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標(biāo)簽 > DDR
DDR=Double Data Rate雙倍速率同步動態(tài)隨機存儲器。嚴格的說DDR應(yīng)該叫DDR SDRAM,人們習(xí)慣稱為DDR,其中,SDRAM 是Synchronous Dynamic Random Access Memory的縮寫,即同步動態(tài)隨機存取存儲器。
DDR=Double Data Rate雙倍速率同步動態(tài)隨機存儲器。嚴格的說DDR應(yīng)該叫DDR SDRAM,人們習(xí)慣稱為DDR,其中,SDRAM 是Synchronous Dynamic Random Access Memory的縮寫,即同步動態(tài)隨機存取存儲器。
DDR=Double Data Rate雙倍速率同步動態(tài)隨機存儲器。嚴格的說DDR應(yīng)該叫DDR SDRAM,人們習(xí)慣稱為DDR,其中,SDRAM 是Synchronous Dynamic Random Access Memory的縮寫,即同步動態(tài)隨機存取存儲器。而DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的縮寫,是雙倍速率同步動態(tài)隨機存儲器的意思。DDR內(nèi)存是在SDRAM內(nèi)存基礎(chǔ)上發(fā)展而來的,仍然沿用SDRAM生產(chǎn)體系,因此對于內(nèi)存廠商而言,只需對制造普通SDRAM的設(shè)備稍加改進,即可實現(xiàn)DDR內(nèi)存的生產(chǎn),可有效的降低成本。
Double Data Rate:與傳統(tǒng)的單數(shù)據(jù)速率相比,DDR技術(shù)實現(xiàn)了一個時鐘周期內(nèi)進行兩次讀/寫操作,即在時鐘的上升沿和下降沿分別執(zhí)行一次讀/寫操作。
NVIDIA新一代顯卡即將出爐,盡管對于個中細節(jié)并不了解細節(jié),但業(yè)界普遍認為無論是NVIDIA還是AMD,新一代顯卡搭載GDDR6顯存可能性極高。
NVIDIA新一代顯卡即將出爐,盡管對于個中細節(jié)并不了解細節(jié),但業(yè)界普遍認為無論是NVIDIA還是AMD,新一代顯卡搭載GDDR6顯存可能性極高。什么?...
LPDDR4/LPDDR4X的特點、結(jié)構(gòu)及參數(shù)
引言:拍出完美的照片、打網(wǎng)絡(luò)游戲、直播4K視頻和實現(xiàn)高階自動駕駛,都需要向處理器提供大量的圖像、視頻、游戲、5G和雷達數(shù)據(jù)。所有這些數(shù)據(jù)都會流經(jīng)動態(tài)內(nèi)存...
關(guān)于四層板PCB設(shè)計阻抗匹配的要求和建議
最近設(shè)計了一塊四層板pcb,因為是高速電路,有阻抗匹配的要求,所以在發(fā)給pcb板廠打樣時,特定指定了哪些線要做
對于點到點拓撲我們只需要注意選擇合適的匹配方式,并優(yōu)化好整個channel的阻抗即可,但是當(dāng)一個網(wǎng)絡(luò)上的器件超過兩個時,信號可以選擇的拓撲結(jié)構(gòu)就會變得非...
2023-06-15 標(biāo)簽:驅(qū)動器DDRPCB設(shè)計 1.8萬 0
AD20的6層兩片DDR高速板學(xué)習(xí)筆記詳細說明立即下載
類別:PCB設(shè)計規(guī)則 2020-06-02 標(biāo)簽:存儲器DDRBGA
類別:存儲器技術(shù) 2011-07-12 標(biāo)簽:DDR時序
DDR SRAM與HSTL電平標(biāo)準(zhǔn)立即下載
類別:存儲器技術(shù) 2011-06-03 標(biāo)簽:SRAMDDR電平
類別:PCB設(shè)計規(guī)則 2017-06-19 標(biāo)簽:電阻ddr磁珠
DDR和DDR2與DDR3的設(shè)計資料總結(jié)立即下載
類別:PCB設(shè)計規(guī)則 2020-05-29 標(biāo)簽:DDR3DDRDDR2
隨著vivo推出iQOO 3和realme推出realme X50 Pro這兩款都有著非常強悍的性能5G手機上市,人們開始關(guān)注性能優(yōu)異的LPDDR5內(nèi)存...
NAND flash的單元尺寸幾乎是NOR器件的一半,由于生產(chǎn)過程更為簡單,NAND結(jié)構(gòu)可以在給定的模具尺寸內(nèi)提供更高的容量,也就相應(yīng)地降低了價格。
三種主流內(nèi)存技術(shù)(DDR、GDDR、LPDDR)的速度對比與應(yīng)用和DDR5芯片的設(shè)計
您可能剛把計算機升級到DDR4的內(nèi)存,也有可能仍然在使用DDR3的內(nèi)存。不過不管怎樣,DDR5內(nèi)存要來了。 2017年3月,JEDEC協(xié)會宣布將在201...
2017-11-15 標(biāo)簽:ddr 4.4萬 0
目前輕薄本中常見兩種內(nèi)存,一種是LPDDR3,多出現(xiàn)在超輕薄筆記本中,不可更換;另一種是DDR4,常見于14英寸輕薄本或游戲本中,可更換。
DDR/LPDDR/GDDR的關(guān)系與區(qū)別
近日,三星S20系列和小米10系列先后發(fā)布,全新的LPDDR5內(nèi)存成為兩家的共同賣點之一,作為面向移動式電子產(chǎn)品的新一代內(nèi)存芯片,LPDDR5與當(dāng)前主流...
DDR3的工作原理及DDR3 SDRAM控制器設(shè)計與結(jié)果分析
DDR3 SDRAM 是第二代雙倍數(shù)據(jù)傳輸速率同步動態(tài)隨機存儲器, 以其大容量、 高速率和良好的兼容性得到了廣泛應(yīng)用。 文中介紹了 DDR3 的特點和操...
在手機中有三大件組成:CPU、內(nèi)存DDR、存儲設(shè)備(EMMC/UFS等),內(nèi)存用以臨時存儲程序運行時所需的數(shù)據(jù)(掉電數(shù)據(jù)丟失),而存儲設(shè)備用以長久保存數(shù)...
對DDR3讀寫狀態(tài)機進行設(shè)計與優(yōu)化并對DDR3利用率進行了測試與分析
為解決超高速采集系統(tǒng)中的數(shù)據(jù)緩存問題,文中基于Xilinx Kintex-7 FPGA MIG_v1.9 IP核進行了DDR3 SDRAM控制器的編寫,...
關(guān)于DDR的三大關(guān)鍵技術(shù)解析
差分時鐘是DDR的一個非常重要的設(shè)計,是對觸發(fā)時鐘進行校準(zhǔn),主要原因是DDR數(shù)據(jù)的雙沿采樣。由于數(shù)據(jù)是在時鐘的上下沿觸發(fā),造成傳輸周期縮短了一半,因此必...
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