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Power Integrations與飛兆半導(dǎo)體酣戰(zhàn)專利權(quán)

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華為小米先后“受挫”,這一專利再被維持有效

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盡管知識產(chǎn)權(quán)被強調(diào)為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的一個重要因素令人鼓舞,但在我們看來,《國家半導(dǎo)體戰(zhàn)略》的作者似乎并沒有認(rèn)識到整個半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)所產(chǎn)生的知識產(chǎn)權(quán)的全部潛力。
2023-10-27 14:29:03388

首爾半導(dǎo)體、Silicon Core簽署Micro LED專利許可協(xié)議

首爾半導(dǎo)體與美國Silicon Core簽署Micro-LED專利許可協(xié)議。據(jù)推測,該合同的目的是加強使用Micro LED的虛擬生產(chǎn)業(yè)務(wù)。
2023-10-23 09:19:24577

科通技術(shù)正式成為Power Integrations中國區(qū)代理商

合作,產(chǎn)品線覆蓋全球主要高端芯片廠商以及眾多國內(nèi)芯片廠商。 經(jīng)過多年的發(fā)展,公司沉淀了深厚的應(yīng)用技術(shù)、豐富的產(chǎn)業(yè)資源,客戶主要覆蓋智能汽車、數(shù)字基建、工業(yè)互聯(lián)、能源控制、大消費等五大領(lǐng)域。 Power Integrations, Inc. 是一家專注于半導(dǎo)體領(lǐng)域高壓功率變換的技術(shù)創(chuàng)新
2023-10-20 16:14:03565

比亞迪半導(dǎo)體半導(dǎo)體功率器件”相關(guān)專利獲授權(quán)

根據(jù)專利摘要,該實用新型公開了半導(dǎo)體電力配件的單元結(jié)構(gòu)和半導(dǎo)體電力配件。上述細(xì)胞結(jié)構(gòu)包括:第一導(dǎo)電類型的移動區(qū)域有相對設(shè)定的第一表面和第二表面。第二導(dǎo)電類型的第一混入?yún)^(qū)形成于漂流區(qū)的第一表面。第一導(dǎo)電型的源區(qū)是第二導(dǎo)電型的第一雜質(zhì)區(qū)在遠(yuǎn)離漂移區(qū)的表面形成。
2023-10-20 10:13:28379

第三代半導(dǎo)體GaN產(chǎn)業(yè)鏈研究

功率器件:Power Integrations推出的PowiGaN技術(shù)是業(yè)界首款GaN-on-Sapphire功率IC,已經(jīng)在手機快充上大量出貨。國內(nèi)蘇州捷芯威也推出了藍(lán)寶石基氮化鎵高壓保護開關(guān)器件,單管耐壓2000V
2023-10-18 15:59:201

長鑫存儲“一種控制方法、半導(dǎo)體存儲器和電子設(shè)備”專利公布

專利據(jù)概括,體現(xiàn)了公開的控制方法,半導(dǎo)體存儲器,如電子裝置,均提供三個測試模式對數(shù)據(jù)掩碼引腳的阻抗被提供的控制戰(zhàn)略,均三個測試模式中的數(shù)據(jù)掩碼引腳可以被定義的。
2023-10-13 09:40:54160

半導(dǎo)體電子器件通用測試機

  一 F-200A-60V 半導(dǎo)體器件測試機專為以下測試需求研制: 二 技術(shù)參數(shù)
2023-10-12 15:38:30

華為公開“半導(dǎo)體器件”專利:提升場效應(yīng)晶體管電流驅(qū)動能力

根據(jù)專利摘要,該公開是關(guān)于半導(dǎo)體元件及其制造方法的。半導(dǎo)體器件包括電裝效應(yīng)晶體管。電場效應(yīng)晶體管包括柵極、漏極、源極和氧化物半導(dǎo)體溝道。漏極和源極分別位于氧化物半導(dǎo)體通道的兩端。
2023-10-11 14:23:08417

Power Link轉(zhuǎn)Modbus網(wǎng)關(guān):半導(dǎo)體生產(chǎn)線自動化的數(shù)據(jù)橋梁

半導(dǎo)體生產(chǎn)中,自動化設(shè)備物聯(lián)網(wǎng)系統(tǒng)的建設(shè)至關(guān)重要。在這一過程中,Power Link轉(zhuǎn)Modbus網(wǎng)關(guān)成為了實現(xiàn)設(shè)備間高效數(shù)據(jù)傳輸?shù)年P(guān)鍵組件。本文將詳細(xì)介紹鋇錸Power Link轉(zhuǎn)Modbus
2023-09-26 11:28:22317

半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性

一、半導(dǎo)體有關(guān)概念 1、半導(dǎo)體 半導(dǎo)體是導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間的一種物體。它內(nèi)部運載電荷的粒子有電子載流子(帶負(fù)電荷的自由電子)和空穴載流子(帶正電荷的空穴)。硅、鍺、硒以及大多數(shù)金屬氧化物
2023-09-26 11:00:331126

半導(dǎo)體芯片的制作和封裝資料

本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是半導(dǎo)體芯片的制作和半導(dǎo)體芯片封裝的詳細(xì)資料概述
2023-09-26 08:09:42

美光向NPE機構(gòu)轉(zhuǎn)讓半導(dǎo)體專利,引發(fā)投機性訴訟擔(dān)憂

美光公司轉(zhuǎn)讓給road star的專利是nand和存儲器等半導(dǎo)體技術(shù)。美光公司自2020年以后還沒有交出過如此多的專利。此次與美光公司的交易也是lodestar首次專利轉(zhuǎn)讓。
2023-09-21 11:49:37718

在n型半導(dǎo)體中什么是多數(shù)載流子?

在n型半導(dǎo)體中什么是多數(shù)載流子?? 在半導(dǎo)體物理學(xué)領(lǐng)域中,多數(shù)載流子(Majority carrier)是指在半導(dǎo)體材料中數(shù)量最多的帶電粒子。在n型半導(dǎo)體中,多數(shù)載流子是負(fù)電子,在p型半導(dǎo)體中,多數(shù)
2023-09-19 15:57:042480

長鑫存儲“半導(dǎo)體設(shè)備生產(chǎn)效率的評估方法及裝置”專利獲授權(quán)

根據(jù)專利摘要,本申請?zhí)峁┤缦略u價半導(dǎo)體設(shè)備生產(chǎn)效率的方法及裝置:評價半導(dǎo)體設(shè)備生產(chǎn)效率的方法是:提供1個半導(dǎo)體設(shè)備,半導(dǎo)體設(shè)備至少包括1個制造單元。半導(dǎo)體設(shè)備獲得按順序生產(chǎn)多個晶圓的生產(chǎn)參數(shù)
2023-09-12 09:39:30276

意法半導(dǎo)體工業(yè)峰會2023

▌峰會簡介第五屆意法半導(dǎo)體工業(yè)峰會即將啟程,現(xiàn)我們敬邀您蒞臨現(xiàn)場,直擊智能熱點,共享前沿資訊,通過意法半導(dǎo)體核心技術(shù),推動加快可持續(xù)發(fā)展計劃,實現(xiàn)突破性創(chuàng)新~報名鏈接:https
2023-09-11 15:43:36

華為公開“晶圓處理設(shè)備和半導(dǎo)體制造設(shè)備”專利

 根據(jù)專利摘要,該公開是關(guān)于晶圓處理設(shè)備和半導(dǎo)體制造設(shè)備的。晶圓處理設(shè)備由:由支持晶圓構(gòu)成的晶圓支持部件,光源排列位于晶圓的支持方向,適合對晶圓進行光輻射加熱。光源陣列至少使晶圓半徑方向上的所有光點都近而不重疊
2023-09-08 09:58:29544

用于高密度和高效率電源設(shè)計的意法半導(dǎo)體WBG解決方案

意法半導(dǎo)體擁有最先進的平面工藝,并且會隨著G4不斷改進:? 導(dǎo)通電阻約比G3低15%? 工作頻率接近1 MHz? 成熟且穩(wěn)健的工藝? 吞吐量、設(shè)計簡單性、可靠性、經(jīng)驗…? 適用于汽車的高生產(chǎn)率
2023-09-08 06:33:00

中國頂尖芯片設(shè)計商組建RISC-V專利聯(lián)盟,推動半導(dǎo)體自給自足

隨著中國押注于開源架構(gòu),促進其實現(xiàn)長期追求的半導(dǎo)體自給自足的目標(biāo),中國一批領(lǐng)先的芯片設(shè)計公司成立了RISC-V專利保護聯(lián)盟。
2023-08-31 15:29:29612

半導(dǎo)體區(qū)別于導(dǎo)體的重要特征

半導(dǎo)體區(qū)別于導(dǎo)體的重要特征? 半導(dǎo)體導(dǎo)體是電子領(lǐng)域中的兩個重要概念,它們雖然有些相似,但是在性質(zhì)、應(yīng)用和制造過程等方面都有重要的區(qū)別。本文將詳細(xì)介紹半導(dǎo)體導(dǎo)體的重要特征,以及它們之間的區(qū)別
2023-08-27 15:55:122661

安全算法加速器1.0版EULA的最終用戶許可協(xié)議

。 “ARM處理器”是指適用的基于ARM的處理器,中規(guī)定的ARM技術(shù)。 “ARM技術(shù)”是指根據(jù)本許可證的條款和條件授權(quán)并交付給您的安全算法加速器技術(shù)。 “知識產(chǎn)權(quán)”指任何專利、專利權(quán)、商標(biāo)、服務(wù)標(biāo)志、注冊
2023-08-23 08:28:43

如何提高半導(dǎo)體模具的測量效率?

,減少人力資源消耗,為半導(dǎo)體行業(yè)降本增效。Novator系列全自動影像儀創(chuàng)新推出的拍測量、圖像拼接、環(huán)光獨立升降、圖像匹配、無接觸3D掃描成像等功能,多方面滿足客戶測量需求,解決各行業(yè)尺寸測量難題。
2023-08-21 13:38:06

先楫半導(dǎo)體使用上怎么樣?

先楫半導(dǎo)體使用上怎么樣?
2023-08-08 14:56:29

什么是半導(dǎo)體材料?半導(dǎo)體材料的發(fā)展之路

半導(dǎo)體材料是制作半導(dǎo)體器件和集成電路的電子材料,是半導(dǎo)體工業(yè)的基礎(chǔ)。利用半導(dǎo)體材料制作的各種各樣的半導(dǎo)體器件和集成電路,促進了現(xiàn)代信息社會的飛速發(fā)展。
2023-08-07 10:22:031978

#半導(dǎo)體

半導(dǎo)體
固晶焊線AOI設(shè)備—尹先生發(fā)布于 2023-08-03 10:46:53

希荻微與普林斯頓大學(xué)合作研究下一代芯粒技術(shù)供電架構(gòu)

來源:《半導(dǎo)體芯科技》雜志 今年2月,一項題為《功率轉(zhuǎn)換電路與電子設(shè)備》的專利(CN202211387831X)獲得授權(quán),其共同專利權(quán)人為廣東希荻微電子股份有限公司和普林斯頓大學(xué)。 隨著人工智能
2023-07-21 16:13:10297

塑料半導(dǎo)體激光焊接機

 簡介:蘇州鐳拓激光科技有限公司智能化一站式激光設(shè)備供應(yīng)商,多款高精度塑料半導(dǎo)體激光焊接機,咨詢塑料激光焊接機多少錢,歡迎聯(lián)系蘇州鐳拓激光!產(chǎn)品描述:品名:塑料半導(dǎo)體激光焊接機品牌:鐳拓
2023-07-06 16:24:04

GaN功率半導(dǎo)體與高頻生態(tài)系統(tǒng)

GaN功率半導(dǎo)體與高頻生態(tài)系統(tǒng)(氮化鎵)
2023-06-25 09:38:13

突破氮化鎵功率半導(dǎo)體的速度限制

突破GaN功率半導(dǎo)體的速度限制
2023-06-25 07:17:49

10.2 GaAs半導(dǎo)體材料(中)

半導(dǎo)體
jf_75936199發(fā)布于 2023-06-24 18:48:06

半橋GaN功率半導(dǎo)體應(yīng)用設(shè)計

升級到半橋GaN功率半導(dǎo)體
2023-06-21 11:47:21

華為回應(yīng)向30家日企收專利

華為正在向大約30家日本中小企業(yè)收取專利技術(shù)使用費,涉及搭載“無線通信模塊”的通信設(shè)備制造商和系統(tǒng)公司。值得一提的是,華為是全球最大的專利權(quán)利人之一,在2022年底,華為在全球共持有有效授權(quán)專利超過12萬件。
2023-06-20 18:18:48980

GaN功率半導(dǎo)體在快速充電市場的應(yīng)用

GaN功率半導(dǎo)體在快速充電市場的應(yīng)用(氮化鎵)
2023-06-19 11:00:42

GaNFast功率半導(dǎo)體建模資料

GaNFast功率半導(dǎo)體建模(氮化鎵)
2023-06-19 07:07:27

半導(dǎo)體拉力測試儀半導(dǎo)體芯片推拉力測試機

半導(dǎo)體
力標(biāo)精密設(shè)備發(fā)布于 2023-06-17 17:35:00

半導(dǎo)體制冷器應(yīng)用--半導(dǎo)體冷凍治療儀

半導(dǎo)體冷凍治療儀利用半導(dǎo)體制冷組件產(chǎn)生的低溫來治療疾病,是近年來發(fā)展較快的物理治療設(shè)備。它具有溫控精確、功耗低、體積小等優(yōu)點,在康復(fù)治療領(lǐng)域有廣闊的應(yīng)用前景。半導(dǎo)體冷凍治療儀包括治療儀本體、半導(dǎo)體
2023-06-12 09:29:18699

Power Integrations推出900V GaN反激式開關(guān)器件

“電動汽車的主要總線電壓為400V,”Power Integrations汽車業(yè)務(wù)發(fā)展總監(jiān)Peter Vaughan表示,“電動汽車制造商正在優(yōu)化其新一代400V系統(tǒng),并重新設(shè)計車輛中的各種功率級,例如車載充電器。
2023-06-06 17:34:37592

半導(dǎo)體企業(yè)如何決勝2023秋招?

根據(jù)中國集成電路產(chǎn)業(yè)人才白皮書數(shù)據(jù)來看,目前行業(yè)內(nèi)從業(yè)人員僅46w左右,人才缺口仍有30w之 巨 。在國內(nèi)半導(dǎo)體行業(yè)快速發(fā)展的當(dāng)下,定位、搶奪優(yōu)質(zhì)人才是企業(yè)未來長期發(fā)展的基石。 那么每年秋招就是贏得
2023-06-01 14:52:23

半導(dǎo)體內(nèi)部電路

半導(dǎo)體
YS YYDS發(fā)布于 2023-05-28 12:30:39

HT1622 64LQFP 合泰HOLTEK LCD 控制器 原裝品質(zhì) 技術(shù)支持

HT1622/HT1622GRAM Mapping 32x8 LCD Controller for I/O MCU(專利權(quán)核準(zhǔn))(HT1622 44QFP 限用產(chǎn)品 )(HT1622 52-pin
2023-05-10 11:15:50

2.1 半導(dǎo)體晶體材料

半導(dǎo)體
jf_90840116發(fā)布于 2023-05-08 01:54:54

1.3 半導(dǎo)體材料和分類

半導(dǎo)體
jf_90840116發(fā)布于 2023-05-08 01:50:45

什么是寬禁帶半導(dǎo)體?

第95期什么是寬禁帶半導(dǎo)體?半導(dǎo)體迄今為止共經(jīng)歷了三個發(fā)展階段:第一代半導(dǎo)體以硅(Si)、鍺(Ge)為代表;第二代半導(dǎo)體以砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)等化合物為代表;第三代半導(dǎo)體是以碳化硅
2023-05-06 10:31:461673

什么是寬禁帶半導(dǎo)體?

半導(dǎo)體迄今為止共經(jīng)歷了三個發(fā)展階段:第一代半導(dǎo)體以硅(Si)、鍺(Ge)為代表;第二代半導(dǎo)體以砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)等化合物為代表;第三代半導(dǎo)體是以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN
2023-05-05 17:46:226166

試述為什么金屬的電阻溫度系數(shù)是正的而半導(dǎo)體的是負(fù)的?

試述為什么金屬的電阻溫度系數(shù)是正的而半導(dǎo)體的是負(fù)的?
2023-04-23 11:27:04

全自動半導(dǎo)體激光COS測試機

全自動半導(dǎo)體激光COS測試機TC 1000      COS(chip on submount)是主流的半導(dǎo)體激光器封裝形式之一,對COS進行全功能的測試必不可少
2023-04-13 16:28:40

輸出功率高達(dá)100W!Power Integrations新添900V GaN反激式開關(guān)IC

、高耐壓的半導(dǎo)體器件。近期,深耕于高壓集成電路高能效功率變換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations(納斯達(dá)克股票代號:POWI)宣布推出900V耐壓的氮化鎵(GaN)器件,為InnoSwitch3系列反激式開關(guān)IC再添新品。 據(jù)了解,新IC采用該公司特有的PowiGaN技術(shù),使用獨
2023-03-30 11:48:45561

恩智浦半導(dǎo)體公司

恩智浦半導(dǎo)體公司 恩智浦半導(dǎo)體創(chuàng)立于2006年,其前身為荷蘭飛利浦公司于1953年成立的半導(dǎo)體事業(yè)部,總部位于荷蘭埃因霍溫。 [1-2] 恩智浦2010年在美國納斯達(dá)克上市。 [3] 2015
2023-03-27 14:32:00708

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