因產(chǎn)品配置不同, 價(jià)格貨期需要電議, 圖片僅供參考, 一切以實(shí)際成交合同為準(zhǔn)
上海伯東日本原裝進(jìn)口適合中等規(guī)模量產(chǎn)使用的離子刻蝕機(jī), 樣品臺(tái)可選直接冷卻 / 間接冷卻
 φ4 inch X 6片 | 基板尺寸 | < φ3 inch X 8片 < φ4 inch X 6片 < φ8 inch X 1片 |  可選 |
樣品臺(tái) | 樣品臺(tái)可選直接冷卻 / 間接冷卻0-90度旋轉(zhuǎn) | ||
離子源 | 20cm 考夫曼離子源 | ||
均勻性 | ±10% for 8”Ф | ||
硅片刻蝕率 | 20 nm/min | ||
溫度 | <100 |
NS 離子蝕刻機(jī) 20IBE-C 組成
伯東離子蝕刻機(jī)主要優(yōu)點(diǎn):
1. 干式制程的微細(xì)加工裝置, 使得在薄膜磁頭, 半導(dǎo)體元件, MR sensor 等領(lǐng)域的開(kāi)發(fā)研究及量產(chǎn)得以廣泛應(yīng)用.
2. 物理蝕刻的特性, 無(wú)論使用什么材料都可以用來(lái)加工, 所以各種領(lǐng)域都可以被廣泛應(yīng)用.
3. 配置使用美國(guó)考夫曼離子源
4. 射頻角度可以任意調(diào)整, 蝕刻可以根據(jù)需要做垂直, 斜面等等加工形狀.
5. 基板直接加裝在直接冷卻裝置上, 所以可以在低溫環(huán)境下蝕刻.
6. 配置公轉(zhuǎn)自轉(zhuǎn)傳輸機(jī)構(gòu), 使得被蝕刻物可以得到比較均勻平滑的表面.
7. 機(jī)臺(tái)設(shè)計(jì)使用自動(dòng)化的操作流程, 所以可以有非常友好的使用生產(chǎn)過(guò)程.
NS 離子蝕刻機(jī)通氬氣 Ar 不同材料的蝕刻速率:
Hakuto 日本原裝設(shè)計(jì)制造離子刻蝕機(jī) IBE, 提供微米級(jí)刻蝕, 滿足所有材料的刻蝕, 即使對(duì)磁性材料,黃金 Au, 鉑 Pt, 合金等金屬及復(fù)合半導(dǎo)體材料, 這些難刻蝕的材料也能提供蝕刻. 可用于反應(yīng)離子刻蝕 RIE 不能很好刻蝕的材料. 自 1970年至今, Hakuto 伯東已累計(jì)交付約 500套離子蝕刻機(jī). 蝕刻機(jī)可配置德國(guó) Pfeiffer 渦輪分子泵和美國(guó) KRI 考夫曼離子源!
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