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具有低導(dǎo)通電阻的GaN-on-SiC肖特基勢(shì)壘二極管設(shè)計(jì)
北京工業(yè)大學(xué)和中國(guó)北京大學(xué)報(bào)道了碳化硅襯底(GaN/SiC)上由氮化鎵制成的全垂直結(jié)構(gòu)肖特基勢(shì)壘二極管(SBD)的性能
碳化硅功率器件的技術(shù)、應(yīng)用與發(fā)展簡(jiǎn)析
碳化硅(SiC)是一種具有優(yōu)異物理特性的半導(dǎo)體材料,其高電子飽和遷移率、高熱導(dǎo)率、高擊穿場(chǎng)強(qiáng)和高電子飽和遷移率等特點(diǎn)使其在功率器件領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。
如何在linux系統(tǒng)配置交換分區(qū)(swap)呢?
SWAP(交換)分區(qū)是一種通過在硬盤中預(yù)先劃分一定的空間,然后將把內(nèi)存中暫時(shí)不常用的數(shù)據(jù)臨時(shí)存放到硬盤中
2023-11-14 標(biāo)簽:Linux系統(tǒng)交換機(jī)SBD 1393 0
IGBT分立器件一般由IGBT和續(xù)流二極管(FWD)構(gòu)成,續(xù)流二極管按材料可分為硅材料和碳化硅材料,按照器件結(jié)構(gòu)可分為PIN二極管和肖特基勢(shì)壘二極管(S...
SiC產(chǎn)品和Si產(chǎn)品的兩點(diǎn)比較 SiC肖特基勢(shì)壘二極管的特征
我們從SiC肖特基勢(shì)壘二極管(以下簡(jiǎn)稱“SBD”)的結(jié)構(gòu)開始介紹。如下圖所示,為了形成肖特基勢(shì)壘,將半導(dǎo)體SiC與金屬相接合(肖特基結(jié))。結(jié)構(gòu)與Si肖特...
肖特基二極管的關(guān)鍵參數(shù)和選型要點(diǎn)
提到低功耗、大電流、超高速半導(dǎo)體器件,很多工程師同學(xué)肯定能首先想到肖特基二極管(SBD)。但是,你真的會(huì)用肖特基二極管嗎?跟其他的二極管相比,肖特基二極...
2023-05-05 標(biāo)簽:變壓器二極管開關(guān)電源 6631 0
肖特基二極管是以其發(fā)明人肖特基博士(Schottky)命名的,SBD是肖特基勢(shì)壘二極管(SchottkyBarrierDiode,縮寫成SBD)的簡(jiǎn)稱。
淺談第三代SiC-SBD 提高追求高可靠性的設(shè)備的效率與安全余量
-進(jìn)入主題之前請(qǐng)您介紹了很多基礎(chǔ)內(nèi)容,下面請(qǐng)您介紹一下第三代SiC-SBD。SCS3系列被稱為“第三代”,首先請(qǐng)您講一講各“代”的歷史。前面讓我介紹基礎(chǔ)...
再次談及Si二極管,將說明肖特基勢(shì)壘二極管(以下簡(jiǎn)稱為SBD)的相關(guān)特征和應(yīng)用。 Si-SBD的特征:如前文所述,Si-SBD并非PN結(jié),而是利用硅稱之...
2023-02-09 標(biāo)簽:二極管SBD肖特基勢(shì)壘二極管 883 0
200V耐壓肖特基勢(shì)壘二極管:RBxx8BM200/RBxx8NS200
RBxx8BM200和RBxx8NS200是具有超低IR(反向電流)的肖特基勢(shì)壘二極管(SBD),且實(shí)現(xiàn)了200V耐壓的肖特基勢(shì)壘二極管的新產(chǎn)品。主要目...
SiC-SBD、Si?SBD、Si-PND的特征及優(yōu)勢(shì)
關(guān)于SiC-SBD,前面介紹了其特性、與Si二極管的比較、及當(dāng)前可供應(yīng)的產(chǎn)品。本篇將匯總之前的內(nèi)容,并探討SiC-SBD的優(yōu)勢(shì)。
2023-02-08 標(biāo)簽:SBDSiC肖特基勢(shì)壘二極管 1266 0
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