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二極管的主要參數(shù) 常用二極管的類型

二極管通常是由PN結(jié)加上電極引線和外殼制成的， **基本特性是單向?qū)щ娦?* 。

2023-10-25 標(biāo)簽：二極管 SBD 整流管 7124 0

肖特基二極管的關(guān)鍵參數(shù)和選型要點

提到低功耗、大電流、超高速半導(dǎo)體器件，很多工程師同學(xué)肯定能首先想到肖特基二極管（SBD）。但是，你真的會用肖特基二極管嗎？跟其他的二極管相比，肖特基二極...

2023-05-05 標(biāo)簽：變壓器二極管開關(guān)電源 6642 0

肖特基二極管的原理詳解

肖特基二極管是以其發(fā)明人肖特基博士(Schottky)命名的，SBD是肖特基勢壘二極管(SchottkyBarrierDiode,縮寫成SBD)的簡稱。...

2023-01-31 標(biāo)簽：二極管半導(dǎo)體 PN結(jié) 3488 0

肖特基二極管的原理和優(yōu)缺點

肖特基二極管是以其發(fā)明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基勢壘二極管（SchottkyBarrierDiode,縮寫成SBD）的簡稱。...

2023-07-27 標(biāo)簽：二極管半導(dǎo)體 PN結(jié) 3378 0

不同類型二極管的關(guān)斷行為

近年來，半導(dǎo)體行業(yè)最為火熱的話題非寬禁帶半導(dǎo)體莫屬，如碳化硅(SiC)。由于其優(yōu)越的物理和電氣特性，如高能量帶隙(eV)，高臨界擊穿場強(MV/cm)和...

2022-10-08 標(biāo)簽：二極管 MOSFET SBD 2329 0

肖特基二極管的反向恢復(fù)過程

SBD（Schottky Barrier Diode）是肖特基勢壘二極管的縮寫。

2023-04-06 標(biāo)簽：二極管半導(dǎo)體電壓 2027 0

肖特基二極管針腳數(shù)是指什么？

肖特基二極管是以其發(fā)明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基勢壘二極管（SchottkyBarrierDiode，縮寫成SBD）的簡稱。

2023-02-16 標(biāo)簽：變頻器晶體管肖特基二極管 2009 0

肖特基二極管的定義及結(jié)構(gòu)

肖特基二極管是以其發(fā)明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基勢壘二極管（SchottkyBarrierDiode,縮寫成SBD）的簡稱。...

2023-02-21 標(biāo)簽：二極管半導(dǎo)體 PN結(jié) 1819 0

200V耐壓肖特基勢壘二極管:RBxx8BM200/RBxx8NS200

RBxx8BM200和RBxx8NS200是具有超低IR（反向電流）的肖特基勢壘二極管（SBD），且實現(xiàn)了200V耐壓的肖特基勢壘二極管的新產(chǎn)品。主要目...

2023-02-09 標(biāo)簽：二極管 IR SBD 1559 0

【科普小貼士】什么是肖特基勢壘二極管（SBD）？

2023-12-13 標(biāo)簽：二極管半導(dǎo)體 SBD 1483 0

如何在linux系統(tǒng)配置交換分區(qū)（swap）呢？

SWAP（交換）分區(qū)是一種通過在硬盤中預(yù)先劃分一定的空間，然后將把內(nèi)存中暫時不常用的數(shù)據(jù)臨時存放到硬盤中

2023-11-14 標(biāo)簽：Linux系統(tǒng)交換機 SBD 1399 0

SiC-SBD、Si?SBD、Si-PND的特征及優(yōu)勢

關(guān)于SiC-SBD，前面介紹了其特性、與Si二極管的比較、及當(dāng)前可供應(yīng)的產(chǎn)品。本篇將匯總之前的內(nèi)容，并探討SiC-SBD的優(yōu)勢。

2023-02-08 標(biāo)簽：SBD SiC 肖特基勢壘二極管 1277 0

具有低導(dǎo)通電阻的GaN-on-SiC肖特基勢壘二極管設(shè)計

北京工業(yè)大學(xué)和中國北京大學(xué)報道了碳化硅襯底（GaN/SiC）上由氮化鎵制成的全垂直結(jié)構(gòu)肖特基勢壘二極管（SBD）的性能

2024-02-19 標(biāo)簽：SBD SiC GaN 1135 0

淺談第三代SiC-SBD 提高追求高可靠性的設(shè)備的效率與安全余量

－進入主題之前請您介紹了很多基礎(chǔ)內(nèi)容，下面請您介紹一下第三代SiC-SBD。SCS3系列被稱為“第三代”，首先請您講一講各“代”的歷史。前面讓我介紹基礎(chǔ)...

2023-02-16 標(biāo)簽：SBD SiC 1079 0

剖析SiC-MOSFET特征及其與Si-MOSFET的區(qū)別 2

本章將介紹部分SiC-MOSFET的應(yīng)用實例。其中也包括一些以前的信息和原型級別的內(nèi)容，總之希望通過這些介紹能幫助大家認識采用SiC-MOSFET的好處...

2023-02-06 標(biāo)簽：MOSFET SBD SiC-MOSFET 1027 0

SiC肖特基勢壘二極管和Si肖特基勢壘二極管的比較

繼SiC功率元器件的概述之后，將針對具體的元器件進行介紹。首先從SiC肖特基勢壘二極管開始。SiC肖特基勢壘二極管和Si肖特基勢壘二極管：下面從SiC肖...

2023-02-08 標(biāo)簽：二極管 SBD SiC 912 0

肖特基勢壘二極管的特征介紹

再次談及Si二極管，將說明肖特基勢壘二極管（以下簡稱為SBD）的相關(guān)特征和應(yīng)用。 Si-SBD的特征：如前文所述，Si-SBD并非PN結(jié)，而是利用硅稱之...

2023-02-09 標(biāo)簽：二極管 SBD 肖特基勢壘二極管 885 0

【科普小貼士】肖特基勢壘二極管（SBD）的反向恢復(fù)特性

2023-12-13 標(biāo)簽：二極管諧振電路 SBD 800 0

SiC-SBD與Si-PND的反向恢復(fù)特性比較

下面從SiC肖特基勢壘二極管（以下簡稱“SBD”）的結(jié)構(gòu)開始介紹。如下圖所示，為了形成肖特基勢壘，將半導(dǎo)體SiC與金屬相接合（肖特基結(jié)）。結(jié)構(gòu)與Si肖特...

2023-02-08 標(biāo)簽：二極管 PND SBD 793 0

碳化硅SBD反向恢復(fù)特性

SiC（碳化硅）是由硅和碳化物組成的化合物半導(dǎo)體。與硅相比，SiC具有許多優(yōu)勢，包括10倍的擊穿電場強度，3倍的帶隙，以及實現(xiàn)器件結(jié)構(gòu)所需的更廣泛的p型...

2023-02-03 標(biāo)簽：SBD SiC 碳化硅 791 0

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