠟去除時(shí)間并完全去除蠟殘留物。用DIO3漂洗代替去離子漂洗導(dǎo)致表面接觸角小于5°,這表明不需要進(jìn)一步的清洗步驟。通過(guò)將SC-1清洗步驟與DIO3漂洗過(guò)程相結(jié)合,進(jìn)一步提
2022-05-07 15:49:26920

稀釋SC1過(guò)程中使用兆聲波來(lái)增強(qiáng)顆粒去除效率

本文介紹了我們?nèi)A林科納在稀釋SC1過(guò)程中使用兆聲波來(lái)增強(qiáng)顆粒去除,在SC1清洗過(guò)程中,兩種化學(xué)成分之間存在協(xié)同和補(bǔ)償作用,H2O2氧化硅并形成化學(xué)氧化物,這種氧化物的形成受到氧化性物質(zhì)擴(kuò)散的限制
2022-05-18 17:12:59575

Piranha過(guò)時(shí)代碼自動(dòng)重構(gòu)工具

./oschina_soft/piranha.zip
2022-06-21 10:29:171

微納米顆粒的磁場(chǎng)驅(qū)動(dòng)控制平臺(tái)設(shè)計(jì)

實(shí)驗(yàn)內(nèi)容:設(shè)計(jì)一套精準(zhǔn)的磁場(chǎng)操控平臺(tái),并制備兩種不同類(lèi)型磁性顆粒;研究了均勻型磁性顆粒在磁場(chǎng)下的成鏈的機(jī)理,給出成鏈模型,通過(guò)實(shí)驗(yàn)研究了不同因素對(duì)成鏈的影響。探索了一種新的流場(chǎng)顯示方法,利用磁性納米
2022-06-21 15:14:25995

濕法清洗中去除硅片表面的顆粒

用半導(dǎo)體制造中的清洗過(guò)程中使用的酸和堿溶液研究了硅片表面的顆粒去除。
2022-07-05 17:20:171683

RCA清洗中晶片表面的顆粒粘附和去除

溶液中顆粒和晶片表面之間發(fā)生的基本相互作用是范德華力(分子相互作用)和靜電力(雙電層的相互作用)。近年來(lái),與符合上述兩種作用的溶液中的晶片表面上的顆粒粘附機(jī)制相關(guān)的研究蓬勃發(fā)展,并為闡明顆粒粘附機(jī)制做了大量工作。
2022-07-13 17:18:441491

功率放大器在磁性微納米顆粒微流體操控研究中的應(yīng)用

實(shí)驗(yàn)內(nèi)容:設(shè)計(jì)一套精準(zhǔn)的磁場(chǎng)操控平臺(tái),并制備兩種不同類(lèi)型磁性顆粒研究了均勻型磁性顆粒在磁場(chǎng)下的成鏈的機(jī)理,給出成鏈模型,通過(guò)實(shí)驗(yàn)研究了不同因素對(duì)成鏈的影響。探索了一種新的流場(chǎng)顯示方法,利用磁性納米
2022-11-02 16:17:10364

顆粒人造石墨負(fù)極的制備及性能研究

摘 要:隨著低碳經(jīng)濟(jì)的快速推進(jìn),人造石墨技術(shù)得到飛速的發(fā)展。國(guó)內(nèi)外學(xué)者對(duì)人造石墨的包覆、石墨化、電化學(xué)及儲(chǔ)鋰機(jī)理進(jìn)行了大量的研究,取得了豐碩的成果,但對(duì)粒度大小對(duì)電化學(xué)及儲(chǔ)鋰特性的影響研究較少。針對(duì)
2023-04-23 14:31:001507

光刻技術(shù)的詳細(xì)工序

清洗硅片(Wafer Clean) 清洗硅片的目的是去除污染物去除顆粒、減少針孔和其它缺陷,提高光刻膠黏附性 基本步驟:化學(xué)清洗——漂洗——烘干。
2023-04-25 11:09:403862

RCA清潔變量對(duì)顆粒去除的影響

集成設(shè)備制造的縮小圖案要求濕化學(xué)加工的表面清潔度和表面光滑度,特別是對(duì)于常見(jiàn)的清潔技術(shù)RCA清潔(SC-1SC-2)。本文討論了表面制備參數(shù)的特性和影響。
2023-05-06 14:25:04407

功率放大器在磁性微納米顆粒微流體操控研究中的應(yīng)用

實(shí)驗(yàn)名稱(chēng): 功率放大器在磁性微納米顆粒微流體操控研究中的應(yīng)用 實(shí)驗(yàn)內(nèi)容: 設(shè)計(jì)一套精準(zhǔn)的磁場(chǎng)操控平臺(tái),并制備兩種不同類(lèi)型磁性顆粒;研究了均勻型磁性顆粒在磁場(chǎng)下的成鏈的機(jī)理,給出成鏈模型,通過(guò)實(shí)驗(yàn)研究
2023-05-08 11:35:01265

功率放大器在磁性微納米顆粒微流體操控研究中的應(yīng)用

實(shí)驗(yàn)名稱(chēng):功率放大器在磁性微納米顆粒微流體操控研究中的應(yīng)用實(shí)驗(yàn)內(nèi)容:設(shè)計(jì)一套精準(zhǔn)的磁場(chǎng)操控平臺(tái),并制備兩種不同類(lèi)型磁性顆粒研究了均勻型磁性顆粒在磁場(chǎng)下的成鏈的機(jī)理,給出成鏈模型,通過(guò)實(shí)驗(yàn)研究
2022-12-12 09:40:29331

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