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標(biāo)簽 > igbt模塊
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預(yù)計(jì)2022年全球IGBT市場規(guī)模將達(dá)60億美元
預(yù)計(jì)2022年全球IGBT市場規(guī)模將達(dá)到60億美元。全球IGBT市場的主要競爭者包括英飛凌、三菱電機(jī)、富士電機(jī)、安森美,以及ABB等企業(yè),前五大企業(yè)的市...
2019-08-16 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車智能電網(wǎng)IGBT 2.2萬 0
一文詳解IGBT模塊并聯(lián)動(dòng)態(tài)均流方法
動(dòng)態(tài)工作指電力電子器件的開通和關(guān)斷過程。IGBT的開關(guān)頻率越高,動(dòng)態(tài)均流問題對(duì)整個(gè)系統(tǒng)的影響就越大。
當(dāng)焊接面很大時(shí),因?yàn)楹附用娴臏囟茸冃蜗禂?shù)不同,所以在溫度變化時(shí),會(huì)產(chǎn)生焊接疲勞,直到脫焊。例如,不能使用這種焊接方法在銅底板上焊接大面積的陶瓷。
igbt模塊的作用是什么 IGBT模塊主要用于變頻器逆變和其他逆變電路。將直流電壓逆變成頻率可調(diào)的交流電。它有陰極,陽極,和控制極。關(guān)斷的時(shí)候其阻抗是非...
2023-05-17 標(biāo)簽:IGBT模塊 9789 0
盡管開關(guān)器件內(nèi)部工作機(jī)理不同,但對(duì)于緩沖電路的分析而言,則只需考慮器件的外特性,IGBT關(guān)斷時(shí)模型可以等效為電壓控制的電流源,開通時(shí)可以等效為電壓控制的電壓源。
IGBT國產(chǎn)化率加速攀升 IGBT國產(chǎn)化率有望達(dá)38%
? ? ? (報(bào)告出品方/作者:國金證券,樊志遠(yuǎn)、劉妍雪、鄧小路)
2022-05-27 標(biāo)簽:IGBTIGBT驅(qū)動(dòng)IGBT模塊 8557 0
功率半導(dǎo)體在經(jīng)歷了2017年的行業(yè)高點(diǎn)之后,整體營收開始逐漸下滑,在2019年第一季度增速進(jìn)入最低點(diǎn),至-3.47%,隨后開始回升,在2019年第三季度...
2020-05-07 標(biāo)簽:MOSFET功率半導(dǎo)體IGBT模塊 8188 0
功率器件作為電力電子裝置的核心器件,在設(shè)計(jì)及使用過程中如何保證其可靠運(yùn)行,一直都是研發(fā)工程師最為關(guān)心的問題。
2021-06-11 標(biāo)簽:功率器件IGBT模塊散熱系統(tǒng) 7752 0
功率器件如MOSFET和IGBT提供了快速開關(guān)速度,能夠耐受沒有規(guī)律的電壓峰值,被廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的設(shè)計(jì)。尤其最新第三代半導(dǎo)體SiC和GaN快速發(fā)...
明確機(jī)械分布和寄生影響,逆變器中每個(gè)IGBT/驅(qū)動(dòng)連接完全一樣,這樣器件的開關(guān)特性也相同。
2020-05-02 標(biāo)簽:IGBT模塊IGBT模塊驅(qū)動(dòng) 5240 0
IGBT模塊散熱不好溫度過熱造成的危害你知道么?IGBT模塊本身就有一定的功率,此模塊本身就會(huì)發(fā)熱,IGBT模塊整體性能和可靠性都受溫度影響。通常使用設(shè)...
IGBT模塊損壞時(shí),什么情況導(dǎo)致短路?什么情況導(dǎo)致開路?
IGBT模塊損壞時(shí),什么情況導(dǎo)致短路?什么情況導(dǎo)致開路?? IGBT模塊是一種功率模塊,用于高功率電子設(shè)備控制。當(dāng)IGBT模塊在使用過程中遭受損壞時(shí),可...
IGBT模塊的起源可以追溯到20世紀(jì)80年代,當(dāng)時(shí)日本的電子工程師們致力于克服傳統(tǒng)功率器件的局限性,尤其是普通雙極晶體管和場效應(yīng)晶體管(FET)。IGB...
我國擁有著最大的功率半導(dǎo)體市場,國內(nèi)廠商在IGBT等高端器件在技術(shù)上與國際大公司相比還有著一些差距。從市場上看,雖然英飛凌、 三菱和富士電機(jī)等國際廠商目...
igbt芯片、igbt單管、igbt模塊、igbt器件等這些的區(qū)別是什么?
igbt芯片、igbt單管、igbt模塊、igbt器件等這些的區(qū)別是什么? IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor...
Littelfuse的新型半橋IGBT模塊將額定電流提升至600A,確保靈活、高效、可靠的電源轉(zhuǎn)換
Littelfuse, Inc.今天宣布推出IGBT模塊功率半導(dǎo)體產(chǎn)品組合的最新產(chǎn)品系列——MG12600WB-BR2MM。 相比該產(chǎn)品組合之前產(chǎn)品的最...
2016-10-25 標(biāo)簽:功率半導(dǎo)體IGBT模塊MG12600WB 2950 0
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