電子發(fā)燒友App

硬聲App

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

電子發(fā)燒友網(wǎng)>可編程邏輯>PLD技術(shù)>萊迪思與UMC合作 預(yù)計(jì)推出40nm非易失性產(chǎn)品

萊迪思與UMC合作 預(yù)計(jì)推出40nm非易失性產(chǎn)品

收藏

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴

評(píng)論

查看更多

相關(guān)推薦

聯(lián)華電子攜手智原交付40nm工藝3億邏輯門SoC

聯(lián)華電子攜手智原已經(jīng)完成并交付3億邏輯門(300-million gate count)系統(tǒng)單芯片解決方案。此款3億邏輯門SoC是采用聯(lián)華電子40nm工藝。SRAM容量高達(dá)100MB,可為高級(jí)通訊產(chǎn)品提供優(yōu)異的網(wǎng)路頻寬,滿足高速而穩(wěn)定的傳輸需求,以因應(yīng)新一代通訊產(chǎn)品需求。
2013-01-25 10:13:091286

英飛凌與GLOBALFOUNDRIES宣布圍繞40nm嵌入式閃存工藝進(jìn)行合作

英飛凌科技與GLOBALFOUNDRIES 公司今日宣布,雙方圍繞40納米(nm)嵌入式閃存(eFlash)工藝,簽訂一份合作技術(shù)開發(fā)與生產(chǎn)協(xié)議。
2013-05-02 12:27:171397

40nm ReRAM芯片正式出樣 中芯國(guó)際向上走勢(shì)頭勁

在經(jīng)過2016的一系列擴(kuò)張之后,近日,Crossbar與中芯國(guó)際合作40nm ReRAM芯片正式出樣,再次為芯片國(guó)產(chǎn)化發(fā)展提振士氣。另有數(shù)據(jù)顯示,中芯國(guó)際去年銷售額增至29.2億美元,比2015年大增31%,市占率提升1個(gè)百分點(diǎn)至6%。
2017-01-18 10:46:161220

賽普拉斯授權(quán)UMC生產(chǎn)的 65nm40nm SRAM 器件榮獲航空航天級(jí) QML 認(rèn)證

股份有限公司(紐約證券交易所代碼:UMC;臺(tái)灣證券交易所代碼:2303)(以下簡(jiǎn)稱“UMC”)今日聯(lián)合宣布,賽普拉斯 65nm40nm 技術(shù)平臺(tái)成為業(yè)界首批榮獲合格制造商名單 (QML) 認(rèn)證的平臺(tái)
2017-11-17 09:26:5011703

0.13μmFRAM產(chǎn)品的性能

0.13μmFRAM產(chǎn)品的增強(qiáng)的耐久性能
2021-02-04 07:15:14

128抽頭線性變化數(shù)字電位器MAX5128資料分享

概述:MAX5128、單路、線性變化數(shù)字電位器,能夠?qū)崿F(xiàn)機(jī)械電位器的功能,用簡(jiǎn)單的2線數(shù)字接口取代機(jī)械調(diào)節(jié)。MAX5128具有與分立電位器或可變電阻器相同的功能,提供128抽頭、22kΩ端到端
2021-05-17 07:50:42

32抽頭I2C線性數(shù)字電位器MAX5432資料推薦

32抽頭I2C線性數(shù)字電位器MAX5432資料下載內(nèi)容主要介紹了:MAX5432引腳功能MAX5432功能和特性MAX5432應(yīng)用范圍MAX5432內(nèi)部方框圖MAX5432極限參數(shù)MAX5432典型應(yīng)用電路
2021-04-02 06:37:34

32抽頭I2C線性數(shù)字電位器MAX5433相關(guān)資料下載

32抽頭I2C線性數(shù)字電位器MAX5433資料下載內(nèi)容包括:MAX5433引腳功能MAX5433功能和特性MAX5433應(yīng)用范圍MAX5433內(nèi)部方框圖MAX5433極限參數(shù)MAX5433典型應(yīng)用電路
2021-04-02 07:32:20

5nm節(jié)點(diǎn)上為什么STTMRAM比SRAM更好?

研究機(jī)構(gòu)IMEC已經(jīng)發(fā)表了一篇論文,該研究表明,在5nm節(jié)點(diǎn)上,STT-MRAM與SRAM相比可以為緩存提供節(jié)能效果。這種優(yōu)勢(shì)比和較小的空間占用更重要。
2019-10-18 06:01:42

40nm讀取信道芯片RC9500怎么樣?

日前,LSI 公司宣布推出業(yè)界首款 40nm 讀取信道芯片 TrueStore? RC9500,旨在支持各種尺寸和容量的從筆記本到企業(yè)級(jí)的 HDD。RC9500 現(xiàn)已開始向硬盤驅(qū)動(dòng)器 (HDD
2019-08-21 06:26:20

HX4K FPGA分線板的資料分享

描述HX4K FPGA 突破這款 FPGA 分線板旨在記錄如何開始 FPGA 編程,從硬件設(shè)計(jì)文件到加載比特流。為了嘗試將其作為一個(gè)項(xiàng)目進(jìn)行訪問,該板的一個(gè)設(shè)計(jì)目標(biāo)是使其能夠僅使用烙鐵進(jìn)行手工
2022-08-23 07:21:04

和SiFive最近宣布了一項(xiàng)合作,旨在為開發(fā)人員提供對(duì)在低功耗,小尺寸FPGA上運(yùn)行的可擴(kuò)展處理器...

半導(dǎo)體公司和SiFive,Inc。最近,他們同意共同合作,通過FPGA產(chǎn)品系列(包括最新的28 nm CrossLink-NX?FPGA),為開發(fā)人員輕松提供SiFive可擴(kuò)展核心IP
2020-07-27 17:57:36

拓展ORAN解決方案集合,為5G+網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施帶來精準(zhǔn)的定時(shí)和安全同步支持

中國(guó)上?!?023年3月3日——半導(dǎo)體公司(NASDAQ:LSCC),低功耗可編程器件的領(lǐng)先供應(yīng)商,近日宣布更新ORAN?解決方案集合,為開放式無(wú)線接入網(wǎng)(ORAN)的部署提供靈活
2023-03-03 16:52:10

MRAM及其單元結(jié)構(gòu)

隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)和OUM(Ovshinsky電統(tǒng)一隨機(jī)存取存儲(chǔ)器),三者科技內(nèi)涵各有所長(zhǎng),市場(chǎng)預(yù)測(cè)尚難預(yù)料。本篇文章Everspin MRAM代理商宇芯電子要介紹的是關(guān)于MRAM的單元結(jié)構(gòu)
2020-10-20 14:34:03

MRAM基礎(chǔ)知識(shí)匯總

MRAM是一種的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)的高速讀取寫入能力;以及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)的高集成度,而且基本上可以無(wú)限次地重復(fù)寫入。
2020-12-16 07:21:39

MRAM的基礎(chǔ)知識(shí)匯總

MRAM是一種的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)的高速讀取寫入能力;以及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)的高集成度,而且基本上可以無(wú)限次地重復(fù)寫入。
2020-12-10 07:20:20

MRAM讀寫操作

高密度MRAM具有非常低的功率,高的讀取速度,非常高的數(shù)據(jù)保留能力和耐久,適用于廣泛的應(yīng)用。單元面積僅為0.0456平方微米,讀取速度為10ns,讀取功率為0.8mA/MHz/b,在低功耗待機(jī)模式
2020-07-02 16:33:58

串行FRAM有哪些優(yōu)勢(shì)

宇芯電子本篇文章提供智能電表或智能電子式電表的概述,并且說明在智能電子式電表的設(shè)計(jì)中用串行FRAM而不是使用EEPROM的優(yōu)勢(shì)。圖1顯示的是智能電子式電表的簡(jiǎn)化框圖。非易失性存儲(chǔ)器是一個(gè)電表
2021-07-12 07:26:45

內(nèi)存有寫入限制嗎?

我們正在構(gòu)建一個(gè)設(shè)備來測(cè)量消耗。電路 ACS712 讀取那一刻的消耗量,所以,我需要做一個(gè)每秒累加的方法。問題:內(nèi)存有寫入限制,所以我需要使用內(nèi)存。寫入存儲(chǔ)器是否有一些限制?我們的想法是每秒讀取一次 ACS712 并寫入存儲(chǔ)器,每 10 分鐘寫入一次非易失性存儲(chǔ)器。
2023-05-30 08:48:06

可重復(fù)編程FPGA的應(yīng)用有哪些?

可重復(fù)編程FPGA的應(yīng)用有哪些?
2021-05-08 08:17:26

CMOS bq4011262144位靜態(tài)RAM

bq4011是一個(gè)262144位靜態(tài)RAM,按8位組織為32768字。集成控制電路和鋰能源提供可靠的,與標(biāo)準(zhǔn)SRAM的無(wú)限寫入周期相結(jié)合??刂齐娐烦掷m(xù)監(jiān)測(cè)單個(gè)5V電源是否超出公差條件。當(dāng)
2020-09-16 17:15:13

CypressSRAM技術(shù)

SRAM(nv SRAM)結(jié)合了賽普拉斯行業(yè)領(lǐng)先的SRAM技術(shù)和一流的SONOS技術(shù)。在正常操作下,nv SRAM的行為類似于使用標(biāo)準(zhǔn)信號(hào)和時(shí)序的常規(guī)異步SRAM。nv SRAM執(zhí)行
2020-04-08 14:58:44

Dallas DS1230 - FM18W08SRAM FRAM適配器

描述Dallas DS1230 - FM18W08 SRAM FRAM 適配器來自達(dá)拉斯的流行的電池支持 SRAM 在 10 到 15 年后往往會(huì)忘記其寶貴的數(shù)據(jù)。通過這種引腳兼容的鐵電 RAM 升級(jí),您可以放心,因?yàn)樵谑覝叵?,它的?shù)據(jù)保留時(shí)間為 150 年,無(wú)需任何電池供電。
2022-07-14 07:51:06

FPGA在傳感器接口橋接上的挑戰(zhàn)

PLL、專用時(shí)鐘沿和I/O gearing邏輯解決了高速串行傳感器接口。最后,半導(dǎo)體(Lattice)的 XP2提供了具有成本效益的8×8mm面積。此外,由于其的特性,LatticeXP2系列
2011-05-24 14:17:00

GW1N系列安徽大時(shí)代FPGA芯片成員可靠嗎

?!备咴瓢雽?dǎo)體全球市場(chǎng)副總裁兼中國(guó)區(qū)銷售總監(jiān)黃俊先生表示,“GW1N系列器件可滿足消費(fèi)類電子、視頻、安防、工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)、有線/無(wú)線通信等不同市場(chǎng)的智能連接、接口擴(kuò)展等需求。通過GW1N系列產(chǎn)品,高云半導(dǎo)體可以向用戶提供高安全、單芯片、低成本、小薄封裝等優(yōu)勢(shì)的最優(yōu)化FPGA解決方案?!?/div>
2017-08-30 10:18:00

IMX6UL如何從安全存儲(chǔ) (SNVS) 讀取或?qū)懭耄?/a>

mt6169 40nm CMOS多模多頻段收發(fā)器

這是一mt6169 40nm CMOS多模多頻段收發(fā)器。射頻收發(fā)器功能是完全集成的。本文描述了射頻宏被嵌入到整個(gè)產(chǎn)品中的性能目標(biāo)。MT6169主要特征區(qū)別MT6169是第一個(gè)M聯(lián)ATEK射頻收發(fā)器1
2018-08-28 19:00:04

中國(guó)FPGA芯片行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局——TOP10企業(yè)特點(diǎn)

Pango DesignSuite,可支持千萬(wàn)門級(jí)FPGA器件設(shè)計(jì)開發(fā)高云半導(dǎo)體:推出中國(guó)首顆55nm嵌入式Flash SRAMFPGA芯片,實(shí)現(xiàn)可編程邏輯器件、嵌入式處理器無(wú)縫連接安路
2021-09-10 14:46:09

什么是新一代低功率FPGA?

,F(xiàn)PGA能否在以便攜產(chǎn)品為主體的消費(fèi)電子領(lǐng)域占到一席之地呢?對(duì)于這個(gè)問題,半導(dǎo)體公司給出了肯定的答案。
2019-09-03 07:55:28

什么是V系列并口256Kb F-RAM器件?

世界頂尖的鐵電存儲(chǔ)器 (F-RAM) 和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開發(fā)商及供應(yīng)商Ramtron International Corporation宣布推出新型V系列串口和并口F-RAM產(chǎn)品之第二款并口器件FM28V020。
2019-09-16 10:31:20

創(chuàng)新推出全國(guó)產(chǎn)化24nm工藝節(jié)點(diǎn)的GD5F4GM5系列

業(yè)界領(lǐng)先的半導(dǎo)體器件供應(yīng)商兆創(chuàng)新GigaDevice今日宣布,正式推出全國(guó)產(chǎn)化24nm工藝節(jié)點(diǎn)的4GbSPINANDFlash產(chǎn)品——GD5F4GM5系列。該系列產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)了從設(shè)計(jì)研發(fā)、生產(chǎn)制造到
2020-11-26 06:29:11

創(chuàng)新推出全國(guó)產(chǎn)化的24nm SPI NAND Flash

創(chuàng)新推出全國(guó)產(chǎn)化24nm SPI NAND Flash
2021-01-07 06:34:47

全新低功耗解決方案助力實(shí)現(xiàn)USB Type-C接口設(shè)計(jì)

,加速產(chǎn)品上市進(jìn)程,大大降低風(fēng)險(xiǎn) 美國(guó)俄勒岡州希爾斯波羅市 — 2015年3月2日 —半導(dǎo)體公司(NASDAQ: LSCC)—超低功耗、小尺寸客制化解決方案市場(chǎng)的領(lǐng)導(dǎo)者,今日宣布推出三款可免費(fèi)下載
2019-06-17 05:00:07

固件漏洞安全問題的解決辦法

,安全問題該如何解決?  2020年下半年,推出了Sentry解決方案集合和SupplyGuard供應(yīng)鏈保護(hù)服務(wù),可提供端到端的供應(yīng)鏈保護(hù)措施,將在通信、數(shù)據(jù)中心、工業(yè)、汽車、航空航天和客戶計(jì)算等領(lǐng)域
2020-09-07 17:16:48

基于FPGA的單線聚合(SWA)到底有何作用?

的 iCE40UltraPlus 器件,那么可以通過板上 MCU 或從外部 SPI 閃存設(shè)備來加載配置。另外,iCE40UltraPlusFPGA 還包含一次可編程(OTP)片上配置存儲(chǔ)器
2020-10-23 09:16:56

如何使用Spartan?-3ANFPGA入門套件下載程序?

親愛;我有Spartan?-3ANFPGA入門套件,我編寫了VHDL程序,用于地址分配到與FPGA芯片接口的兩個(gè)外部ROM。程序有(16位輸入端口)和(16位輸出端口),問題是:如何使用該套件在FPGA芯片上下載程序?如何確定哪個(gè)輸入引腳和哪個(gè)是輸出引腳?最好的祝福
2019-08-22 10:31:44

如何處理存儲(chǔ)在設(shè)備中的內(nèi)存數(shù)據(jù)集損壞

保護(hù)您的嵌入式軟件免受內(nèi)存損壞本文的目的是提供一種軟件方法,解釋如何處理存儲(chǔ)在設(shè)備(如小型 EEPROM 或閃存)中的內(nèi)存數(shù)據(jù)集損壞。在微型嵌入式系統(tǒng)中看到這些數(shù)據(jù)集是很常見的,這些系統(tǒng)存儲(chǔ)
2021-12-24 07:27:45

如何存儲(chǔ)應(yīng)用程序中使用的數(shù)據(jù)?

我應(yīng)該用什么API來存儲(chǔ)數(shù)據(jù)?我使用CYW43907,手冊(cè)上說它支持外部閃存。我想知道我是否應(yīng)該使用WiDeDssFlash寫來存儲(chǔ)數(shù)據(jù),或者我是否可以使用WiDeEddCTyWrand保存
2018-11-13 15:19:09

如何讀取PSoC處理器的鎖存器?

預(yù)編程設(shè)備的引導(dǎo)加載,我們有一個(gè)困難,顯然制造商沒有對(duì)NVLS編程,因此引導(dǎo)加載程序拒絕重新編程閃存。有一個(gè)問題出現(xiàn)(對(duì)于PSoC 3和PSoC 5LP,我們使用在其他板上):如何讀取PSoC處理器的鎖存器?安德烈亞斯
2019-08-15 06:46:55

UMC 55nm LP工藝(low power)的PDK

各位前輩們,有誰(shuí)有求UMC 55nm LP工藝(low power)的PDK?請(qǐng)不吝賜予
2021-06-22 07:25:15

求一份tsmc 7nm standard cell library

求一份tsmc 7nm standard cell library求一份28nm或者40nm 的數(shù)字庫(kù)
2021-06-25 06:39:25

求助,如何使用密鑰生成CMAC?

我想用密鑰獲取CMAC值(僅驗(yàn)證甚至可以)。我正在使用修改后的“csec_boot_protection_s32k148”項(xiàng)目。初始化 CSEc 模塊后,我使用給定的指令加載密鑰 ROM
2023-04-10 06:34:32

淺析無(wú)線通信產(chǎn)品的各個(gè)階段可靠預(yù)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

0、引言電子產(chǎn)品的可靠預(yù)計(jì)一直是困擾各個(gè)無(wú)線通信公司的難題之一,目前比較通用的可靠預(yù)計(jì)方法是由貝爾實(shí)驗(yàn)室在2001年推出的Bellcore-SR332方法。該方法的不足之處在于它僅根據(jù)產(chǎn)品
2019-06-19 08:24:45

請(qǐng)問低調(diào)的UMC究竟在忙些什么?

,在特殊工藝方面,LCD Driver IC、OLED Driver IC量很大,多數(shù)采用的是80nm、40nm工藝,在此基礎(chǔ)上,UMC準(zhǔn)備將這些IC制造導(dǎo)入到28nm上來。還有在MCU的特殊工藝方面
2018-06-11 16:27:12

賽靈高性能40nm Virtex-6 FPGA系列通過全生產(chǎn)驗(yàn)證

前的驗(yàn)證。這是雙方工程團(tuán)隊(duì)為進(jìn)一步提升良率、增強(qiáng)可靠并縮短生產(chǎn)周期而努力合作的成果。Virtex-6系列通過生產(chǎn)驗(yàn)證,意味著聯(lián)華電子繼2009年3月發(fā)布首批基于40nm工藝的器件后,正式全文下載
2010-04-24 09:06:05

采用FPGA實(shí)現(xiàn)DVI/HDMI接口功能

。此外,F(xiàn)PGA通常有很寬的溫度范圍,并有很長(zhǎng)的產(chǎn)品生命周期?! ♂槍?duì)ECP2M和ECP3器件系列,(Lattice)半導(dǎo)體公司最近推出了DVI/HDMI接口的參考設(shè)計(jì)。半導(dǎo)體公司
2019-06-06 05:00:34

銳成芯微宣布在22nm工藝上推出雙模藍(lán)牙射頻IP

40nm等工藝節(jié)點(diǎn)推出藍(lán)牙IP解決方案,并已進(jìn)入量產(chǎn)。此次推出的22nm雙模藍(lán)牙射頻IP將使得公司的智能物聯(lián)網(wǎng)IP平臺(tái)更具特色。結(jié)合銳成芯微豐富的模擬IP、存儲(chǔ)IP、接口IP、IP整合及芯片定制服務(wù)、專業(yè)及時(shí)的技術(shù)支持,銳成芯微期待為廣大物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用市場(chǎng)提供更完善的技術(shù)解決方案。
2023-02-15 17:09:56

40nm工藝的電路技術(shù)

40 nm 工藝的電路技術(shù)40-nm 工藝要比以前包括65-nm 節(jié)點(diǎn)和最近的45-nm 節(jié)點(diǎn)在內(nèi)的工藝技術(shù)有明顯優(yōu)勢(shì)。最引人注目的優(yōu)勢(shì)之一是其更高的集成度,半導(dǎo)體生產(chǎn)商可以在更小的物理空
2010-03-03 08:42:1314

EPM1270F256C4N,ALTERA/阿爾特拉,即時(shí)開啟CPLD,處理器

EPM1270F256C4N,ALTERA/阿爾特拉,即時(shí)開啟CPLD,處理器EPM1270F256C4N,ALTERA/阿爾特拉,即時(shí)開啟CPLD,處理器
2023-10-24 15:38:16

安華高科技首次在40nm硅芯上取得20 Gbps的SerDe

安華高科技首次在40nm硅芯上取得20 Gbps的SerDes性能表現(xiàn) Avago Technologies(安華高科技)日前宣布,已經(jīng)在40nm CMOS工藝技術(shù)上取得20 Gbps的SerDes性能表現(xiàn)。延續(xù)嵌入式SerDes應(yīng)用長(zhǎng)久以
2008-08-27 00:34:23701

40nm制程代工廠良率普遍低于70%

40nm制程代工廠良率普遍低于70% 據(jù)業(yè)者透露,包括臺(tái)積電在內(nèi)的各家芯片生產(chǎn)公司目前的40nm制程良率均無(wú)法突破70%大關(guān)。這種局面恐將對(duì)下一代顯卡和FPGA芯片等產(chǎn)品
2010-01-15 09:32:551000

臺(tái)積電稱其已解決造成40nm制程良率不佳的工藝問題

臺(tái)積電稱其已解決造成40nm制程良率不佳的工藝問題  據(jù)臺(tái)積電公司高級(jí)副總裁劉德音最近在一次公司會(huì)議上表示,臺(tái)積電40nm制程工藝的良率已經(jīng)提升至與現(xiàn)有65nm制程
2010-01-21 12:22:43893

賽靈思40nm Virtex-6 FPGA系列通過全生產(chǎn)驗(yàn)證

賽靈思40nm Virtex-6 FPGA系列通過全生產(chǎn)驗(yàn)證 全球可編程邏輯解決方案領(lǐng)導(dǎo)廠商賽靈思公司(Xilinx, Inc. )與全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體代工廠商聯(lián)華電子( UMC (NYSE: UMC; TSE: 2303))今天共
2010-01-22 09:59:51716

賽靈思高性能40nm Virtex-6 FPGA系列即將轉(zhuǎn)入

賽靈思高性能40nm Virtex-6 FPGA系列即將轉(zhuǎn)入量產(chǎn) 賽靈思公司(Xilinx, Inc.)與聯(lián)華電子(UMC)今天共同宣布,采用聯(lián)華電子高性能40nm工藝的Virtex-6 FPGA,已經(jīng)完全通過生產(chǎn)前的驗(yàn)
2010-01-26 08:49:17851

華邦電子宣布將于年內(nèi)開始40nm制程技術(shù)研發(fā)

華邦電子宣布將于年內(nèi)開始40nm制程技術(shù)研發(fā)  華邦電子公司的總裁詹東義近日宣布,華邦公司將于年內(nèi)開始40nm制程工藝的開發(fā),不過華邦拒絕就其將于爾必達(dá)合作進(jìn)
2010-02-02 18:00:12783

三星首家量產(chǎn)40nm級(jí)工藝4Gb DDR3綠色內(nèi)存芯片

三星首家量產(chǎn)40nm級(jí)工藝4Gb DDR3綠色內(nèi)存芯片  三星電子宣布,該公司已經(jīng)在業(yè)內(nèi)第一家使用40nm級(jí)別工藝批量生產(chǎn)低功耗的4Gb DDR3內(nèi)存芯片。   這種內(nèi)存芯片支
2010-02-26 11:33:42780

臺(tái)積電無(wú)奈出B計(jì)劃:AMD下代顯卡40nm工藝+混合架構(gòu)

臺(tái)積電無(wú)奈出B計(jì)劃:AMD下代顯卡40nm工藝+混合架構(gòu) AMD曾在多個(gè)場(chǎng)合確認(rèn)將在今年下半年發(fā)布全系列新顯卡,我們也都期待著全新的
2010-04-01 09:17:50712

Synopsys和中芯國(guó)際合作推出65-nm40-nm的S

Synopsys和中芯國(guó)際合作推出65-nm40-nm的SoC設(shè)計(jì)解決方案經(jīng)過驗(yàn)證的聯(lián)合解決方案確保晶晨半導(dǎo)體達(dá)到以高性能產(chǎn)品搶占市場(chǎng)的目標(biāo)
2010-11-16 10:36:12830

Broadcom推出首款40nm Wi-Fi和藍(lán)牙組合芯片BCM43142

單芯片BCM43142是業(yè)界首款適用于筆記本電腦和上網(wǎng)本的40nm Wi-Fi藍(lán)牙組合芯片。該新芯片實(shí)現(xiàn)了Wi-Fi Direct互連與就近配對(duì)的無(wú)縫結(jié)合,極大地簡(jiǎn)化了家庭中的無(wú)線互連。這款組合芯片支持
2011-06-02 08:43:248793

燦芯半導(dǎo)體第一顆40nm芯片在中芯國(guó)際驗(yàn)證成功

燦芯半導(dǎo)體(上海)有限公司與中芯國(guó)際今天共同宣布燦芯半導(dǎo)體第一顆 40nm 芯片在中芯國(guó)際一次性流片驗(yàn)證成功。
2011-06-22 09:16:331258

瑞薩電子開發(fā)出首款用于汽車實(shí)時(shí)應(yīng)用的40nm工藝嵌入式閃存技術(shù)

瑞薩電子宣布開發(fā)出業(yè)界首款適用于汽車實(shí)時(shí)應(yīng)用領(lǐng)域的40nm工藝嵌入式閃存技術(shù)。瑞薩電子也將是首先使用上述40nm工藝閃存技術(shù),針對(duì)汽車應(yīng)用領(lǐng)域推出40nm嵌入式閃存微控制器(MCU)的廠
2012-01-05 19:44:13797

意法愛立信發(fā)布首個(gè)40nm制造工藝的CG2905平臺(tái)

意法·愛立信今天發(fā)布了業(yè)界首個(gè)采用40nm制造工藝的整合GPS、GLONASS、藍(lán)牙和FM收音的平臺(tái)CG2905。這款開創(chuàng)性產(chǎn)品將提高定位導(dǎo)航的速度和精度,推動(dòng)市場(chǎng)對(duì)擴(kuò)增實(shí)境應(yīng)用和先進(jìn)定位服務(wù)
2012-03-01 09:04:38783

高通預(yù)計(jì)今年中推下一代28nm芯片 各代工廠積極尋求合作

據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露,臺(tái)灣芯片代工廠商聯(lián)電(UMC)已向高通交付了28nm芯片樣品進(jìn)行驗(yàn)證,并與Globalfoundries的競(jìng)爭(zhēng),努力成為繼臺(tái)積電之后高通第二個(gè)28nm芯片代工合作伙伴。
2013-01-18 09:04:46776

展訊推出40nm單芯片手機(jī)基帶平臺(tái)SC6531

1月28日,展訊通信宣布,其首款集成了無(wú)線連接的單芯片40nm GSM/GPRS手機(jī)基帶平臺(tái)SC6531正式商用,該平臺(tái)集成了FM與藍(lán)牙功能,以幫助2.5G手機(jī)制造商降低手機(jī)設(shè)計(jì)成本。
2013-01-29 10:23:5618801

賽普拉斯采用UMC工藝生產(chǎn)的40nm eCT Flash MCU現(xiàn)已出貨

全球領(lǐng)先的嵌入式解決方案供應(yīng)商賽普拉斯半導(dǎo)體公司和全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體代工廠聯(lián)華電子公司(以下簡(jiǎn)稱“UMC”)于今日宣布,賽普拉斯由UMC代工的專有40nm嵌入式 電荷捕獲 (eCT?) 閃存微控制器(MCU),現(xiàn)已開始大單出貨。
2016-12-29 15:46:582253

中芯國(guó)際出樣40nm工藝的ReRAM意義何在?

作為中國(guó)本土半導(dǎo)體制造的龍頭企業(yè),中芯國(guó)際(SMIC)的新聞及其取得的成績(jī)一直是行業(yè)關(guān)注的焦點(diǎn)。2017新年伊始,其一如既往地吸引著人們的眼球。前幾天,該公司宣布正式出樣采用40nm工藝的ReRAM(非易失性阻變式存儲(chǔ)器)芯片,并稱更先進(jìn)的28nm工藝版很快也會(huì)到來。
2017-01-17 09:40:003747

Crossbar公司與中芯國(guó)際合作的結(jié)晶:40nm的ReRAM芯片

目前在下一代存儲(chǔ)芯片的研發(fā)當(dāng)中,除了3D XPoint芯片外還有ReRAM芯片(非易失性阻變式存儲(chǔ)器)。2016年3月,Crossbar公司宣布與中芯國(guó)際達(dá)成合作,發(fā)力中國(guó)市場(chǎng)。其中,中芯國(guó)際將采用自家的40nm CMOS試產(chǎn)ReRAM芯片。
2017-01-17 16:28:553396

展訊推出集成無(wú)線連接40nm單芯片平臺(tái)

產(chǎn)品集成度將幫助2.5G功能型手機(jī)制造商降低整個(gè)平臺(tái)成本,并增加工業(yè)設(shè)計(jì)的靈活性。 “SC6531采用40nm CMOS工藝,為客戶提供
2018-11-14 20:39:01419

應(yīng)用于中芯國(guó)際40nm和55nm成熟工藝的SoC設(shè)計(jì)的USB3.0 IP解決方案

“芯啟源”)共同合作,集成USB3.0物理層設(shè)計(jì)(PHY)與控制器 (Controller)并應(yīng)用于中芯國(guó)際40nm和55nm的工藝技術(shù),推出完整的USB 3.0 IP解決方案。
2018-12-05 14:06:566394

富士康計(jì)劃新建12英寸晶圓廠,將鎖定28nm40nm制程

合作,一同成立合資企業(yè),并在馬來西亞新建一座12英寸晶圓工廠。 據(jù)了解,富士康提及到該工廠將會(huì)鎖定28nm40nm制程,并且預(yù)計(jì)該晶圓廠投產(chǎn)后,每個(gè)月能夠提供4萬(wàn)片的產(chǎn)能。目前市面上的微控制器、傳感器、連接相關(guān)芯片等都廣泛使用了28nm制程,因此例如臺(tái)積電等制
2022-05-18 16:35:032398

IP_數(shù)據(jù)表(I-27):MIPI D-PHY Tx/Rx for TSMC 40nm LP

IP_數(shù)據(jù)表(I-27):MIPI D-PHY Tx/Rx for TSMC 40nm LP
2023-03-14 19:19:391

IP_數(shù)據(jù)表(I-18):MIPI D-PHY Receiver for TSMC 40nm LP

IP_數(shù)據(jù)表(I-18):MIPI D-PHY Receiver for TSMC 40nm LP
2023-03-14 19:20:310

IP 數(shù)據(jù)表: 3.0V Standard Cell for TSMC 40nm LP

IP 數(shù)據(jù)表: 3.0V Standard Cell for TSMC 40nm LP
2023-03-14 19:22:152

IP_數(shù)據(jù)表(I-9):USB2.0 Transceiver for TSMC 40nm LP

IP_數(shù)據(jù)表(I-9):USB2.0 Transceiver for TSMC 40nm LP
2023-03-16 19:26:530

IP_數(shù)據(jù)表(Z-5):3.0V StndardCell for TSMC 40nm LP

IP_數(shù)據(jù)表(Z-5):3.0V StndardCell for TSMC 40nm LP
2023-03-16 19:33:100

IP_數(shù)據(jù)表(Z-2):GPIO for TSMC 40nm N40EF2

IP_數(shù)據(jù)表(Z-2):GPIO for TSMC 40nm N40EF2
2023-03-16 19:34:040

IP_數(shù)據(jù)表(I-27):MIPI D-PHY Tx/Rx for TSMC 40nm LP

IP_數(shù)據(jù)表(I-27):MIPI D-PHY Tx/Rx for TSMC 40nm LP
2023-07-05 19:45:111

IP_數(shù)據(jù)表(I-18):MIPI D-PHY Receiver for TSMC 40nm LP

IP_數(shù)據(jù)表(I-18):MIPI D-PHY Receiver for TSMC 40nm LP
2023-07-05 19:45:561

IP 數(shù)據(jù)表: 3.0V Standard Cell for TSMC 40nm LP

IP 數(shù)據(jù)表: 3.0V Standard Cell for TSMC 40nm LP
2023-07-05 19:47:260

IP_數(shù)據(jù)表(I-9):USB2.0 Transceiver for TSMC 40nm LP

IP_數(shù)據(jù)表(I-9):USB2.0 Transceiver for TSMC 40nm LP
2023-07-06 20:12:510

IP_數(shù)據(jù)表(Z-5):3.0V StndardCell for TSMC 40nm LP

IP_數(shù)據(jù)表(Z-5):3.0V StndardCell for TSMC 40nm LP
2023-07-06 20:19:241

IP_數(shù)據(jù)表(Z-2):GPIO for TSMC 40nm N40EF2

IP_數(shù)據(jù)表(Z-2):GPIO for TSMC 40nm N40EF2
2023-07-06 20:20:122

已全部加載完成