深圳市薩科微半導(dǎo)體有限公司，技術(shù)骨干來自清華大學(xué)和韓國延世大學(xué)，掌握第三代半導(dǎo)體碳化硅功率器件國際領(lǐng)先的工藝，和第五代超快恢復(fù)功率二極管技術(shù)。薩科微slkor（www.slkormicro.com
2024-03-15 11:22:07
氮化鎵（GaN）基材料被稱為第三代半導(dǎo)體，其光譜范圍覆蓋了近紅外、可見光和紫外全波段，在光電子學(xué)領(lǐng)域有重要的應(yīng)用價值。
2024-03-08 10:32:39
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2023年，東芝半導(dǎo)體的功率器件銷售額估計約為1000億日元，其中35%用于汽車市場，20%用于工業(yè)市場。
2024-03-04 18:10:33301 2月27日，第三代半導(dǎo)體碳化硅材料生產(chǎn)基地在寶安區(qū)啟用，由深圳市重投天科半導(dǎo)體有限公司（以下簡稱“重投天科”）建設(shè)運營，預(yù)計今年襯底和外延產(chǎn)能達(dá)25萬片
2024-02-29 14:09:14233 Intel Xeon?可擴展處理器（第三代）Intel?Xeon?可擴展處理器（第三代）針對云、企業(yè)、HPC、網(wǎng)絡(luò)、安全和IoT工作負(fù)載進(jìn)行了優(yōu)化，具有8到40個強大的內(nèi)核和頻率范圍、功能和功率級別
2024-02-27 11:58:54
Intel Xeon?金牌處理器（第三代）Intel? Xeon?金牌處理器（第三代）支持高內(nèi)存速度和增加內(nèi)存容量。Intel? Xeon?金牌處理器具有更高性能、先進(jìn)的安全技術(shù)以及內(nèi)置工作負(fù)載加速
2024-02-27 11:57:49
Intel Xeon?鉑金處理器（第三代）Intel? Xeon?鉑金處理器（第三代）是安全、敏捷、數(shù)據(jù)中心的基礎(chǔ)。這些處理器具有內(nèi)置AI加速、先進(jìn)的安全技術(shù)和出色的多插槽處理性能，設(shè)計用于任務(wù)關(guān)鍵
2024-02-27 11:57:15
在清潔能源、電動汽車的發(fā)展趨勢下，近年來第三代半導(dǎo)體碳化硅和氮化鎵受到了史無前例的關(guān)注，市場以及資本都在半導(dǎo)體行業(yè)整體下行的階段加大投資力度，擴張規(guī)模不斷擴大。在過去的2023年，全球第三代半導(dǎo)體
2024-02-18 00:03:002542 服務(wù)范圍MOSFET、IGBT、DIODE、BJT，第三代半導(dǎo)體器件等分立器件，以及上述元件構(gòu)成的功率模塊。檢測標(biāo)準(zhǔn)l AEC-Q101分立器件認(rèn)證l MIL-STD-750
2024-01-29 22:00:42
AEC-Q101認(rèn)證試驗廣電計量在SiC第三代半導(dǎo)體器件的AEC-Q認(rèn)證上具有豐富的實戰(zhàn)經(jīng)驗，為您提供專業(yè)可靠的AEC-Q101認(rèn)證服務(wù)，同時，我們也開展了間歇工作壽命（IOL）、HAST
2024-01-29 21:35:04
近日，廣東致能科技團隊與西安電子科技大學(xué)廣州研究院/廣州第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新中心郝躍院士、張進(jìn)成教授團隊等等合作攻關(guān)，通過采用廣東致能科技有限公司的薄緩沖層AlGaN / GaN外延片，基于廣州第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新中心中試平臺，成功在6英寸藍(lán)寶石襯底上實現(xiàn)了1700V GaN HEMTs器件。
2024-01-25 10:17:24365 
第三代半導(dǎo)體功率器件及模塊整體解決方案提供商，專注于提供第三代半導(dǎo)體功率器件和模塊整體解決方案的芯片公司。主要產(chǎn)品包括SiC SBD，SiC MOSFET，GaN HEMT等第三代半導(dǎo)體功率器件和模塊
2024-01-19 14:55:55
第三代半導(dǎo)體功率器件及模塊整體解決方案提供商，專注于提供第三代半導(dǎo)體功率器件和模塊整體解決方案的芯片公司。主要產(chǎn)品包括SiC SBD，SiC MOSFET，GaN HEMT等第三代半導(dǎo)體功率器件和模塊
2024-01-19 14:53:16
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/劉靜）在新能源汽車、光伏、儲能等新興領(lǐng)域的需求帶動下，第三代半導(dǎo)體市場近幾年高速增長。盡管今年半導(dǎo)體經(jīng)濟不景氣，機構(gòu)投資整體更理性下，第三代半導(dǎo)體企業(yè)的融資仍加速狂飆
2024-01-09 09:14:331408 
第三代半導(dǎo)體以此特有的性能優(yōu)勢，在半導(dǎo)體照明、新能源汽車、新一代移動通信、新能源并網(wǎng)、高速軌道交通等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。2020年9月，第三代半導(dǎo)體被寫入“十四五”規(guī)劃，在技術(shù)、市場與政策的三力驅(qū)動下，近年來國內(nèi)涌現(xiàn)出多家第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域龍頭公司。
2024-01-04 16:13:36430 近日，華大半導(dǎo)體旗下中電化合物有限公司榮獲“中國第三代半導(dǎo)體外延十強企業(yè)”稱號，其生產(chǎn)的8英寸SiC外延片更是一舉斬獲“2023年度SiC襯底/外延最具影響力產(chǎn)品獎”。這一榮譽充分體現(xiàn)了中電化合物在第三代半導(dǎo)體外延領(lǐng)域的卓越實力和領(lǐng)先地位。
2024-01-04 15:02:23523 隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，垂直GaN功率器件逐漸憑借其優(yōu)勢逐漸應(yīng)用在更多的領(lǐng)域中。高質(zhì)量的GaN單晶材料是制備高性能器件的基礎(chǔ)。
2023-12-27 09:32:54374 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）在我們談?wù)?b class="flag-6" style="color: red">第三代半導(dǎo)體的時候，常說的碳化硅功率器件一般是指代SiC MOSFET（金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管），而氮化鎵功率器件最普遍的則是GaN HEMT（高電子
2023-12-27 09:11:361219 的分析與展望。 ? Cambridge GaN Devices（CGD）?是一家無晶圓廠環(huán)?？萍?b class="flag-6" style="color: red">半導(dǎo)體公司，開發(fā)了一系列高能效 GaN 功率器件，致力于打造更環(huán)保的電子器件。 ? CGD由劍橋大學(xué)
2023-12-26 14:15:215596 
芯聯(lián)集成已全力挺進(jìn)第三代半導(dǎo)體市場，自2021年起投入碳化硅MOSFET芯片及模組封裝技術(shù)的研究開發(fā)與產(chǎn)能建設(shè)。短短兩年間，芯聯(lián)集成便已成功實現(xiàn)技術(shù)創(chuàng)新的三次重大飛躍，器件性能與國際頂級企業(yè)齊肩，并且已穩(wěn)定實現(xiàn)6英寸5000片/月碳化硅MOSFET芯片的大規(guī)模生產(chǎn)。
2023-12-26 10:02:38247 點擊上方 “泰克科技” 關(guān)注我們！ ?泰克科技? ?“2023 行家極光獎”頒獎典禮于12月14日在深圳隆重舉行，數(shù)百家SiCGaN企業(yè)代表出席了本次活動，共同見證了第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的風(fēng)采。 業(yè)內(nèi)
2023-12-21 17:40:02266 
半導(dǎo)體材料目前已經(jīng)發(fā)展至第三代。傳統(tǒng)硅基半導(dǎo)體由于自身物理性能不足以及受限于摩爾定律，逐漸不適應(yīng)于半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展需求，砷化鎵、碳化硅、氮化鎵等化合物半導(dǎo)體也因而誕生。
2023-12-21 15:12:20817 
家 SiC、GaN 企業(yè)代表來共同見證第三代半導(dǎo)體的蓬勃發(fā)展。Nexperia（安世半導(dǎo)體）榮獲權(quán)威認(rèn)證，將「SiC年度優(yōu)秀產(chǎn)品獎」與「中國GaN 功率器件十強」兩項大獎收入囊中，展現(xiàn)了其作為基礎(chǔ)半導(dǎo)體全球領(lǐng)導(dǎo)者的強大實力與深耕三代半領(lǐng)域的決心。
2023-12-21 11:37:25681 12月14日，第三代半導(dǎo)體行家極光獎在深圳重磅揭曉，派恩杰半導(dǎo)體榮膺“中國SiC器件Fabless十強企業(yè)”稱號。
2023-12-15 10:57:45466 2023年11月29日，第九屆國際第三代半導(dǎo)體論壇(IFWS)和“第三代半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)與檢測研討會”成功召開，是德科技參加第九屆國際第三代半導(dǎo)體論壇(IFWS)，并重磅展出第三代半導(dǎo)體動靜態(tài)測試方案
2023-12-13 16:15:03240 
近日，第九屆國際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS）&第二十屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA）于廈門召開。期間，“氮化鎵功率電子器件技術(shù)分論壇”上，臺灣元智大學(xué)前副校長、臺灣成功大學(xué)特聘
2023-12-09 14:49:03921 
以GaN為代表的第三代半導(dǎo)體具有高擊穿電場，高電子飽和速度，高頻和高功率等特性，在射頻和電力電子器件領(lǐng)域具有巨大的性能優(yōu)勢。
2023-12-09 10:28:39746 
新型電子器件 GaN 材料系列具有低的熱產(chǎn)生率和高的擊穿電場，是研制高溫大功率電子器件和高頻微波器件的重要材料。目前，隨著 MBE 技術(shù)在 GaN 材料應(yīng)用中的進(jìn)展和關(guān)鍵薄膜生長技術(shù)的突破，成功地生長出了GaN 多種異質(zhì)結(jié)構(gòu)。
2023-11-17 16:18:35162 
2023年10月25日 - 2023全國第三代半導(dǎo)體大會今日在深圳寶安格蘭云天國際酒店四樓會議廳隆重開幕。本屆大會由今日半導(dǎo)體主辦，吸引了來自全國各地的400多家企業(yè)參與，共同探討第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展趨勢和應(yīng)用前景。
2023-11-06 09:45:31234 點擊上方 “泰克科技” 關(guān)注我們！ 寬禁帶材料是指禁帶寬度大于 2.3eV 的半導(dǎo)體材料，以Ⅲ-Ⅴ族材料等最為常見，典型代表有碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN)，這些半導(dǎo)體材料也稱為第三代
2023-11-03 12:10:02273 
氮化鎵（GaN）被譽為是繼第一代 Ge、Si 半導(dǎo)體材料、第二代 GaAs、InP 化合物半導(dǎo)體材料之后的第三代半導(dǎo)體材料，今天金譽半導(dǎo)體帶大家來簡單了解一下，這個材料有什么厲害的地方。
2023-11-03 10:59:12662 
使用GaN（氮化鎵）的功率半導(dǎo)體作為節(jié)能/低碳社會的關(guān)鍵器件而受到關(guān)注。兩家日本公司聯(lián)手創(chuàng)造了一項新技術(shù)，解決了導(dǎo)致其全面推廣的問題。
2023-10-20 09:59:40707 
功率器件：Power Integrations推出的PowiGaN技術(shù)是業(yè)界首款GaN-on-Sapphire功率IC，已經(jīng)在手機快充上大量出貨。國內(nèi)蘇州捷芯威也推出了藍(lán)寶石基氮化鎵高壓保護(hù)開關(guān)器件，單管耐壓2000V
2023-10-18 15:59:20
1 近年來，碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等第三代半導(dǎo)體材料成為全球半導(dǎo)體市場熱點之一。
2023-10-16 14:45:06694 隨著科技的不斷進(jìn)步，電力電子領(lǐng)域正在發(fā)生著深刻的變化。在這個變化中，第三代半導(dǎo)體氮化鎵（GaN）技術(shù)成為了焦點，其對于充電器的性能和效率都帶來了革命性的影響。
在傳統(tǒng)的硅基材料中，電力電子器件
2023-10-11 16:30:48250 第三代寬禁帶半導(dǎo)體SiC和GaN在新能源和射頻領(lǐng)域已經(jīng)開始大規(guī)模商用。與第一代和第二代半導(dǎo)體相比，第三代半導(dǎo)體具有許多優(yōu)勢，這些優(yōu)勢源于新材料和器件結(jié)構(gòu)的創(chuàng)新。
2023-10-10 16:34:28295 
SiC器件是一種新型的硅基MOSFET，特別是SiC功率器件具有更高的開關(guān)速度和更寬的輸出頻率。SiC功率芯片主要由MOSFET和PN結(jié)組成。
在眾多的半導(dǎo)體器件中，碳化硅材料具有低熱導(dǎo)率、高擊穿
2023-09-26 16:42:29342 
西安電子科技大學(xué)表示，該項目竣工后，將具備6至8英寸氮化鎵晶片生長、工程準(zhǔn)備、密封測試等整個工程的研發(fā)和技術(shù)服務(wù)能力。接著革新中心是第三代半導(dǎo)體技術(shù)公共服務(wù)平臺和產(chǎn)業(yè)，圍繞國家第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的重大戰(zhàn)略需求為中心，5g通信、新能源汽車等領(lǐng)域的、芯片和微系統(tǒng)模塊的開展關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)。
2023-09-25 11:20:56840 隨著全球進(jìn)入物聯(lián)網(wǎng)、5G、綠色能源和電動汽車時代，能夠充分展現(xiàn)高電壓、高溫和高頻能力、滿足當(dāng)前主流應(yīng)用需求的寬禁帶半導(dǎo)體高能量轉(zhuǎn)換效率半導(dǎo)體材料開始成為市場寵兒，開啟了第三代半導(dǎo)體的新紀(jì)元。
2023-09-22 15:40:41476 
年，GaN器件將達(dá)到整個功率半導(dǎo)體市場的2.7%，市場規(guī)模僅為20.36億美元。 圖注：GaN市場預(yù)測（芯查查制表，數(shù)據(jù)來源：Yole）作為第三代半導(dǎo)體材料，GaN被看好是因為其具有比硅更佳的電氣特性，另一個關(guān)鍵點是成本在逐步降低，市場趨勢表明，GaN器件將在成本上與MOSFET相媲美。新能源
2023-09-21 17:39:211626 
碳化硅具備耐高壓、耐高溫、高頻、抗輻射等優(yōu)良電氣特性，它突破硅基半導(dǎo)體材料物理限制，成為第三代半導(dǎo)體核心材料。碳化硅材料性能優(yōu)勢引領(lǐng)功率器件新變革。
2023-09-19 15:55:20890 
? 新能源汽車和光伏、儲能設(shè)施在全球加速普及，為第三代半導(dǎo)體碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）功率器件產(chǎn)業(yè)的落地提供了前所未有的契機。 長電科技厚積薄發(fā)定位創(chuàng)新前沿，多年來面向第三代半導(dǎo)體功率器件
2023-09-19 10:20:38379 9月15日，東科半導(dǎo)體（安徽）股份有限公司與北京大學(xué)共同組建的第三代半導(dǎo)體聯(lián)合研發(fā)中心正式揭牌成立。由北京大學(xué)科學(xué)研究部謝冰部長及馬鞍山市委書記袁方共同為北大-東科聯(lián)合研發(fā)中心揭牌。圖左為袁方書
2023-09-19 10:07:33452 
能與成本?未來有何發(fā)展目標(biāo)?...... 前言： 憑借功率密度高、開關(guān)速度快、抗輻照性強等優(yōu)點，以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的第三代半導(dǎo)體材料被廣泛應(yīng)用于電力電子、光電子學(xué)和無線通信等領(lǐng)域，以提高設(shè)備性能和效率，并成為當(dāng)前半導(dǎo)
2023-09-18 16:48:02365 新能源汽車和光伏,儲能設(shè)施在全球加速普及,為第三代半導(dǎo)體碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率器件產(chǎn)業(yè)的落地提供了前所未有的契機。長電科技厚積薄發(fā)定位創(chuàng)新前沿,多年來面向第三代半導(dǎo)體功率器件開發(fā)
2023-09-18 16:11:25261 Ⅲ—Ⅴ族半導(dǎo)體。我國使用的“第三代半導(dǎo)體材料”一詞，對應(yīng)的是人類歷史上大規(guī)模應(yīng)用半導(dǎo)體材料所帶來的三次產(chǎn)業(yè)革命。目前，第三代半導(dǎo)體發(fā)展迅速，第一、第二代半導(dǎo)體在工業(yè)中仍得到廣泛應(yīng)用，在第三代半導(dǎo)體中發(fā)揮著不可替代的作用。
2023-09-12 16:19:271932 
氮化鎵（GaN）是一種非常堅硬且機械性能非常穩(wěn)定的寬禁帶半導(dǎo)體材料。由于具有更高的擊穿強度、更快的開關(guān)速度、更高的熱導(dǎo)率和更低的導(dǎo)通電阻，GaN基功率器件明顯優(yōu)于硅基器件。
GaN晶體可以在各種
2023-09-08 15:11:18535 
。面對新材料、新器件和新特性在設(shè)計、生產(chǎn)和使用中的全新挑戰(zhàn)， 泰克結(jié)合多年在第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的豐富經(jīng)驗和領(lǐng)先的功率器件動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)為客戶提供支持服務(wù) ，同時在北京成立第三代半導(dǎo)體測試實驗室，幫助行業(yè)內(nèi)客戶、合作
2023-09-04 12:20:01233 據(jù)錫山經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)消息，芯動第三代半導(dǎo)體模塊將在測試項目主體上蓋屋頂，10月土木工程竣工，12月底投產(chǎn)。凱威特斯半導(dǎo)體設(shè)備配件再制造事業(yè)已經(jīng)完成了第一次竣工和第二次主體屋頂工程，計劃于今年12月竣工，2024年3月批量生產(chǎn)。
2023-08-31 09:25:07447 據(jù)融合資產(chǎn)消息，此次融資后融合資產(chǎn)將在芯片生產(chǎn)線、家具用、工商能源儲存、充電包、新能源汽車等多個領(lǐng)域展開合作，幫助建設(shè)第三代半導(dǎo)體智能電力模塊生產(chǎn)線。
2023-08-30 09:24:55228 隨著科技的不斷進(jìn)步，新的半導(dǎo)體材料正在為整個電子行業(yè)帶來深刻的變革。在這場技術(shù)革命的前沿，第三代半導(dǎo)體材料嶄露頭角。與前兩代半導(dǎo)體材料相比，第三代半導(dǎo)體在高溫、高壓、高頻等應(yīng)用環(huán)境中展現(xiàn)出了更為出色的性能。從材料分類的角度來看，第三代半導(dǎo)體材料主要可以分為以下四類。
2023-08-21 09:33:071580 
第三代半導(dǎo)體以碳化硅、氮化鎵為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料，用于高壓、高溫、高頻場景。廣泛應(yīng)用于新能源汽車、光伏、工控等領(lǐng)域。因此第三代半導(dǎo)體研究主要是集中在材料特征研究，本文主要是研究碳化硅的產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)。
2023-08-11 10:17:54915 
近日，“2023功率與光電半導(dǎo)體器件設(shè)計及集成應(yīng)用論壇”于西安召開。論壇由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）指導(dǎo)，西安交通大學(xué)、極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)（www.casmita.com）、第三代
2023-08-04 14:57:57347 近日，“2023功率與光電半導(dǎo)體器件設(shè)計及集成應(yīng)用論壇”于西安召開。論壇由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）指導(dǎo)，西安交通大學(xué)、極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)主辦，西安電子科技
2023-08-04 11:28:56920 
來源：內(nèi)容轉(zhuǎn)自公眾號21tech（News-21），作者：李強。于代輝英飛凌科技高級副總裁英飛凌科技零碳工業(yè)功率事業(yè)部大中華區(qū)負(fù)責(zé)人減碳趨勢下的節(jié)能、高效需求同樣給第三代半導(dǎo)體的登場搭好了舞臺。過去
2023-07-06 10:07:54367 
半導(dǎo)體是當(dāng)今世界的基石，幾乎每一項科技創(chuàng)新都離不開半導(dǎo)體的貢獻(xiàn)。過去幾十年，硅一直是半導(dǎo)體行業(yè)的主流材料。然而，隨著科技的發(fā)展和應(yīng)用需求的增加，硅材料在一些方面已經(jīng)無法滿足需求，這促使第三代半導(dǎo)體
2023-07-05 10:26:131316 
在電源與能源應(yīng)用領(lǐng)域，意法半導(dǎo)體將展示一款采用MASTERGAN和ST－ONEHP的140W 智能電源適配器。其中MASTERGAN在一個單一封裝內(nèi)整合了意法半導(dǎo)體第三代氮化鎵（GaN）功率晶體管和改進(jìn)的柵極驅(qū)動器。
2023-06-30 16:33:45475 據(jù)藍(lán)色空港消息，先進(jìn)半導(dǎo)體制造項目主要從事第三代半導(dǎo)體功率器件的設(shè)計、研發(fā)、制造、功率器件clip先進(jìn)工程包裝、電力驅(qū)動產(chǎn)品應(yīng)用方案的開發(fā)和銷售。該項目總投資8億元，分三期建設(shè)，一期投資2億元，計劃建設(shè)6條clip先進(jìn)包裝生產(chǎn)線。
2023-06-27 10:31:18602 據(jù)公告，此次建設(shè)的第三代半導(dǎo)體輸出配件生產(chǎn)項目位于湖北省武漢市東湖新技術(shù)開發(fā)區(qū)，總投資額約為60億元，包括36億元股權(quán)融資和24億元銀行貸款。構(gòu)筑第3代半導(dǎo)體外延、晶片制造、組裝測試等生產(chǎn)線的該事業(yè)，將具備能夠生產(chǎn)6英寸硅晶片及外延36萬個、輸出配件模塊6100萬個的能力。
2023-06-27 09:54:38539 繼第一代和第二代半導(dǎo)體技術(shù)之后發(fā)展起來的第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料和器件，是發(fā)展大功率、高頻高溫、抗強輻射和藍(lán)光激光器等技術(shù)的關(guān)鍵核心。因為第三代半導(dǎo)體的優(yōu)良特性，該半導(dǎo)體技術(shù)逐漸成為了近年來半導(dǎo)體研究
2023-06-25 15:59:21
GaN功率半導(dǎo)體與高頻生態(tài)系統(tǒng)(氮化鎵)
2023-06-25 09:38:13
突破GaN功率半導(dǎo)體的速度限制
2023-06-25 07:17:49
GaN功率半導(dǎo)體器件集成提供應(yīng)用性能
2023-06-21 13:20:16
升級到半橋GaN功率半導(dǎo)體
2023-06-21 11:47:21
用于無線充電應(yīng)用的高壓GaN功率半導(dǎo)體單級6.78 MHz功率放大器設(shè)計
2023-06-21 11:45:06
近年來，隨著技術(shù)的不斷發(fā)展和計算機應(yīng)用范圍的不斷擴大，半導(dǎo)體技術(shù)變得愈加重要。在半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展歷程中，第三代半導(dǎo)體技術(shù)的出現(xiàn)為半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展帶來了新的變革。
2023-06-20 16:55:22611 
國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（以下簡稱“國創(chuàng)中心”）獲批建設(shè)兩年以來，瞄準(zhǔn)國家和產(chǎn)業(yè)發(fā)展全局的創(chuàng)新需求，以關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)為核心使命，進(jìn)一步推動我國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展，形成立足長三角、輻射全國的技術(shù)融合點和產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新的輻射源。
2023-06-19 14:55:451660 GaN功率半導(dǎo)體帶來AC-DC適配器的革命(氮化鎵)
2023-06-19 11:41:21
GaN功率半導(dǎo)體在快速充電市場的應(yīng)用(氮化鎵)
2023-06-19 11:00:42
GaN功率半導(dǎo)體(氮化鎵)的系統(tǒng)集成優(yōu)勢
2023-06-19 09:28:46
隨著全球宏觀環(huán)境的逐步恢復(fù)，SiC/GaN等第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)于2023年邁向新的發(fā)展高峰，值此之際，TrendForce集邦咨詢于6月15日在在深圳舉辦了“2023第三代半導(dǎo)體前沿趨勢研討會”，匯聚
2023-06-16 15:37:32964 隨著全球宏觀環(huán)境的逐步恢復(fù)，SiC/GaN等第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)于2023年邁向新的發(fā)展高峰，持續(xù)攪動新能源汽車、光伏儲能、工業(yè)電源、通訊基站等高壓高功率應(yīng)用領(lǐng)域的一池春水。 ? 值此之際
2023-06-16 09:38:26487 
當(dāng)前，第三代半導(dǎo)體中的碳化硅功率器件，在導(dǎo)通電阻、阻斷電壓和結(jié)電容方面，顯著優(yōu)于傳統(tǒng)硅功率器件。因此，碳化硅功率器件取代傳統(tǒng)硅基功率器件已成為行業(yè)發(fā)展趨勢。面對當(dāng)前行業(yè)發(fā)展新趨勢，威邁斯等新能源汽車
2023-06-15 14:22:38357 
日前，2023中關(guān)村論壇“北京（國際）第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新發(fā)展論壇”上，科技部黨組成員、副部長相里斌表示，以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體具有優(yōu)異的性能，在信息通信、軌道交通、智能電網(wǎng)、新能源汽車等領(lǐng)域有巨大的市場。
2023-06-15 11:14:08313 為期四天的2023廣州國際照明展覽會（簡稱：光亞展）在火熱的氣氛中圓滿落幕。此次展會，國星光電設(shè)置了高品質(zhì)白光LED及第三代半導(dǎo)體兩大展區(qū)，鮮明的主題，引來了行業(yè)的高度關(guān)注。 其中，在第三代半導(dǎo)體
2023-06-14 10:02:14437 
近幾年碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等第三代半導(dǎo)體異常火熱，國內(nèi)外很多半導(dǎo)體企業(yè)都涌入其中。據(jù)Yole Développement統(tǒng)計，2021全球GaN功率器件市場規(guī)模為1.26億美元，預(yù)計
2023-06-08 09:40:301692 
第三代半導(dǎo)體設(shè)備 第三代半導(dǎo)體設(shè)備主要為SiC、GaN材料生長、外延所需的特種設(shè)備，如SiC PVT單晶生長爐、CVD外延設(shè)備以及GaN HVPE單晶生長爐、MOCVD外延設(shè)備等。
2023-06-03 09:57:01787 
氮化鎵（GaN）作為第三代半導(dǎo)體器件，憑借其優(yōu)異的性能，在PD快充領(lǐng)域被廣泛使用。
2023-06-02 16:41:13330 
在功率半導(dǎo)體市場，自2021年第二季度以來，器件制造商的積壓訂單有所增加。因此，2021年全球市場規(guī)模將達(dá)到223.7億美元，同比增長20.1%。預(yù)計 2022 年的訂單將保持強勁，但由于半導(dǎo)體制造所用設(shè)備和材料的需求緊張，預(yù)計全球功率半導(dǎo)體市場將同比增長 6.8% 至 238.9 億美元。
2023-06-02 16:05:33553 
2022年，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)連續(xù)高增長，進(jìn)入調(diào)整周期。與此形成對比，在新能源汽車、光伏、儲能等需求帶動下，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)保持高速發(fā)展，全球化供應(yīng)鏈體系正在形成，競爭格局逐步確立，產(chǎn)業(yè)步入快速成長
2023-05-30 14:15:56534 
確立，產(chǎn)業(yè)步入快速成長期。而國內(nèi)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)經(jīng)過前期產(chǎn)能部署和產(chǎn)線建設(shè)，國產(chǎn)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)品相繼開發(fā)成功并通過驗證，技術(shù)穩(wěn)步提升，產(chǎn)能不斷釋放，國產(chǎn)碳化硅(SiC）器件及模塊開始“上機”，生態(tài)體系逐漸完善，自主可控能力
2023-05-30 09:40:59568 
、新能源汽車、智能電網(wǎng)、5G通信射頻等市場的發(fā)展，具有較大的發(fā)展前景；從分立器件原材料看，隨著氮化鎵和碳化硅等第三代半導(dǎo)體材料的應(yīng)用，半導(dǎo)體分立器件市場逐步向高端應(yīng)用市場推進(jìn)。隨著我國分立器件企業(yè)產(chǎn)品
2023-05-26 14:24:29
所謂第三代半導(dǎo)體，即禁帶寬度大于或等于2.3eV的半導(dǎo)體材料，又稱寬禁帶半導(dǎo)體。常見的第三代半導(dǎo)體材料主要包括碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、氮化鋁（AIN）、氧化鋅（ZnO）和金剛石等，其中
2023-05-18 10:57:361018 、更高的電壓驅(qū)動能力、更小的尺寸、更高的效率和更高速的散熱能力，可滿足現(xiàn)代電子技術(shù)對高溫高頻、高功率、高輻射等惡劣環(huán)境條件的要求。目前最流行的WBG材料是SiC和GaN，它們的帶隙分別達(dá)到3.3eV和3.4eV，屬于新興的半導(dǎo)體材料。
2023-05-18 09:49:24524 
第95期什么是寬禁帶半導(dǎo)體？半導(dǎo)體迄今為止共經(jīng)歷了三個發(fā)展階段：第一代半導(dǎo)體以硅（Si）、鍺（Ge）為代表；第二代半導(dǎo)體以砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）等化合物為代表；第三代半導(dǎo)體是以碳化硅
2023-05-06 10:31:461673 
第三代半導(dǎo)體以及芯片的核心材料
2023-05-06 09:48:442614 
半導(dǎo)體迄今為止共經(jīng)歷了三個發(fā)展階段：第一代半導(dǎo)體以硅（Si）、鍺（Ge）為代表；第二代半導(dǎo)體以砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）等化合物為代表；第三代半導(dǎo)體是以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN
2023-05-05 17:46:226166 
GaN是第三代半導(dǎo)體材料，具有許多傳統(tǒng)硅半導(dǎo)體所不具備的優(yōu)良特性，因此被視為新一代半導(dǎo)體技術(shù)，具有非常廣闊的應(yīng)用前景。隨著 GaN功率器件技術(shù)的成熟， GaN功率器件已廣泛應(yīng)用于數(shù)據(jù)中心、通訊基站
2023-04-21 14:05:42831 中國半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)業(yè)在上世紀(jì)50年代初創(chuàng)，70年代逐漸成長，80年代的改革開放到90年代以后進(jìn)入全面發(fā)展階段，21世紀(jì)初中國加入WTO，為我國半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)業(yè)帶來了新的發(fā)展契機。受益于國際電子
2023-04-14 16:00:28
中國半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)業(yè)在上世紀(jì)50年代初創(chuàng)，70年代逐漸成長，80年代的改革開放到90年代以后進(jìn)入全面發(fā)展階段，21世紀(jì)初中國加入WTO，為我國半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)業(yè)帶來了新的發(fā)展契機。受益于國際電子
2023-04-14 13:46:39
第三代半導(dǎo)體是以碳化硅SiC、氮化鎵GaN為主的寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有高擊穿電場、高飽和電子速度、高熱導(dǎo)率、高電子密度、高遷移率、可承受大功率等特點。
2023-04-04 14:46:2912680 氮化鎵（GaN）作為第三代半導(dǎo)體材料，在電力電子器件、大功率射頻器件、短波長光電器件以及5G通訊等領(lǐng)域具有硅半導(dǎo)體無法比擬的優(yōu)勢。然而，散熱問題是制約其發(fā)展和應(yīng)用的瓶頸。通常氮化鎵需要氮化鋁（AlN）作為過渡層連接到具有高導(dǎo)熱系數(shù)的襯底上。
2023-03-24 10:37:04570
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