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北京順義泰科天潤項(xiàng)目一期投資4億元,預(yù)計(jì)2028年達(dá)產(chǎn)

3月4日,北京順義消息顯示,順義區(qū)21個(gè)在建市區(qū)重點(diǎn)產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目全部復(fù)工復(fù)產(chǎn),其中包括泰科天潤建設(shè)公司總部、研發(fā)中心及8英寸SiC功率器件生產(chǎn)基地項(xiàng)目。

2024-03-11 標(biāo)簽:新能源汽車MOSFET晶圓 1033 0

ROHM推出實(shí)現(xiàn)業(yè)界超快trr的100V耐壓SBD

ROHM推出實(shí)現(xiàn)業(yè)界超快trr的100V耐壓SBD

二極管的種類有很多,其中高效率SBD被廣泛用于各種應(yīng)用。尤其是溝槽MOS結(jié)構(gòu)的SBD,其VF低于平面結(jié)構(gòu)的SBD,因此可以在整流等應(yīng)用中提高效率。而普通...

2024-03-15 標(biāo)簽:二極管MOSSBD 441 0

京瓷推出一種功率器件LPTO-263封裝

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功率器件,是指用于調(diào)控和變換電力的器件。從民生用品到工業(yè)設(shè)備,京瓷集團(tuán)一直向市場提供各種高品質(zhì)、高可靠性的節(jié)能型產(chǎn)品。

2024-02-23 標(biāo)簽:散熱片功率器件SBD 1042 0

羅姆推出新型SBD

來源:Silicon Semiconductor 非常適合汽車LED頭燈和其他高速開關(guān)應(yīng)用。 ROHM(羅姆)開發(fā)了100V擊穿肖特基勢壘二極管 (SB...

2024-02-21 標(biāo)簽:SBD羅姆 451 0

ROHM推出實(shí)現(xiàn)業(yè)界超快trr的100V耐壓SBD“YQ系列”

ROHM推出實(shí)現(xiàn)業(yè)界超快trr的100V耐壓SBD“YQ系列”

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)面向車載設(shè)備、工業(yè)設(shè)備、消費(fèi)電子設(shè)備等的電源電路和保護(hù)電路,推出trr*1超快的100V耐壓肖特基勢壘...

2024-01-24 標(biāo)簽:SBDRohm 506 0

液相法碳化硅單晶生長技術(shù)研究

液相法碳化硅單晶生長技術(shù)研究

碳化硅具有高熱導(dǎo)率、高擊穿電場、高飽和電子漂移速度、良好的耐輻射性和化學(xué)穩(wěn)定性、GaN的近晶格常數(shù)和熱膨脹系數(shù)等優(yōu)勢。

2023-12-18 標(biāo)簽:新能源汽車晶圓SBD 1374 0

SiC功率模塊中微米級Ag燒結(jié)連接技術(shù)的進(jìn)展

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功率密度的提高及器件小型化等因素使熱量的及時(shí)導(dǎo)出成為保證功率器件性能及可靠性的關(guān)鍵。

2023-12-13 標(biāo)簽:功率器件SBDSiC 942 0

【科普小貼士】肖特基勢壘二極管(SBD)的金屬差異

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2023-12-13 標(biāo)簽:二極管MOSFETSBD 622 0

ROHM | SiC MOSFET和SiC SBD成功應(yīng)用于Apex Microtechnology的工業(yè)設(shè)備功率模塊系列

? 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM的SiC MOSFET和SiC肖特基勢壘二極管(以下簡稱“SiC SBD”)已被成功應(yīng)用于大功率模擬模塊制造商Apex...

2023-09-14 標(biāo)簽:SBD功率模塊Rohm 639 0

肖特基二極管失效機(jī)理

肖特基二極管失效機(jī)理? 肖特基二極管(Schottky Barrier Diode, SBD)作為一種快速開關(guān)元件,在電子設(shè)備中得到了廣泛的應(yīng)用。但是,...

2023-08-29 標(biāo)簽:二極管肖特基二極管SBD 2189 0

面向氧化鎵功率器件的大尺寸氧化鎵單晶材料技術(shù)介紹

近日,“2023功率與光電半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)及集成應(yīng)用論壇”于西安召開。論壇由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟(CASA)指導(dǎo),西安交通大學(xué)、極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)...

2023-08-04 標(biāo)簽:MOSFETSBDSiC 584 0

瑞能半導(dǎo)體亮相SNEC 2023光伏展

? 瑞能半導(dǎo)體將亮相5月24-26日在上海新國際博覽中心盛大舉行的SNEC 2023光伏展(展位:N5-803),同全球從業(yè)者交流光伏產(chǎn)業(yè)未來市場趨勢分...

2023-05-23 標(biāo)簽:光伏SBDSiC 1349 0

國星光電SiC-SBD通過車規(guī)級認(rèn)證

國星光電SiC-SBD通過車規(guī)級認(rèn)證

來源:國星光電官微 近日,國星光電開發(fā)的1200V/10A SiC-SBD(碳化硅-肖特基二極管)器件成功通過第三方權(quán)威檢測機(jī)構(gòu)可靠性驗(yàn)證,并獲得AEC...

2023-03-14 標(biāo)簽:新能源SBDSiC 565 0

瞻芯電子完成數(shù)億元B輪融資為國產(chǎn)碳化硅(SiC)功率器件加碼

近日,上海瞻芯電子科技有限公司(簡稱“ 瞻芯電子 ”)完成數(shù)億元B輪融資,本輪融資由國方創(chuàng)新領(lǐng)投,國中資本、臨港新片區(qū)基金、金石投資、鐘鼎資本、長石資本...

2023-03-07 標(biāo)簽:MOSFET功率器件SBD 1265 0

SiC SBD成功應(yīng)用于村田數(shù)據(jù)中心電源模塊

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2023-03-03 標(biāo)簽:數(shù)據(jù)中心電源模塊SBD 716 0

ROHM的SiC SBD成功應(yīng)用于村田制作所集團(tuán)旗下企業(yè)的數(shù)據(jù)中心電源模塊

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全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)開發(fā)的第3代SiC肖特基二極管(以下簡稱“SBD”)成功應(yīng)用于Murata Power Solutio...

2023-03-02 標(biāo)簽:數(shù)據(jù)中心電源模塊SBD 551 0

SiC-SBD的可靠性試驗(yàn)

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SiC作為半導(dǎo)體材料的歷史不長,與Si功率元器件相比其實(shí)際使用業(yè)績還遠(yuǎn)遠(yuǎn)無法超越,可能是其可靠性水平還未得到充分認(rèn)識。這是ROHM的SiC-SBD可靠性...

2023-02-08 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體SBD 555 0

在車載市場中擁有豐碩業(yè)績的小型高效SBD“RBR/RBQ系列”產(chǎn)品陣容進(jìn)一步壯大

在車載市場中擁有豐碩業(yè)績的小型高效SBD“RBR/RBQ系列”產(chǎn)品陣容進(jìn)一步壯大

通過采用新工藝,RBR系列和RBQ系列的芯片性能都得到很大提升,與ROHM以往產(chǎn)品相比,效率提高了25%。

2021-08-06 標(biāo)簽:SBD肖特基勢壘二極管 1157 0

第三代半導(dǎo)體高速成長GaN功率元件今年產(chǎn)值可望大增9成

2021年6月,富士經(jīng)濟(jì)對SiC(碳化硅)、Si(硅)功率半導(dǎo)體等下一代功率半導(dǎo)體的全球市場進(jìn)行了調(diào)查。功率半導(dǎo)體市場預(yù)計(jì)到 2030 年將達(dá)到 404...

2021-06-23 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體IGBT 2218 0

SBD器件中的肖特基二極管漏電流機(jī)制

SBD器件中的肖特基二極管漏電流機(jī)制

根據(jù)《漲知識啦》第32期可知,隨著反向偏壓的增大,肖特基二極管漏電流的增幅遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過了耗盡區(qū)內(nèi)空間電荷產(chǎn)生電流的水平,隨后,研究人員發(fā)現(xiàn)在肖特基勢壘二極管...

2021-05-12 標(biāo)簽:二極管SBD 4259 0

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    28nm
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    從背景上看,28nm誕生于2008年那場金融危機(jī)之后。受到金融海嘯的影響,當(dāng)時(shí)很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是,在這之后的幾年,包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運(yùn)營資金壓力,將更多的資源集中到相對投入到芯片設(shè)計(jì)當(dāng)中
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    TI是富有遠(yuǎn)見的企業(yè),我們是敢于開拓的創(chuàng)新者。作為一個(gè)業(yè)務(wù)運(yùn)營覆蓋 35 個(gè)國家的全球性半導(dǎo)體企業(yè),員工是我們的立足之本。德州儀器(TI)的員工是我們深厚的企業(yè)文化的重要體現(xiàn)。無論是1958年第一位發(fā)明集成電路的TI員工,還是如今遍布全球負(fù)責(zé)設(shè)計(jì)、制造以及銷售模擬與嵌入式處理芯片的30,000多名TI成員。 TI是一家全球性半導(dǎo)體設(shè)計(jì)與制造公司:業(yè)務(wù)覆蓋超過35個(gè)國家、服務(wù)全球各地超過10萬家客戶、擁有85年的創(chuàng)新歷史、超過10萬種模擬集成電路、嵌入式處理器以及軟件和工具。
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      柵極驅(qū)動器是一個(gè)用于放大來自微控制器或其他來源的低電壓或低電流的緩沖電路。在某些情況下,例如驅(qū)動用于數(shù)字信號傳輸?shù)倪壿嬰娖骄w管時(shí),使用微控制器輸出不會損害應(yīng)用的效率、尺寸或熱性能。在高功率應(yīng)用中,微控制器輸出通常不適合用于驅(qū)動功率較大的晶體管。
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    Mobileye在單目視覺高級駕駛輔助系統(tǒng) (ADAS) 的開發(fā)方面走在世界前列,提供芯片搭載系統(tǒng)和計(jì)算機(jī)視覺算法運(yùn)行 DAS 客戶端功能,例如車道偏離警告 (LDW)、基于雷達(dá)視覺融合的車輛探測、前部碰撞警告 (FCW)、車距監(jiān)測 (HMW)、行人探測、智能前燈控制 (IHC)、交通標(biāo)志識別 (TSR)、僅視覺自適應(yīng)巡航控制 (ACC) 等。
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