第1屆全國(guó)等離子體生物醫(yī)學(xué)會(huì)議由西安交通大學(xué)發(fā)起的“第一屆全國(guó)等離子體生物醫(yī)學(xué)學(xué)術(shù)會(huì)議”于2024年3月15日-18日在西安成功舉辦。會(huì)議吸引了來自全國(guó)80余家高校、研究所、醫(yī)院和企業(yè)的280
2024-03-22 08:01:18
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中微公司的電感耦合等離子體（ICP）刻蝕設(shè)備Primo nanova系列第500臺(tái)反應(yīng)腔順利付運(yùn)國(guó)內(nèi)一家先進(jìn)的半導(dǎo)體芯片制造商。
2024-03-21 15:12:4392 一般高效單晶硅電池采用化學(xué)腐蝕制絨技術(shù)，制得絨面的反射率可達(dá)到10％以下。目前較為先進(jìn)的制絨技術(shù)是反應(yīng)等離子蝕刻技術(shù)（RIE），該技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)是和晶硅的晶向無關(guān)，適用于較薄的硅片。
2024-03-19 09:27:59100 
刻蝕機(jī)的刻蝕過程和傳統(tǒng)的雕刻類似，先用光刻技術(shù)將圖形形狀和尺寸制成掩膜，再將掩膜與待加工物料模組裝好，將樣品置于刻蝕室內(nèi)，通過化學(xué)腐蝕或物理磨蝕等方式將待加工物料表面的非掩膜區(qū)域刻蝕掉，以得到所需的凹槽和溝槽。
2024-03-11 15:38:24454 
背景介紹 電場(chǎng)誘導(dǎo)二次諧波產(chǎn)生(Electric Field Induced Second Harmonic Generation, EFISHG)光譜是一種等離子體診斷學(xué)中常用于測(cè)量體相和表面
2024-03-08 06:37:4541 
Aigtek誠(chéng)邀您參會(huì)2024年3月15-17日，Aigtek安泰電子將攜一眾明星產(chǎn)品及專業(yè)測(cè)試解決方案亮相第一屆全國(guó)等離子體生物醫(yī)學(xué)學(xué)術(shù)會(huì)議。在此，我們誠(chéng)邀您蒞臨會(huì)議參觀、洽談與觀摩！-時(shí)間
2024-03-07 08:01:05182 現(xiàn)在對(duì) 2 個(gè)晶圓進(jìn)行處理，為粘合做好準(zhǔn)備。它們經(jīng)過 N2 等離子體處理以激活表面。等離子處理改變了表面的特性，以增加表面能并使其更加親水。
2024-03-06 11:31:03235 
pcb等離子處理的5大作用
2024-03-05 10:24:4897 解決核聚變反應(yīng)中過熱等離子體不可預(yù)測(cè)性問題，是實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定電力產(chǎn)出的最大瓶頸之一。近期，美國(guó)普林斯頓等離子體物理實(shí)驗(yàn)室（簡(jiǎn)稱 PPPL）取得重要進(jìn)展，已經(jīng)成功研發(fā)新型AI系統(tǒng)，可提前300毫秒預(yù)測(cè)聚變中等離子體的“撕裂”行為
2024-02-28 16:08:07250 共讀好書 陳婷 周偉潔 王濤 （無錫中微高科電子有限公司） 摘要： 研究了微波等離子工藝影響導(dǎo)電膠形貌的機(jī)理，進(jìn)一步分析了等離子清洗次數(shù)對(duì)電路可靠性的影響。結(jié)果表明，對(duì)裝片后的電路進(jìn)行 1 次等離子
2024-02-20 13:37:16125 
等離子發(fā)動(dòng)機(jī)原理： 等離子發(fā)動(dòng)機(jī)是一種利用電磁力將離子加速并噴射出來產(chǎn)生推力的發(fā)動(dòng)機(jī)。它主要包括等離子體產(chǎn)生器、離子加速器和噴嘴等組成。下面將詳細(xì)介紹等離子發(fā)動(dòng)機(jī)的工作原理。 生成等離子體：等離子體
2024-02-14 18:18:003168 等離子顯示器（Plasma Display Panel，簡(jiǎn)稱PDP）是一種采用氣體放電和發(fā)光材料發(fā)光的平板顯示技術(shù)。與液晶顯示器相比，等離子顯示器擁有更高的對(duì)比度、更高的色彩飽和度和更快的響應(yīng)速度
2024-02-03 10:00:17305 。常見的干法刻蝕設(shè)備有反應(yīng)離子刻蝕機(jī)（RIE）、電感耦合等離子體刻蝕機(jī)（ICP）、磁性中性線等離子體刻蝕機(jī)（NLD）、離子束刻蝕機(jī)（IBE），本文目的對(duì)各刻蝕設(shè)備的結(jié)構(gòu)進(jìn)行剖析，以及分析技術(shù)的優(yōu)缺點(diǎn)。
2024-01-20 10:24:561104 
報(bào)告提及，該公司在芯片制造領(lǐng)域關(guān)鍵設(shè)備，如CCP和ICP等離子體刻蝕設(shè)備銷售表現(xiàn)強(qiáng)勁，預(yù)期2023年?duì)I業(yè)額將達(dá)47億元，較2022年的基礎(chǔ)上再增加約15.6億元，同比攀升約49.4％。
2024-01-15 11:17:39233 對(duì)DRIE刻蝕，是基于氟基氣體的高深寬比硅刻蝕技術(shù)。與RIE刻蝕原理相同，利用硅的各向異性，通過化學(xué)作用和物理作用進(jìn)行刻蝕。不同之處在于，兩個(gè)射頻源：將等離子的產(chǎn)生和自偏壓的產(chǎn)生分離
2024-01-14 14:11:59508 
TF磁體旨在為洪荒 70的等離子體創(chuàng)造并維持環(huán)向磁場(chǎng)，這些磁體被包裹在真空室中，作為超高溫等離子體的“反應(yīng)容器”；真空室與TF磁體外則安裝有內(nèi)冷屏，它能有效地隔離高溫組件對(duì)磁體的干擾。
2024-01-11 10:45:19338 北方華創(chuàng)最近研發(fā)出了一款12英寸高密度等離子體化學(xué)氣相沉積（HDPCVD）設(shè)備，名為Orion Proxima，并已正式進(jìn)入客戶端驗(yàn)證階段。這一創(chuàng)新標(biāo)志著北方華創(chuàng)在絕緣介質(zhì)填充工藝技術(shù)上取得了重大突破，同時(shí)也為該公司進(jìn)軍12英寸介質(zhì)薄膜設(shè)備領(lǐng)域，打開百億級(jí)市場(chǎng)鋪平了道路。
2024-01-09 18:17:35475 ——利用在基板上的金屬薄膜中產(chǎn)生的表面波來散熱，是一個(gè)重要的突破。 韓國(guó)科學(xué)技術(shù)學(xué)院（KAIST）宣布，機(jī)械工程系Bong Jae Lee教授的研究小組在世界上首次成功測(cè)量了沉積在基板上的金屬薄膜中“表面等離子體激元”（surface pla
2024-01-03 15:32:39184 據(jù)傳感器專家網(wǎng)獲悉，12月28日，位于廣州的增芯科技MEMS量產(chǎn)線項(xiàng)目舉行首臺(tái)生產(chǎn)設(shè)備搬入儀式， 本次搬入設(shè)備是由中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）有限公司制造的Primo D-RIE刻蝕設(shè)備反應(yīng)臺(tái)。 增芯12
2024-01-02 18:10:26422 
01、重點(diǎn)和難點(diǎn) 等離子體通常被認(rèn)為是物質(zhì)的第四態(tài)，除了固體、液體和氣體之外的狀態(tài)。等離子體是一種高能量狀態(tài)的物質(zhì)，其中原子或分子中的電子被從它們的原子核中解離，并且在整個(gè)系統(tǒng)中自由移動(dòng)。這種狀態(tài)
2023-12-26 08:26:29209 
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謝謝大師們！
2023-12-21 10:46:16
? 01、重點(diǎn)和難點(diǎn) 在硅材料加工和研究領(lǐng)域，皮秒脈沖激光激發(fā)的等離子體對(duì)于提高加工技術(shù)、開發(fā)創(chuàng)新設(shè)備以及加深對(duì)材料物理特性的理解都有重大研究意義。這種影響尤其體現(xiàn)在硅材料表面等離子體形態(tài)變化的研究
2023-12-19 10:53:11236 
眾所周知，化合物半導(dǎo)體中不同的原子比對(duì)材料的蝕刻特性有很大的影響。為了對(duì)蝕刻速率和表面形態(tài)的精確控制，通過使用低至25nm的薄器件阻擋層的，從而增加了制造的復(fù)雜性。本研究對(duì)比了三氯化硼與氯氣的偏置功率，以及氣體比對(duì)等離子體腐蝕高鋁含量AlGaN與AlN在蝕刻速率、選擇性和表面形貌方面的影響。
2023-12-15 14:28:30227 
基于GaN的高電子遷移率，晶體管，憑借其高擊穿電壓、大帶隙和高電子載流子速度，應(yīng)用于高頻放大器和高壓功率開關(guān)中。就器件制造而言，GaN的相關(guān)材料，如AlGaN，憑借其物理和化學(xué)穩(wěn)定性，為等離子體蝕刻
2023-12-13 09:51:24294 
)
{ { {
EncposVolBufindex = 0;
ad2s1210_position_mode; ad2s1210_position_mode; 等離子體
qspi_sspin_pull_high; 密鑰
2023-12-12 06:52:45
書接上節(jié)，常見的物質(zhì)的第四種自然狀態(tài)是等離子體狀態(tài)。我們比較熟知的恒星天體就是等離子體態(tài)的一個(gè)例子。當(dāng)然，它和我們最常見到的固體、液體或氣體的定義的定義不相符合。等離子體態(tài)可以被定義為高能電離原子
2023-12-08 09:47:18232 
該專利詳細(xì)闡述了一種針對(duì)含硅有機(jī)介電層的高效刻蝕方法及相應(yīng)的半導(dǎo)體工藝設(shè)備。它主要涉及到通過交替運(yùn)用至少兩個(gè)刻蝕步驟來刻蝕含硅有機(jī)介電層。這兩個(gè)步驟分別為第一刻蝕步驟和第二刻蝕步驟。
2023-12-06 11:58:16370 
光捕獲技術(shù)是提高太陽能電池光吸收率的有效方法之一，它可以減少材料厚度，從而降低成本。近年來，表面等離子體（SP）在這一領(lǐng)域取得了長(zhǎng)足的進(jìn)步。利用表面等離子體的光散射和耦合效應(yīng)，可以大大提高太陽能電池的效率。
2023-12-05 10:52:27497 
我使用ADI7180做三路CVBS輸入，decoder是瑞芯微的RK3288, 顯示出現(xiàn)的圖像中，紅色與藍(lán)色反過來了；
請(qǐng)教ADV7180中，是那個(gè)寄存器控制色彩設(shè)置？
感謝
2023-12-05 07:22:12
GaN作為寬禁帶III-V族化合物半導(dǎo)體最近被深入研究。為了實(shí)現(xiàn)GaN基器件的良好性能，GaN的處理技術(shù)至關(guān)重要。目前英思特已經(jīng)嘗試了許多GaN蝕刻方法，大部分GaN刻蝕是通過等離子體刻蝕來完成
2023-12-01 17:02:39259 
高壓放大器在等離子體實(shí)驗(yàn)中有多種重要應(yīng)用。等離子體是一種帶電粒子與電中性粒子混合的物質(zhì)，其具有多種獨(dú)特的物理性質(zhì)，因此在許多領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用，例如聚變能源、等離子體醫(yī)學(xué)、材料加工等。下面安泰電子將介紹高壓放大器在等離子體實(shí)驗(yàn)中的應(yīng)用。
2023-11-27 17:40:00189 
? 一種使用等離子體激元的新型成像技術(shù)能夠以增強(qiáng)的靈敏度觀察納米顆粒。休斯頓大學(xué)納米生物光子學(xué)實(shí)驗(yàn)室的石偉川教授和他的同事正在研究納米材料和設(shè)備在生物醫(yī)學(xué)、能源和環(huán)境方面的應(yīng)用。該小組利用等離子體
2023-11-27 06:35:23121 磁場(chǎng)輔助激光加工技術(shù)是利用磁場(chǎng)約束激光加工誘導(dǎo)的等離子體，致使等離子體沿磁場(chǎng)方向膨脹，其余方向受壓縮，因而等離子體的密度會(huì)很低，大大削弱了屏蔽效果，使更多的激光能量能夠穿透材料。
2023-11-23 15:03:11301 摘要本發(fā)明涉及芯片制造技術(shù)領(lǐng)域。硅基的cu/sio2混合結(jié)合樣品和金剛石基礎(chǔ)的cu/sio2混合結(jié)合樣品的準(zhǔn)備后，進(jìn)行等離子體活性。經(jīng)等離子體活性處理后，將cu/sio2混合結(jié)合試料浸泡在有機(jī)酸溶液中清洗后干燥。
2023-11-22 09:25:59285 
近日，深圳技術(shù)大學(xué)阮雙琛教授和周滄濤教授團(tuán)隊(duì)在國(guó)際上首次提出基于超光速等離子體尾波場(chǎng)產(chǎn)生阿秒脈沖、亞周期相干光激波輻射的物理方案，并闡釋了一種由電子集體作用主導(dǎo)的全新相干輻射產(chǎn)生機(jī)制。
2023-11-09 10:40:40307 
眾所周知，傾斜光纖光柵可以激發(fā)眾多的包層模式，并且對(duì)光纖表面周圍環(huán)境敏感。當(dāng)光纖包層模式與表面等離子共振相位匹配時(shí)，傾斜光纖光柵可以在金表面激發(fā)倏逝表面等離子體共振波。
2023-10-20 15:48:08330 
等離子體工藝是干法清洗應(yīng)用中的重要部分，隨著微電子技術(shù)的發(fā)展，等離子體清洗的優(yōu)勢(shì)越來越明顯。文章介紹了等離子體清洗的特點(diǎn)和應(yīng)用，討論了它的清洗原理和優(yōu)化設(shè)計(jì)方法。最后分析了等離子體清洗工藝的關(guān)鍵技術(shù)及解決方法。
2023-10-18 17:42:36447 
如此產(chǎn)生之離子、自由基被連續(xù)的沖撞和受電場(chǎng)作用力而加速，使之與材料表面碰撞，并破壞數(shù)微米范圍以內(nèi)的分子鍵，誘導(dǎo)削減一定厚度，生成凹凸表面，同時(shí)形成氣體成分的官能團(tuán)等表面的物理、化學(xué)變化，提高鍍銅粘結(jié)力、除污等抄板作用。
2023-10-18 15:17:03175 焊線連接：工藝通過使用氬離子進(jìn)行物理撞擊，移除基材上的微量污染和氧化物。這種工藝對(duì)于解決焊線接合力不足是一種非常有效的途徑。主要優(yōu)點(diǎn)包括焊線接合力具有顯著的增長(zhǎng)。焊線過程中對(duì)于設(shè)備輸出壓力值的需求降低可以提高生產(chǎn)能力。
2023-10-16 10:24:22799 
結(jié)構(gòu)體在FLASH的存放中，數(shù)據(jù)地址是連續(xù)的嗎
2023-10-12 06:06:29
SEM/FIB（Scanning Electron Microscope/Focused Ion beam）雙束系統(tǒng)中，F(xiàn)IB是將離子源（大多數(shù)FIB采用Ga源，也有Xe、He等離子源）產(chǎn)生的離子
2023-10-07 14:44:41393 
在半導(dǎo)體制造中，刻蝕工序是必不可少的環(huán)節(jié)。而刻蝕又可以分為干法刻蝕與濕法刻蝕，這兩種技術(shù)各有優(yōu)勢(shì)，也各有一定的局限性，理解它們之間的差異是至關(guān)重要的。
2023-09-26 18:21:003304 
通常，我們需要將巖性模式轉(zhuǎn)換為多個(gè)。一次蝕刻通道中的膠片類型
2023-09-26 11:20:00130 
基于電池供電的等離子打火機(jī)。制作新奇打印方式的等離子打印機(jī)！包含相關(guān)圖文說明、代碼、線路圖
2023-09-22 07:54:27
為了提高等離子消融手術(shù)系統(tǒng)的頻率輸出,提出一種新型的全橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。應(yīng)用LCR諧振原理,對(duì)傳統(tǒng)的全橋逆變拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)進(jìn)行改進(jìn),當(dāng)諧振電路工作在恰當(dāng)?shù)膮^(qū)域可以實(shí)現(xiàn)開關(guān)管的零電壓的開通和近似零電壓的關(guān)斷,能
2023-09-20 07:38:22
納米級(jí)[1] 。傳統(tǒng)的平面化技術(shù)如基于淀積技術(shù)的選擇淀積、濺射玻璃 SOG、低壓 CVD、等離子體增強(qiáng) CVD、偏壓濺射和屬于結(jié)構(gòu)的濺射后回腐蝕、熱回流、淀積 —腐蝕 —淀積等 , 這些技術(shù)在 IC
2023-09-19 07:23:03
背景 Adi Salomon 教授的實(shí)驗(yàn)室主要致力于了解納米級(jí)分子與光的相互作用，并構(gòu)建利用光傳感分子的設(shè)備。該小組設(shè)計(jì)并制造了金屬納米結(jié)構(gòu)，并利用它們通過與表面等離子體激元的相互作用來影響納米級(jí)
2023-09-19 06:28:29223 
聚變等離子體運(yùn)行邁出重要一步，是我國(guó)核聚變能開發(fā)進(jìn)程中的又一重要里程碑。 隨著中國(guó)環(huán)流三號(hào)裝置中性束注入的投入，本套高壓電源將為等離子體參數(shù)的提升做進(jìn)一步貢獻(xiàn)。PPEC（Programmable
2023-09-07 10:39:35
超透鏡Superlenses是由等離子體激元材料和超材料制成的，并在亞衍射尺度上，實(shí)現(xiàn)特征成像。
2023-08-31 15:04:24744 
據(jù)報(bào)道，尹志堯在電話會(huì)議上表示，ccp（中國(guó)電容耦合等離子體）刻蝕設(shè)備市場(chǎng)的市場(chǎng)占有率有望從去年10月的24%增加到60%。一度成為領(lǐng)跑者的美國(guó)Lam Research的占有率急劇下降后，icp工具市場(chǎng)的占有率可能會(huì)從原來的位置上升到75%。
2023-08-28 11:21:00683 來自斯圖加特大學(xué)(德國(guó))的 Harald Gie?en 教授的團(tuán)隊(duì)正在致力于將光子學(xué)和納米技術(shù)用于新的應(yīng)用和設(shè)備。研究人員正在研究通過控制等離子體效應(yīng)來創(chuàng)建顯示器的技術(shù)。等離激元學(xué)研究光與金屬納米
2023-08-23 06:33:33215 
等離子體顯示器在對(duì)比度、視角和響應(yīng)速度等方面的優(yōu)勢(shì)較為顯著，適合用于娛樂和家庭影院等方面；而液晶顯示器則在功耗、分辨率和便攜性等方面有一定的優(yōu)勢(shì)，適合辦公和移動(dòng)設(shè)備等領(lǐng)域。選擇時(shí)，可以根據(jù)使用需求和個(gè)人偏好來進(jìn)行選擇。
2023-08-10 14:38:36765 在微電子制造中，刻蝕技術(shù)是制作集成電路和其他微型電子器件的關(guān)鍵步驟之一。通過刻蝕技術(shù)，微電子行業(yè)能夠在硅晶片上創(chuàng)建復(fù)雜的微觀結(jié)構(gòu)。本文旨在探討刻蝕設(shè)備的市場(chǎng)規(guī)模以及行業(yè)內(nèi)的競(jìng)爭(zhēng)格局。
2023-08-02 10:01:08623 
深圳市中芯巨能電子有限公司，成立于2010年，是一家集電子元器件代理商、產(chǎn)品方案開發(fā)和技術(shù)服務(wù)為一體的高科技企業(yè)，致力為客戶提供可靠元器件、成本控制及方案解決。公司代理分銷國(guó)內(nèi)外品牌逾三百家，主要
2023-07-31 15:55:24
的成熟程度也間接決定了產(chǎn)品的良率和吞吐量。 ? 這每一道工序中，都有所需的對(duì)應(yīng)設(shè)備，比如光刻所需的EUV、DUV光刻機(jī)，刻蝕所需的干法、濕法刻蝕機(jī)，以及化學(xué)、物理氣相沉積所需的CVD、PVD設(shè)備等等。光刻機(jī)作為半導(dǎo)體制造的核心
2023-07-30 03:24:481555 
行業(yè)簡(jiǎn)介：微弧氧化(MAO)又稱微等離子體氧化(MPO)、陽極火花沉積(ASD)或火花放電陽極氧化(ANOF),還有人稱之為等離子體增強(qiáng)電化學(xué)表面陶瓷化(PECC)。該技術(shù)的基本原理及特點(diǎn)是：在普通
2023-07-21 16:01:32
行業(yè)簡(jiǎn)介：微弧氧化(MAO)又稱微等離子體氧化(MPO)、陽極火花沉積(ASD)或火花放電陽極氧化(ANOF),還有人稱之為等離子體增強(qiáng)電化學(xué)表面陶瓷化(PECC)。該技術(shù)的基本原理及特點(diǎn)是：在普通
2023-07-21 13:09:52
在常規(guī)離子注入中，三氟化硼常用于形成P型淺結(jié)的注入不是B,因?yàn)锽F2+離子大且重。B10H14,B18H22和硼烷（C2B10&或CBH）是研究中的大分子。
2023-07-21 10:18:571397 
行業(yè)簡(jiǎn)介：微弧氧化(MAO)又稱微等離子體氧化(MPO)、陽極火花沉積(ASD)或火花放電陽極氧化(ANOF),還有人稱之為等離子體增強(qiáng)電化學(xué)表面陶瓷化(PECC)。該技術(shù)的基本原理及特點(diǎn)是：在普通
2023-07-19 17:09:05
行業(yè)簡(jiǎn)介：微弧氧化(MAO)又稱微等離子體氧化(MPO)、陽極火花沉積(ASD)或火花放電陽極氧化(ANOF),還有人稱之為等離子體增強(qiáng)電化學(xué)表面陶瓷化(PECC)。該技術(shù)的基本原理及特點(diǎn)是：在普通
2023-07-11 14:30:20
行業(yè)簡(jiǎn)介：微弧氧化(MAO)又稱微等離子體氧化(MPO)、陽極火花沉積(ASD)或火花放電陽極氧化(ANOF),還有人稱之為等離子體增強(qiáng)電化學(xué)表面陶瓷化(PECC)。該技術(shù)的基本原理及特點(diǎn)是：在普通
2023-07-11 14:28:29
行業(yè)簡(jiǎn)介：微弧氧化(MAO)又稱微等離子體氧化(MPO)、陽極火花沉積(ASD)或火花放電陽極氧化(ANOF),還有人稱之為等離子體增強(qiáng)電化學(xué)表面陶瓷化(PECC)。該技術(shù)的基本原理及特點(diǎn)是：在普通
2023-07-11 14:27:42
行業(yè)簡(jiǎn)介：微弧氧化(MAO)又稱微等離子體氧化(MPO)、陽極火花沉積(ASD)或火花放電陽極氧化(ANOF),還有人稱之為等離子體增強(qiáng)電化學(xué)表面陶瓷化(PECC)。該技術(shù)的基本原理及特點(diǎn)是：在普通
2023-07-11 12:18:07
行業(yè)簡(jiǎn)介：微弧氧化(MAO)又稱微等離子體氧化(MPO)、陽極火花沉積(ASD)或火花放電陽極氧化(ANOF),還有人稱之為等離子體增強(qiáng)電化學(xué)表面陶瓷化(PECC)。該技術(shù)的基本原理及特點(diǎn)是：在普通
2023-07-11 12:17:17
行業(yè)簡(jiǎn)介：微弧氧化(MAO)又稱微等離子體氧化(MPO)、陽極火花沉積(ASD)或火花放電陽極氧化(ANOF),還有人稱之為等離子體增強(qiáng)電化學(xué)表面陶瓷化(PECC)。該技術(shù)的基本原理及特點(diǎn)是：在普通
2023-07-11 12:15:57
上海伯東美國(guó) KRi 考夫曼離子源 KDC 40 應(yīng)用于雙腔室高真空等離子 ALD 系統(tǒng), 實(shí)現(xiàn)小規(guī)模試驗(yàn)中 2-4 英寸硅片等半導(dǎo)體襯底表面的清潔, 確保樣品表面清潔無污染, 滿足 TiN, ZnO, Al2O3, TiO2 等制備.
2023-07-07 14:55:44439 
行業(yè)簡(jiǎn)介： 微弧氧化(MAO)又稱微等離子體氧化(MPO)、陽極火花沉積(ASD)或火花放電陽極氧化(ANOF),還有人稱之為等離子體增強(qiáng)電化學(xué)表面陶瓷化
2023-07-03 18:22:50
隨著集成電路互連線的寬度和間距接近3pm，鋁和鋁合金的等離子體蝕刻變得更有必要。為了防止蝕刻掩模下的橫向蝕刻，我們需要一個(gè)側(cè)壁鈍化機(jī)制。盡管AlCl和AlBr都具有可觀的蒸氣壓，但大多數(shù)鋁蝕刻的研究
2023-06-27 13:24:11318 
近日，Nano Letters（《納米快報(bào)》）在線發(fā)表武漢大學(xué)高等研究院梁樂課題組和約翰霍普金斯大學(xué)Ishan Barman課題組關(guān)于高效構(gòu)建等離子增強(qiáng)NV色心的納米器件研究進(jìn)展，他們利用自下向上的DNA自組裝方法開發(fā)了一種混合型獨(dú)立式等離子體納米金剛石
2023-06-26 17:04:52396 
環(huán)氧塑封是IC主要封裝形式，環(huán)氧塑封器件開封方法有化學(xué)方法、機(jī)械方法和等離子體刻蝕法，化學(xué)方法是最廣泛使用的方法，又分手動(dòng)開封和機(jī)械開封兩種。
2023-06-25 10:09:18443 環(huán)氧塑封是IC主要封裝形式，環(huán)氧塑封器件開封方法有化學(xué)方法、機(jī)械方法和等離子體刻蝕法，化學(xué)方法是最廣泛使用的方法，又分手動(dòng)開封和機(jī)械開封兩種。
2023-06-18 09:56:28314 上海伯東美國(guó)?KRi?考夫曼公司大口徑射頻離子源?RFICP 380, RFICP 220 成功應(yīng)用于 12英寸和 8英寸?IBE 離子束蝕刻機(jī), 實(shí)現(xiàn) 300mm 和 200mm 硅片蝕刻, 刻蝕
2023-06-15 14:58:47665 
交流電源板過載防護(hù)高電壓氣體放電管 氣體放電管- GDT /氣體等離子體避雷器 2R3600ML5 Gas Discharge
2023-06-14 17:30:02
使用負(fù)偏壓的萃取電極將離子從離子源內(nèi)的等離子體中抽出，并將其加速到大約50keV的能量。
2023-05-29 09:37:59381 
金屬銀鍍PTFE涂層等離子處理是指在金屬鍍銀進(jìn)行PTFE涂層，并在PTFE涂層上進(jìn)行等離子處理的一種表面處理技術(shù)。該技術(shù)可以使金屬表面具有一定的耐腐蝕性、耐磨性和耐高溫性，同時(shí)還可以提高金屬表面的潤(rùn)滑性和粘附性。
2023-05-25 15:54:14513 
為了形成高密度等離子體，需要有激發(fā)混合氣體的射頻（RF）源，并直接使高密度等離子體到達(dá)硅片表面。在HDP-CVD反應(yīng)腔中，主要是由電感耦合等離子體反應(yīng)器（ICP）來產(chǎn)生并維持高密度的等離子體。當(dāng)射頻電流通過線圈（coil）時(shí)會(huì)產(chǎn)生一個(gè)交流磁場(chǎng)
2023-05-22 15:47:373153 
在天體物理學(xué)中，有許多天體都具有強(qiáng)大的磁場(chǎng)，例如恒星、行星和黑洞。這些天體周圍通常有大量的等離子體，例如恒星風(fēng)、行星際介質(zhì)和吸積盤。
2023-05-17 09:24:16452 DPC（DirectPlatingCopper）薄膜工藝是一種利用磁控濺射技術(shù)制備銅薄膜的方法。該工藝是將目標(biāo)材料為銅的銅靶放置在真空腔室中，通過磁控濺射技術(shù)使得銅靶表面產(chǎn)生等離子體，利用等離子體中的離子轟擊靶表面，將其濺射成細(xì)小顆粒并沉積在基底上形成銅薄膜的過程。
2023-05-11 17:38:18843 因產(chǎn)品配置不同, 價(jià)格貨期需要電議, 圖片僅供參考, 一切以實(shí)際成交合同為準(zhǔn)射頻等離子體源 RF2100ICP Plasma Source上海伯東代理美國(guó) KRi 考夫
2023-05-11 14:57:22
源 RFICP 140 是一款緊湊的有柵極離子源, 非常適用于離子束濺射沉積, 離子輔助沉積和離子束刻蝕. 在離子束濺射工藝中，射頻離子源 RFICP 140 配有離子光學(xué)元
2023-05-11 14:14:53
芯片等離子活化技術(shù)是一種物理處理技術(shù)，通過改變材料表面的化學(xué)性質(zhì)、物理性質(zhì)和機(jī)械性能，實(shí)現(xiàn)對(duì)材料的表面處理和改性。芯片等離子活化技術(shù)具有處理效率高、處理精度高、無需添加劑、處理后材料性能穩(wěn)定和應(yīng)用范圍廣泛等優(yōu)勢(shì)。
2023-05-06 10:44:50650 
通過金徠等離子體處理，可以提高金屬表面的活性，改善金屬表面的結(jié)合力、增強(qiáng)涂層附著力等性質(zhì)，使得金屬制品的質(zhì)量和性能得到明顯的改善和提升。此外，等離子體處理還可以改善金屬表面的光潔度，使得金屬表面更加平整光滑。
2023-05-05 10:51:23525 
圖案化工藝包括曝光(Exposure)、顯影(Develope)、刻蝕(Etching)和離子注入等流程。
2023-04-28 11:24:271073 
幫助科學(xué)家探索科學(xué)框架的設(shè)計(jì)。我們可以讓AI去更大的設(shè)計(jì)空間搜索設(shè)計(jì)策略和控制優(yōu)化策略。比如近期發(fā)表在Nature 上的工作，使用深度強(qiáng)化學(xué)習(xí)控制核聚變反應(yīng)中的等離子體，第一次發(fā)現(xiàn)了全新的等離子體結(jié)構(gòu)[3]。
2023-04-21 09:56:59406 等離子體均勻性和等離子體位置的控制在未來更加重要。對(duì)于成熟的技術(shù)節(jié)點(diǎn)，高的產(chǎn)量、低的成本是與現(xiàn)有生產(chǎn)系統(tǒng)競(jìng)爭(zhēng)的關(guān)鍵因素。如果可以制造低成本的可靠的刻蝕系統(tǒng)，從長(zhǎng)遠(yuǎn)來看，可以為客戶節(jié)省大量費(fèi)用，有可能
2023-04-21 09:20:221347 (6~10mm)、溫度漂移等問題,無法滿足發(fā)動(dòng)機(jī)復(fù)雜機(jī)械內(nèi)部非定常測(cè)量的需要。而在對(duì)新技術(shù)的探索中,
等離子體技術(shù)由于其有著許多先天優(yōu)勢(shì)而引起了研究者們的關(guān)注，如其理論上有著高頻率響應(yīng)的特性、不受熱慣性的限制、基于
等離子體原理的探針結(jié)構(gòu)尺寸小,可達(dá)毫米尺度。因此認(rèn)為其具有十分優(yōu)秀的發(fā)展?jié)摿?，有望突破高溫?/div>
2023-04-19 15:29:42260 
為滿足集成電路中對(duì)納米結(jié)構(gòu)器件的尺寸及質(zhì)量的高性能要求，有效地解決表面等離子體光刻技術(shù)中存在的near-field OPE問題，中國(guó)科學(xué)院大學(xué)集成電路學(xué)院教授韋亞一課題組通過對(duì)表面等離子體光刻特有的近場(chǎng)增強(qiáng)效應(yīng)進(jìn)行定量表征
2023-04-18 10:49:03473 壓力主要控制刻蝕均勻性和刻蝕輪廓，同時(shí)也能影響刻蝕速率和選擇性。改變壓力會(huì)改變電子和離子的平均自由程(MFP),進(jìn)而影響等離子體和刻蝕速率的均勻性。
2023-04-17 10:36:431922 全硅等離子體色散效應(yīng)環(huán)形諧振器調(diào)制器具有誘人的發(fā)展前景。然而，其性能目前受限于調(diào)制深度和開關(guān)速度之間的權(quán)衡。
2023-04-12 09:12:121594 2023中國(guó)（青島）國(guó)際太陽能光伏及儲(chǔ)能展覽會(huì)2023China(Qingdao) International Solar Photovoltaic and Photovoltaic Energy
2023-04-08 10:36:29
大家目前對(duì)于等離子光譜儀的普遍使用早已見怪不怪了，這種相對(duì)來說較為細(xì)致的設(shè)備是一定要盡早的實(shí)施維修保養(yǎng)的，否則很容易就沒辦法運(yùn)用或者機(jī)械設(shè)備產(chǎn)生情況，下面大家一起來看看等離子光譜儀需要進(jìn)行哪種
2023-04-07 07:37:42124 
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導(dǎo)讀：?屏(也叫面板)，是等離子電視最重要的部件，占整機(jī)成本的六、七成。屏的好壞，直接決定著平板電視的優(yōu)劣。目前世界上只有韓國(guó)LG、三星和日本的松下等少數(shù)廠商具備等離子屏的生產(chǎn)能力，其中LG的A3生產(chǎn)線被公認(rèn)為最先進(jìn)的等離子生產(chǎn)線。很大程度上，等離子電視的選擇就是等離子屏的選擇。
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2023-03-30 15:56:10452 尤為重要了。 1：工業(yè)除靜電
離子風(fēng)嘴的原理 工業(yè)除靜電
離子風(fēng)嘴是一種高科技產(chǎn)品，它通過高壓電場(chǎng)作用于材料表面，使其電離從而達(dá)到除塵的目的。常見的
等離子體有CFO、PLAM-SINK及VESD等幾種。高壓電擊產(chǎn)生巨大能量，能夠?qū)⒉涣茧姾芍?/div>
2023-03-29 09:35:52367 
2RM3600A6L2 氣體放電管- GDT /氣體等離子體避雷器3600Discharge 2-Electrode Arrester 5.5*6 直流擊穿電壓3600V氣體
2023-03-27 17:04:09
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