公司(Innoscience America, Inc)及其關(guān)聯(lián)公司(以下簡稱:英諾賽科)提起訴訟。英飛凌正在就其侵犯英飛凌擁有的一項與氮化鎵(GaN)技術(shù)有關(guān)的美國專利尋求永久禁令。該專利權(quán)利要求涉及氮化鎵功率半導(dǎo)
2024-03-14 18:04:21247 臺積電的 Suk Lee 發(fā)表了題為“摩爾定律和半導(dǎo)體行業(yè)的第四個時代”的主題演講。Suk Lee表示,任何試圖從半導(dǎo)體行業(yè)傳奇而動蕩的歷史中發(fā)掘出一些意義的事情都會引起我的注意。正如臺積電所解釋
2024-03-13 16:52:37
近日,世界知識產(chǎn)權(quán)組織(WIPO)公布了2023年全球PCT國際專利申請排名,中國以顯著優(yōu)勢繼續(xù)領(lǐng)跑全球,其中,半導(dǎo)體顯示領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)京東方以1988件PCT專利申請量位列全球第五,成為該榜單
2024-03-11 09:46:3168 想問一下,半導(dǎo)體設(shè)備需要用到溫度傳感器的有那些設(shè)備,比如探針臺有沒有用到,具體要求是那些,
2024-03-08 17:04:59
PCM1750U-DUAL CMOS 18 BIT這款數(shù)模轉(zhuǎn)換芯片有國產(chǎn)替代嗎?國產(chǎn)替代是否會涉及專利權(quán)或者知識產(chǎn)權(quán)問題?
2024-03-05 18:46:33
大話芯片2月29日消息,據(jù)透露,首爾半導(dǎo)體正在對法國公司FINELITE和三星半導(dǎo)體提起有機發(fā)光二極管(LED)專利侵權(quán)訴訟。
2024-02-29 15:25:31277 2023年12月,雷曼光電已在深圳中級人民法院對兆馳股份旗下多家公司發(fā)起專利侵權(quán)訴訟,兆馳股份未經(jīng)授權(quán)對雷曼在中國及海外獲得的2件新型顯示專利實施了侵權(quán)行為,主要涉及兆馳COB產(chǎn)品系列虛擬像素顯示屏,該產(chǎn)品侵犯了雷曼光電的“像素引擎”顯示技術(shù)的專利權(quán)。
2024-02-27 09:42:40382 自 2012 年起,VirnetX 就以“專利流氓”之名不斷起訴蘋果侵犯其專利權(quán)。2020 年,歷經(jīng)九年曲折訴訟后,蘋果付出4.54 億美元(約合人民幣32.69億元)作為調(diào)解費。
2024-02-21 14:33:21190 N型單導(dǎo)體和P型半導(dǎo)體是兩種不同類型的半導(dǎo)體材料,它們具有不同的電子特性和導(dǎo)電能力。
2024-02-06 11:02:18319 深耕于高壓集成電路高能效功率變換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations(納斯達(dá)克股票代號:POWI)今日宣布推出InnoSwitch?5-Pro系列高效率、可數(shù)字控制的反激式開關(guān)IC
2024-02-01 15:01:59146 在此次ITC裁定中,AMD與ATI指控瑞昱和TCL涉及5項圖形系統(tǒng)技術(shù)侵犯其知識產(chǎn)權(quán),并對其生產(chǎn)或銷售的電視收取共計2項有效的專利權(quán)。自2022年6月7日立案以來,歷經(jīng)數(shù)輪爭辯,僅保存此類案件有效性的一小部分。
2024-01-29 09:43:45326 據(jù)報道,SEL作為一家芯片研發(fā)領(lǐng)軍企業(yè),聲稱多家中國智能手機廠商以及韓國進口商的行為侵犯了其電池專利權(quán)。此外,LG化學(xué)亦表示,三家涉及生產(chǎn)高鎳陰極(NCM811)的中國公司及韓國進口商侵害了其專利權(quán)益。
2024-01-12 13:53:18156 Power Integrations,憑借其全球領(lǐng)先的功率器件技術(shù)和卓越的市場表現(xiàn),榮獲了“國際功率器件行業(yè)卓越獎”。這一榮譽不僅是對Power Integrations在功率器件領(lǐng)域取得杰出成就的肯定,更是對其持續(xù)創(chuàng)新和引領(lǐng)行業(yè)發(fā)展的高度贊揚。
2024-01-08 15:32:12298 RT-thread IDE是否支持HC32L072,也就是小華半導(dǎo)體的芯片?如果支持,哪位好心人發(fā)的芯片支持包
2024-01-04 15:21:25
在過去 10 年內(nèi),中國不僅在半導(dǎo)體小部件(材料、零件、裝備)領(lǐng)域,還在舊型通用半導(dǎo)體和最尖端半導(dǎo)體等領(lǐng)域紛紛獲得了技術(shù)專利。這種專利申請的快速增長表明中國在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中的技術(shù)實力正在迅速增強。
2024-01-02 16:09:39213 近日,深圳市華曦達(dá)科技股份有限公司(董事長:李波)新增專利信息,專利權(quán)人為華曦達(dá),發(fā)明人是李波、吳佶竑。專利授權(quán)日為2023年12月22日,專利名稱為“一種雙頻MIMO天線路由器”,專利類型為中國
2023-12-28 11:29:53174 韓國大韓商工會議所對全球五大知識產(chǎn)權(quán)組織中的半導(dǎo)體專利申請情況進行了統(tǒng)計,結(jié)果表明,中國在此方面的申請比賽中已經(jīng)領(lǐng)先,占比自2003年的14%猛增至2022年的71.7%。
2023-12-28 10:51:34279 芯片和半導(dǎo)體有什么區(qū)別? 芯片和半導(dǎo)體是信息技術(shù)領(lǐng)域中兩個重要的概念。在理解它們之前,我們需要首先了解什么是半導(dǎo)體。 半導(dǎo)體是一種介于導(dǎo)體和絕緣體之間的材料。在半導(dǎo)體中,電流的傳導(dǎo)主要是由電子和空穴
2023-12-25 14:04:451455 半導(dǎo)體分為哪幾種類型 怎么判斷p型半導(dǎo)體 p型半導(dǎo)體如何導(dǎo)電? 半導(dǎo)體是一種具有介于導(dǎo)體和絕緣體之間特性的物質(zhì),其導(dǎo)電性能可以通過控制雜質(zhì)的加入而改變。半導(dǎo)體可以分為兩種類型:p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體
2023-12-19 14:03:481382 在本系列第二篇文章中,我們主要了解到半導(dǎo)體封裝的作用。這些封裝的形狀和尺寸各異,保護和連接脆弱集成電路的方法也各不相同。在這篇文章中,我們將帶您了解半導(dǎo)體封裝的不同分類,包括制造半導(dǎo)體封裝所用材料的類型、半導(dǎo)體封裝的獨特制造工藝,以及半導(dǎo)體封裝的應(yīng)用案例。
2023-12-14 17:16:52442 n型半導(dǎo)體和p型半導(dǎo)體之間的主要區(qū)別在于它們的載流子類型和濃度。
2023-12-13 11:12:32803 本征半導(dǎo)體:本征半導(dǎo)體主要由價電子和空穴組成。在常溫下,自由電子和空穴的數(shù)量很少,因此它的導(dǎo)電能力比較微弱。另外,本征半導(dǎo)體的載流子濃度與溫度密切相關(guān),具有熱敏、光敏特性。
2023-12-13 11:10:05612 根據(jù)不同的誘因,常見的對半導(dǎo)體器件的靜態(tài)損壞可分為人體,機器設(shè)備和半導(dǎo)體器件這三種。
當(dāng)靜電與設(shè)備導(dǎo)線的主體接觸時,設(shè)備由于放電而發(fā)生充電,設(shè)備接地,放電電流將立即流過電路,導(dǎo)致靜電擊穿。外部物體
2023-12-12 17:18:54
今年8月9日,恩捷股份旗下上海恩捷已正式起訴金力股份以及相關(guān)方涉嫌侵犯其兩項專利權(quán)。此次訴訟涉及兩個案件,總價值達(dá)21,000萬元人民幣。
2023-12-12 14:05:50317 電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/劉靜)12月6日,半導(dǎo)體材料領(lǐng)域又一家優(yōu)秀的國產(chǎn)企業(yè)在科創(chuàng)板成功上市。作為一家半導(dǎo)體材料商,江蘇艾森半導(dǎo)體材料股份有限公司(以下簡稱:艾森半導(dǎo)體)自2010年成立以來,抓住
2023-12-07 00:11:002226 該陪審員同意了普度的意見,即電動汽車用充電器及其他產(chǎn)品使用的碳化物金屬氧化物半導(dǎo)體電場效果晶體管(mosfet)侵害了高電壓電源應(yīng)用(high power power application)使用的晶體管的專利。
2023-12-06 13:55:23420 該專利詳細(xì)闡述了一種針對含硅有機介電層的高效刻蝕方法及相應(yīng)的半導(dǎo)體工藝設(shè)備。它主要涉及到通過交替運用至少兩個刻蝕步驟來刻蝕含硅有機介電層。這兩個步驟分別為第一刻蝕步驟和第二刻蝕步驟。
2023-12-06 11:58:16370 【半導(dǎo)體后端工藝:】第一篇了解半導(dǎo)體測試
2023-11-24 16:11:50484 該公司成立于2008年,是一家專門生產(chǎn)尖端國產(chǎn)半導(dǎo)體薄膜沉積設(shè)備的企業(yè)。到目前為止,包括73項發(fā)明專利權(quán)和國際專利在內(nèi),共有165項其他原創(chuàng)專利。
2023-11-24 09:27:12288 總部設(shè)在印度孟買的跨國企業(yè)cg power負(fù)責(zé)發(fā)電、輸電、配電和鐵路運輸相關(guān)產(chǎn)品的設(shè)計、制造及銷售,預(yù)計將于2020年被murugappa集團收購。在此之前,cg power曾表示,計劃在5年內(nèi)向半導(dǎo)體合同工廠和鳳測試工廠投資7.91億美元。
2023-11-23 11:43:25416 大立光于2013年首次在美國向玉晶光電提起侵權(quán)訴訟,最終在蘋果公司的調(diào)解下,于2016年雙方和解。2022年8月,再次向廈門中級人民法院起訴玉晶光電及廈門子公司侵犯專利權(quán)利。
2023-11-22 15:00:36478 專利摘要據(jù)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成的方法中,半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括如下:第一夾雜著離子的電路板;位于基板內(nèi)的深谷結(jié)構(gòu)、機關(guān)和深深的凹槽結(jié)構(gòu)位于上方的雜質(zhì)區(qū)域切斷,位于阻擋摻雜區(qū)上的第一外延層,第一外延層內(nèi)的體區(qū),至少一部分是所述深谷位于結(jié)構(gòu)的上部。
2023-11-21 15:34:03212 sk集團子公司開發(fā)的專利包括SK Innovation、SK海力士、SK telecom和SK siltron,中小企業(yè)可以免費使用。171項專利技術(shù)具體包括公寓的燃料電池系統(tǒng)、基于接口的半導(dǎo)體制造系統(tǒng)、人流量監(jiān)測系統(tǒng)以及拋光晶圓兩面的相關(guān)技術(shù)等。
2023-11-21 14:40:57320 對于諾基亞接連提起的侵犯專利權(quán)訴訟,oppo多次提出反對意見,但德里高等法院在最近的判決中駁回了oppo的上訴,允許諾基亞繼續(xù)對oppo提起訴訟。
2023-11-21 10:01:40284 根據(jù)專利摘要,該公開提供屬于半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域的半導(dǎo)體芯片測試方法、裝置、裝置及存儲介質(zhì)。該方法對半導(dǎo)體芯片進行直流應(yīng)力試驗,得出直流應(yīng)力試驗結(jié)果,直流應(yīng)力試驗結(jié)果包括第一失效單位的失效通知。
2023-11-17 10:08:03416 根據(jù)發(fā)明專利要點,該公司提供的一種半導(dǎo)體晶片處理腔室及半導(dǎo)體處理設(shè)備;半導(dǎo)體晶片處理腔室包括腔體、設(shè)置在該腔體內(nèi)可沿豎直方向移動的片盒和設(shè)置在腔體內(nèi)的加熱組件,還包括溫度檢測組件,該溫度檢測組件的檢測部為溫度檢測板
2023-11-15 10:38:31310 此前,2014年華為技術(shù)有限公司曾要求宣告該專利無效,但該專利的所有者不是omt,而是中興通信有限公司,當(dāng)時國家知識產(chǎn)權(quán)局也做出了“維持專利權(quán)有效”的決定。
2023-11-15 09:31:44175 獎設(shè)立于1989年,是中國專利領(lǐng)域的最高榮譽,得到聯(lián)合國世界知識產(chǎn)權(quán)組織(WIPO)的認(rèn)可。該獎項為國內(nèi)專門對授予專利權(quán)的發(fā)明創(chuàng)造給予獎勵的政府部門獎,評選標(biāo)準(zhǔn)包括專利質(zhì)量、技術(shù)先進性、運用及保護措施和成效、社會效益及發(fā)
2023-11-11 09:19:18562 半導(dǎo)體材料是制作半導(dǎo)體器件與集成電路的基礎(chǔ)電子材料。隨著技術(shù)的發(fā)展以及市場要求的不斷提高,對于半導(dǎo)體材料的要求也越來越高。因此對于半導(dǎo)體材料的測試要求和準(zhǔn)確性也隨之提高,防止由于其缺陷和特性而影響半導(dǎo)體器件的性能。
2023-11-10 16:02:30690 站在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的時代風(fēng)口,來自佛山的科創(chuàng)力量正在崛起,力合科創(chuàng)(佛山)科技園投資企業(yè)——廣東匯芯半導(dǎo)體有限公司(下稱“匯芯半導(dǎo)體”)就是其中一個代表。
2023-11-10 09:58:50459 近日,聚飛通過與日本松下公司反復(fù)磋商,最終達(dá)成一致協(xié)議,聚飛光電正式從日本松下(Panasonic)公司受讓關(guān)于S/CASN熒光粉的專利族,該專利族包括37項各國專利,專利權(quán)利范圍覆蓋全球各個國家
2023-11-10 09:44:56617 據(jù)專利摘要本公開涉及一種延遲電路及半導(dǎo)體存儲器,所述延遲電路包括溫度控制模塊補償及延時模塊、溫度補償控制模塊根據(jù)接收到的控制信號初期,實時環(huán)境溫度,溫度系數(shù)補償信號及溫度系數(shù),以便生成信號控制目標(biāo)溫度控制信號,給予補償。
2023-11-09 09:50:43262 )榮獲“2023年度深圳市科學(xué)技術(shù)獎專利獎”,同時獲得該獎項的還有華為、騰訊、榮耀、大族、深圳先進技術(shù)研究院、深圳清華大學(xué)研究院等企業(yè)和科研院所。 深圳市科學(xué)技術(shù)獎被視為把脈深圳科技創(chuàng)新發(fā)展的重要“窗口”,其中專利獎的項目要求專利權(quán)穩(wěn)定、專利
2023-11-07 19:12:44427 功率半導(dǎo)體是電力電子技術(shù)的關(guān)鍵組件,主要用作電路和系統(tǒng)中的開關(guān)或整流器。如今,功率半導(dǎo)體幾乎廣泛應(yīng)用于人類活動的各個行業(yè)。我們的家電包括功率半導(dǎo)體,電動汽車包括功率半導(dǎo)體,飛機和宇宙飛船包括功率半導(dǎo)體。
2023-11-07 10:54:05459 新型PowiGaN開關(guān)為工業(yè)應(yīng)用提供了巨大的裕量,在具有挑戰(zhàn)性的電網(wǎng)環(huán)境中尤為重要。 Power Integrations發(fā)布了全球電壓最高的單開關(guān)氮化鎵(GaN)電源IC,采用1,250
2023-11-02 17:21:00590 Power Integrations 近日發(fā)布全球額定耐壓最高的單管氮化鎵(GaN)電源IC。該IC采用了1250V的PowiGaN開關(guān)技術(shù)。InnoSwitch3-EP 1250V?IC
2023-10-31 16:54:481866 ECCE 2023?– 深耕于高壓集成電路高能效功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations(納斯達(dá)克股票代號:POWI)今日發(fā)布全球額定耐壓最高的單管氮化鎵(GaN)電源IC。該IC
2023-10-31 11:12:52266 根據(jù)專利摘要,該申請涉及提高三維存儲器存儲密度的半導(dǎo)體芯片技術(shù)領(lǐng)域。這個半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的外部層沉積層、電容器、第一次接觸柱子及首家信號線組成,外圍堆疊層包括層疊設(shè)置的多個膜層對,膜層對第一個防止介質(zhì)層和柵極層,包括各雙膜形成多個臺階。
2023-10-30 11:32:24540 盡管知識產(chǎn)權(quán)被強調(diào)為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的一個重要因素令人鼓舞,但在我們看來,《國家半導(dǎo)體戰(zhàn)略》的作者似乎并沒有認(rèn)識到整個半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)所產(chǎn)生的知識產(chǎn)權(quán)的全部潛力。
2023-10-27 14:29:03388 首爾半導(dǎo)體與美國Silicon Core簽署Micro-LED專利許可協(xié)議。據(jù)推測,該合同的目的是加強使用Micro LED的虛擬生產(chǎn)業(yè)務(wù)。
2023-10-23 09:19:24577 合作,產(chǎn)品線覆蓋全球主要高端芯片廠商以及眾多國內(nèi)芯片廠商。 經(jīng)過多年的發(fā)展,公司沉淀了深厚的應(yīng)用技術(shù)、豐富的產(chǎn)業(yè)資源,客戶主要覆蓋智能汽車、數(shù)字基建、工業(yè)互聯(lián)、能源控制、大消費等五大領(lǐng)域。 Power Integrations, Inc. 是一家專注于半導(dǎo)體領(lǐng)域高壓功率變換的技術(shù)創(chuàng)新
2023-10-20 16:14:03565 根據(jù)專利摘要,該實用新型公開了半導(dǎo)體電力配件的單元結(jié)構(gòu)和半導(dǎo)體電力配件。上述細(xì)胞結(jié)構(gòu)包括:第一導(dǎo)電類型的移動區(qū)域有相對設(shè)定的第一表面和第二表面。第二導(dǎo)電類型的第一混入?yún)^(qū)形成于漂流區(qū)的第一表面。第一導(dǎo)電型的源區(qū)是第二導(dǎo)電型的第一雜質(zhì)區(qū)在遠(yuǎn)離漂移區(qū)的表面形成。
2023-10-20 10:13:28379 功率器件:Power Integrations推出的PowiGaN技術(shù)是業(yè)界首款GaN-on-Sapphire功率IC,已經(jīng)在手機快充上大量出貨。國內(nèi)蘇州捷芯威也推出了藍(lán)寶石基氮化鎵高壓保護開關(guān)器件,單管耐壓2000V
2023-10-18 15:59:201 專利據(jù)概括,體現(xiàn)了公開的控制方法,半導(dǎo)體存儲器,如電子裝置,均提供三個測試模式對數(shù)據(jù)掩碼引腳的阻抗被提供的控制戰(zhàn)略,均三個測試模式中的數(shù)據(jù)掩碼引腳可以被定義的。
2023-10-13 09:40:54160 一 F-200A-60V 半導(dǎo)體器件測試機專為以下測試需求研制: 二 技術(shù)參數(shù)
2023-10-12 15:38:30
根據(jù)專利摘要,該公開是關(guān)于半導(dǎo)體元件及其制造方法的。半導(dǎo)體器件包括電裝效應(yīng)晶體管。電場效應(yīng)晶體管包括柵極、漏極、源極和氧化物半導(dǎo)體溝道。漏極和源極分別位于氧化物半導(dǎo)體通道的兩端。
2023-10-11 14:23:08417 在半導(dǎo)體生產(chǎn)中,自動化設(shè)備物聯(lián)網(wǎng)系統(tǒng)的建設(shè)至關(guān)重要。在這一過程中,Power Link轉(zhuǎn)Modbus網(wǎng)關(guān)成為了實現(xiàn)設(shè)備間高效數(shù)據(jù)傳輸?shù)年P(guān)鍵組件。本文將詳細(xì)介紹鋇錸Power Link轉(zhuǎn)Modbus
2023-09-26 11:28:22317 一、半導(dǎo)體有關(guān)概念 1、半導(dǎo)體 半導(dǎo)體是導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間的一種物體。它內(nèi)部運載電荷的粒子有電子載流子(帶負(fù)電荷的自由電子)和空穴載流子(帶正電荷的空穴)。硅、鍺、硒以及大多數(shù)金屬氧化物
2023-09-26 11:00:331126 本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是半導(dǎo)體芯片的制作和半導(dǎo)體芯片封裝的詳細(xì)資料概述
2023-09-26 08:09:42
美光公司轉(zhuǎn)讓給road star的專利是nand和存儲器等半導(dǎo)體技術(shù)。美光公司自2020年以后還沒有交出過如此多的專利。此次與美光公司的交易也是lodestar首次專利轉(zhuǎn)讓。
2023-09-21 11:49:37718 在n型半導(dǎo)體中什么是多數(shù)載流子?? 在半導(dǎo)體物理學(xué)領(lǐng)域中,多數(shù)載流子(Majority carrier)是指在半導(dǎo)體材料中數(shù)量最多的帶電粒子。在n型半導(dǎo)體中,多數(shù)載流子是負(fù)電子,在p型半導(dǎo)體中,多數(shù)
2023-09-19 15:57:042480 根據(jù)專利摘要,本申請?zhí)峁┤缦略u價半導(dǎo)體設(shè)備生產(chǎn)效率的方法及裝置:評價半導(dǎo)體設(shè)備生產(chǎn)效率的方法是:提供1個半導(dǎo)體設(shè)備,半導(dǎo)體設(shè)備至少包括1個制造單元。半導(dǎo)體設(shè)備獲得按順序生產(chǎn)多個晶圓的生產(chǎn)參數(shù)
2023-09-12 09:39:30276 ▌峰會簡介第五屆意法半導(dǎo)體工業(yè)峰會即將啟程,現(xiàn)我們敬邀您蒞臨現(xiàn)場,直擊智能熱點,共享前沿資訊,通過意法半導(dǎo)體核心技術(shù),推動加快可持續(xù)發(fā)展計劃,實現(xiàn)突破性創(chuàng)新~報名鏈接:https
2023-09-11 15:43:36
根據(jù)專利摘要,該公開是關(guān)于晶圓處理設(shè)備和半導(dǎo)體制造設(shè)備的。晶圓處理設(shè)備由:由支持晶圓構(gòu)成的晶圓支持部件,光源排列位于晶圓的支持方向,適合對晶圓進行光輻射加熱。光源陣列至少使晶圓半徑方向上的所有光點都近而不重疊
2023-09-08 09:58:29544 意法半導(dǎo)體擁有最先進的平面工藝,并且會隨著G4不斷改進:? 導(dǎo)通電阻約比G3低15%? 工作頻率接近1 MHz? 成熟且穩(wěn)健的工藝? 吞吐量、設(shè)計簡單性、可靠性、經(jīng)驗…? 適用于汽車的高生產(chǎn)率
2023-09-08 06:33:00
隨著中國押注于開源架構(gòu),促進其實現(xiàn)長期追求的半導(dǎo)體自給自足的目標(biāo),中國一批領(lǐng)先的芯片設(shè)計公司成立了RISC-V專利保護聯(lián)盟。
2023-08-31 15:29:29612 半導(dǎo)體區(qū)別于導(dǎo)體的重要特征? 半導(dǎo)體和導(dǎo)體是電子領(lǐng)域中的兩個重要概念,它們雖然有些相似,但是在性質(zhì)、應(yīng)用和制造過程等方面都有重要的區(qū)別。本文將詳細(xì)介紹半導(dǎo)體與導(dǎo)體的重要特征,以及它們之間的區(qū)別
2023-08-27 15:55:122661 。
“ARM處理器”是指適用的基于ARM的處理器,中規(guī)定的ARM技術(shù)。
“ARM技術(shù)”是指根據(jù)本許可證的條款和條件授權(quán)并交付給您的安全算法加速器技術(shù)。
“知識產(chǎn)權(quán)”指任何專利、專利權(quán)、商標(biāo)、服務(wù)標(biāo)志、注冊
2023-08-23 08:28:43
,減少人力資源消耗,為半導(dǎo)體行業(yè)降本增效。Novator系列全自動影像儀創(chuàng)新推出的飛拍測量、圖像拼接、環(huán)光獨立升降、圖像匹配、無接觸3D掃描成像等功能,多方面滿足客戶測量需求,解決各行業(yè)尺寸測量難題。
2023-08-21 13:38:06
先楫半導(dǎo)體使用上怎么樣?
2023-08-08 14:56:29
半導(dǎo)體材料是制作半導(dǎo)體器件和集成電路的電子材料,是半導(dǎo)體工業(yè)的基礎(chǔ)。利用半導(dǎo)體材料制作的各種各樣的半導(dǎo)體器件和集成電路,促進了現(xiàn)代信息社會的飛速發(fā)展。
2023-08-07 10:22:031978 來源:《半導(dǎo)體芯科技》雜志 今年2月,一項題為《功率轉(zhuǎn)換電路與電子設(shè)備》的專利(CN202211387831X)獲得授權(quán),其共同專利權(quán)人為廣東希荻微電子股份有限公司和普林斯頓大學(xué)。 隨著人工智能
2023-07-21 16:13:10297 簡介:蘇州鐳拓激光科技有限公司智能化一站式激光設(shè)備供應(yīng)商,多款高精度塑料半導(dǎo)體激光焊接機,咨詢塑料激光焊接機多少錢,歡迎聯(lián)系蘇州鐳拓激光!產(chǎn)品描述:品名:塑料半導(dǎo)體激光焊接機品牌:鐳拓
2023-07-06 16:24:04
GaN功率半導(dǎo)體與高頻生態(tài)系統(tǒng)(氮化鎵)
2023-06-25 09:38:13
突破GaN功率半導(dǎo)體的速度限制
2023-06-25 07:17:49
升級到半橋GaN功率半導(dǎo)體
2023-06-21 11:47:21
華為正在向大約30家日本中小企業(yè)收取專利技術(shù)使用費,涉及搭載“無線通信模塊”的通信設(shè)備制造商和系統(tǒng)公司。值得一提的是,華為是全球最大的專利權(quán)利人之一,在2022年底,華為在全球共持有有效授權(quán)專利超過12萬件。
2023-06-20 18:18:48980 GaN功率半導(dǎo)體在快速充電市場的應(yīng)用(氮化鎵)
2023-06-19 11:00:42
GaNFast功率半導(dǎo)體建模(氮化鎵)
2023-06-19 07:07:27
半導(dǎo)體冷凍治療儀利用半導(dǎo)體制冷組件產(chǎn)生的低溫來治療疾病,是近年來發(fā)展較快的物理治療設(shè)備。它具有溫控精確、功耗低、體積小等優(yōu)點,在康復(fù)治療領(lǐng)域有廣闊的應(yīng)用前景。半導(dǎo)體冷凍治療儀包括治療儀本體、半導(dǎo)體
2023-06-12 09:29:18699 “電動汽車的主要總線電壓為400V,”Power Integrations汽車業(yè)務(wù)發(fā)展總監(jiān)Peter Vaughan表示,“電動汽車制造商正在優(yōu)化其新一代400V系統(tǒng),并重新設(shè)計車輛中的各種功率級,例如車載充電器。
2023-06-06 17:34:37592 根據(jù)中國集成電路產(chǎn)業(yè)人才白皮書數(shù)據(jù)來看,目前行業(yè)內(nèi)從業(yè)人員僅46w左右,人才缺口仍有30w之 巨 。在國內(nèi)半導(dǎo)體行業(yè)快速發(fā)展的當(dāng)下,定位、搶奪優(yōu)質(zhì)人才是企業(yè)未來長期發(fā)展的基石。
那么每年秋招就是贏得
2023-06-01 14:52:23
HT1622/HT1622GRAM Mapping 32x8 LCD Controller for I/O MCU(專利權(quán)核準(zhǔn))(HT1622 44QFP 限用產(chǎn)品 )(HT1622 52-pin
2023-05-10 11:15:50
第95期什么是寬禁帶半導(dǎo)體?半導(dǎo)體迄今為止共經(jīng)歷了三個發(fā)展階段:第一代半導(dǎo)體以硅(Si)、鍺(Ge)為代表;第二代半導(dǎo)體以砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)等化合物為代表;第三代半導(dǎo)體是以碳化硅
2023-05-06 10:31:461673 半導(dǎo)體迄今為止共經(jīng)歷了三個發(fā)展階段:第一代半導(dǎo)體以硅(Si)、鍺(Ge)為代表;第二代半導(dǎo)體以砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)等化合物為代表;第三代半導(dǎo)體是以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN
2023-05-05 17:46:226166 試述為什么金屬的電阻溫度系數(shù)是正的而半導(dǎo)體的是負(fù)的?
2023-04-23 11:27:04
全自動半導(dǎo)體激光COS測試機TC 1000 COS(chip on submount)是主流的半導(dǎo)體激光器封裝形式之一,對COS進行全功能的測試必不可少
2023-04-13 16:28:40
、高耐壓的半導(dǎo)體器件。近期,深耕于高壓集成電路高能效功率變換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations(納斯達(dá)克股票代號:POWI)宣布推出900V耐壓的氮化鎵(GaN)器件,為InnoSwitch3系列反激式開關(guān)IC再添新品。 據(jù)了解,新IC采用該公司特有的PowiGaN技術(shù),使用獨
2023-03-30 11:48:45561 恩智浦半導(dǎo)體公司 恩智浦半導(dǎo)體創(chuàng)立于2006年,其前身為荷蘭飛利浦公司于1953年成立的半導(dǎo)體事業(yè)部,總部位于荷蘭埃因霍溫。 [1-2] 恩智浦2010年在美國納斯達(dá)克上市。 [3] 2015
2023-03-27 14:32:00708
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