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電子發(fā)燒友網(wǎng)>可編程邏輯>PLD技術(shù)>聯(lián)華電子攜手智原交付40nm工藝3億邏輯門SoC

聯(lián)華電子攜手智原交付40nm工藝3億邏輯門SoC

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2013-01-28 09:50:41852

Spansion公司和聯(lián)華電子公司聯(lián)合開發(fā)40nm工藝技術(shù)

聯(lián)華電子與閃存解決方案領(lǐng)導(dǎo)廠商Spansion 4日共同宣布,將展開40納米工藝研發(fā)合作,此份非專屬授權(quán)協(xié)議包含了授權(quán)聯(lián)華電子采用此技術(shù)為Spansion制造產(chǎn)品。
2013-03-06 10:17:34922

聯(lián)華電子與SuVolta宣布聯(lián)合開發(fā)28納米低功耗工藝技術(shù)

日前,聯(lián)華電子與SuVolta公司宣布聯(lián)合開發(fā)28納米工藝技術(shù),該工藝將SuVolta的SuVolta的Deeply Depleted Channel晶體管技術(shù)集成到聯(lián)華電子的28納米High-K/Metal Gate高效能移動工藝。
2013-07-25 10:10:521049

賽普拉斯采用UMC工藝生產(chǎn)的40nm eCT Flash MCU現(xiàn)已出貨

全球領(lǐng)先的嵌入式解決方案供應(yīng)商賽普拉斯半導(dǎo)體公司和全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體代工廠聯(lián)華電子公司(以下簡稱“UMC”)于今日宣布,賽普拉斯由UMC代工的專有40nm嵌入式 電荷捕獲 (eCT?) 閃存微控制器(MCU),現(xiàn)已開始大單出貨。
2016-12-29 15:46:582253

中芯國際出樣40nm工藝的ReRAM意義何在?

作為中國本土半導(dǎo)體制造的龍頭企業(yè),中芯國際(SMIC)的新聞及其取得的成績一直是行業(yè)關(guān)注的焦點。2017新年伊始,其一如既往地吸引著人們的眼球。前幾天,該公司宣布正式出樣采用40nm工藝的ReRAM(非易失性阻變式存儲器)芯片,并稱更先進的28nm工藝版很快也會到來。
2017-01-17 09:40:003747

Crossbar公司與中芯國際合作的結(jié)晶:40nm的ReRAM芯片

目前在下一代存儲芯片的研發(fā)當中,除了3D XPoint芯片外還有ReRAM芯片(非易失性阻變式存儲器)。2016年3月,Crossbar公司宣布與中芯國際達成合作,發(fā)力中國市場。其中,中芯國際將采用自家的40nm CMOS試產(chǎn)ReRAM芯片。
2017-01-17 16:28:553396

Xilinx可編程邏輯器件設(shè)計與開發(fā)(基礎(chǔ)篇)連載19:Spartan

Virtex-6是Xilinx 在2009年2月推出的新一代旗艦產(chǎn)品,采用了第三代Xilinx ASMBL架構(gòu)、40nm 工藝,提供多達760000 個邏輯單元,為業(yè)界成本最低、功耗最低、密度最高、性能最高、帶寬最大的FPGA。
2017-02-11 09:04:30466

基于CCopt引擎的SMIC40nm低功耗工藝CortexA9的時鐘樹實現(xiàn)

基于CCopt引擎的SMIC40nm低功耗工藝CortexA9的時鐘樹實現(xiàn),該文基于 SMIC 40nm 低功耗工藝的 ARM Cortex A9 物理設(shè)計的實際情況,詳細闡述了如何使用 cadence 最新的時鐘同步優(yōu)化技術(shù),又稱為 CCopt 技術(shù)來實現(xiàn)統(tǒng)一的時鐘樹綜合和物理優(yōu)化。
2017-09-28 09:08:517

聯(lián)電新推40nmSST嵌入式快閃記憶存儲器制程

聯(lián)華電子宣布,推出的40nm納米SST嵌入式快閃記憶,在以往55納米單元尺寸減少20%以上,整體縮小了20~30%。東芝電子元件&存儲產(chǎn)品公司賑災(zāi)評估這個微處理器芯片。
2018-01-04 10:34:361757

中芯國際出樣40nm ReRAM存儲芯片比NAND快一千倍

出樣40nm ReRAM存儲芯片,更先進的28nm工藝版很快也會到來,這種新型存儲芯片比NAND閃存快一千倍,耐用一千倍。
2018-11-01 16:07:162811

展訊推出集成無線連接40nm單芯片平臺

關(guān)鍵詞:SC6531 , 展訊 , 基帶 集成FM與藍牙的40nm GSM/GPRS基帶SoC芯片大批量出貨,并通過歐洲主要運營商驗證 展訊通信有限公司 ( Spreadtrum),作為中國領(lǐng)先
2018-11-14 20:39:01419

應(yīng)用于中芯國際40nm和55nm成熟工藝SoC設(shè)計的USB3.0 IP解決方案

“芯啟源”)共同合作,集成USB3.0物理層設(shè)計(PHY)與控制器 (Controller)并應(yīng)用于中芯國際40nm和55nm工藝技術(shù),推出完整的USB 3.0 IP解決方案。
2018-12-05 14:06:566394

三星發(fā)布第二款采用8nm工藝打造的SoC芯片

繼Exynos 9820后,三星電子今天(1月3日)發(fā)布第二款采用8nm工藝打造的SoC芯片產(chǎn)品。
2019-01-04 14:24:243498

XX nm制造工藝是什么概念?實現(xiàn)7nm制程工藝為什么這么困難?

XX nm制造工藝是什么概念?芯片的制造工藝常常用90nm、65nm40nm、28nm、22nm、14nm來表示?,F(xiàn)在的CPU內(nèi)集成了以億為單位的晶體管,這種晶體管由源極、漏極和位于他們之間的柵極所組成,電流從源極流入漏極,柵極則起到控制電流通斷的作用。
2019-02-20 11:08:0231991

紫光2020年推7nm工藝5G SoC

近一段時間紫光在存儲領(lǐng)域發(fā)力,已經(jīng)推出了完全自主的存儲產(chǎn)品。而近日有消息稱,紫光展銳將在2020年推出5G SoC芯片,并采用先進的7nm制程工藝打造。目前,高通、華為、三星、聯(lián)發(fā)科、紫光展銳都發(fā)布了自家的5G基帶芯片,但并未融合到芯片里,5G SoC芯片上線,必然會推動5G芯片向前邁進一大步。
2019-07-13 06:57:002643

半導(dǎo)體制程發(fā)展:28nm向3nm的“大躍進”

雖然高端市場會被 7nm、10nm以及14nm/16nm工藝占據(jù),但40nm、28nm等并不會退出。如28nm和16nm工藝現(xiàn)在仍然是臺積電的營收主力,中芯國際則在持續(xù)提高28nm良率。
2020-10-15 11:18:024719

華為全球首款5nm 5G SOC,也是麒麟9000芯片的第一次亮相

華為mate40系列正式發(fā)布,不出意外,搭載搭載了麒麟 9000 SoC,采用 5nm 制程工藝,這也是全球首款5nm 5G SOC,也是麒麟9000芯片的第一次亮相。
2020-10-23 10:48:3811125

報道稱聯(lián)華電子正提高 12 英寸晶圓代工廠產(chǎn)能,主要滿足 28nm 工藝產(chǎn)能需求

,以提高產(chǎn)能。 而從英文媒體最新的報道來看,聯(lián)華電子也在提高 12 英寸晶圓代工廠的產(chǎn)能,以滿足相關(guān)制程工藝的需求。 英文媒體是援引產(chǎn)業(yè)鏈人士透露的消息,報道聯(lián)華電子正提高 12 英寸晶圓代工廠的產(chǎn)能的,主要是滿足 28nm 工藝的產(chǎn)能需求。
2021-01-18 17:11:282288

臺積電和聯(lián)華電子28nm工藝將滿負荷運行

據(jù)國外媒體報道,雖然目前最先進的芯片制程工藝已經(jīng)達到5nm,但成熟的28nm工藝,目前仍還有大量的需求,28nm工藝目前就還仍是臺積電的第4大收入來源,貢獻了去年四季度臺積電營收的11%,是4項營收占比超過10%的工藝之一。
2021-01-19 15:07:481810

西門子與聯(lián)華電子合作開發(fā)適用于BCD技術(shù)平臺的工藝設(shè)計套件

西門子數(shù)字化工業(yè)軟件與聯(lián)華電子 (UMC) 近日達成合作,共同開發(fā)適用于聯(lián)華電子 110 納米和 180 納米 BCD 技術(shù)平臺的工藝設(shè)計套件 (PDK)。聯(lián)華電子為全球半導(dǎo)體晶圓專工業(yè)業(yè)者,專注
2022-04-02 09:54:041688

富士康計劃新建12英寸晶圓廠,將鎖定28nm40nm制程

合作,一同成立合資企業(yè),并在馬來西亞新建一座12英寸晶圓工廠。 據(jù)了解,富士康提及到該工廠將會鎖定28nm40nm制程,并且預(yù)計該晶圓廠投產(chǎn)后,每個月能夠提供4萬片的產(chǎn)能。目前市面上的微控制器、傳感器、連接相關(guān)芯片等都廣泛使用了28nm制程,因此例如臺積電等制
2022-05-18 16:35:032398

IP_數(shù)據(jù)表(I-27):MIPI D-PHY Tx/Rx for TSMC 40nm LP

IP_數(shù)據(jù)表(I-27):MIPI D-PHY Tx/Rx for TSMC 40nm LP
2023-03-14 19:19:391

IP_數(shù)據(jù)表(I-18):MIPI D-PHY Receiver for TSMC 40nm LP

IP_數(shù)據(jù)表(I-18):MIPI D-PHY Receiver for TSMC 40nm LP
2023-03-14 19:20:310

IP 數(shù)據(jù)表: 3.0V Standard Cell for TSMC 40nm LP

IP 數(shù)據(jù)表: 3.0V Standard Cell for TSMC 40nm LP
2023-03-14 19:22:152

IP_數(shù)據(jù)表(I-9):USB2.0 Transceiver for TSMC 40nm LP

IP_數(shù)據(jù)表(I-9):USB2.0 Transceiver for TSMC 40nm LP
2023-03-16 19:26:530

IP_數(shù)據(jù)表(Z-5):3.0V StndardCell for TSMC 40nm LP

IP_數(shù)據(jù)表(Z-5):3.0V StndardCell for TSMC 40nm LP
2023-03-16 19:33:100

IP_數(shù)據(jù)表(Z-2):GPIO for TSMC 40nm N40EF2

IP_數(shù)據(jù)表(Z-2):GPIO for TSMC 40nm N40EF2
2023-03-16 19:34:040

IP_數(shù)據(jù)表(I-27):MIPI D-PHY Tx/Rx for TSMC 40nm LP

IP_數(shù)據(jù)表(I-27):MIPI D-PHY Tx/Rx for TSMC 40nm LP
2023-07-05 19:45:111

IP_數(shù)據(jù)表(I-18):MIPI D-PHY Receiver for TSMC 40nm LP

IP_數(shù)據(jù)表(I-18):MIPI D-PHY Receiver for TSMC 40nm LP
2023-07-05 19:45:561

IP 數(shù)據(jù)表: 3.0V Standard Cell for TSMC 40nm LP

IP 數(shù)據(jù)表: 3.0V Standard Cell for TSMC 40nm LP
2023-07-05 19:47:260

IP_數(shù)據(jù)表(I-9):USB2.0 Transceiver for TSMC 40nm LP

IP_數(shù)據(jù)表(I-9):USB2.0 Transceiver for TSMC 40nm LP
2023-07-06 20:12:510

IP_數(shù)據(jù)表(Z-5):3.0V StndardCell for TSMC 40nm LP

IP_數(shù)據(jù)表(Z-5):3.0V StndardCell for TSMC 40nm LP
2023-07-06 20:19:241

IP_數(shù)據(jù)表(Z-2):GPIO for TSMC 40nm N40EF2

IP_數(shù)據(jù)表(Z-2):GPIO for TSMC 40nm N40EF2
2023-07-06 20:20:122

基于中芯國際40nm車規(guī)工藝的MCU發(fā)布——Z20K11xN

Z20K11xN采用國產(chǎn)領(lǐng)先半導(dǎo)體生產(chǎn)制造工藝SMIC 車規(guī) 40nm工藝,提供LQFP48,LQFP64以及LQFP100封裝,CPU主頻最大支持64MHz,支持2路帶64個郵箱的CAN-FD通訊接口,工作電壓3.3V和5V。
2023-09-13 17:24:081075

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