DS1270W 16Mb非易失(NV) SRAM

　　DS1270W 16Mb非易失(NV) SRAM為16,777,216位、全靜態(tài)NV SRAM，按照8位、2,097,152字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容差范圍，一旦超出容差范圍，鋰電池便自動(dòng)切換至供電狀態(tài)、寫保護(hù)將無條件使能、防止數(shù)據(jù)被破壞。該器件沒有寫次數(shù)限制，可直接與微處理器接口、不需要額外的支持電路。

　　關(guān)鍵特性

　　在沒有外部電源的情況下最少可以保存數(shù)據(jù)5年

　　掉電期間數(shù)據(jù)被自動(dòng)保護(hù)

　　沒有寫次數(shù)限制

　　低功耗CMOS操作

　　100ns的讀寫存取時(shí)間

　　第一次上電前，鋰電池與電路斷開、維持保鮮狀態(tài)

　　可選的-40°C至+85°C工業(yè)級(jí)(IND)溫度范圍

　　通過美國保險(xiǎn)商實(shí)驗(yàn)室協(xié)會(huì)(UL)認(rèn)證

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非易(7786) 非易(7786)
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1532

DS1249W 2048kb非易失(NV) SRAM

　　DS1249W 2048kb非易失(NV) SRAM為2,097,152位、全靜態(tài)NV SRAM，按照8位、262,144字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控

2010-11-24 09:43:53

877

DS1245W 3.3V 1024k非易失SRAM

　　DS1245W 3.3V 1024k非易失SRAM為1,048,576位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、131,072字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路

2010-11-24 09:47:28

976

DS1230W 3.3V 256k非易失SRAM

　　DS1230W 3.3V 256k非易失SRAM為262,144位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每個(gè)NV SRAM自帶鋰電池及控制電路，控

2010-11-24 09:53:31

1843

DS1250 4096k、非易失SRAM

　　DS1250 4096k、非易失SRAM為4,194,304位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、524,288字排列。每個(gè)完整的NV SRAM均自帶鋰電池及

2010-12-07 10:18:01

1420

DS1250W 3.3V 4096k全靜態(tài)非易失SRAM

　　DS1250W 3.3V 4096k NV SRAM為4,194,304位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、524,288字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控

2010-12-07 10:21:02

966

Everspin推出業(yè)界首款16Mb MRAM產(chǎn)品MR4A16B

　　磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器(MRAM)和集成磁(Integrated Magnetic)產(chǎn)品的領(lǐng)導(dǎo)廠商Everspin科技公司日前推出16Mb MRAM，進(jìn)一步強(qiáng)化了該公司在MRAM領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位?，F(xiàn)在，所有需要無電數(shù)據(jù)保持以及S

2011-01-07 09:11:29

1166

DS3605 非易失(NV)SRAM控制器(中文資料)

DS3605集成非易失(NV) SRAM控制器、實(shí)時(shí)時(shí)鐘(RTC)、CPU監(jiān)控電路和溫度傳感器，可以為加密交易終端和其它安全敏感應(yīng)用提供篡改保護(hù)

2011-04-27 10:23:37

879

DS1244,DS1244P 256k NV SRAM,帶有隱含時(shí)鐘

DS1244,DS1244P具有隱含時(shí)鐘的DS1244 256k、NV SRAM為全靜態(tài)非易失RAM (NV SRAM) (按照8位、32k字排列)，內(nèi)置實(shí)時(shí)時(shí)鐘

2011-12-19 11:15:39

1685

DS1244,DS1244P數(shù)據(jù)資料

DESCRIPTION The DS1244 256K NV SRAM with a Phantom clock is a fully static nonvolatile RAM (NV SRAM

2011-12-19 11:33:09

DS1243,DS1243Y 64k 非易失SRAM

The DS1243Y 64K NV SRAM with Phantom Clock is a fully static nonvolatile RAM (organized as 8192

2012-01-04 11:23:28

DS1248,DS1248P 1024k NV SRAM

The DS1248 1024K NV SRAM with phantom clock is a fully static, nonvolatile RAM (organized as 128K

2012-01-04 11:29:19

DS1251,DS1251P 4096k NV SRAM

The DS1251 4096K NV SRAM with Phantom Clock is a fully static nonvolatile RAM (organized as 512K

2012-01-04 11:30:52

Cypress異步SRAM系列又添新丁低功耗MoBL器件橫空出世

靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（SRAM）市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)者賽普拉斯半導(dǎo)體公司日前宣布，其具有錯(cuò)誤校正代碼（ECC）的16Mb低功耗異步SRAM 已開始出樣。

2014-09-11 15:14:54

1500

DELL 5420 NV獨(dú)顯QUANTA DA0R08MB6E2原理圖

DELL 5420 筆記本電路圖，NV獨(dú)顯QUANTA，板號(hào) DA0R08MB6E2 MB

2016-07-06 15:14:47

訪問大于16MB的地址新的器件提供了兩種方法介紹

flash是串行接口的NOR FLASH，在設(shè)計(jì)支持，容量都比較小，所以協(xié)議中只留了3Bytes尋址，也就是最大16MB空間。但是隨著工藝和技術(shù)的提升，現(xiàn)在32MB、64MB，甚至128MB和更大容量的SPI/QSPI flash都出現(xiàn)了。

2018-06-29 08:25:00

2791

非易失性存儲(chǔ)器NV-SRAM的關(guān)鍵屬性是什么

NV-SRAM具有以下優(yōu)點(diǎn)，可以滿足理想SRAM器件的要求，該器件適用于游戲應(yīng)用中的非易失性緩存實(shí)施。快速訪問：系統(tǒng)性能與所使用的高速緩存的訪問速度直接相關(guān)。如果管理不當(dāng)，則連接到快速控制器的慢速

2020-12-18 14:44:28

732

賽普拉斯NV-SRAM的解決方案，它的優(yōu)勢(shì)是什么

賽普拉斯的NV-SRAM將標(biāo)準(zhǔn)快速SRAM單元（訪問時(shí)間高達(dá)20 ns）與基于硅氧化物和亞硝酸鹽，氧化物硅（SONOS）的非易失性存儲(chǔ)元件相結(jié)合，可提供快速的異步讀寫訪問速度，并在其整個(gè)工作范圍

2020-12-22 15:18:33

454

pSRAM與SRAM相比較，它的優(yōu)勢(shì)是什么

的接口跟SDRAM不同，不需要SDRAM那樣復(fù)雜的控制器和刷新機(jī)制，PSRAM的接口跟SRAM的接口是一樣的。PSRAM 內(nèi)部自帶刷新機(jī)制。 PSRAM容量有4Mb，8Mb，16Mb，32Mb，64Mb

2021-04-08 15:26:59

9271

UC-009：尋址16MB外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器

UC-009：尋址16MB外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器

2021-04-25 10:55:11

NV-SRAM與BBSRAM之間的比較

隨著無鉛技術(shù)在全球的推廣，NV-SRAM成為NVRAM的普遍選擇。本篇文章主要介紹了NV-SRAM與電池供電SRAM（BBSRAM）相比所具有的優(yōu)點(diǎn)。

2022-01-25 19:50:51

NV-SRAM是什么，它的主要特征是什么

NV-SRAM（非易失性 SRAM 或NVRAM）是一種獨(dú)立的非易失性存儲(chǔ)器，業(yè)界最快的 NV-SRAM，具有無限的耐用性。能夠在斷電時(shí)立即捕獲 SRAM 數(shù)據(jù)的副本并將其保存到非易失性存儲(chǔ)器

2022-06-10 15:23:01

686

一款32Mb的PSRAM芯片—JS7324SU16BSP-70LFI

?SPI(OPI)幾種串行接口，用于需要小型化的場(chǎng)合，能夠提供帶寬范圍從100Mbps~2.128Gbps的大范圍。PSRAM容量有4Mb,8Mb,16Mb,32Mb，64Mb,128Mb等等

2022-06-29 16:59:33

3233

求一種具有控制器的NV-SRAM解決方案

高速SRAM單元提供了非常高速的讀寫訪問，并且可以像標(biāo)準(zhǔn)SRAM中一樣無限次地寫入或讀取NV-SRAM。

2022-11-30 17:48:48

502

電池備份NV SRAM和NOVRAMS之間的比較

達(dá)拉斯半導(dǎo)體非易失性（NV）SRAM由內(nèi)部電池備份。市場(chǎng)上的其他一些NV存儲(chǔ)器，如NOVRAM，使用內(nèi)部EEPROM備份數(shù)據(jù)。本應(yīng)用筆記討論了電池供電NV SRAM和NOVRAM之間的差異。

2023-01-10 14:25:59

795

如何用等效密度NV SRAM模塊替換DS1213智能插座

DS1213 SmartSocket產(chǎn)品已達(dá)到使用壽命，可使用引腳兼容、等效密度的5V NV SRAM模塊產(chǎn)品進(jìn)行更換。使用該替換模塊產(chǎn)品，客戶將安裝完整的一體式內(nèi)存解決方案。

2023-01-12 16:11:59

668

為什么Maxim選擇設(shè)計(jì)單件NV SRAM模塊

自NV SRAM開發(fā)開始以來，其目的一直是生產(chǎn)一種可以像IC一樣處理的混合存儲(chǔ)器產(chǎn)品。使用商用低功耗SRAM和鋰紐扣電池配接CMOS晶圓技術(shù)，以及用于長(zhǎng)期存儲(chǔ)器備用電源的通用電壓穩(wěn)定源。

2023-03-02 14:40:00

336

DS1270Y-70# - (Maxim Integrated) - 存儲(chǔ)器

電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供Maxim(Maxim)DS1270Y-70#相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè)，更有DS1270Y-70#的引腳圖、接線圖、封裝手冊(cè)、中文資料、英文資料，DS1270Y-70#真值表，DS1270Y-70#管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。

2023-07-31 18:39:53

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DS1270W 16Mb非易失(NV) SRAM

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