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電子發(fā)燒友網(wǎng)>制造/封裝>電子技術(shù)>微捷碼32/28納米低功耗工藝層次化參考流程

微捷碼32/28納米低功耗工藝層次化參考流程

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基于FPGA實現(xiàn)低功耗系統(tǒng)設(shè)計

結(jié)合采用低功耗元件和低功耗設(shè)計技術(shù)在目前比以往任何時候都更有價值。隨著元件集成更多功能,并越來越小型,對低功耗的要求持續(xù)增長。當(dāng)把可編程邏輯器件用于低功耗應(yīng)用時,限制設(shè)計的低功耗非常重要。本文將討論減小動態(tài)和靜態(tài)功耗的各種方法,并且給出一些例子說明如何使功耗最小。    
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多低才算低功耗

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如何去完成IC/FPGA低功耗設(shè)計

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2010-03-02 08:48:51576

根據(jù)貫穿整個IC實現(xiàn)流程的集成化低功耗設(shè)計技術(shù)策略

根據(jù)貫穿整個IC實現(xiàn)流程的集成化低功耗設(shè)計技術(shù)策略 降低功耗是現(xiàn)代芯片設(shè)計最具挑戰(zhàn)性需求之一。采用單點工具流程時,往往只有到了設(shè)計流程后期階段才會去考慮降
2010-04-21 10:54:28651

高通首款基于28納米工藝的Snapdragon芯片組MSM8

  近期,高通公司宣布將推出首款基于28納米工藝的Snapdragon芯片組MSM8960并宣布此芯片組將于2011財年開始出樣?;?b class="flag-6" style="color: red">28納米工藝的該芯片組采用新的CPU內(nèi)核為特征,主要針對高端
2010-11-24 09:19:571471

一種低功耗系統(tǒng)芯片的實現(xiàn)流程

本文基于IEEEl801標(biāo)準(zhǔn)Uni-fied Power Format(UPF),采用Synopsys和Mentor Graphics的EDA工具實現(xiàn)了包括可測性設(shè)計在內(nèi)的“從RTL到GDSII”的完整低功耗流程設(shè)計。本論文第1部分描述了低功耗技術(shù)和術(shù)語
2011-03-11 11:33:551621

微捷碼QCP提取器通過臺積電28納米設(shè)計質(zhì)量檢驗

微捷碼QCP提取器已被臺積電(TSMC)納入其季度28納米集成電路(IC)EDA質(zhì)量檢驗報告中。這次質(zhì)量檢驗讓設(shè)計師們對采用QCP解決臺積電28納米工藝IC日益提高的復(fù)雜性問題更有信心。
2011-07-15 08:39:06877

時鐘芯片的低功耗設(shè)計研究

本文采用自頂而目的設(shè)計原則,從體系結(jié)構(gòu)到電路實現(xiàn)上分層次探討了時鐘芯片的功耗來源,并采取相應(yīng)的控制手段實現(xiàn)芯片的低功耗設(shè)計。
2011-10-08 11:50:042128

SOC設(shè)計中高層次功耗估算和優(yōu)化技術(shù)

在高層次對系統(tǒng)進(jìn)行功耗佑算和功耗優(yōu)化是soc設(shè)計的關(guān)健技術(shù)本文首先給出soc設(shè)計的特點和流程,然后綜述目前高層次功耗估算和功耗優(yōu)化的常用方法和技術(shù),重點論述寄存器傳輸級和
2011-12-27 16:42:3846

降低賽靈思28nm 7系列FPGA的功耗

本白皮書介紹了有關(guān)賽靈思 28 nm 7 系列 FPGA 功耗的幾個方面,其中包括臺積電 28nm高介電層金屬閘 (HKMG) 高性能低功耗28nm HPL 或 28 HPL)工藝的選擇。 本白皮書還介紹了 28 HPL 工藝提供
2012-03-07 14:43:4441

蘋果合作伙伴臺積電TSMC加速量產(chǎn)28納米芯片

臺積電TSMC已經(jīng)準(zhǔn)備量產(chǎn)28納米工藝的ARM處理器了。TSMC在2011年第四季度開始從28納米芯片獲得營收,目前28納米工藝芯片占有公司總營收的額5%。在今年晚些時候,TSMC將加速28納米芯片的生
2012-04-18 10:22:37830

聯(lián)華電子與SuVolta宣布聯(lián)合開發(fā)28納米低功耗工藝技術(shù)

日前,聯(lián)華電子與SuVolta公司宣布聯(lián)合開發(fā)28納米工藝技術(shù),該工藝將SuVolta的SuVolta的Deeply Depleted Channel晶體管技術(shù)集成到聯(lián)華電子的28納米High-K/Metal Gate高效能移動工藝。
2013-07-25 10:10:521049

中芯國際采用Cadence數(shù)字流程 提升40納米芯片設(shè)計能力

中芯國際新款40納米 Reference Flow5.1結(jié)合了最先進(jìn)的Cadence CCOpt和GigaOpt工藝以及Tempus 時序簽收解決方案, 新款RTL-to-GDSII數(shù)字流程支持Cadence的分層低功耗流程和最新版本的通用功率格式(CPF).
2013-09-05 10:45:031839

ARM與聯(lián)華電子達(dá)成最新的28HPC POP工藝合作,擴(kuò)大28納米IP領(lǐng)先地位

  2016年2月5日,北京訊——ARM 宣布,從即日起全球晶圓專工領(lǐng)導(dǎo)者聯(lián)華電子(UMC)的28納米28HPCU工藝可采用ARM? Artisan? 物理IP平臺和ARM POP? IP。
2016-02-15 11:17:49896

Cadence 與 SMIC 聯(lián)合發(fā)布低功耗 28納米數(shù)字設(shè)計參考流程

“我們與 Cadence 密切合作開發(fā)參考流程,幫助我們的客戶加快其差異化的低功耗、高性能芯片的設(shè)計,”中芯國際設(shè)計服務(wù)中心資深副總裁湯天申博士表示,“Cadence創(chuàng)新的數(shù)字實現(xiàn)工具與中芯國際28納米工藝的緊密結(jié)合,能夠幫助設(shè)計團(tuán)隊將28納米設(shè)計達(dá)到更低的功耗以及更快的量產(chǎn)化?!?/div>
2016-06-08 16:09:562242

除了低功耗與低成本,F(xiàn)D-SOI還有什么優(yōu)勢?

28納米以后邏輯工藝開始分岔:立體工藝FinFET由于獲得英特爾與臺積電的主推成為主流,14/16納米都已量產(chǎn),10納米工藝也有可能在2017年量產(chǎn);體硅工藝停止在28納米,想增加集成度而又對FinFET開發(fā)成本望而卻步的半導(dǎo)體公司另辟蹊徑。
2016-11-04 19:12:11846

臺積電tsmc低功耗技術(shù)大進(jìn)展,極低功耗半導(dǎo)體是電子的關(guān)鍵

臺積電業(yè)務(wù)開發(fā)副總經(jīng)理金平中指出,臺積電的超低功耗平臺包括55納米低功耗技術(shù)、40納米低功耗技術(shù)、22納米低功耗/超低漏電技術(shù)等,都已經(jīng)被各種穿戴式產(chǎn)品和物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用采用,同時,臺積電也把超低功耗
2017-12-11 15:03:291409

智原科技與聯(lián)華電子共同發(fā)表55納米低功耗工藝(55ULP)的PowerSlash基礎(chǔ)IP方案

于聯(lián)電55納米低功耗工藝(55ULP)的 PowerSlash 基礎(chǔ)IP方案。智原 PowerSlash 與聯(lián)電工藝技術(shù)相互結(jié)合設(shè)計,為超低功耗的無線應(yīng)用需求技術(shù)進(jìn)行優(yōu)化,滿足無線物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)品的電池長期壽命需求。 智原科技營銷暨投資副總于德洵表示:物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用建構(gòu)過程中,效能往往受制于低功耗技術(shù)。
2018-03-05 15:08:005142

聯(lián)芯28納米HKMG試產(chǎn)良率達(dá)98% 國內(nèi)最先進(jìn)的28納米晶圓工藝

位于廈門火炬高新區(qū)的聯(lián)芯集成電路制造(廈門)有限公司日前傳來喜訊,已于今年2月成功試產(chǎn)采用28納米High-K/Metal Gate 工藝制程的客戶產(chǎn)品,試產(chǎn)良率高達(dá) 98%。這是該公司28納米
2018-03-31 15:28:5011192

賽靈思Kintex-7低功耗演示

賽靈思7系列FPGA產(chǎn)品通過采用新的工藝和新的架構(gòu)方式,成功將產(chǎn)品的功耗顯著降低。7系列FPGA產(chǎn)品的實測功耗與上一代產(chǎn)品相比,降低了約一半。采用臺積電全新28HPL工藝,賽靈思7系列28nm FPGA產(chǎn)品同時實現(xiàn)了高性能和低功耗
2018-06-05 13:45:004085

Credo于TSMC 2018南京OIP研討會首次公開展示7納米工藝結(jié)點112G SerDes

Credo 在2016年展示了其獨特的28納米工藝節(jié)點下的混合訊號112G PAM4 SerDes技術(shù)來實現(xiàn)低功耗100G光模塊,并且快速地躍進(jìn)至16納米工藝結(jié)點來提供創(chuàng)新且互補的112G連接
2018-10-30 11:11:125204

華力28納米低功耗工藝平臺芯片進(jìn)入量產(chǎn)階段

近日,華虹集團(tuán)旗下中國領(lǐng)先的12英寸晶圓代工企業(yè)上海華力與全球IC設(shè)計領(lǐng)導(dǎo)廠商---聯(lián)發(fā)科技股份有限公司(以下簡稱“聯(lián)發(fā)科技”)共同宣布,在兩家公司的互相信任及持續(xù)努力下,近日雙方合作成果之一---基于上海華力28納米低功耗工藝平臺的一顆無線通訊數(shù)據(jù)處理芯片成功進(jìn)入量產(chǎn)階段。
2018-12-12 15:15:012029

基于上海華力28納米低功耗工藝平臺處理芯片成功量產(chǎn)

12月11日,華虹集團(tuán)旗下中國領(lǐng)先的12英寸晶圓代工企業(yè)上海華力與全球IC設(shè)計領(lǐng)導(dǎo)廠商---聯(lián)發(fā)科技股份有限公司(以下簡稱“聯(lián)發(fā)科技”)共同宣布,在兩家公司的互相信任及持續(xù)努力下,近日雙方合作成果之一---基于上海華力28納米低功耗工藝平臺的一顆無線通訊數(shù)據(jù)處理芯片成功進(jìn)入量產(chǎn)階段。
2018-12-14 15:47:303159

上海華力28納米低功耗工藝進(jìn)入量產(chǎn)

華虹集團(tuán)旗下中國領(lǐng)先的12英寸晶圓代工企業(yè)上海華力與全球IC設(shè)計領(lǐng)導(dǎo)廠商---聯(lián)發(fā)科技股份有限公司(以下簡稱“聯(lián)發(fā)科技”)共同宣布,在兩家公司的互相信任及持續(xù)努力下,近日雙方合作成果之一---基于上海華力28納米低功耗工藝平臺的一顆無線通訊數(shù)據(jù)處理芯片成功進(jìn)入量產(chǎn)階段。
2019-01-01 15:13:003780

基于上海華力28納米低功耗工藝平臺的芯片進(jìn)入量產(chǎn)

華虹集團(tuán)旗下上海華力與聯(lián)發(fā)科技股份有限公司共同宣布,在兩家公司的互相信任及持續(xù)努力下,近日雙方合作成果之一——基于上海華力28納米低功耗工藝平臺的一顆無線通訊數(shù)據(jù)處理芯片成功進(jìn)入量產(chǎn)階段。
2019-01-07 14:15:453224

ASIC低功耗設(shè)計詳解及相關(guān)書籍推薦

低功耗設(shè)計是一個整體的概念,意思是它在每個設(shè)計層次上都可以進(jìn)行功耗的優(yōu)化——算法層次的優(yōu)化、RTL級代碼的優(yōu)化、門級網(wǎng)表的優(yōu)化、版圖布局的優(yōu)化等等。
2019-02-02 17:20:005693

6大全新28nm 器件,功耗再降30%,擴(kuò)大 28nm 領(lǐng)先地位

持續(xù)創(chuàng)新 28HPL 高性能低功耗工藝,成就跨越全新中低端器件,和 Artix-7 FPGA、Kintex-7 FPGA 及 Zynq-7000 SoC 產(chǎn)品系列的全新低功耗工業(yè)速度等級的器件敬請
2019-08-01 09:07:323066

智原科技28/40納米單芯片ASIC設(shè)計量三年倍增

28納米與40納米為目前半導(dǎo)體市場上的主流工藝,無論是IP、光罩與晶圓等技術(shù)均趨于穩(wěn)定成熟,成本大幅低于FinFET工藝。
2019-09-19 14:43:291446

什么是低功耗,對FPGA低功耗設(shè)計的介紹

功耗高度依賴于用戶的設(shè)計,沒有哪種單一的方法能夠?qū)崿F(xiàn)這種功耗的降低。目前許多終端市場對可編程邏輯器件設(shè)計的低功耗要求越來越苛刻。在消費電子領(lǐng)域,OEM希望采用FPGA的設(shè)計能夠?qū)崿F(xiàn)與ASIC相匹敵的低功耗。 盡管基于90nm工藝的FPGA的功耗已低
2020-10-28 15:02:132498

DSP不同層次低功耗設(shè)計研究思路綜述

級四個層次按照自頂向下的電路設(shè)計方法,在不同設(shè)計層次上對功耗進(jìn)行優(yōu)化時,改善的程度是不同的,設(shè)計層次越高,優(yōu)化所能達(dá)到的效果越好。本論文對各個層次低功耗設(shè)計技術(shù)進(jìn)行了研究和分析,并將系統(tǒng)級總線編碼技術(shù)作為
2021-04-13 16:49:3719

MCU--低功耗處理流程

現(xiàn)在電子產(chǎn)品一般都有要求低功耗,不同的MCU,進(jìn)入低功耗的處理流程可能不一樣,但是大致的流程還是一樣?,F(xiàn)對MCU進(jìn)入低功耗的處理流程大致如下:(1)關(guān)閉MCU之外的外設(shè)電源,例如:RS485、CAN
2021-10-25 11:36:0218

低功耗設(shè)計

都導(dǎo)通時所引起的功耗低功耗設(shè)計方法對于系統(tǒng)是在低功耗下提高性能,還是高性能下降低功耗,這對采樣什么樣的低功耗技術(shù)很關(guān)鍵。下圖是基于低功耗反饋的前向設(shè)計法,如圖,可以看出五個層次下對系統(tǒng)的功耗進(jìn)行優(yōu)化,自頂向下分別對應(yīng)系統(tǒng)級、行為級、RTL級、邏輯級和物理級。下圖說明了各層次的具體優(yōu)化方法和優(yōu)化效果,可以看到層次
2021-11-06 15:51:0118

低功耗設(shè)計

功耗存在。靜態(tài)功耗:也稱待機(jī)功耗,靜態(tài)功耗主要由晶體管的漏電流所導(dǎo)致的功耗。動態(tài)功耗:包括開關(guān)功耗或者成為翻轉(zhuǎn)功耗、短路功耗或者稱為內(nèi)部功耗;動態(tài)功耗影響因素:門寄生電容、時鐘翻轉(zhuǎn)翻轉(zhuǎn)、時鐘頻率、供電電壓;降低功耗:應(yīng)當(dāng)在所有涉及層次上進(jìn)行,即系統(tǒng)級、邏輯級和物理即,層次越高對功耗降低越有效;在系統(tǒng)
2021-11-06 17:21:0114

低功耗貫穿芯片設(shè)計全流程

低功耗一直是便攜式電子設(shè)備的關(guān)鍵要求,但近年來,在人工智能、5G、大數(shù)據(jù)中心、汽車等應(yīng)用快速發(fā)展的推動下,對低功耗的需求已經(jīng)擴(kuò)散到更多的終端產(chǎn)品中。
2023-02-14 09:10:59778

無壓燒結(jié)銀工藝和有壓燒結(jié)銀工藝流程區(qū)別

無壓燒結(jié)銀工藝和有壓燒結(jié)銀工藝流程區(qū)別如何降低納米燒結(jié)銀的燒結(jié)溫度、減少燒結(jié)裂紋、降低燒結(jié)空洞率、提高燒結(jié)體的致密性和熱導(dǎo)率成為目前研究的重要內(nèi)容。燒結(jié)銀的燒結(jié)工藝流程就顯得尤為重要
2022-04-08 10:11:34778

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