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標(biāo)簽 > DRAM
DRAM(Dynamic Random Access Memory),即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,最為常見(jiàn)的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù),DRAM使用電容存儲(chǔ),所以必須隔一段時(shí)間刷新(refresh)一次,如果存儲(chǔ)單元沒(méi)有被刷新,存儲(chǔ)的信息就會(huì)丟失。 (關(guān)機(jī)就會(huì)丟失數(shù)據(jù))
DRAM(Dynamic Random Access Memory),即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,最為常見(jiàn)的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù),DRAM使用電容存儲(chǔ),所以必須隔一段時(shí)間刷新(refresh)一次,如果存儲(chǔ)單元沒(méi)有被刷新,存儲(chǔ)的信息就會(huì)丟失。 (關(guān)機(jī)就會(huì)丟失數(shù)據(jù))
動(dòng)態(tài)RAM的工作原理 動(dòng)態(tài)RAM也是由許多基本存儲(chǔ)元按照行和列地址引腳復(fù)用來(lái)組成的。
3管動(dòng)態(tài)RAM的工作原理3管動(dòng)態(tài)RAM的基本存儲(chǔ)電路。在這個(gè)電路中,讀選擇線和寫選擇線是分開(kāi)的,讀數(shù)據(jù)線和寫數(shù)據(jù)線也是分開(kāi)的。
寫操作時(shí),寫選擇線為“1”,所以Q1導(dǎo)通,要寫入的數(shù)據(jù)通過(guò)Q1送到Q2的柵極,并通過(guò)柵極電容在一定時(shí)間內(nèi)保持信息。
讀操作時(shí),先通過(guò)公用的預(yù)充電管Q4使讀數(shù)據(jù)線上的分布電容CD充電,當(dāng)讀選擇線為高電平有效時(shí),Q3處于可導(dǎo)通的狀態(tài)。若原來(lái)存有“1”,則Q2導(dǎo)通,讀數(shù)據(jù)線的分布電容CD通過(guò)Q3、Q2放電,此時(shí)讀得的信息為“0”,正好和原存信息相反;若原存信息為“0”,則Q3盡管具備導(dǎo)通條件,但因?yàn)镼2截止,所以,CD上的電壓保持不變,因而,讀得的信息為“1”??梢?jiàn),對(duì)這樣的存儲(chǔ)電路,讀得的信息和原來(lái)存入的信息正好相反,所以要通過(guò)讀出放大器進(jìn)行反相再送往 數(shù)據(jù)總線。
DRAM(Dynamic Random Access Memory),即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,最為常見(jiàn)的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù),DRAM使用電容存儲(chǔ),所以必須隔一段時(shí)間刷新(refresh)一次,如果存儲(chǔ)單元沒(méi)有被刷新,存儲(chǔ)的信息就會(huì)丟失。 (關(guān)機(jī)就會(huì)丟失數(shù)據(jù))
動(dòng)態(tài)RAM的工作原理 動(dòng)態(tài)RAM也是由許多基本存儲(chǔ)元按照行和列地址引腳復(fù)用來(lái)組成的。
3管動(dòng)態(tài)RAM的工作原理3管動(dòng)態(tài)RAM的基本存儲(chǔ)電路。在這個(gè)電路中,讀選擇線和寫選擇線是分開(kāi)的,讀數(shù)據(jù)線和寫數(shù)據(jù)線也是分開(kāi)的。
寫操作時(shí),寫選擇線為“1”,所以Q1導(dǎo)通,要寫入的數(shù)據(jù)通過(guò)Q1送到Q2的柵極,并通過(guò)柵極電容在一定時(shí)間內(nèi)保持信息。
讀操作時(shí),先通過(guò)公用的預(yù)充電管Q4使讀數(shù)據(jù)線上的分布電容CD充電,當(dāng)讀選擇線為高電平有效時(shí),Q3處于可導(dǎo)通的狀態(tài)。若原來(lái)存有“1”,則Q2導(dǎo)通,讀數(shù)據(jù)線的分布電容CD通過(guò)Q3、Q2放電,此時(shí)讀得的信息為“0”,正好和原存信息相反;若原存信息為“0”,則Q3盡管具備導(dǎo)通條件,但因?yàn)镼2截止,所以,CD上的電壓保持不變,因而,讀得的信息為“1”。可見(jiàn),對(duì)這樣的存儲(chǔ)電路,讀得的信息和原來(lái)存入的信息正好相反,所以要通過(guò)讀出放大器進(jìn)行反相再送往 數(shù)據(jù)總線。
DRAM、NAND FLASH、NOR FLASH三大存儲(chǔ)器分析
存儲(chǔ)器芯片領(lǐng)域,主要分為兩類:易失性和非易失性。易失性:斷電以后,存儲(chǔ)器內(nèi)的信息就流失了,例如 DRAM,主要用來(lái)做PC機(jī)內(nèi)存(如DDR)和手機(jī)內(nèi)存(如...
DRAM (動(dòng)態(tài)隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)器)對(duì)設(shè)計(jì)人員特別具有吸引力,因?yàn)樗峁┝藦V泛的性能,用于各種計(jì)算機(jī)和嵌入式系統(tǒng)的存儲(chǔ)系統(tǒng)設(shè)計(jì)中。本文概括闡述了DRAM ...
3D XPoint的原理解析 NAND和DRAM為什么拼不過(guò)它
3D Xpoint是自 NAND Flash 推出以來(lái),最具突破性的一項(xiàng)存儲(chǔ)技術(shù)。由于具備以下四點(diǎn)優(yōu)勢(shì),3D Xpoint被看做是存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)的一個(gè)顛覆者:...
DRAM是目前常見(jiàn)的存儲(chǔ)之一,但DRAM并非唯一存儲(chǔ)器件,NAND也是存儲(chǔ)設(shè)備。那么DRAM和NAND之間有什么區(qū)別呢?DRAM和NAND的工作原理分別...
PSRAM的時(shí)序比較簡(jiǎn)單,主要根據(jù)各個(gè)時(shí)序圖理解每個(gè)時(shí)序階段,及其參數(shù)。重點(diǎn)要理解DQS/DM是誰(shuí)驅(qū)動(dòng)的,代表什么意思, 數(shù)據(jù)采樣的時(shí)間即DQS上升沿延...
大體上1Xnm工藝相當(dāng)于16-19nm級(jí)別、1Ynm相當(dāng)于14-16nm,1Znm工藝相當(dāng)于12-14nm級(jí)別。
SRAM不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。而DRAM(Dynamic Random Access Memory)每隔一段時(shí)間,要刷新充電一次,否則...
DRAM內(nèi)存模塊的設(shè)計(jì)技術(shù)立即下載
類別:PCB設(shè)計(jì)規(guī)則 2008-08-05 標(biāo)簽:DRAM
2246EN開(kāi)卡工具和經(jīng)常會(huì)出現(xiàn)的問(wèn)題分析立即下載
類別:實(shí)用工具 2020-11-23 標(biāo)簽:DRAMISP應(yīng)用程序
全志_DRAM調(diào)試手冊(cè)初稿V0.1_140408立即下載
類別:數(shù)碼產(chǎn)品電路 2017-01-14 標(biāo)簽:DRAM調(diào)試手冊(cè)
類別:嵌入式開(kāi)發(fā) 2017-10-13 標(biāo)簽:dramnandram
如何進(jìn)行DDR4的設(shè)計(jì)資料概述及分析仿真案例概述立即下載
類別:存儲(chǔ)器技術(shù) 2018-12-19 標(biāo)簽:DRAM存儲(chǔ)系統(tǒng)DDR4
RAM代表隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。隨機(jī)訪問(wèn)是能夠以與該存儲(chǔ)器設(shè)備中的任何其他元件一樣快速且容易地訪問(wèn)存儲(chǔ)設(shè)備的元件的能力。設(shè)備的大小或它有多少個(gè)存儲(chǔ)器元件和單元...
NAND flash的單元尺寸幾乎是NOR器件的一半,由于生產(chǎn)過(guò)程更為簡(jiǎn)單,NAND結(jié)構(gòu)可以在給定的模具尺寸內(nèi)提供更高的容量,也就相應(yīng)地降低了價(jià)格。
去年DRAM價(jià)格逐季走跌,但今年可望上演V型反轉(zhuǎn)戲碼。由于三星、SK海力士、美光等三大廠去年進(jìn)行庫(kù)存調(diào)整后,現(xiàn)在手中庫(kù)存水位已降至二~三周低點(diǎn)。
中國(guó)的三大存儲(chǔ)芯片企業(yè)有望打破韓美日壟斷存儲(chǔ)芯片的局面
當(dāng)然中國(guó)的存儲(chǔ)芯片企業(yè)在投產(chǎn)后還需要在技術(shù)方面追趕韓美日等存儲(chǔ)芯片企業(yè),長(zhǎng)江存儲(chǔ)當(dāng)下準(zhǔn)備投產(chǎn)的為32層NAND flash而韓國(guó)三星去年就開(kāi)始大規(guī)模投產(chǎn)...
華為供應(yīng)商興森科技五大問(wèn)題“纏身”,國(guó)資解救或成黃粱一夢(mèng)
據(jù)報(bào)道,在中國(guó)集成電路設(shè)計(jì)業(yè)2018 年會(huì)暨珠海集成電路產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展高峰論壇上,珠海與8個(gè)重點(diǎn)項(xiàng)目進(jìn)行了簽約。簽約項(xiàng)目包括英諾賽科硅基氮化鎵外延和功率器...
外媒:存儲(chǔ)芯片行業(yè)的下滑已經(jīng)結(jié)束,DRAM預(yù)計(jì)在Q1季度價(jià)格上漲
全球最大的存儲(chǔ)芯片制造商三星電子發(fā)布的財(cái)報(bào)預(yù)測(cè)超出分析師預(yù)期,這是該公司業(yè)績(jī)反彈的最新跡象。同業(yè)競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手美光科技去年12月曾表示,該行業(yè)正在撐過(guò)最糟糕的日子。
深圳國(guó)資投資DRAM廠商,坂本幸雄加入昇維旭公司;三星停購(gòu)零組件 通知供貨商延后發(fā)貨
深圳國(guó)資投資DRAM廠商,坂本幸雄加入昇維旭公司;三星停購(gòu)零組件 通知供貨商延后發(fā)貨
全球10大Fabless公司最新排名:華為海思離亞洲老大只差一步
據(jù)IHS Markit報(bào)道,最近對(duì)市場(chǎng)狀況的擔(dān)憂加上平均銷售價(jià)格急劇下滑,將導(dǎo)致DRAM市場(chǎng)在2019年達(dá)到770億美元,同比下降22%。此外,DRAM...
2019-04-16 標(biāo)簽:DRAM存儲(chǔ)器IC設(shè)計(jì) 3.3萬(wàn) 0
ROM、RAM、DRAM、SRAM和FLASH的區(qū)別解析
NOR和NAND是現(xiàn)在市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開(kāi)發(fā)出NOR flash技術(shù),徹底改變了原先由EPROM和EEPRO...
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