MRAM，即磁阻式隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)器的簡(jiǎn)稱，兼?zhèn)銼RAM的高速讀寫(xiě)性能與閃存存儲(chǔ)器的非易失性。STT-MRAM是通過(guò)自旋電流實(shí)現(xiàn)信息寫(xiě)入的一種新型MARM，屬于MRAM的二代產(chǎn)品，解決了MRAM寫(xiě)入信息
2021-07-26 08:30:00
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存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)中的每一家廠商都想打造一種兼具靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)（SRAM）的快速、快閃存儲(chǔ)的高密度以及如同唯讀存儲(chǔ)（ROM）般低成本等各種優(yōu)勢(shì)的非揮發(fā)性存儲(chǔ)。如今，透過(guò)磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)（MRAM），可望解決開(kāi)發(fā)這種“萬(wàn)能”存儲(chǔ)（可取代各種存儲(chǔ)）的問(wèn)題。
2016-03-09 09:14:552118 引人注目的新存儲(chǔ)器包括：相變存儲(chǔ)器（PCM）、鐵電存儲(chǔ)器（FeRAM）、磁阻RAM（MRAM）、電阻RAM（RRAM或 ReRAM）、自旋轉(zhuǎn)移力矩RAM（STT-RAM）、導(dǎo)電橋RAM（CBRAM
2017-02-21 11:05:472282 
目前主流的基于浮柵閃存技術(shù)的非易失性存儲(chǔ)器（NVM）技術(shù)有望成為未來(lái)幾年的參考技術(shù)。但是，閃存本身固有的技術(shù)和物理局限性使其很難再縮小技術(shù)節(jié)點(diǎn)。在這種環(huán)境下，業(yè)界試圖利用新材料和新概念發(fā)明一種更好
2017-12-18 10:02:214925 
MRAM在讀寫(xiě)方面可以實(shí)現(xiàn)高速化，這一點(diǎn)與靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)類似。由于磁體本質(zhì)上是抗輻射的﹐MRAM芯片本身還具有極高的可靠性，即MRAM本身可以免受軟錯(cuò)誤之害。MRAM可以做到與動(dòng)態(tài)隨機(jī)
2020-11-26 16:23:24
自旋注入MRAM在功能方面兼具了DRAM及NAND閃存等現(xiàn)有存儲(chǔ)器的優(yōu)點(diǎn)，同時(shí)在性能方面又超過(guò)了現(xiàn)有幾乎所有的存儲(chǔ)器，因此有可能會(huì)贏得巨大的市場(chǎng)(見(jiàn)表1)。具體在功能方面，自旋注入MRAM與閃存一樣
2022-02-11 07:23:03
自旋注入MRAM在功能方面兼具了DRAM及NAND閃存等現(xiàn)有存儲(chǔ)器的優(yōu)點(diǎn)，同時(shí)在性能方面又超過(guò)了現(xiàn)有幾乎所有的存儲(chǔ)器，因此有可能會(huì)贏得巨大的市場(chǎng)(見(jiàn)表1)。具體在功能方面，自旋注入MRAM與閃存一樣
2023-04-07 16:41:05
MRAM的存儲(chǔ)原理
2020-12-31 07:41:19
磁阻式隨機(jī)存儲(chǔ)器(MRAM)是一種新型存儲(chǔ)器,其優(yōu)點(diǎn)有讀取速度快和集成度高及非揮發(fā)性等。目前許多研究主要是致力于將MRAM存儲(chǔ)器運(yùn)用于計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)系統(tǒng)中。MRAM因具有許多優(yōu)點(diǎn),有取代SRAM
2020-11-06 14:17:54
存儲(chǔ)器映射是什么意思？其映射過(guò)程是怎樣的？
2022-01-21 07:39:51
存儲(chǔ)器的分類存儲(chǔ)器是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的記憶設(shè)備，用來(lái)存放程序和數(shù)據(jù)，從不同的角度對(duì)存儲(chǔ)器可以做不同的分類。1、按存儲(chǔ)介質(zhì)分半導(dǎo)體存儲(chǔ)器（又稱易失性存儲(chǔ)器）：體積小，功耗低，存取時(shí)間短，電源消失的時(shí)候，所存的信息也隨之消失。磁表面存儲(chǔ)器（...
2021-07-26 08:30:22
未來(lái)DDR4、NAND Flash存儲(chǔ)器芯片該如何發(fā)展
2021-03-12 06:04:41
問(wèn)題一：位圖都存儲(chǔ)在哪了？都在程序存儲(chǔ)器里嗎問(wèn)題二：能不能將位圖存儲(chǔ)到外部?jī)?nèi)存中？問(wèn)題三：F429的程序存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器有多大？
2020-05-20 04:37:13
Flash存儲(chǔ)器分為哪幾類？Flash存儲(chǔ)器有什么特點(diǎn)？Flash與DRAM有什么區(qū)別？
2021-06-18 07:03:45
知名品牌的半導(dǎo)體元器件，代理品牌有NETSOL、JSC、everspin代理、來(lái)?xiàng)頛yontek、ISSI、CYPRESS，VTI等多個(gè)品牌總代理資質(zhì)，主要產(chǎn)品線為sram、mram、psram等其他存儲(chǔ)器芯片，致力于為客戶提供具有競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)的產(chǎn)品，是一家專業(yè)提供存儲(chǔ)方案解決商。
2020-11-16 14:33:15
則可直接連接至用于內(nèi)部 SL2/SL3 RAM 的 4 個(gè)寬 1024 位存儲(chǔ)器組。內(nèi)部存儲(chǔ)器組使 XMC 中的預(yù)取邏輯功能能夠在未來(lái)每次請(qǐng)求訪問(wèn)物理 RAM 之前獲取程序和數(shù)據(jù)，從而避免后續(xù)訪問(wèn)停滯
2011-08-13 15:45:42
當(dāng)系統(tǒng)運(yùn)行了一個(gè)嵌入式實(shí)時(shí)操作系統(tǒng)時(shí)（RTOS），操作系統(tǒng)通常都是使用非易失的存儲(chǔ)器來(lái)運(yùn)行軟件以及采集數(shù)據(jù)。存儲(chǔ)器的選擇面很廣闊，其中包括電池供電的SRAM（靜態(tài)隨機(jī)訪問(wèn)儲(chǔ)存器），各種各樣的閃存以及串口EEPROM（電可擦的，可編程的只讀存儲(chǔ)器）。
2019-06-28 08:29:29
STT-MRAM萬(wàn)能存儲(chǔ)器芯片
2021-01-06 06:31:10
MRAM，即磁阻式隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)器的簡(jiǎn)稱，兼?zhèn)銼RAM的高速讀寫(xiě)性能與閃存存儲(chǔ)器的非易失性。STT-MRAM是通過(guò)自旋電流實(shí)現(xiàn)信息寫(xiě)入的一種新型MARM，屬于MRAM的二代產(chǎn)品，解決了MRAM寫(xiě)入信息
2021-12-10 07:06:51
為什么有的電子設(shè)備用eMMC存儲(chǔ)器 ？而有的用DDR存儲(chǔ)器呢？這兩者有什么區(qū)別嗎？
2021-06-18 06:13:25
題目是一個(gè)停車場(chǎng)計(jì)時(shí)系統(tǒng)，用74系列之類的芯片。我們用6116存儲(chǔ)器來(lái)存地址信號(hào)，通過(guò)刷卡產(chǎn)生脈沖，經(jīng)過(guò)延時(shí)出現(xiàn)兩個(gè)相鄰的脈沖分別代表讀和寫(xiě)信號(hào)，用來(lái)讀取存儲(chǔ)器中對(duì)應(yīng)車的狀態(tài)（在不在車庫(kù)內(nèi)），再將
2016-07-23 00:01:59
什么是EEPROM存儲(chǔ)器？
2021-11-01 07:24:44
據(jù)新華社7月2日?qǐng)?bào)道，相變存儲(chǔ)器，具有功耗低、寫(xiě)入速度快、斷電后保存數(shù)據(jù)不丟失等優(yōu)點(diǎn)，被業(yè)界稱為下一代存儲(chǔ)技術(shù)的最佳解決方案之一。記者近日從中科院上海微系統(tǒng)所獲悉，由該所研發(fā)的國(guó)際領(lǐng)先的嵌入式相變存儲(chǔ)器現(xiàn)已成功應(yīng)用在打印機(jī)領(lǐng)域，并實(shí)現(xiàn)千萬(wàn)量級(jí)市場(chǎng)化銷售，未來(lái)中國(guó)在該領(lǐng)域有望實(shí)現(xiàn)“彎道超車”。
2019-07-16 06:44:43
的測(cè)試系統(tǒng)應(yīng)運(yùn)而生。本文提出了一種多功能存儲(chǔ)器芯片的測(cè)試系統(tǒng)硬件設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)，對(duì)各種數(shù)據(jù)位寬的多種存儲(chǔ)器芯片（SRAM、MRAM、NOR FALSH、NAND FLASH、EEPROM等）進(jìn)行了詳細(xì)的結(jié)口
2019-07-26 06:53:39
如何利用Xilinx FPGA和存儲(chǔ)器接口生成器簡(jiǎn)化存儲(chǔ)器接口？
2021-05-06 07:23:59
基于傳統(tǒng)六晶體管(6T)存儲(chǔ)單元的靜態(tài)RAM存儲(chǔ)器塊一直是許多嵌入式設(shè)計(jì)中使用ASIC/SoC實(shí)現(xiàn)的開(kāi)發(fā)人員所采用的利器，因?yàn)檫@種存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)非常適合主流的CMOS工藝流程，不需要增添任何額外的工藝步驟。那么究竟怎么樣，才能實(shí)現(xiàn)嵌入式ASIC和SoC的存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)呢？
2019-08-02 06:49:22
如何實(shí)現(xiàn)擴(kuò)展存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)？
2021-10-28 08:08:51
在2019全球閃存峰會(huì)上，Everspin作為全球MRAM存儲(chǔ)芯片龍頭分享如何用MRAM這類非易失性存儲(chǔ)和NVMe SSD構(gòu)建未來(lái)的云存儲(chǔ)的解決方案。
2021-01-11 06:44:23
影響存儲(chǔ)器訪問(wèn)性能的因素有哪些？DSP核訪問(wèn)內(nèi)部存儲(chǔ)器和外部DDR存儲(chǔ)器的時(shí)延有什么不同？
2021-04-19 08:32:10
STM32的存儲(chǔ)器由哪些組成？怎樣去啟動(dòng)STM32存儲(chǔ)器？
2021-09-24 07:03:23
新興存儲(chǔ)器MRAM與ReRAM嵌入式市場(chǎng)
2020-12-17 06:13:02
存儲(chǔ)器可分為哪幾類？存儲(chǔ)器有哪些特點(diǎn)？存儲(chǔ)器有哪些功能？
2021-10-20 06:46:21
數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器 FLASH程序存儲(chǔ)器 FLASH數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器 片內(nèi)RAM數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器16M字節(jié)外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器各有什么區(qū)別？特點(diǎn)？小弟看到這段 很暈。ADuC812的用戶數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器包含三部分，片內(nèi)640字節(jié)的FLASH數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、256字節(jié)的RAM以及片外可擴(kuò)展到16M字節(jié)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。求助高手。解釋一下不同。
2011-11-29 09:50:46
求助：數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器6116和程序存儲(chǔ)器2817怎么搜，在altium designer。貌似不太會(huì)用搜索功能。我總是搜不出來(lái)不知道為什么，求解答。單片機(jī)存儲(chǔ)電路里的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器6116和程序存儲(chǔ)器
2014-07-22 23:10:03
、NAND 閃存、EEPROM（可擦除的可編程只讀存儲(chǔ)器）、FRAM（鐵電存儲(chǔ)器），MRAM（磁性 RAM）和 NVSRAM（非易失性靜態(tài)存儲(chǔ)器）等。每種類型存儲(chǔ)器在不同性能指標(biāo)下具有各自的優(yōu)勢(shì)和劣勢(shì)：存儲(chǔ)器
2019-07-23 06:15:10
目前高級(jí)應(yīng)用要求新的存儲(chǔ)器技術(shù)能力出現(xiàn)。隨著電子系統(tǒng)需要更多的代碼和數(shù)據(jù)，所導(dǎo)致的結(jié)果就是對(duì)存儲(chǔ)器的需求永不停歇。相變存儲(chǔ)器(PCM)以創(chuàng)新的關(guān)鍵技術(shù)特色滿足了目前電子系統(tǒng)的需要。針對(duì)電子系統(tǒng)的重點(diǎn)
2018-05-17 09:45:35
磁阻式隨機(jī)存儲(chǔ)器MRAM的基本原理是什么？
2021-06-08 06:33:01
單片機(jī)中數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器片內(nèi)的地址是00--7FH，程序存儲(chǔ)器的片內(nèi)地址是0000H--0FFFH，請(qǐng)問(wèn)這兩部分是不是有重疊？請(qǐng)具體詳解！~{:1:}
2013-01-15 09:01:22
怎么設(shè)計(jì)一種面向嵌入式存儲(chǔ)器測(cè)試和修復(fù)的IIP？如何解決設(shè)計(jì)和制造過(guò)程各個(gè)階段的良品率問(wèn)題？嵌入式存儲(chǔ)器測(cè)試和修復(fù)技術(shù)的未來(lái)趨勢(shì)是什么？STAR存儲(chǔ)器系統(tǒng)的功能是什么？
2021-04-15 06:05:51
而言，鐵電存儲(chǔ)器具有一些獨(dú)一無(wú)二的特性。傳統(tǒng)的主流半導(dǎo)體存儲(chǔ)器可以分為兩類--易失性和非易失性。易失性的存儲(chǔ)器包括靜態(tài)存儲(chǔ)器SRAM和動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器DRAM。SRAM和DRAM在掉電的時(shí)候均會(huì)失去保存的數(shù)據(jù)
2011-11-19 11:53:09
而言，鐵電存儲(chǔ)器具有一些獨(dú)一無(wú)二的特性。傳統(tǒng)的主流半導(dǎo)體存儲(chǔ)器可以分為兩類--易失性和非易失性。易失性的存儲(chǔ)器包括靜態(tài)存儲(chǔ)器SRAM和動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器DRAM。SRAM和DRAM在掉電的時(shí)候均會(huì)失去保存的數(shù)據(jù)
2011-11-21 10:49:57
靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器SRAM存儲(chǔ)數(shù)據(jù)原理
2021-02-26 06:36:26
和碰撞期間記錄以上數(shù)據(jù)。顯然，微控制器不能等到事故發(fā)生才開(kāi)始記錄數(shù)據(jù)。因此，微控制器需要連續(xù)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。所以，EDR 需要一個(gè)具有幾乎無(wú)限寫(xiě)次數(shù)的非易失性存儲(chǔ)器?！ ?b class="flag-6" style="color: red">MRAM 存儲(chǔ)器比 ADAS 的傳統(tǒng)
2018-05-21 15:53:37
摘 要： 本文簡(jiǎn)單介紹了鐵電存儲(chǔ)器、磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器和相變存儲(chǔ)器這三種比較有發(fā)展?jié)摿?b class="flag-6" style="color: red">存儲(chǔ)器的原理、研究進(jìn)展及存在的問(wèn)題等。引言 更高密度、更大帶寬、更
2006-03-24 13:32:182412 
相變存儲(chǔ)器：能實(shí)現(xiàn)全新存儲(chǔ)器使用模型的新型存儲(chǔ)器
從下面的幾個(gè)重要特性看，相變存儲(chǔ)器（PCM）技術(shù)均符合當(dāng)前電子系統(tǒng)對(duì)存儲(chǔ)器子系統(tǒng)的需求：
容量
2009-12-31 10:09:301115 存儲(chǔ)器卡,存儲(chǔ)器卡是什么意思
存儲(chǔ)器卡(Memory Card)是一種用電可擦除的可編程只讀存儲(chǔ)器(EEPROM)為核心的，能多次重復(fù)使用的IC卡。沒(méi)
2010-04-01 17:44:073641 本文對(duì)目前幾種比較有競(jìng)爭(zhēng)力和發(fā)展?jié)摿Φ?b class="flag-6" style="color: red">新型非易失性存儲(chǔ)器做了一個(gè)簡(jiǎn)單的介紹。
鐵電存儲(chǔ)器(FeRAM)
鐵電存儲(chǔ)器是一種在斷電時(shí)不會(huì)丟失內(nèi)容的非易
2010-08-31 10:50:591942 
多年來(lái)，該行業(yè)一直致力于各種存儲(chǔ)技術(shù)的研究，包括碳納米管RAM、FRAM、MRAM、相變存儲(chǔ)器和ReRAM。有些已推出，有些仍在研發(fā)中。這些不同類型的存儲(chǔ)器都對(duì)應(yīng)特定的應(yīng)用領(lǐng)域，但都勢(shì)必將在存儲(chǔ)器家族中取代一個(gè)或者多個(gè)傳統(tǒng)型存儲(chǔ)。
2018-09-05 15:51:129162 有新的技術(shù)出來(lái)。除了主流的電荷捕獲（charge trap）存儲(chǔ)器外，還有鐵電存儲(chǔ)器（FRAM）、相變存儲(chǔ)器（PRAM）、磁存儲(chǔ)器（MRAM）和阻變存儲(chǔ)器（RRAM）。
2019-01-01 08:55:0011607 
MRAM是一種非易失性存儲(chǔ)器，可與其他的NVM技術(shù)相媲美，如閃存，英特爾的Optane，以及FRAM和RRAM （圖1）。每種NVM都有自己的優(yōu)缺點(diǎn)。雖然MRAM的擴(kuò)展性好，但其容量仍遠(yuǎn)低于NAND閃存， SSD中的高密度存儲(chǔ)介質(zhì)大都是NAND閃存。
2018-12-22 14:37:344678 盡管ㄧ些新存儲(chǔ)器技術(shù)已經(jīng)研發(fā)出來(lái)，但在這競(jìng)爭(zhēng)激烈的市場(chǎng)，只有極少數(shù)能夠成功。 圖1是ㄧ些新存儲(chǔ)器技術(shù)的列表。然而，無(wú)論哪一個(gè)技術(shù)勝出，這些新型非易失性技術(shù)系統(tǒng)的功耗肯定會(huì)低于現(xiàn)有的嵌入式 NOR 閃存和 SRAM，或是，離散 的 DRAM 和 NAND 閃存的系統(tǒng)。
2018-12-24 11:04:3410846 
過(guò)去存儲(chǔ)器與晶圓代工可以說(shuō)是“楚河漢界，井水不犯河水”。但在即將來(lái)臨的時(shí)代，存儲(chǔ)器業(yè)者覬覦占了全球65%的非存儲(chǔ)器市場(chǎng)，而存儲(chǔ)器技術(shù)從過(guò)去的DRAM、3D NAND，正逐漸走向磁阻式存儲(chǔ)器(MRAM)等完全不同模式的新技術(shù)。
2018-12-25 14:39:563068 業(yè)界普遍認(rèn)為未來(lái)從數(shù)據(jù)中將能挖掘出最大的價(jià)值，但要挖掘數(shù)據(jù)的價(jià)值除了需要很強(qiáng)的計(jì)算能力之外，數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)也非常關(guān)鍵。目前，新型存儲(chǔ)器也是領(lǐng)先的企業(yè)非常關(guān)注的一個(gè)方向，蘭開(kāi)斯特大學(xué)（Lancaster University）的研究人員最近發(fā)表論文稱其研究的新型存儲(chǔ)器可以兼具穩(wěn)定、高速、超低功耗的優(yōu)點(diǎn)。
2019-06-25 09:16:232881 云計(jì)算是目前業(yè)界最關(guān)注的話題，其實(shí)云計(jì)算讓很多人云里霧里。而云存儲(chǔ)則是存儲(chǔ)的未來(lái)。云存儲(chǔ)這個(gè)概念的出現(xiàn)，在一定程度上改變了我們對(duì)于傳統(tǒng)存儲(chǔ)模式的看法。但是云存儲(chǔ)想必讓很多人迷惑，今天我們就來(lái)聊聊云存儲(chǔ)的那些事兒。
2019-08-05 10:37:40860 5G、AI、IoT、自動(dòng)駕駛，無(wú)數(shù)隨時(shí)產(chǎn)生著海量數(shù)據(jù)，對(duì)于存儲(chǔ)和處理都提出了極高的需求。IBM大中華區(qū)CTO謝東近日提出，磁帶在未來(lái)十年仍將是主流存儲(chǔ)媒介，其容量將會(huì)每年增長(zhǎng)30％，而傳統(tǒng)硬盤(pán)的增幅只有10％。
2019-08-08 10:40:501360 過(guò)去存儲(chǔ)器與晶圓代工可以說(shuō)是“楚河漢界，井水不犯河水”。但在即將來(lái)臨的時(shí)代，存儲(chǔ)器業(yè)者覬覦占了全球65%的非存儲(chǔ)器市場(chǎng)，而存儲(chǔ)器技術(shù)從過(guò)去的DRAM、3D NAND，正逐漸走向磁阻式存儲(chǔ)器(MRAM)等完全不同模式的新技術(shù)。
2019-09-10 15:24:41742 存儲(chǔ)器是現(xiàn)代信息系統(tǒng)的關(guān)鍵組件之一，已經(jīng)形成了一個(gè)主要由DRAM與NAND Flash組成的超過(guò)1600億美元的市場(chǎng)。同時(shí)，新型存儲(chǔ)開(kāi)始逐步邁向產(chǎn)業(yè)化，將有可能重塑未來(lái)存儲(chǔ)市場(chǎng)格局。我國(guó)正在大力發(fā)展存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)，提前布局新型存儲(chǔ)將是建立未來(lái)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)生態(tài)的重要部分。
2020-04-01 16:49:514447 
目前新型存儲(chǔ)器上受到廣泛關(guān)注的新型存儲(chǔ)器主要有相變存儲(chǔ)器(PCM)，其中有以英特爾與美光聯(lián)合研發(fā)的3D Xpoint為代表;MRAM以美國(guó)Everspin公司推出的STT-MRAM為代表;阻變存儲(chǔ)器
2020-04-25 11:05:572584 
的網(wǎng)絡(luò)開(kāi)發(fā)和商業(yè)化，但首先讓我們看一下當(dāng)前存儲(chǔ)器和新興的非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)的特點(diǎn)，并了解為什么MRAM能夠立足出來(lái)。 非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)的比較下表1比較了各種新興的非存儲(chǔ)器技術(shù)與已建立的存儲(chǔ)器（SRAM，DRAM，NOR和NAND閃
2020-06-09 13:46:16847 
新式存儲(chǔ)器技術(shù)隊(duì)伍包括MRAM、PCRAM和ReRAM，受惠技術(shù)、材料、設(shè)備等環(huán)節(jié)的關(guān)鍵突破，正邁向大規(guī)模量產(chǎn)的路上，眼前我們正處于見(jiàn)證存儲(chǔ)器歷史的轉(zhuǎn)折點(diǎn)。新式存儲(chǔ)器可分為獨(dú)立型產(chǎn)品，以及嵌入于邏輯
2020-06-30 16:21:58910 的領(lǐng)先趨勢(shì)來(lái)增強(qiáng)動(dòng)力。 什么是STT-MRAM？ 嵌入式存儲(chǔ)器IP選項(xiàng)包括STT-MRAM，相變存儲(chǔ)器（PCM），電阻RAM（ReRAM）和鐵電RAM（FRAM）。每種新興的內(nèi)存技術(shù)都不同，適合特定的應(yīng)用，但STT-MRAM似乎已成為主流。 STT-MRAM是一種電阻存儲(chǔ)技術(shù)，其中材料中電子的磁性自旋變
2020-08-04 17:24:263389 MRAM（磁性RAM）是一種使用電子自旋來(lái)存儲(chǔ)信息的存儲(chǔ)技術(shù)（MRAM設(shè)備是Spintronics設(shè)備）。MRAM具有成為通用存儲(chǔ)器的潛力，能夠?qū)?b class="flag-6" style="color: red">存儲(chǔ)存儲(chǔ)器的密度與SRAM的速度結(jié)合在一起，同時(shí)
2020-08-07 17:06:122003 Everspin MRAM存儲(chǔ)芯片如何用MRAM這類非易失性存儲(chǔ)和NVMe SSD構(gòu)建未來(lái)的云存儲(chǔ)的解決方案。 首先STT-MRAM作為異常掉電數(shù)據(jù)緩存的介質(zhì)有以下幾大優(yōu)勢(shì)： 1. 非易失性存儲(chǔ)器
2020-09-19 11:38:322609 MRAM是一種非易失性的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。所謂非易失性是指掉電后﹐仍可以保持存儲(chǔ)內(nèi)容完整，此功能與Flash閃存相同;而隨機(jī)存取是指處理器讀取資料時(shí)，不定要從頭開(kāi)始，隨時(shí)都可用相同的速率，從內(nèi)存的任何
2020-09-21 13:50:342782 經(jīng)常有人將MRAM稱作是非易失性存儲(chǔ)器（NVRAM）未來(lái)的關(guān)鍵性技術(shù)。作為一項(xiàng)非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)，MRAM存儲(chǔ)芯片是可以在掉電時(shí)保留數(shù)據(jù)并且不需要定期刷新。MRAM存儲(chǔ)芯片利用磁性材料和傳統(tǒng)的硅電路
2020-09-24 16:19:431266 MRAM是一種非易失性的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。它擁有SRAM的高速讀取寫(xiě)入能力，以及DRAM的高集成度，基本上可以無(wú)限次地重復(fù)寫(xiě)入。專注于代理銷售MRAM芯片等存儲(chǔ)芯片供應(yīng)商英尚微電子詳細(xì)介紹關(guān)于MRAM
2020-10-21 14:32:591451 
對(duì)于存儲(chǔ)器而言，重要的技術(shù)指標(biāo)無(wú)非就是速度、是否為非易失性、功耗、成本、體積、壽命等。已經(jīng)有很多種類的產(chǎn)品做出了各種各樣的努力，但是始終只能偏重某一方面，而不是面面俱到。也許大家最為看重的是MRAM
2020-10-30 14:27:281188 磁阻式隨機(jī)存儲(chǔ)器MRAM是一種新型存儲(chǔ)器，其優(yōu)點(diǎn)有讀取速度快和集成度高及非揮發(fā)性等。目前許多研究主要是致力于將MRAM運(yùn)用于計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)系統(tǒng)中。同時(shí)非易失性MRAM存儲(chǔ)器也應(yīng)用于各級(jí)高速緩存
2020-11-09 16:46:48628 隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（MRAM）最早于1980年代開(kāi)發(fā)，并被推廣為通用存儲(chǔ)器。與其他存儲(chǔ)技術(shù)不同，MRAM將數(shù)據(jù)存儲(chǔ)為磁性元素，而不是電荷或電流。在性能方面由于使用足夠的寫(xiě)入電流，因此MRAM與SRAM類似。但是這種依賴性也妨礙了它以更高的密度與
2020-11-20 15:45:59772 MRAM是磁阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（Magneto-resistiveRandom Access Memory ）的縮寫(xiě)。MRAM是一種非揮發(fā)性電腦存儲(chǔ)器（ NVRAM ）技術(shù)，從20世紀(jì)90年代以來(lái)
2020-11-24 14:45:22483 “永久性存儲(chǔ)器”通常是指駐留在存儲(chǔ)器總線上的高性能，可字節(jié)尋址的非易失性存儲(chǔ)設(shè)備。MRAM（磁性只讀存儲(chǔ)器）和 FRAM（鐵電 RAM）都具有相似的性能優(yōu)勢(shì)：低電壓運(yùn)行，長(zhǎng)壽命和極高的速度。它們
2020-12-14 11:30:00
38 MRAM在讀寫(xiě)方面可以實(shí)現(xiàn)高速化，這一點(diǎn)與靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（SRAM）類似。由于磁體本質(zhì)上是抗輻射的﹐MRAM芯片本身還具有極高的可靠性，即MRAM本身可以免受軟錯(cuò)誤之害。 MRAM可以做到與動(dòng)態(tài)隨機(jī)
2020-11-25 14:32:19746 
MRAM是一種非易失性的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（SRAM）的高速讀取寫(xiě)入能力;以及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（DRAM）的高集成度，而且基本上可以無(wú)限次地重復(fù)寫(xiě)入。 MRAM的存儲(chǔ)原理 MRAM
2020-12-09 15:54:192403 
MRAM是一種以電阻為存儲(chǔ)方式結(jié)合非易失性及隨機(jī)訪問(wèn)兩種特性，可以兼做內(nèi)存和硬盤(pán)的新型存儲(chǔ)介質(zhì)。寫(xiě)入速度可達(dá)NAND閃存的數(shù)千倍，此外...
2020-12-10 20:55:10274 自旋注入MRAM在功能方面兼具了DRAM及NAND閃存等現(xiàn)有存儲(chǔ)器的優(yōu)點(diǎn)，同時(shí)在性能方面又超過(guò)了現(xiàn)有幾乎所有的存儲(chǔ)器，因此有可能會(huì)贏得巨大的市場(chǎng)（見(jiàn)表1）。具體在功能方面，自旋注入MRAM與閃存一樣
2021-03-03 16:35:01418 MRAM是一種使用電子自旋來(lái)存儲(chǔ)信息的存儲(chǔ)技術(shù)。MRAM具有成為通用存儲(chǔ)器的潛力-能夠?qū)?b class="flag-6" style="color: red">存儲(chǔ)存儲(chǔ)器的密度與SRAM的速度結(jié)合在一起，同時(shí)始終保持非易失性和高能效。MRAM可以抵抗高輻射，可以在極端
2021-03-03 16:40:05955 MRAM是一種利用電子自旋來(lái)存儲(chǔ)信息的存儲(chǔ)技術(shù)。MRAM具有成為通用存儲(chǔ)器的潛力，能夠?qū)?b class="flag-6" style="color: red">存儲(chǔ)存儲(chǔ)器的密度與SRAM的速度相結(jié)合，同時(shí)具有非易失性和節(jié)能性。MRAM可以抵抗高輻射，可以在極端溫度條件下運(yùn)行，并且可以防篡改。這使得MRAM適用于汽車、工業(yè)、軍事和太空應(yīng)用。
2021-06-16 16:55:18795 Everspin公司生產(chǎn)的MRAM用于數(shù)據(jù)持久性和應(yīng)用的市場(chǎng)和應(yīng)用。Everspin MRAM應(yīng)用在數(shù)據(jù)中心和云存儲(chǔ)、汽車和運(yùn)輸市場(chǎng)。MRAM是一種利用電子自旋來(lái)存儲(chǔ)信息的存儲(chǔ)技術(shù)。MRAM具有成為通用存儲(chǔ)器的潛力——能夠?qū)?b class="flag-6" style="color: red">存儲(chǔ)存儲(chǔ)器的密度與 SRAM 的速度相結(jié)合，同時(shí)具有非易失性和節(jié)能性。
2021-08-17 16:26:191926 自旋注入MRAM在功能方面兼具了DRAM及NAND閃存等現(xiàn)有存儲(chǔ)器的優(yōu)點(diǎn)，同時(shí)在性能方面又超過(guò)了現(xiàn)有幾乎所有的存儲(chǔ)器，因此有可能會(huì)贏得巨大的市場(chǎng)(見(jiàn)表1)。具體在功能方面，自旋注入MRAM與閃存一樣
2021-12-07 15:21:108 MRAM即磁阻式隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)器的簡(jiǎn)稱。經(jīng)過(guò)10多年不間斷的研發(fā)，全球第一款正式量產(chǎn)并供貨的MRAM芯片型號(hào)為MR2A16A，它采用44腳的TSOP封裝...
2022-01-25 19:39:475 STT-MRAM是通過(guò)自旋電流實(shí)現(xiàn)信息寫(xiě)入的一種新型非易失性磁隨機(jī)存儲(chǔ)器，是磁性存儲(chǔ)器MRAM的二代產(chǎn)品。STT-MRAM存儲(chǔ)的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，它省略了...
2022-02-07 12:36:256 一些自旋電子存儲(chǔ)器已經(jīng)面世。MRAM（磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器）已經(jīng)商業(yè)化，在某些情況下可以取代電子存儲(chǔ)器，但它是基于鐵磁開(kāi)關(guān)的。
2022-07-22 17:05:141596 新興的存儲(chǔ)器涵蓋了廣泛的技術(shù)，但是需要注意的關(guān)鍵是MRAM，PCRAM和ReRAM。已經(jīng)有一些離散的MRAM器件問(wèn)世了，但是有很多關(guān)于代工廠使用專用芯片構(gòu)建ASIC并用非易失性選項(xiàng)代替易失性存儲(chǔ)器的討論。這將是最大的推動(dòng)因素之一。
2022-11-25 14:23:33338 
STT-MRAM非易失性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器是一款像SRAM一樣 高速、高耐久性、單字節(jié)訪問(wèn)的工作，也可以像ROM/Flash一樣非揮發(fā)性，保留時(shí)間長(zhǎng)的存儲(chǔ)。MRAM供應(yīng)商英尚微支持提供相關(guān)技術(shù)支持。
2022-11-29 15:57:581325 基于上述因素，越來(lái)越多的MCU大廠開(kāi)始選擇在MCU中集成新型存儲(chǔ)器，比如相變存儲(chǔ)器（PCM）、磁RAM（MRAM）和阻變存儲(chǔ)器（RRAM）等，當(dāng)然不同的大廠也有著他們不同的選擇…
2022-12-01 20:28:06639 在筆者看來(lái)，市場(chǎng)對(duì)新興存儲(chǔ)器并不友善，盡管人們?nèi)匀幌Ｍ鎯?nèi)計(jì)算（copute in memory）能夠重振基于電阻、相變和其他特性的新型存儲(chǔ)器。
2023-02-14 11:33:401484 
全新的存儲(chǔ)器MRAM，ReRAM，PCRAM，相對(duì)于傳統(tǒng)存儲(chǔ)器來(lái)說(shuō)，具有很多方面獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)，能夠在計(jì)算系統(tǒng)層級(jí)實(shí)現(xiàn)更優(yōu)的計(jì)算性能、功耗和成本。
2023-03-20 11:39:191410 MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)是一種新型的非揮發(fā)性的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)的高速讀取寫(xiě)入能力，以及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器
2023-04-19 17:45:462548 MRAM或磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器使用具有鐵磁性材料的磁性“狀態(tài)”的1晶體管–1磁性隧道結(jié)（1T-1MTJ）體系結(jié)構(gòu)作為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元素。
2024-01-09 14:24:03212 
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