0.13μm非易失性FRAM產(chǎn)品的增強的耐久性能
2021-02-04 07:15:14
概述：MAX5128非易失、單路、線性變化數(shù)字電位器，能夠實現(xiàn)機械電位器的功能，用簡單的2線數(shù)字接口取代機械調(diào)節(jié)。MAX5128具有與分立電位器或可變電阻器相同的功能，提供128抽頭、22kΩ端到端
2021-05-17 07:50:42
32抽頭非易失I2C線性數(shù)字電位器MAX5432資料下載內(nèi)容主要介紹了：MAX5432引腳功能MAX5432功能和特性MAX5432應用范圍MAX5432內(nèi)部方框圖MAX5432極限參數(shù)MAX5432典型應用電路
2021-04-02 06:37:34
32抽頭非易失I2C線性數(shù)字電位器MAX5433資料下載內(nèi)容包括：MAX5433引腳功能MAX5433功能和特性MAX5433應用范圍MAX5433內(nèi)部方框圖MAX5433極限參數(shù)MAX5433典型應用電路
2021-04-02 07:32:20
DS1243, DS1243Y資料介紹,64k NV SRAM，帶有隱含時鐘DS1243, DS1243Y概述The DS1243Y 64K NV SRAM with Phantom Clock
2012-01-04 12:11:06
保持新鮮一般說明DS1553是一個全功能、符合2000年（Y2KC）標準的實時時鐘/日歷（RTC），帶有RTC警報、看門狗定時器、上電復位、電池監(jiān)視器和8k x 8非易失性靜態(tài)RAM。用戶對DS
2020-09-17 17:24:23
長應用設計。它包含三個非易失（NV）、低溫度系數(shù)的數(shù)字可變電阻，當與外部固定電阻并聯(lián)時，可提供歐姆和亞歐姆級的步長。DS3906的三個電阻都具有64級電阻設置（和一個高阻態(tài)），采用巧妙的偽對數(shù)分級特性
2021-05-18 08:06:32
?在引導閃存之間選擇 ?設置ASIC配置/配置文件 ?服務器 ?網(wǎng)絡存儲 ?路由器 ?電信設備 ?PC外圍設備 一般說明 DS4520是一個9位非易失性（NV）I/O擴展器，具有64
2020-07-02 16:55:41
非易失可重復編程FPGA的應用有哪些？
2021-05-08 08:17:26
隨機存取存儲器）和OUM(Ovshinsky電統(tǒng)一隨機存取存儲器)，三者科技內(nèi)涵各有所長,市場預測尚難預料。本篇文章Everspin MRAM代理商宇芯電子要介紹的是關于非易失性MRAM的單元結構
2020-10-20 14:34:03
MRAM是一種非易失性的磁性隨機存儲器。它擁有靜態(tài)隨機存儲器(SRAM)的高速讀取寫入能力;以及動態(tài)隨機存儲器(DRAM)的高集成度，而且基本上可以無限次地重復寫入。
2020-12-16 07:21:39
MRAM是一種非易失性的磁性隨機存儲器。它擁有靜態(tài)隨機存儲器(SRAM)的高速讀取寫入能力;以及動態(tài)隨機存儲器(DRAM)的高集成度，而且基本上可以無限次地重復寫入。
2020-12-10 07:20:20
宇芯電子本篇文章提供智能電表或智能電子式電表的概述，并且說明在智能電子式電表的設計中用非易失性串行FRAM而不是使用EEPROM的優(yōu)勢。圖1顯示的是智能電子式電表的簡化框圖。非易失性存儲器是一個電表
2021-07-12 07:26:45
我們正在構建一個設備來測量消耗。電路 ACS712 讀取那一刻的消耗量，所以，我需要做一個每秒累加的方法。問題：非易失性內(nèi)存有寫入限制，所以我需要使用易失性內(nèi)存。寫入易失性存儲器是否有一些限制？我們的想法是每秒讀取一次 ACS712 并寫入易失性存儲器，每 10 分鐘寫入一次非易失性存儲器。
2023-05-30 08:48:06
bq4011是一個非易失性262144位靜態(tài)RAM，按8位組織為32768字。集成控制電路和鋰能源提供可靠的非易失性，與標準SRAM的無限寫入周期相結合?？刂齐娐烦掷m(xù)監(jiān)測單個5V電源是否超出公差條件。當
2020-09-16 17:15:13
非易失性SRAM（nv SRAM）結合了賽普拉斯行業(yè)領先的SRAM技術和一流的SONOS非易失性技術。在正常操作下，nv SRAM的行為類似于使用標準信號和時序的常規(guī)異步SRAM。nv SRAM執(zhí)行
2020-04-08 14:58:44
描述Dallas DS1230 - FM18W08 非易失性 SRAM FRAM 適配器來自達拉斯的流行的電池支持 SRAM 在 10 到 15 年后往往會忘記其寶貴的數(shù)據(jù)。通過這種引腳兼容的鐵電 RAM 升級，您可以放心，因為在室溫下，它的數(shù)據(jù)保留時間為 150 年，無需任何電池供電。
2022-07-14 07:51:06
我目前正在使用 YOCTO sumo linux 內(nèi)核 L4.14.98-2.3.1 和 imx6ul。在我的應用程序中，我們需要將安全數(shù)據(jù)（例如密鑰）存儲在安全非易失性存儲 (SNVS) 區(qū)域
2023-04-14 07:38:45
概述:DS3902是一款雙路、非易失(NV)、低溫度系數(shù)的可變數(shù)字電阻，提供256級用戶選擇。DS3902可以在2.4V至5.5V的寬電源范圍內(nèi)工作，通過I2C兼容的串行接口與該器件通信。內(nèi)部地址設置功能通過編程使DS3902從地址置為128個可用地址之
2021-05-17 07:29:10
親愛;我有Spartan?-3AN非易失性FPGA入門套件，我編寫了VHDL程序，用于地址分配到與FPGA芯片接口的兩個外部ROM。程序有（16位輸入端口）和（16位輸出端口），問題是：如何使用該套件在FPGA芯片上下載程序？如何確定哪個輸入引腳和哪個是輸出引腳？最好的祝福
2019-08-22 10:31:44
保護您的嵌入式軟件免受內(nèi)存損壞本文的目的是提供一種軟件方法，解釋如何處理存儲在非易失性設備（如小型 EEPROM 或閃存）中的內(nèi)存數(shù)據(jù)集損壞。在微型嵌入式系統(tǒng)中看到這些數(shù)據(jù)集是很常見的，這些系統(tǒng)存儲
2021-12-24 07:27:45
我應該用什么API來存儲非易失性數(shù)據(jù)？我使用CYW43907，手冊上說它支持外部閃存。我想知道我是否應該使用WiDeDssFlash寫來存儲數(shù)據(jù)，或者我是否可以使用WiDeEddCTyWrand保存
2018-11-13 15:19:09
stm32f429ZIT6這個型號的單片機進行介紹。STM32F429ZIT6微控制器2048KB FLASH，256 KB SRAM，SDRAM 64Mbits。最高180MHz主頻FLASH先說flash ，它在嵌入式系統(tǒng)中的功能可以和硬盤在PC中的功能相比。它們都是用來存儲程序和數(shù)據(jù)的，好比是
2022-01-26 07:45:15
我想用非易失性密鑰獲取CMAC值（僅驗證甚至可以）。我正在使用修改后的“csec_boot_protection_s32k148”項目。初始化 CSEc 模塊后，我使用給定的指令加載密鑰 ROM
2023-04-10 06:34:32
賽普拉斯NV-SRAM解決方案
2020-12-30 07:15:03
概述:DS3501是一款7位、非易失(NV)數(shù)字電位器，具有高達15.5V的輸出電壓范圍。該器件可通過I2C兼容接口對其進行程序設計，接口工作速度可高達400kHz。電位器的最低和最高輸出電壓可通過
2021-05-17 07:50:20
such as the DS1220, DS1225, and DS1230. First it discusses NV RAM module construction, with an overview of the battery, controller and SRAM that is u
2009-04-24 09:40:39
14 一、 單選題（本大題共15小題，每小題1分，共15分）
1. 某計算機字長為32位，內(nèi)存容量為4096K字節(jié)，按字編址，其尋址空間為（ B ）。A. 1024KB B. 1024K C. 2048KB D. 2048K2. 下
2009-05-03 00:42:57158 Although Stellaris microcontrollers have generous internal SRAM capabilities, certain
2009-11-07 14:04:5427 DeepCover?嵌入式安全方案采用多重先進的物理安全機制保護敏感數(shù)據(jù)，提供最高等級的密鑰存儲安全保護。DeepCover安全管理器(DS3605)集成非易失(NV) SRAM控制器、實時
2023-07-14 15:15:30
DS1249 2048k非易失(NV) SRAM為2,097,152位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、262,144字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出
2023-07-21 15:11:06
DS1265 8M非易失SRAM為8,388,608位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、1,048,576字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容差范圍
2023-07-21 15:13:33
DS1270 16M非易失SRAM為16,777,216位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、2,097,152字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容差范圍
2023-07-21 15:18:27
DS1330 256k非易失(NV) SRAM為262,144位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容差范圍
2023-07-21 15:20:44
DS1345 1024k非易失(NV) SRAM為1,048,576位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、131,072字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出
2023-07-21 15:23:14
DS1220AB及DS1220AD 16k非易失(NV) SRAM為16,384位、全靜態(tài)NV SRAM，按照8位、2048字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC
2023-07-21 15:28:06
DS1225AB及DS1225AD為65,536位、全靜態(tài)非易失(NV) SRAM，按照8位、8192字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容差范圍，一旦
2023-07-21 15:29:48
DS1230 256k非易失(NV) SRAM為262,144位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容差范圍
2023-07-21 15:37:16
DS1245 1024k非易失(NV) SRAM為1,048,576位、完全靜態(tài)的非易失SRAM，按照8位、131,072字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否
2023-07-21 15:38:54
DS1250 4096k、非易失SRAM為4,194,304位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、524,288字排列。每個完整的NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容
2023-07-21 15:41:00
DS9034PC PowerCap是一款為非易失(NV) SRAM提供的鋰電池電源帽，基于Dallas Semiconductor直接表面貼裝PowerCap模塊封裝。PowerCap模塊焊接、清理
2023-07-21 15:42:57
DS1501/DS1511為完備的、2000年兼容的、實時時鐘/日歷(RTC)，具有RTC報警、看門狗定時器、上電復位、電池監(jiān)控、256字節(jié)非易失(NV) SRAM以及一個32.768kHz的頻率
2023-07-21 16:44:47
DS1501/DS1511為完備的、2000年兼容的、實時時鐘/日歷(RTC)，具有RTC報警、看門狗定時器、上電復位、電池監(jiān)控、256字節(jié)非易失(NV) SRAM以及一個32.768kHz的頻率
2023-07-21 16:48:54
具有隱含時鐘的DS1244 256k、NV SRAM為全靜態(tài)非易失RAM (NV SRAM) (按照8位、32k字排列)，內(nèi)置實時時鐘。DS1244自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否
2023-07-21 16:58:16
EPM1270F256C4N，ALTERA/阿爾特拉，即時開啟非易失性CPLD,處理器EPM1270F256C4N，ALTERA/阿爾特拉，即時開啟非易失性CPLD,處理器
2023-10-24 15:38:16
新一代NV SRAM技術
第一代NV SRAM模塊問世近20年來，NV SRAM技術不斷更新，以保持與各種應用同步發(fā)展，同時滿足新的封裝技術不斷增長的需求。
發(fā)展與現(xiàn)狀
2008-11-26 08:24:53
901 
DS3650 NV SRAM控制器、RTC及監(jiān)控電路，帶有篡改檢測
DS3650是一款4線兼容控制器，滿足支付卡行業(yè)(PCI)以及其他數(shù)據(jù)保護和安全性能很關鍵的設備的溫度和電
2009-03-02 14:53:11716 摘要：為了理解Maxim的單芯片模塊設計原則，首先需要知道電池備份存儲器的開發(fā)歷史。 開發(fā)NV SRAM的目的是生產(chǎn)一種類似于IC的混合存儲器產(chǎn)品，利用低功耗SRAM配合鋰
2009-04-23 10:17:05558 摘要：為了理解Maxim的單芯片模塊設計原則，首先需要知道電池備份存儲器的開發(fā)歷史。 開發(fā)NV SRAM的目的是生產(chǎn)一種類似于IC的混合存儲器產(chǎn)品，利用低功耗SRAM配合鋰
2009-04-24 09:13:42499 DS1744是功能完備、2000年兼容(Y2KC)的實時時鐘/日歷(RTC)和32k x 8 NV SRAM。用戶可通過如完整數(shù)據(jù)資料中的圖1所示的單字
2010-09-28 09:05:42974 
DS1220Y 16k非易失SRAM為16,384位、全靜態(tài)非易失RAM，按照8位、2048字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路
2010-10-20 09:04:421192 DS1350 4096k非易失(NV) SRAM為4,194,304位、全靜態(tài)NV SRAM，
2010-10-21 09:01:27888 DS1350W 3.3V、4096k非易失SRAM為4,194,304位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、524,288字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電
2010-10-21 09:03:59888 DS1345W 3.3V、1024k NV SRAM為1,048,576位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、131,072字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控
2010-10-21 09:06:321002 DS1345 1024k非易失(NV) SRAM為1,048,576位、全靜態(tài)非易失SRAM，
2010-10-22 08:58:38925 
DS1330 256k非易失(NV) SRAM為262,144位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電
2010-10-22 09:00:581417 
DS1330W 3.3V、256k NV SRAM為262,144位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制
2010-10-22 09:04:04998 
MXIM推出DS3065WP，一個1米x 8非易失(NV)與一個嵌入式實時時鐘(RTC)和電池包在一個PowerCap
2010-10-28 08:46:50697 DS1265W 8Mb非易失(NV) SRAM為8,388,608位、全靜態(tài)NV SRAM，按
2010-11-07 09:37:51770 
DS1270W 16Mb非易失(NV) SRAM為16,777,216位、全靜態(tài)NV SRAM，按照8位、2,097,152字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控
2010-11-10 09:31:52685 
DS1225AB及DS1225AD為65,536位、全靜態(tài)非易失(NV) SRAM，按照
2010-11-10 09:36:271532 
DS1245W 3.3V 1024k非易失SRAM為1,048,576位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、131,072字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路
2010-11-24 09:47:28976 
DS1230W 3.3V 256k非易失SRAM為262,144位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每個NV SRAM自帶鋰電池及控制電路，控
2010-11-24 09:53:311843 
DS1250 4096k、非易失SRAM為4,194,304位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、524,288字排列。每個完整的NV SRAM均自帶鋰電池及
2010-12-07 10:18:011420 
DS1250W 3.3V 4096k NV SRAM為4,194,304位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、524,288字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控
2010-12-07 10:21:02966 
DS3605集成非易失(NV) SRAM控制器、實時時鐘(RTC)、CPU監(jiān)控電路和溫度傳感器，可以為加密交易終端和其它安全敏感應用提供篡改保護
2011-04-27 10:23:37879 DS1244,DS1244P具有隱含時鐘的DS1244 256k、NV SRAM為全靜態(tài)非易失RAM (NV SRAM) (按照8位、32k字排列)，內(nèi)置實時時鐘
2011-12-19 11:15:391685 
DESCRIPTION The DS1244 256K NV SRAM with a Phantom clock is a fully static nonvolatile RAM (NV SRAM
2011-12-19 11:33:0940 The DS1243Y 64K NV SRAM with Phantom Clock is a fully static nonvolatile RAM (organized as 8192
2012-01-04 11:23:2835 The DS1248 1024K NV SRAM with phantom clock is a fully static, nonvolatile RAM (organized as 128K
2012-01-04 11:29:1924 The DS1251 4096K NV SRAM with Phantom Clock is a fully static nonvolatile RAM (organized as 512K
2012-01-04 11:30:5218 NV-SRAM模塊不僅可以快速且可靠的存儲數(shù)據(jù)，而且在封裝技術方面也很有競爭力。這些器件適用于需要安全數(shù)據(jù)存儲以及幾乎不需要現(xiàn)場維護的場合。 因此將比較它需要多長時間來擦除64Kb數(shù)據(jù)及寫入新數(shù)據(jù)
2020-10-27 14:22:51486 NV-SRAM具有以下優(yōu)點，可以滿足理想SRAM器件的要求，該器件適用于游戲應用中的非易失性緩存實施。 快速訪問：系統(tǒng)性能與所使用的高速緩存的訪問速度直接相關。如果管理不當，則連接到快速控制器的慢速
2020-12-18 14:44:28732 
賽普拉斯的NV-SRAM將標準快速SRAM單元（訪問時間高達20 ns）與基于硅氧化物和亞硝酸鹽，氧化物硅（SONOS）的非易失性存儲元件相結合，可提供快速的異步讀寫訪問速度，并在其整個工作范圍
2020-12-22 15:18:33454 隨著無鉛技術在全球的推廣，NV-SRAM成為NVRAM的普遍選擇。本篇文章主要介紹了NV-SRAM與電池供電SRAM（BBSRAM）相比所具有的優(yōu)點。
2022-01-25 19:50:512 NV-SRAM（非易失性 SRAM 或NVRAM）是一種獨立的非易失性存儲器，業(yè)界最快的 NV-SRAM，具有無限的耐用性。能夠在斷電時立即捕獲 SRAM 數(shù)據(jù)的副本并將其保存到非易失性存儲器
2022-06-10 15:23:01686 DS10315_基于 Arm? 的 Cortex?-M4 32 位 MCU+FPU、64 KB 閃存、16 KB SRAM、ADC、DAC、3 COMP、運算放大器、1.8 V
2022-11-23 08:28:380 DS13293_多協(xié)議 LPWAN 雙核 32 位 Arm? Cortex?-M4/M0+ LoRa?、(G)FSK、(G)MSK、BPSK、高達 256KB 閃存、64KB SRAM
2022-11-23 08:29:000 DS13268_Arm? Cortex?-M4 32 位 MCU+FPU、170 MHz / 213 DMIPS、高達 512 KB 閃存、112 KB SRAM、豐富的模擬、數(shù)學加速器、AES
2022-11-23 08:31:320 DS10287_超低功耗 32 位 MCU 基于 Arm? 的 Cortex?-M3、256KB 閃存、32KB SRAM、8KB EEPROM、LCD、USB、ADC、DAC、AES
2022-11-23 08:32:022 DS10262_超低功耗 32 位 MCU 基于 Arm? 的 Cortex?-M3、256KB 閃存、32KB SRAM、8KB EEPROM、LCD、USB、ADC、DAC
2022-11-23 08:32:090 DS12960_Arm? Cortex?-M4 32 位 MCU+FPU、170 MHz / 213 DMIPS、128 KB 閃存、32 KB SRAM、豐富的模擬、數(shù)學加速器、AES
2022-11-23 08:32:151 DS13122_Arm? Cortex?-M4 32 位 MCU+FPU、170 MHz / 213 DMIPS、高達 512 KB 閃存、112 KB SRAM、豐富的模擬、數(shù)學加速器
2022-11-23 08:32:190 DS8669_超低功耗 32 位 MCU Arm? Cortex?-M3、384KB 閃存、48KB SRAM、12KB EEPROM、LCD、USB、ADC、存儲器 I/F、AES
2022-11-23 08:32:230 DS13105_多協(xié)議 LPWAN 32 位 Arm? Cortex?-M4 MCU、LoRa?、(G)FSK、(G)MSK、BPSK、高達 256KB 閃存、64KB SRAM
2022-11-23 20:26:530 高速SRAM單元提供了非常高速的讀寫訪問，并且可以像標準SRAM中一樣無限次地寫入或讀取NV-SRAM。
2022-11-30 17:48:48502 
達拉斯半導體非易失性（NV）SRAM由內(nèi)部電池備份。市場上的其他一些NV存儲器，如NOVRAM，使用內(nèi)部EEPROM備份數(shù)據(jù)。本應用筆記討論了電池供電NV SRAM和NOVRAM之間的差異。
2023-01-10 14:25:59795 
DS1213 SmartSocket產(chǎn)品已達到使用壽命，可使用引腳兼容、等效密度的5V NV SRAM模塊產(chǎn)品進行更換。使用該替換模塊產(chǎn)品，客戶將安裝完整的一體式內(nèi)存解決方案。
2023-01-12 16:11:59668 
自NV SRAM開發(fā)開始以來，其目的一直是生產(chǎn)一種可以像IC一樣處理的混合存儲器產(chǎn)品。使用商用低功耗SRAM和鋰紐扣電池配接CMOS晶圓技術，以及用于長期存儲器備用電源的通用電壓穩(wěn)定源。
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2023-07-31 18:49:32
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