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標(biāo)簽 > NOR flash
NOR Flash是一種非易失閃存技術(shù),是Intel在1988年創(chuàng)建。是市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)之一。
NOR Flash 的特點(diǎn)是芯片內(nèi)執(zhí)行(XIP ,eXecute In Place),這樣應(yīng)用程序可以直接在Flash閃存內(nèi)運(yùn)行,不必再把代碼讀到系統(tǒng)RAM中。NOR 的傳輸效率很高,在1~4MB的小容量時(shí)具有很高的成本效益,但是很低的寫入和擦除速度大大影響到它的性能。NAND的結(jié)構(gòu)能提供極高的單元密度,可以達(dá)到高存儲(chǔ)密度,并且寫入和擦除的速度也很快。應(yīng)用NAND的困難在于Flash的管理需要特殊的系統(tǒng)接口。通常讀取NOR的速度比NAND稍快一些,而NAND的寫入速度比NOR快很多,在設(shè)計(jì)中應(yīng)該考慮這些情況。
我們使用的智能手機(jī)除了有一個(gè)可用的空間(如蘋果8G、16G等),還有一個(gè)RAM容量,很多人都不是很清楚,為什么需要二個(gè)這樣的芯片做存儲(chǔ)呢,這就是我們下面...
2012-09-25 標(biāo)簽:flashNAND flashNOR flash 15.8萬 5
什么是nor flash方式打開電源 淺談nor flash原理及應(yīng)用
作為一個(gè)嵌入式產(chǎn)品,它的多樣性讓它更具有可玩性,以及更容易適應(yīng)不同的需求,它不像我們的PC啟動(dòng)方式相對(duì)比較單一(ROM啟動(dòng)),arm啟動(dòng)方式有從norf...
燒寫NOR Flash,Flash鎖死怎么辦 詳解NOR Flash燒寫方法
上面的代碼中第4個(gè)操縱周期中的ADDR是從ARM處理器的角度來看的BYTE地址, 由于在執(zhí)行寫操縱的時(shí)候,用戶??粗付ǖ氖菑?ARM 的角度看到的地址,...
norflash存儲(chǔ)器常見的8個(gè)特征是什么
上面的代碼中第4個(gè)操作周期中的ADDR是從ARM處理器的角度來看的BYTE地址, 由于在執(zhí)行寫操作的時(shí)候,用戶??粗付ǖ氖菑?ARM 的角度看到的地址,...
如何自動(dòng)識(shí)別是NOR flash 淺談NOR flash工作原理
在編程過程中從正在編程的地址中讀出的數(shù)據(jù)的DQ7為要寫入數(shù)據(jù)的補(bǔ)碼。比如寫入的數(shù)據(jù)為0x0000,及輸入的DQ7為‘0’,則在編程中讀出的數(shù)據(jù)為‘1’;...
Uboot下關(guān)于Nor Flash的驅(qū)動(dòng)問題
所謂的boot sect,是指的是Nor Flash和Nand Flash不太一樣。Nand Flash從開始到最后,都是由同樣大小的page所組成的。
2018-09-19 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)Nor Flash 7407 0
與NAND Flash相比,NOR Flash具有較低的存儲(chǔ)密度和較高的成本,但具有較快的讀取速度、較低的讀取延遲和較好的隨機(jī)訪問性能。
2024-02-19 標(biāo)簽:閃存存儲(chǔ)芯片非易失性存儲(chǔ)器 3623 0
什么是串行Nor Flash?串行Nor Flash的結(jié)構(gòu)和參數(shù)特性
引言:串行Nor Flash是一類使用比較多的存儲(chǔ)器件,在特殊應(yīng)用場(chǎng)景中具有不可替代的地位,本節(jié)是數(shù)字存儲(chǔ)器件系列第一節(jié),介紹串行Nor Flash的結(jié)...
淺談無線基礎(chǔ)設(shè)施中NOR Flash 存儲(chǔ)器的選擇標(biāo)準(zhǔn)
5G將在工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)、車輛間通信和互聯(lián)邊緣計(jì)算等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)大量新應(yīng)用。除了高帶寬和超低時(shí)延以外,這些應(yīng)用還需要具備另外兩個(gè)不太受關(guān)注的特性,即99.99x%...
國(guó)內(nèi)NOR Flash市場(chǎng)最新動(dòng)向?。ǜ綇S商列表)
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/李彎彎)隨著物聯(lián)網(wǎng)、TWS耳機(jī)、汽車電子等新興市場(chǎng)崛起,NOR Flash市場(chǎng)空間逐漸恢復(fù)。2019年更是表現(xiàn)極為明顯,電子發(fā)燒友...
2020-05-02 標(biāo)簽:NOR flash兆易創(chuàng)新TWS 3.2萬 0
關(guān)于NOR Flash的幾大應(yīng)用領(lǐng)域淺析
NOR Flash和NAND FLASH是目前兩種主要的非易失閃存技術(shù)。NAND FLASH具有“容量大、單位容量成本低”等特點(diǎn)是高數(shù)據(jù)存儲(chǔ)密度的理想解...
2021-03-23 標(biāo)簽:物聯(lián)網(wǎng)5GNOR flash 1.5萬 0
NOR Flash產(chǎn)能吃緊,逆市上揚(yáng)
同樣是存儲(chǔ)器芯片,DRAM產(chǎn)品的價(jià)格在持續(xù)下行,市場(chǎng)一片冰天雪地;而NOR Flash產(chǎn)品則在需求持續(xù)上漲的推動(dòng)下,價(jià)格企穩(wěn),且多家企業(yè)都由于供貨吃緊,...
2019-09-18 標(biāo)簽:DRAM存儲(chǔ)器藍(lán)牙耳機(jī) 1.3萬 0
5G芯片缺貨陰影下,國(guó)產(chǎn)廠商如何逆勢(shì)增長(zhǎng)助力5G應(yīng)用落地
5月26日,由電子發(fā)燒友主辦的2021年5G技術(shù)創(chuàng)新峰會(huì)的圓桌論壇上,來自東芯半導(dǎo)體股份有限公司副總經(jīng)理陳磊、深圳江波龍電子股份有限公司嵌入式存儲(chǔ)產(chǎn)品總...
2月13日,以半導(dǎo)體為代表的科技股依然強(qiáng)勢(shì),北京君正、兆易創(chuàng)新、蘇州固锝等個(gè)股均紛紛大漲,其中兆易創(chuàng)新漲幅超過9%,股價(jià)創(chuàng)歷史新高,每股收?qǐng)?bào)為317.9...
2020-02-13 標(biāo)簽:Nor Flash兆易創(chuàng)新市值 9862 0
MCU、NOR Flash漲價(jià)并持續(xù)供不應(yīng)求;電機(jī)汽車類應(yīng)用潛力大,頭部企業(yè)加速布局
日前,針對(duì)晶圓代工產(chǎn)能緊張是否會(huì)導(dǎo)致MCU缺貨或交付延遲,兆易創(chuàng)新董秘李紅表示,存量產(chǎn)能都在有序生產(chǎn),但是因?yàn)樾枨蠖送?,晶圓廠產(chǎn)能緊缺,要擴(kuò)產(chǎn)的話就會(huì)...
美光與賽普拉斯淡出NOR Flash領(lǐng)域,旺宏借機(jī)拓展市場(chǎng)!
新開發(fā)的極速8位元I/O NOR Flash,操作頻率達(dá)250MHz,數(shù)據(jù)傳輸速率達(dá)每秒500MB,可滿足汽車、工業(yè)等對(duì)快速啟動(dòng)及即時(shí)反應(yīng)需求。
高端NOR Flash格局生變?汽車電子是必爭(zhēng)之地!
汽車電子各功能單元的數(shù)據(jù)、程序存儲(chǔ)都需要更高性能的閃存,從而對(duì)非易失性存儲(chǔ)器件的需求形成海量增長(zhǎng)。汽車產(chǎn)業(yè)成為存儲(chǔ)芯片重要的新興增長(zhǎng)點(diǎn)和決定市場(chǎng)格局的重要力量。
24nm NAND Flash量產(chǎn)? 東芯半導(dǎo)體高容量存儲(chǔ)產(chǎn)品助力5G基站和可穿戴應(yīng)用
作為國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)芯片的重要廠商之一,東芯半導(dǎo)體在汽車存儲(chǔ)、5G基站存儲(chǔ)和物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用的存儲(chǔ)上頗有建樹。7月4日,東芯半導(dǎo)體副總經(jīng)理陳磊接受了<電子發(fā)燒友>的獨(dú)...
2020-07-07 標(biāo)簽:NAND FlashNOR Flash5G基站 6899 0
兆易創(chuàng)新NOR Flash市場(chǎng)份額突破至全球第四
2019年,兆易創(chuàng)新依據(jù)業(yè)務(wù)經(jīng)營(yíng)情況調(diào)整公司組織架構(gòu),組建完成了存儲(chǔ)+MCU+傳感器為核心的三大事業(yè)部架構(gòu),現(xiàn)有的業(yè)務(wù)布局分為存儲(chǔ)、MCU和傳感器三大方向。
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