蘋(píng)果新款iPad預(yù)計(jì)將在3月底或4月發(fā)布，具體時(shí)間還需等待蘋(píng)果官方確認(rèn)。據(jù)多方消息透露，新款iPad將搭載最新的M3芯片，帶來(lái)更加強(qiáng)勁的性能和能效表現(xiàn)。同時(shí)，新款iPad還可能配備OLED顯示屏等先進(jìn)技術(shù)，為用戶提供更加出色的視覺(jué)體驗(yàn)。
2024-03-13 17:36:04
318 全球知名半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商Vishay日前宣布推出其最新型的多功能30V N溝道TrenchFET?第五代功率MOSFET——Vishay Siliconix SiSD5300DN。這款新型功率
2024-03-12 10:38:14102 近日，全球知名的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商Vishay宣布推出新型80V對(duì)稱雙通道N溝道功率MOSFET，型號(hào)為SiZF4800LDT。這款新產(chǎn)品將高邊和低邊TrenchFET? Gen IV
2024-03-12 10:32:0293 近日，全球知名的半導(dǎo)體及組件制造商Vishay宣布推出五款新型半橋IGBT功率模塊，這些模塊采用了經(jīng)過(guò)改良設(shè)計(jì)的INT-A-PAK封裝。新款產(chǎn)品系列包括VS-GT100TS065S
2024-03-12 10:29:3891 搭載M3芯片的新款MacBook Air在北京時(shí)間2024年3月4日晚間正式發(fā)布。這次發(fā)布的新款MacBook Air在硬件配置上實(shí)現(xiàn)了全面升級(jí)，不僅搭載了蘋(píng)果自家研發(fā)的M3芯片，更在續(xù)航、網(wǎng)絡(luò)攝像頭、Wi-Fi網(wǎng)絡(luò)等方面進(jìn)行了優(yōu)化。
2024-03-11 17:23:08526 Vishay近期發(fā)布五款新型半橋IGBT功率模塊，其改良設(shè)計(jì)的INT-A-PAK封裝備受矚目。這五款器件，包括VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S等，均運(yùn)用Vishay領(lǐng)先
2024-03-08 11:45:51266 意法半導(dǎo)體（下文為ST）的功率MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器旨在提供穩(wěn)健性、可靠性、系統(tǒng)集成性和靈活性的完美結(jié)合。
2024-02-27 09:05:36578 
在關(guān)斷狀態(tài)下，功率MOSFET的體二極管結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)是為了阻斷最小漏極-源極電壓值。MOSFET體二極管的擊穿或雪崩表明反向偏置體二極管兩端的電場(chǎng)使得漏極和源極端子之間有大量電流流動(dòng)。典型的阻斷狀態(tài)漏電流在幾十皮安到幾百納安的數(shù)量級(jí)。
2024-02-23 09:38:53343 
Vishay 推出多功能新型 30 V N 溝道 TrenchFET 第五代功率 MOSFET，進(jìn)一步提高工業(yè)、計(jì)算機(jī)、消費(fèi)電子和通信應(yīng)用的功率密度，增強(qiáng)熱性能。
2024-02-22 17:11:08353 
MOSFET功率放大器是一種使用MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）技術(shù)的電子設(shè)備，用于增強(qiáng)輸入信號(hào)的幅度。MOSFET放大器是音頻源如唱片播放器或CD播放器以及均衡器、前置放大器和揚(yáng)聲器等其他設(shè)備的重要組成部分。
2024-02-19 15:50:56476 
引言：EV和充電樁將成為IGBT和MOSFET最大單一產(chǎn)業(yè)鏈?zhǔn)袌?chǎng)！EV中的電機(jī)控制系統(tǒng)、引擎控制系統(tǒng)、車身控制系統(tǒng)均需使用大量的半導(dǎo)體功率器件，它的普及為汽車功率半導(dǎo)體市場(chǎng)打開(kāi)了增長(zhǎng)的窗口。充電
2024-02-19 12:28:04191 
英飛凌科技股份公司近日發(fā)布了全新的CoolSiC? 2000V SiC MOSFET系列。這款產(chǎn)品采用了先進(jìn)的TO-247PLUS-4-HCC封裝，規(guī)格為12-100mΩ，旨在滿足高壓應(yīng)用的需求。
2024-02-01 10:51:00381 功率MOSFET是一種廣泛應(yīng)用于電力電子轉(zhuǎn)換器的高性能開(kāi)關(guān)器件。它具有高輸入阻抗、低導(dǎo)通電阻、快速開(kāi)關(guān)速度和良好的熱穩(wěn)定性等特點(diǎn)，因此在各種高壓、高頻、高效率的電源系統(tǒng)中發(fā)揮著重要作用。 結(jié)構(gòu)
2024-01-17 17:24:36294 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《FP6151內(nèi)置內(nèi)部功率MOSFET產(chǎn)品手冊(cè)》資料免費(fèi)下載
2024-01-15 14:47:23
0 英飛凌推出業(yè)內(nèi)首款采用全新 OptiMOS 7 技術(shù)的 15 V 溝槽功率 MOSFET。這項(xiàng)技術(shù)經(jīng)過(guò)系統(tǒng)和應(yīng)用優(yōu)化，主要應(yīng)用于服務(wù)器和計(jì)算應(yīng)用中的低輸出電壓 DC-DC 轉(zhuǎn)換。英飛凌是首家推出15
2023-12-29 12:30:49362 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）在我們談?wù)摰谌雽?dǎo)體的時(shí)候，常說(shuō)的碳化硅功率器件一般是指代SiC MOSFET（金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管），而氮化鎵功率器件最普遍的則是GaN HEMT（高電子
2023-12-27 09:11:361219 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《AT32F435 & AT32F437入門(mén)使用指南.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-12-18 11:13:131 如何避免功率MOSFET發(fā)生寄生導(dǎo)通?
2023-12-06 18:22:24522 
功率MOSFET在電力電子設(shè)備中應(yīng)用十分廣泛，因其故障而引起的電子設(shè)備損壞也比較常見(jiàn)。分析研究功率MOSFET故障的原因、后果，對(duì)于MOSFET的進(jìn)一步推廣應(yīng)用具有重要意義。
2023-12-04 15:57:241113 
功率MOSFET雪崩特性分析
2023-12-04 14:12:36315 
問(wèn)題1：在功率MOSFET管應(yīng)用中，主要考慮哪些參數(shù)？在負(fù)載開(kāi)關(guān)的功率MOSFET管導(dǎo)通時(shí)間計(jì)算，通常取多少比較好？相應(yīng)的PCB設(shè)計(jì)，銅箔面積布設(shè)多大散熱會(huì)比較好？漏極、源極銅箔面積大小是否需要一樣？有公式可以計(jì)算嗎？
2023-12-03 09:30:40408 
功率MOSFET零電壓軟開(kāi)關(guān)ZVS的基礎(chǔ)認(rèn)識(shí)
2023-11-23 09:06:38407 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《用TrenchFET IV功率MOSFET系列設(shè)計(jì)更綠色、更小的電源.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-11-13 15:11:290 高壓功率MOSFET管早期主要為平面型結(jié)構(gòu)，采用厚低摻雜的N-外延層epi，保證器件具有足夠擊穿電壓，低摻雜N-外延層epi尺寸越厚，耐壓額定值越大，但是，導(dǎo)通電阻隨電壓以2.4-2.6次方增長(zhǎng)，導(dǎo)通電阻急劇增大，電流額定值降低。
2023-11-04 08:46:121426 
MOSFET中文名為金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管或MOS管，可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管。而功率MOSFET則指處于功率輸出級(jí)的MOSFET器件，通常工作電流大于1A。
2023-11-03 09:38:34196 
功率MOSFET是便攜式設(shè)備中大功率開(kāi)關(guān)電源的主要組成部分。此外，對(duì)于散熱量極低的筆記本電腦來(lái)說(shuō)，這些MOSFET是最難確定的元件。本文給出了計(jì)算MOSFET功耗以及確定其工作溫度的步驟，并通過(guò)
2023-11-01 08:24:31345 
1、SiC MOSFET對(duì)器件封裝的技術(shù)需求
2、車規(guī)級(jí)功率模塊封裝的現(xiàn)狀
3、英飛凌最新SiC HPD G2和SSC封裝
4、未來(lái)模塊封裝發(fā)展趨勢(shì)及看法
2023-10-27 11:00:52419 
功率MOSFET選型的幾點(diǎn)經(jīng)驗(yàn)在此，根據(jù)學(xué)到的理論知識(shí)和實(shí)際經(jīng)驗(yàn)，和廣大同行一起分享、探討交流下功率MOSFET的選型。由于相應(yīng)理論技術(shù)文章有很多介紹MOSFET參數(shù)和性能的，這里不作贅述，只對(duì)實(shí)際
2023-10-26 08:02:47373 
AT32F435 & AT32F437入門(mén)使用指南旨在讓用戶快速使用AT32F435xx /AT32F437xx 進(jìn)行項(xiàng)目開(kāi)發(fā)，AT32F437 相較于AT32F435 增加了以太網(wǎng)（EMAC）功能。
2023-10-26 06:58:03
在此，根據(jù)學(xué)到的理論知識(shí)和實(shí)際經(jīng)驗(yàn)，和廣大同行一起分享、探討交流下功率MOSFET的選型。
2023-10-25 10:43:16765 
和小功率MOSFET類似，功率MOSFET也有分為N溝道和P溝道兩大類;每個(gè)大類又分為增強(qiáng)型和耗盡型兩種。
2023-10-25 10:42:27493 
AT32F435/437xx的通用功能I/O (GPIO)提供了一系列與外部環(huán)境通訊的接口，可用于MCU與其他嵌入式設(shè)備之間通過(guò)數(shù)字或模擬方式的通訊。AT32F435/437xx系列的GPIO還提
2023-10-25 08:23:14
AT32F435/437 ADC使用指南主要以ADC的特色功能進(jìn)行講解和案列解析。
2023-10-25 08:08:34
AT32F435/437 Performance Improvement描述了如何通過(guò)軟件方法改善AT32F435_437的運(yùn)行效能。
2023-10-25 07:37:21
AT32F435/437 EDMA使用指南本文主要就EDMA 的基本功能進(jìn)行講解和案列解析。
2023-10-25 07:24:35
AT32F435/437 Security Library Application Note主要在闡述AT32F435/437系列安全庫(kù)區(qū)的應(yīng)用原理、軟件使用方法及范例程序。
2023-10-25 07:22:40
AT32F435/437 OTGFS Application Note主要描述AT32 OTGFS 外設(shè)特性，OTGFS 支持主機(jī)和設(shè)備模式。
2023-10-25 07:01:37
AT32F435/437時(shí)鐘配置主要介紹兩部分內(nèi)容：1、基于雅特力提供的V2.x.x 的板級(jí)支持包來(lái)進(jìn)行時(shí)鐘源碼的配置及修改2、如何使用配套的時(shí)鐘配置工具來(lái)進(jìn)行時(shí)鐘路徑及參數(shù)的設(shè)定，生成相應(yīng)的時(shí)鐘流程代碼并使用。
2023-10-25 06:18:06
這篇應(yīng)用筆記展示了 AT32F437 系列的各種功能，配有多個(gè)案例，每個(gè)案例均配有軟硬件設(shè)計(jì)，且有詳細(xì)注釋及說(shuō)明。這些實(shí)例涵蓋了 AT32F437 大部分高級(jí)功能，并且提供很多實(shí)用級(jí)別的程序。所有實(shí)例在 MDK5 編譯器下編譯通過(guò)，只需下載程序到 AT-SURF-F437 開(kāi)發(fā)板，即可實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證。
2023-10-24 08:29:15
汽車電子MOSFET發(fā)展的一個(gè)最終方向是提高感測(cè)、控制和保護(hù)功率開(kāi)關(guān)的性能。功率器件正集成到智能化車載系統(tǒng)中?，F(xiàn)在在最低功率級(jí)別，MOSFET可以與功率器件上的感測(cè)元件一起使用。
2023-10-20 11:44:58148 
眾所周知，由于采用了絕緣柵，功率MOSFET器件只需很小的驅(qū)動(dòng)功率，且開(kāi)關(guān)速度優(yōu)異?？梢哉f(shuō)具有“理想開(kāi)關(guān)”的特性。其主要缺點(diǎn)是開(kāi)態(tài)電阻(RDS(on))和正溫度系數(shù)較高。本教程闡述了高壓N型溝道功率
2023-10-18 09:11:42621 
MOSFET也已經(jīng)發(fā)展到了第3代，新推出的650V和1200V電壓產(chǎn)品現(xiàn)已量產(chǎn)。其柵極驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單，可靠性得到進(jìn)一步的提高。 碳化硅MOSFET的優(yōu)勢(shì) 相同功率等級(jí)的硅MOSFET相比，新一代碳化硅MOSFET導(dǎo)通電阻、開(kāi)關(guān)損耗大幅降低，適用于更高的工作頻率，
2023-10-17 23:10:02268 
中壓MOSFET，是美格納40~200V溝槽MOSFET的尖端產(chǎn)品組合。 在大功率設(shè)備中，能源效率對(duì)于降低功耗和確保穩(wěn)定性至關(guān)重要。利用美格納尖端的溝槽式MOSFET技術(shù)，這些新發(fā)布的第8代150V MXT MV
2023-10-12 17:15:09736 想入手一款示波器使用頻率很少 ，一個(gè)月可嫩只用一兩次。
但是還是挺需要的就看了一款二手的 ，示波器覺(jué)得可以用。
但是看了一些新款的感覺(jué)功能更多 有必要選擇新款的嗎 ？
沒(méi)用過(guò)所有需要請(qǐng)教一下
看了ds5000系列現(xiàn)在用過(guò)時(shí)嗎
組要用于看看一些簡(jiǎn)單的模擬電路
和一些小的嵌入式 esp32 stm32等
2023-10-10 23:38:04
MOSFET功率損耗的詳細(xì)計(jì)算
2023-09-28 06:09:39
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《P溝道增強(qiáng)模式功率MOSFET G040P04M規(guī)格書(shū).pdf》資料免費(fèi)下載
2023-09-19 17:29:110 如何避免功率MOSFET發(fā)生寄生導(dǎo)通?
2023-09-18 16:54:35590 
V Vishay?推出新型 6 A、20 A 和 25 A microBRICK 同步降壓穩(wěn)壓器，用來(lái)提高負(fù)載點(diǎn) (POL) 轉(zhuǎn)換器的功率密度和效率。 Vishay SiliconixSiC931
2023-09-15 10:41:09545 
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 08:19:34
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高電壓功率MOSFET，根據(jù)P&S的超結(jié)原理。報(bào)價(jià)設(shè)備提供了快速切換的所有好處并且導(dǎo)通電阻低，使其特別適用于需要更多高效，更緊湊，LED照明，高
性能適配器等。
2023-09-15 08:16:02
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 06:19:23
這些超結(jié)快速恢復(fù)硅基功率MOSFET兼具超低恢復(fù)電荷（Qrr）和超快快恢復(fù)時(shí)間（trr），以及出色的品質(zhì)因數(shù)（RDS(on) x Qg），能夠?yàn)橐髧?yán)苛的橋式拓?fù)浜蚙VS相移轉(zhuǎn)換器帶來(lái)極高的效率
2023-09-08 06:00:53
? 【 2023 年 8 月 3 日，德國(guó)慕尼黑訊】 小型分立式功率MOSFET在節(jié)省空間、降低成本和簡(jiǎn)化應(yīng)用設(shè)計(jì)方面發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。此外，更高的功率密度還能實(shí)現(xiàn)靈活的布線并縮小系統(tǒng)的整體尺寸
2023-09-06 14:18:431202 
功率MOSFET是便攜式設(shè)備中大功率開(kāi)關(guān)電源的主要組成部分。此外，對(duì)于散熱量極低的筆記本電腦來(lái)說(shuō)，這些MOSFET是最難確定的元件。本文給出了計(jì)算MOSFET功耗以及確定其工作溫度的步驟，并通過(guò)多相、同步整流、降壓型CPU核電源中一個(gè)30A單相的分布計(jì)算示例，詳細(xì)說(shuō)明了上述概念。
2023-09-06 09:14:32446 
model 3新款什么時(shí)候出 今日特斯拉發(fā)布新款Model 3煥新版25.99萬(wàn) 很多人都在關(guān)注model 3新款什么時(shí)候出？心心念念的Model 3煥新版今天終于來(lái)了。 今日特斯拉發(fā)布新款
2023-09-01 17:06:47808 
雪崩強(qiáng)度是MOSFET的一種特性。在MOSFET的漏極和源極之間施加超過(guò)VDSS的電壓，但是MOSFET的性能沒(méi)有被破壞。此時(shí)施加在其上的能量稱為雪崩能量[Avalanche energy]，流過(guò)的電流稱為雪崩電流[Avalanche current]。有些MOSFET的spec中不保證雪崩能力。
2023-08-31 10:18:24501 
為了劃分所涉及的功率并創(chuàng)建可以承受更多功率的器件，開(kāi)關(guān)、電阻器和 MOSFET 并聯(lián)連接。
2023-08-29 11:47:48302 
垂直導(dǎo)電平面結(jié)構(gòu)功率MOSFET管水平溝道直接形成JFET效應(yīng)，如果把水平的溝道變?yōu)榇怪睖系?，從?cè)面控制溝道，就可以消除JFET效應(yīng)。
2023-08-28 10:10:392920 
功率MOSFET數(shù)據(jù)表參數(shù)
2023-08-24 09:13:06552 
隨著現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)小型化和高效率的要求不斷提高,對(duì)電源管理芯片的技術(shù)也提出了更高要求。針對(duì)此趨勢(shì),安森德半導(dǎo)體公司推出了新一代異步整流MOSFET—ASDM100R090NKQ。這款100V N溝道功率MOSFET憑借其卓越的靜態(tài)和動(dòng)態(tài)性能參數(shù),將助您的設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)更高功率密度和轉(zhuǎn)換效率。
2023-08-14 15:04:45367 
這是Mosfet功率放大器5200W RMS的電路設(shè)計(jì)，原理圖是單通道的。該電路使用 16x IRFP250 在 2 歐姆負(fù)載下獲得 5200W RMS 功率輸出。
2023-07-31 16:18:07845 
使用AT32F437板上只預(yù)留了一個(gè)USB口，只有D+ D-兩根數(shù)據(jù)線，需要根據(jù)要求，切換主機(jī)或從機(jī)功能。
2023-07-31 15:04:45559 這是600W MOSFET功率放大器的電路圖。該電路將為阻抗為 4 歐姆的揚(yáng)聲器提供超過(guò) 600 瓦的音頻輸出。該高功率放大器電路僅在輸出級(jí)使用6個(gè)N溝道MOSFET IRFP450，即可為您提
2023-07-28 17:04:191357 
MOSFET是電路中非常常見(jiàn)的元件，常用于信號(hào)開(kāi)關(guān)、功率開(kāi)關(guān)、電平轉(zhuǎn)換等各種用途。由于MOSFET的型號(hào)眾多，應(yīng)用面廣，本文將詳細(xì)介紹MOSFET選型原則以及mosfet選型要考慮的因素。
2023-07-20 16:33:44734 日前發(fā)布的Vishay General Semiconductor整流器首度采用Vishay新型Power DFN系列DFN3820A封裝，占位面積3.8 mm x 2.0 mm，典型厚度僅為
2023-07-07 10:00:39447 
及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目、研發(fā)中心建設(shè)及第三代半導(dǎo)體功率器件研發(fā)項(xiàng)目等。 華羿微電成立于2017年，是一家聚焦高性能功率器件研發(fā)、設(shè)計(jì)、封裝測(cè)試、銷售為主的半導(dǎo)體企業(yè)，主要產(chǎn)品包括自有品牌的SGT MOSFET、Trench MOSFET等功率器件和硅基MOSFET及模塊、IGBT、二極管
2023-07-06 16:45:02520 
研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目、研發(fā)中心建設(shè)及第三代半導(dǎo)體功率器件研發(fā)項(xiàng)目等。 ? 華羿微電成立于2017年，是一家聚焦高性能功率器件研發(fā)、設(shè)計(jì)、封裝測(cè)試、銷售為主的半導(dǎo)體企業(yè)，主要產(chǎn)品包括自有品牌的SGT MOSFET、Trench MOSFET等功率器件和硅基MOSFET及模塊、IGB
2023-07-06 01:16:001409 
MOSFET的漏伏安特性（輸出特性）：截止區(qū)（對(duì)應(yīng)GTR的截止區(qū)）;飽和區(qū)（對(duì)應(yīng)于GTR的放大區(qū)）;非飽和區(qū)（對(duì)應(yīng)于GTR的飽和區(qū)）。功率MOSFET在開(kāi)關(guān)狀態(tài)下工作，即截止區(qū)域和不飽和區(qū)之間的轉(zhuǎn)換
2023-07-04 16:46:37975 
功率MOSFET的UIS雪崩損壞有三種模式：熱損壞、寄生三極管導(dǎo)通損壞和VGS尖峰誤觸發(fā)導(dǎo)通損壞。
2023-06-29 15:40:541276 
功率 MOSFET 即金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（ Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor ）有三個(gè)管腳，分別為柵極（ Gate
2023-06-28 08:39:353665 
功率MOSFET最常用于開(kāi)關(guān)型應(yīng)用中，發(fā)揮著開(kāi)關(guān)的作用。
2023-06-27 17:41:20369 
UTC 10N65-ML是一款高壓功率MOSFET，它結(jié)合了先進(jìn)的溝槽MOSFET，設(shè)計(jì)具有更好的特性，如快速開(kāi)關(guān)時(shí)間、低柵極電荷、低導(dǎo)通狀態(tài)電阻和高崎嶇雪崩特性。這種功率MOSFET通常用于開(kāi)關(guān)電源和適配器的高速開(kāi)關(guān)應(yīng)用。?
2023-06-14 16:45:450 Vishay VOMDA1271 器件通過(guò) AEC-Q102 認(rèn)證 開(kāi)關(guān)速度和開(kāi)路輸出電壓（8.5V）達(dá)到業(yè)內(nèi)先進(jìn)水平 Vishay? 推出一款業(yè)內(nèi)先進(jìn)的新型汽車級(jí)光電壓輸出光耦，用于 MOSFET
2023-06-09 10:10:01426 
Vishay VOMDA1271 器件通過(guò) AEC-Q102 認(rèn)證 開(kāi)關(guān)速度和開(kāi)路輸出電壓（8.5V）達(dá)到業(yè)內(nèi)先進(jìn)水平 Vishay? 推出一款業(yè)內(nèi)先進(jìn)的新型汽車級(jí)光伏 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器
2023-06-08 19:55:02374 
功率MOSFET即金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）有三個(gè)管腳，分別為柵極（Gate
2023-06-05 15:12:10671 
我們將討論設(shè)計(jì)MOSFET功率放大器電路時(shí)必須考慮的各種參數(shù)，還分析了雙極結(jié)型晶體管（BJT）和MOSFET特性之間的差異，并了解了為什么MOSFET更適合功率放大器應(yīng)用并使其更有效。
2023-06-05 09:07:19737 
Vishay ?MCB ISOA 器件通過(guò) AEC-Q200 認(rèn)證 采用 SOT-227 小型封裝 可直接安裝在散熱器上 具有高脈沖處理能力 功率耗散達(dá) 120 W Vishay? 推出一款通過(guò)
2023-06-03 08:25:02533 
Vertical MOSFET（垂直MOSFET） 5. Power MOSFET（功率MOSFET） 6. Junction Field Effect Transistor (JFET)（結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管
2023-06-02 14:15:36937 在這篇文章中，我們將討論設(shè)計(jì)MOSFET功率放大器電路時(shí)必須考慮的各種參數(shù)。我們還分析了雙極結(jié)型晶體管（BJT）和MOSFET特性之間的差異，并了解了為什么MOSFET更適合功率放大器應(yīng)用并使其更有效。
2023-05-24 17:25:422111 
分享功率MOSFET驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路方案大全，希望能幫助大家
2023-05-24 10:22:02
這款簡(jiǎn)單的MOSFET功率音頻放大器電路具有TL071C和2個(gè)MOSFET（IRF9530和IRF530），可在45Ω揚(yáng)聲器上提供高達(dá)8W的功率，在70Ω揚(yáng)聲器上提供高達(dá)4W的功率。該原理圖
2023-05-23 16:50:331164 
半導(dǎo)體功率器件主要包括功率二極管、功率三極管、晶閘管、MOSFET、IGBT等。其中MOSFET和IGBT屬于電壓控制型開(kāi)關(guān)器件，具有開(kāi)關(guān)速度快、易于驅(qū)動(dòng)、損耗低等優(yōu)勢(shì)。IGBT全稱是絕緣柵極
2023-05-18 09:51:583446 
同步整流技術(shù)就是用功率MOSFET代替普通二極管或者肖特基二極管進(jìn)行整流,所以,研究同步整流技術(shù),就必須首先深入地了解同步整流器件,即功率MOSFET。
2023-05-18 09:10:06421 
功率MOSFET的雪崩強(qiáng)度限值是衡量器件針對(duì)于感性負(fù)載在開(kāi)關(guān)動(dòng)作應(yīng)用中的重要參數(shù)。 清楚地理解雪崩強(qiáng)度的定義，失效的現(xiàn)象及評(píng)估的方法是功率MOSFET電路設(shè)計(jì)必備的能力。 本文將以下面三個(gè)方面進(jìn)行探討。
2023-05-15 16:17:451133 
在功率MOSFET的數(shù)據(jù)手冊(cè)中會(huì)有一個(gè)看似復(fù)雜的SOA（Safe Operation Area）圖片，這個(gè)安全工作區(qū)域圖告訴我們只有MOSFET工作在曲線內(nèi)才是安全可靠的。如下面的Nexperia的NMOS管PHB32N06LT的SOA圖。
2023-05-15 16:16:311174 
數(shù)據(jù)手冊(cè)就是電子元件的使用說(shuō)明書(shū)，在電路設(shè)計(jì)之前，十分有必要通讀數(shù)據(jù)手冊(cè)，并了解產(chǎn)品的重要性能參數(shù)。在
MOSFET的數(shù)據(jù)手冊(cè)中極限值表格中的總
功率損耗Ptot就是一個(gè)十分有趣的參數(shù)。說(shuō)它有趣是因?yàn)?/div>
2023-05-15 16:10:25626 
功率MOSFET怎樣關(guān)斷？能否用PWM實(shí)現(xiàn)？怎樣實(shí)現(xiàn)？
2023-05-08 16:16:27
NR系統(tǒng)消息SIB4/5的作用和SIB3類似，區(qū)別在于：
SIB3：僅提供與同頻小區(qū)重選相關(guān)的鄰區(qū)信息，包括具有特定重選參數(shù)的小區(qū)和黑名單小區(qū)信息。
SIB4： 包含與異頻小區(qū)重選有關(guān)
2023-05-08 15:50:39
5G NR系統(tǒng)消息SIB2的作用是：提供同頻、異頻和系統(tǒng)間小區(qū)（NR–LTE）重選的公共信息及同頻小區(qū)重選的特定信息。
此外，NR UE在執(zhí)行小區(qū)重選測(cè)量時(shí)，可以基于小區(qū)級(jí)別和波束級(jí)別測(cè)量
2023-05-08 15:21:12
在5G NR中，SIB1 攜帶了是否允許UE接入小區(qū)時(shí)相關(guān)的信息，并定義其他系統(tǒng)信息的調(diào)度；此外，它還提供所有UE共用的無(wú)線電資源配置信息和統(tǒng)一接入控制所需的禁止信息。
SIB1的發(fā)送方式
2023-05-08 15:04:53
在5G NR中，SIB1 攜帶了是否允許UE接入小區(qū)時(shí)相關(guān)的信息，并定義其他系統(tǒng)信息的調(diào)度；此外，它還提供所有UE共用的無(wú)線電資源配置信息和統(tǒng)一接入控制所需的禁止信息。
SIB1的發(fā)送方式
2023-05-06 14:17:49
我正在嘗試使用 ESP-01 驅(qū)動(dòng) MOSFET 來(lái)控制 12V 電源。附上原理圖。這是我的簡(jiǎn)單代碼 -
代碼：全選#include
#define MOSFET 2
#define
2023-05-04 08:52:27
在本文中，我們將學(xué)習(xí)如何使用 P溝道和 N 溝道 MOSFET 構(gòu)建通用全橋或 H 橋 MOSFET 驅(qū)動(dòng)電路，該電路可用于制造電機(jī)、逆變器和許多不同的功率轉(zhuǎn)換器的高效驅(qū)動(dòng)電路。
2023-04-29 09:35:005288 
AM437X EVALUATION MODULE
2023-03-30 11:47:55
KIT IND DEV FOR AM437
2023-03-30 11:47:53
EVALBOARDNCP437FCT2G
2023-03-30 11:46:13
Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出加強(qiáng)版0805封裝抗浪涌厚膜電阻器Vishay Draloric RCS0805 e3，額定功率高達(dá)0.5
2023-03-29 17:00:06694 
MOSFET P-CH 8V 9A SC-75-6
2023-03-29 10:04:53
.437" PATCH PANEL HOLE PLUG
2023-03-23 00:55:26
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