磁場(chǎng)定向控制（FOC）實(shí)現(xiàn)電機(jī)控制小型化和高效安靜驅(qū)動(dòng)。該器件不僅適用于汽車(chē)機(jī)電一體化應(yīng)用 -?如油泵、發(fā)動(dòng)機(jī)冷卻風(fēng)扇和 BLDC 定位執(zhí)行器，還可用于機(jī)器人系統(tǒng)和電動(dòng)自行車(chē)/電動(dòng)踏板車(chē)
2022-06-06 11:19:45
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Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，其E系列600V功率MOSFET新增采用8種封裝的17款新器件
2012-10-22 13:45:241159 Diodes公司 （Diodes Incorporated） 新推出的600V 8A超高速整流器DSR8F600采用特別設(shè)計(jì)，可應(yīng)用于具備功率因數(shù)校正和連續(xù)導(dǎo)通模式的升壓二極管。目標(biāo)市場(chǎng)為需要
2015-08-18 09:45:37915 近日，德州儀器 （TI） 推出了業(yè)內(nèi)速度最快的半橋柵極驅(qū)動(dòng)器。這款用于分立式功率MOSFET和絕緣柵雙極晶體管 （IGBT） 的柵極驅(qū)動(dòng)器的工作電壓可達(dá)到600V。
2015-10-16 16:32:111114 損耗有關(guān)，這會(huì)影響熱性能，進(jìn)而影響系統(tǒng)重量、尺寸和成本。隨著具有更高功率水平的逆變器的開(kāi)發(fā)，減少功率損耗的需求將繼續(xù)存在，特別是隨著每輛車(chē)的電機(jī)數(shù)量的增加，卡車(chē)將遷移到純電動(dòng)汽車(chē)。 牽引逆變器傳統(tǒng)上使用絕緣柵
2022-10-25 17:05:021428 
理論計(jì)算模型：主要介紹介紹電機(jī)控制器各器件功率損耗的計(jì)算過(guò)程，可用于Matlab仿真建模，從而得知電機(jī)控制器的理論效率值和損耗值。
2023-07-10 17:45:221636 
東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布，推出兩款斷態(tài)輸出端額定電壓分別為400V和600V的光繼器---“TLP223GA”和“TLP223J”。這兩款器件都具有低輸入電流以及優(yōu)化的開(kāi)關(guān)特性，并采用DIP4封裝。產(chǎn)品于今日開(kāi)始支持批量出貨。
2022-01-18 13:56:361221 
? Mini家族的產(chǎn)品陣容。該系列智能功率模塊采用了全新的600V逆導(dǎo)型驅(qū)動(dòng)器2（RCD2）IGBT技術(shù)，并且?guī)в虚_(kāi)放式發(fā)射極。CIPOS IM523系列智能功率模塊集成多種功率和控制器件來(lái)提高
2022-10-31 18:01:081167 
? —小型高邊和低邊開(kāi)關(guān)（8通道）— ? 中國(guó)上海， 2023 年 2 月 7 日 ——東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）宣布推出兩款智能功率器件---“TPD2015FN
2023-02-07 14:56:11442 
線。該器件采用超級(jí)結(jié)結(jié)構(gòu)，耐壓600V，適用于數(shù)據(jù)中心、開(kāi)關(guān)電源和光伏發(fā)電機(jī)功率調(diào)節(jié)器。該新產(chǎn)品是東芝DTMOSVI系列中的首款600V產(chǎn)品，于今日開(kāi)始批量出貨。 ? ? 通過(guò)對(duì)柵極設(shè)計(jì)和工藝進(jìn)行優(yōu)化，與具有相同漏源電壓額定值的東芝目前的DTMOSIV-H系列產(chǎn)品相比，600V DTMOSVI系列產(chǎn)品的
2023-06-13 16:38:50712 
－通孔式小型封裝有助于減小表貼面積和電機(jī)電路板尺寸－ ? 中國(guó)上海， 2023 年 10 月 26 日 ——東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布，推出兩款600V小型智能功率器件
2023-10-27 16:18:50791 
進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)小型化。開(kāi)關(guān)損耗大幅降低，可進(jìn)一步提升大功率應(yīng)用的效率ROHM利用獨(dú)有的內(nèi)部結(jié)構(gòu)并優(yōu)化散熱設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)出新型封裝，從而開(kāi)發(fā)并推出了600A額定電流的全SiC功率模塊產(chǎn)品。由此，全SiC功率模塊在工業(yè)
2018-12-04 10:20:43
開(kāi)關(guān)頻率（高達(dá) 100kHz）支持以最低的電流紋波驅(qū)動(dòng)低電感電機(jī)帶有集成型柵極驅(qū)動(dòng)器的 600V 和 12A LMG3410 GaN FET 可減小 PCB 外形尺寸并降低布局復(fù)雜度極速開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換（小于
2018-10-31 17:33:14
各位大師 請(qǐng)教個(gè)問(wèn)題本人有臺(tái)開(kāi)關(guān)電源600V/3A。整流后經(jīng)四個(gè)大容，四個(gè)場(chǎng)效應(yīng)管組成的對(duì)管，后經(jīng)變壓器，再經(jīng)整流。開(kāi)電沒(méi)問(wèn)題。只要工作就燒開(kāi)關(guān)管，大功率場(chǎng)效應(yīng)管，兩個(gè)對(duì)管。問(wèn)問(wèn)是怎么回事，會(huì)是哪里造成的。
2013-10-11 00:34:27
最近在做一個(gè)項(xiàng)目，直流輸出有600V，輸出與控制板完全隔離，現(xiàn)在我想通過(guò)電阻分壓的方式對(duì)其進(jìn)行采樣。分別對(duì)輸出+和輸出-作分壓采樣。但是因?yàn)檩敵龅叵鄬?duì)板子地是懸浮的，所以分壓電路設(shè)計(jì)上難把握。請(qǐng)問(wèn)板上大聲有沒(méi)有有經(jīng)驗(yàn)的或有想法的不吝賜教。另外問(wèn)一下有沒(méi)有用過(guò)隔離式直流電壓采樣器件的嗎
2015-09-29 16:25:27
極快反向恢復(fù)速度的600V-1200V碳化硅肖特基二極管芯片及成品器件 。海飛樂(lè)技術(shù)600V碳化硅二極管現(xiàn)貨選型相比于Si半導(dǎo)體材料，SiC半導(dǎo)體材料具有禁帶寬度較大、臨界電場(chǎng)較大、熱導(dǎo)率較高的特點(diǎn)，SiC
2019-10-24 14:25:15
`如今隨著技術(shù)的發(fā)展，微步步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)不斷實(shí)現(xiàn)了越來(lái)越強(qiáng)大的性能，例如靜音驅(qū)動(dòng)、降低功耗等。東芝新推出的TB5128FTG擁有強(qiáng)大的性能，額定值為50V／5A，支持128級(jí)微步進(jìn)，在降低功耗的同時(shí)
2018-12-12 12:43:42
中國(guó)上海，2023年3月9日 ——東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布推出一款用于空調(diào)和工業(yè)設(shè)備大型電源的功率因數(shù)校正（PFC）電路的650V分立IGBT---“GT30J65MRB
2023-03-09 16:39:58
，提高開(kāi)關(guān)的速度，從而降低開(kāi)關(guān)損耗，但是過(guò)高的開(kāi)關(guān)速度會(huì)引起EMI的問(wèn)題。（2）提高柵極驅(qū)動(dòng)電壓也可以提高開(kāi)關(guān)的速度，降低開(kāi)關(guān)損耗。同時(shí)，高的柵極驅(qū)動(dòng)電壓會(huì)增加驅(qū)動(dòng)損耗，特別是輕載的時(shí)候，對(duì)效率
2017-03-06 15:19:01
過(guò)程中的開(kāi)關(guān)損耗。開(kāi)關(guān)損耗內(nèi)容將分成二次分別講述開(kāi)通過(guò)程和開(kāi)通損耗，以及關(guān)斷過(guò)程和和關(guān)斷損耗。功率MOSFET及驅(qū)動(dòng)的等效電路圖如圖1所示，RG1為功率MOSFET外部串聯(lián)的柵極電阻，RG2為功率
2017-02-24 15:05:54
。由于SiC功率元器件在節(jié)能和小型化方面非常有效，因此，希望在這里能加深對(duì)元器件的了解，以幫助大家更得心應(yīng)手地使用它。關(guān)鍵要點(diǎn):?SiC功率元器件是能夠降低損耗，并高溫環(huán)境的工作特性優(yōu)異的新一代低損耗
2018-11-29 14:39:47
的目的。這種器件的制造水平是1800V/800A/2KHz、600V/3A/100KHz左右（參考）。（3）．可控硅SCR可控硅在大電流、高耐壓場(chǎng)合還是必須的，但在常規(guī)工業(yè)控制的低壓、中小電流控制中，已
2018-05-08 10:08:40
20%,損耗下降10%。轉(zhuǎn)子損耗電動(dòng)機(jī)轉(zhuǎn)子I^2R損耗主要與轉(zhuǎn)子電流和轉(zhuǎn)子電阻有關(guān)，相應(yīng)的節(jié)能方法主要有：1、減小轉(zhuǎn)子電流，這可從提高電壓和電機(jī)功率因素兩方面考慮。2、增加轉(zhuǎn)子槽截面積。3、減小
2018-10-11 10:21:49
電機(jī)額定功率和實(shí)際功率的區(qū)別電機(jī)功率計(jì)算口訣電機(jī)的電流怎么算？
2021-01-28 06:43:40
電機(jī)效率的影響因素降低電機(jī)損耗的關(guān)鍵制造技術(shù)
2021-01-26 07:49:16
的功率損耗有關(guān)，這會(huì)影響熱性能，進(jìn)而影響系統(tǒng)重量、尺寸和成本。隨著具有更高功率水平的逆變器的開(kāi)發(fā)，減少功率損耗的需求將繼續(xù)存在，特別是隨著每輛車(chē)電機(jī)數(shù)量的增加以及卡車(chē)向純電動(dòng)汽車(chē)的遷移。牽引逆變器傳統(tǒng)上
2022-11-02 12:02:05
FCI為混合動(dòng)力及電動(dòng)汽車(chē)推出大功率連接器設(shè)計(jì)
2021-05-10 06:18:51
獨(dú)立高側(cè)和低側(cè)參考輸出通道。該輸出驅(qū)動(dòng)器有一個(gè)高脈沖電流緩沖級(jí)，適用于最小的驅(qū)動(dòng)器跨導(dǎo)，同時(shí)浮動(dòng)通道可以用來(lái)驅(qū)動(dòng)工作在高達(dá)600V高側(cè)配置的N溝道功率MOSFET或 IGBT。這些器件可為兩種通道提供
2008-11-13 20:40:15
阻,直流電機(jī)驅(qū)動(dòng),新型,推出,器件,業(yè)界,應(yīng)用設(shè)計(jì),承載能力,傳導(dǎo)損耗<br/>【DOI】：CNKI:SUN:DZZZ.0.2010-04-006<br
2010-05-06 08:55:20
計(jì)算，實(shí)測(cè)截圖如圖3所示?！ ?、MOS管和PFCMOS管的實(shí)測(cè)演示視頻 MOS管損耗測(cè)試對(duì)于器件評(píng)估非常關(guān)鍵，通過(guò)示波器的電源分析軟件，可以快速有效的對(duì)器件的功率損耗進(jìn)行評(píng)估，ZDS3000/4000系列示波器免費(fèi)標(biāo)配電源分析軟件。
2018-11-09 11:43:12
二極管通電導(dǎo)致的元件劣化問(wèn)題等特點(diǎn)的產(chǎn)品。與一般的同規(guī)格IGBT模塊相比，開(kāi)關(guān)損耗降低了77%，可高頻驅(qū)動(dòng)，因此還非常有助于周邊元器件和冷卻系統(tǒng)等的小型化。其可用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)、太陽(yáng)能發(fā)電、轉(zhuǎn)換器等多元化
2019-04-12 05:03:38
電源模塊。我們的SPM2和SPM3智能功率模塊用于工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)。我們已擴(kuò)展這兩系列至涵蓋達(dá)10kW的功率等級(jí)。這兩個(gè)系列都有600 V和1200 V版本。單相交流輸入電機(jī)驅(qū)動(dòng)通常使用600 V模塊。3
2018-10-24 08:53:30
，SiC-MOSFET能夠在IGBT不能工作的高頻條件下驅(qū)動(dòng)，從而也可以實(shí)現(xiàn)無(wú)源器件的小型化。與600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的優(yōu)勢(shì)在于芯片面積小（可實(shí)現(xiàn)小型封裝），而且體
2019-05-07 06:21:55
電流和FRD的恢復(fù)電流引起的較大的開(kāi)關(guān)損耗，通過(guò)改用SiC功率模塊可以明顯減少，因此具有以下效果：開(kāi)關(guān)損耗的降低，可以帶來(lái)電源效率的改善和散熱部件的簡(jiǎn)化（例：散熱片的小型化，水冷/強(qiáng)制風(fēng)冷的自然風(fēng)冷化
2019-05-06 09:15:52
相比，能夠以具有更高的雜質(zhì)濃度和更薄的厚度的漂移層作出600V～數(shù)千V的高耐壓功率器件。高耐壓功率器件的阻抗主要由該漂移層的阻抗組成，因此采用SiC可以得到單位面積導(dǎo)通電阻非常低的高耐壓器件。理論上
2019-07-23 04:20:21
/電子設(shè)備實(shí)現(xiàn)包括消減待機(jī)功耗在內(nèi)的節(jié)能目標(biāo)。在這種背景下，削減功率轉(zhuǎn)換時(shí)產(chǎn)生的能耗是當(dāng)務(wù)之急。不用說(shuō)，必須將超過(guò)Si極限的物質(zhì)應(yīng)用于功率元器件。例如，利用SiC功率元器件可以比IGBT的開(kāi)關(guān)損耗降低85
2018-11-29 14:35:23
` 本帖最后由 CHIPSPOWER-Anne 于 2016-10-25 10:26 編輯
東芝新推出了一款步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片，TB67S109AFNAG。各位做機(jī)器人的朋友可以考慮測(cè)試下試試
2016-10-25 10:13:51
?！ 〔粌H如此，羅姆正在不斷提高驅(qū)動(dòng)這些功率元器件的IC的耐壓性能。以往耐壓數(shù)十伏的羅姆IC,如今耐壓性能已經(jīng)提高到600V,可驅(qū)動(dòng)各種耐壓水平的功率元器件。 對(duì)于需要絕緣的整機(jī)產(chǎn)品，可使用2012年5月
2018-09-26 09:44:59
，目前正從傳統(tǒng)工業(yè)制造和4C產(chǎn)業(yè)向新能源、電力機(jī)車(chē)、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域發(fā)展。另外，不同的細(xì)分領(lǐng)域，對(duì)功率半導(dǎo)體器件的電壓承受能力要求也不一樣，以IGBT為例，消費(fèi)電子電壓一般在600V以下，太陽(yáng)能逆變器
2019-02-26 17:04:37
SiC功率模塊”量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開(kāi)關(guān)并可大幅降低損耗。關(guān)于這一點(diǎn)，根據(jù)這之前介紹過(guò)的SiC-SBD和SiC-MOSFET的特點(diǎn)與性能，可以很容易理解
2018-11-27 16:38:04
的IGBT模塊相比，具有1）可大大降低開(kāi)關(guān)損耗、2）開(kāi)關(guān)頻率越高總體損耗降低程度越顯著 這兩大優(yōu)勢(shì)。下圖是1200V/300A的全SiC功率模塊BSM300D12P2E001與同等IGBT的比較。左圖
2018-11-27 16:37:30
的數(shù)值，則可以降低總功率損耗。如果相電流很高，就會(huì)提高柵極驅(qū)動(dòng)電壓，以便降低RDS（on）和導(dǎo)通損耗。IR的CHIL?數(shù)字控制技術(shù)讓我們能夠針對(duì)MOSFET、相位數(shù)量和每個(gè)相位的電流水平來(lái)優(yōu)化這些參數(shù)，從而利用服務(wù)器VR解決方案實(shí)現(xiàn)最大效率增益。
2018-11-29 17:00:15
SiC-SBD，藍(lán)色是第二代，可確認(rèn)VF的降低。SiC-SBD因高速trr而使開(kāi)關(guān)損耗降低，加之VF的改善，在功率二極管中可以說(shuō)是損耗最小的二極管。促進(jìn)電源系統(tǒng)應(yīng)用的效率提高與小型化前面已經(jīng)介紹了
2018-12-04 10:26:52
工況下的一個(gè)低功耗電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路(例如，小功率冰箱壓縮機(jī))內(nèi)測(cè)試了基于這兩種功率技術(shù)的SLLIMM?-nano(小型低損耗智能模壓模塊)，從電熱性能兩個(gè)方面對(duì)這兩項(xiàng)技術(shù)進(jìn)行了詳細(xì)的分析和比較。 1前言
2018-11-20 10:52:44
ROHM在全球率先實(shí)現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開(kāi)關(guān)并可大幅降低損耗
2018-12-04 10:14:32
請(qǐng)問(wèn)一下各位高手，如何去降低電機(jī)的功率！在不改動(dòng)負(fù)載、電壓的條件下！可以加個(gè)元器件什么的！
2014-12-17 12:03:29
`①未來(lái)發(fā)展導(dǎo)向之Sic功率元器件“功率元器件”或“功率半導(dǎo)體”已逐漸步入大眾生活，以大功率低損耗為目的二極管和晶體管等分立（分立半導(dǎo)體）元器件備受矚目。在科技發(fā)展道路上的，“小型化”和“節(jié)能化
2017-07-22 14:12:43
1. 器件結(jié)構(gòu)和特征SiC能夠以高頻器件結(jié)構(gòu)的SBD（肖特基勢(shì)壘二極管）結(jié)構(gòu)得到600V以上的高耐壓二極管（Si的SBD最高耐壓為200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替換現(xiàn)在主流產(chǎn)品快速PN結(jié)
2019-05-07 06:21:51
各位大大，最近在做雙向逆變，想問(wèn)一下用2變比的高頻變壓器，高壓側(cè)600V降壓到300v，升壓的時(shí)候可以從300V升壓超過(guò)600V嗎，有人說(shuō)高頻變壓器可以升壓超過(guò)原來(lái)高壓側(cè)輸入的電壓，請(qǐng)問(wèn)有懂這個(gè)的能說(shuō)一下能實(shí)現(xiàn)升壓超過(guò)2變比的嗎
2018-03-17 15:26:54
`本書(shū)主要圍繞電機(jī)控制的設(shè)計(jì)與相關(guān)功率器件來(lái)展開(kāi)解析，介紹了電機(jī)控制的基本概念以及功率器件運(yùn)用技術(shù)。重點(diǎn)介紹了電機(jī)控制的設(shè)計(jì)方案，分別從DSP、MCU、FPGA這三個(gè)方面進(jìn)行講解。并且通過(guò)常用的功率
2019-03-27 16:56:11
直流電機(jī)通過(guò)PWM降速后，電機(jī)的輸出功率會(huì)降低嗎？直流電機(jī)如何實(shí)現(xiàn)在功率不變的前提下降速？電動(dòng)自行車(chē)是通過(guò)什么方式降速的？
2023-03-16 10:09:00
的技術(shù)貢獻(xiàn)于節(jié)電，通過(guò)功率元器件提升轉(zhuǎn)換效率。而提高轉(zhuǎn)換效率就需要減少損耗。發(fā)電站產(chǎn)生幾十萬(wàn)伏的電壓，通過(guò)電線和變壓器將這些電壓降低為如我們所熟悉的手機(jī)充電器所提供的約5V的電壓進(jìn)行使用。從發(fā)電站到充電器
2019-06-21 07:20:58
近年來(lái)，功率半導(dǎo)體廠商致力于提高器件的開(kāi)關(guān)速度，這帶來(lái)了開(kāi)關(guān)損耗降低和系統(tǒng)能效提升的益處。這些功率器件需要優(yōu)化的直流電路寄生電感（L?）。為了滿足具有大電流的高功率應(yīng)用的需求，推出了一種全新的芯片
2018-12-07 10:16:11
1、摘要通帶插入損耗是無(wú)源射頻器件（如濾波器，發(fā)射合路器，電纜）的重要指標(biāo)。而用常見(jiàn)的單臺(tái)功率計(jì)輸入輸出測(cè)試法卻不能獲得準(zhǔn)確的結(jié)果。本文解釋了產(chǎn)生誤差的原因，并描述了一種在工程中極為實(shí)用的雙功率計(jì)
2019-06-10 07:53:22
國(guó)際整流器公司推出一系列新一代500V及600V高壓集成電路（HVIC）。這19款新型HVIC采用半橋設(shè)計(jì)，配有高端和低端驅(qū)動(dòng)器，可廣泛適用于包括馬達(dá)控制、照明、開(kāi)關(guān)電源、音頻和平板顯示器等
2018-08-31 11:23:15
問(wèn)下雙向可控硅的最大功率怎么看？ 比如BT134-600 的最大電壓是600V 電流是4A，那最大功率是600*4=2400W咯？
2019-07-05 16:28:57
在t1時(shí)刻進(jìn)行開(kāi)啟，來(lái)達(dá)到DUT零電流的關(guān)斷，從而減小關(guān)斷損耗。軟開(kāi)關(guān)與硬開(kāi)關(guān)器件功耗對(duì)比如圖為采用零電壓開(kāi)啟和零電流關(guān)斷的功率器件與采用硬開(kāi)關(guān)方式的開(kāi)關(guān)損耗對(duì)比情況。軟開(kāi)啟能夠大幅降低功率器件的開(kāi)啟
2019-08-29 10:11:06
零功耗PSD器件的工作和功率損耗的計(jì)算
2009-05-15 14:36:03
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智能功率器件的原理與應(yīng)用
摘要：目前，功率器件正朝著集成化、智能化和模塊化的方向發(fā)展。智能功率器件為機(jī)電一體化
2009-07-15 07:56:561565 
適用于節(jié)能家電的創(chuàng)新
功率轉(zhuǎn)換
器件
英飛凌科技股份公司近日
推出適用于節(jié)能家用電器
電機(jī)驅(qū)動(dòng)裝置的
功率轉(zhuǎn)換
器件系列。全新的
600V RC IGBT驅(qū)動(dòng)系列（RC指逆向?qū)?/div>
2010-01-23 08:37:071109 英飛凌推出適用于節(jié)能家電的創(chuàng)新功率轉(zhuǎn)換器件
英飛凌科技股份公司近日推出適用于節(jié)能家用電器電機(jī)驅(qū)動(dòng)裝置的功率轉(zhuǎn)換器件系列。全新的600V RC IGBT驅(qū)動(dòng)系列（RC指
2010-01-25 08:44:19759 500V和600V的高壓MOSFET
安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)擴(kuò)充公司市場(chǎng)領(lǐng)先的功率開(kāi)關(guān)產(chǎn)品陣容，推出包括500伏特(V)和600 V器件的高壓功率金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFE
2010-02-23 16:15:341664 IR推出汽車(chē)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用的AUIRS2301S 600V IC
國(guó)際整流器公司(IR)推出 AUIRS2301S 600V IC，適用于汽車(chē)電機(jī)驅(qū)動(dòng)、微型逆變器驅(qū)動(dòng)和通用三相逆變器應(yīng)用。AUIRS2301S
2010-03-25 11:36:411349 
意法推出4款家用電器和低功率電機(jī)驅(qū)動(dòng)的智能功率模塊
意法半導(dǎo)體宣布，其家用電器和低功率電機(jī)驅(qū)動(dòng)設(shè)備半導(dǎo)體產(chǎn)品陣容新增智能功率模塊產(chǎn)品，為
2010-04-13 10:50:06890 
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款600V、47A N溝道功率MOSFET --- SiHG47N60S，該MOSFET在10V柵極驅(qū)動(dòng)下具有0.07Ω的
2010-11-09 08:59:571559 在德國(guó)紐倫堡舉辦的PCIM Europe 2011展會(huì)（5月17日至19日）上，英飛凌科技600V逆導(dǎo)型（RC）IGBT家族的兩名新成員閃亮登場(chǎng)。這兩款新的功率開(kāi)關(guān)器件可在目標(biāo)應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)最高達(dá)96%的能效。利
2011-06-02 08:57:13744 羅姆開(kāi)發(fā)了采用SiC
功率元件的
功率模塊，額定電壓和電流分別為
600V和1000A。該產(chǎn)品是與美國(guó)Arkansas Power Electronics International公司共同開(kāi)發(fā)的。之所以能承受1000A的大電流，是因?yàn)椴捎昧藴?/div>
2011-10-12 09:48:461281 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 近日新推出600V車(chē)用IGBT系列，專門(mén)針對(duì)電動(dòng)汽車(chē)和混合動(dòng)力汽車(chē)中的變速電機(jī)控制和電源應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化
2011-10-13 09:03:46847 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 近日推出600V AUIRS2332J 三相柵極驅(qū)動(dòng)器IC，適用于電動(dòng)汽車(chē)和混合動(dòng)力汽車(chē)中的車(chē)用高壓電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用。
2011-10-21 09:45:211669 賓夕法尼亞、MALVERN — 2012 年 5 月3 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出其下一代D系列高壓功率MOSFET的首款器件。新的400V、500V和600V n溝道器件具有低導(dǎo)通
2012-05-03 17:29:421433 美國(guó)Transphorm公司發(fā)布了耐壓為600V的GaN類功率元件。該公司是以美國(guó)加州大學(xué)圣塔巴巴拉分校（UCSB）的GaN元器件研究人員為核心創(chuàng)建的風(fēng)險(xiǎn)企業(yè)，因美國(guó)谷歌向其出資而備受功率半導(dǎo)體
2012-05-18 11:43:441931 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國(guó)際整流器公司 （International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR） 推出高性能600V超高速溝道場(chǎng)截止絕緣柵雙極晶體管 （IGBT） IR66xx系列。堅(jiān)固可靠的新系列器件提供極低的導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)損耗，旨在為焊接應(yīng)用做出優(yōu)化。
2014-08-19 16:31:532356 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國(guó)際整流器公司 （International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR）近日發(fā)布600V車(chē)用IGBT產(chǎn)品AUIRGP66524D0和 AUIRGF66524D0，針對(duì)混合動(dòng)力汽車(chē)和電動(dòng)車(chē)中的小型輔助電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用而優(yōu)化，包括空調(diào)壓縮機(jī)應(yīng)用等。
2014-12-11 11:48:092248 
賓夕法尼亞、MALVERN — 2017 年 2 月10 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出第四代600V E系列功率
2017-02-10 15:10:111667 英飛凌功率器件在電機(jī)驅(qū)動(dòng)中的應(yīng)用說(shuō)明。
2021-05-19 16:00:5338 STGIK50CH65T是最新推出的緊湊型大功率雙列直插式智能功率模塊（IPM），屬于SLLIMM（小型低損耗智能模封模塊） High Power 系列。
2022-05-06 10:37:24961 
以IMD112T iMOTION? Driver， iMOTION?智能驅(qū)動(dòng)器——帶功率器件驅(qū)動(dòng)的電機(jī)控制器為核心的吊扇方案，功率器件：PFC采用8A 650V TRENCHSTOP?5 H5 IGBT ，逆變器采用3A 600V逆導(dǎo)型IGBT。
2022-06-15 10:06:161351 外殼的設(shè)計(jì)很重要。第三種可能是提高操作溫度。高溫路線圖要求器件在 175°C 下運(yùn)行，將來(lái)甚至在 200°C 下運(yùn)行。 對(duì)于第一個(gè)方面，降低損耗，我們需要轉(zhuǎn)向基于碳化硅和氮化鎵的功率器件。對(duì)于 EV 應(yīng)用，我們將討論 600 至 1,200 V 范圍
2022-08-03 10:16:55707 Vishay 推出四款新型 TO-244 封裝第 5 代 FRED Pt 600V Ultrafast 整流器。 Vishay Semiconductors 整流器新款 240A、300A、480A 和 600A 具有出色導(dǎo)通和開(kāi)關(guān)損耗特性，能有效提高中頻功率轉(zhuǎn)換器以及軟硬開(kāi)關(guān)或諧振電路的效率。
2022-08-25 17:33:11944 東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(“東芝”)近日宣布，推出新款功率器件---第三代碳化硅(SiC)MOSFET[1][2]“TWxxNxxxC系列”。該系列具有低導(dǎo)通電阻，可顯著降低開(kāi)關(guān)損耗。該系列10款產(chǎn)品包括5款1200V產(chǎn)品和5款650V產(chǎn)品，現(xiàn)已開(kāi)始出貨。
2022-09-01 15:37:53479 Vishay Siliconix n 溝道 SiHK045N60EF 導(dǎo)通電阻比前代器件降低 29 %，為通信、工業(yè)和計(jì)算應(yīng)用提供高效、高功率密度解決方案，同時(shí)柵極電荷下降 60 %，從而使器件導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積，即功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中 600V MOSFET 的重要優(yōu)值系數(shù)（FOM）創(chuàng)業(yè)界新低。
2022-10-14 16:16:12817 功率半導(dǎo)體注定要承受大的損耗功率、高溫和溫度變化。提高器件和系統(tǒng)的功率密度是功率半導(dǎo)體重要的設(shè)計(jì)目標(biāo)。
2023-02-06 14:24:201160 
東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（下稱“東芝”）宣布推出兩款智能功率器件——TPD2015FN高邊開(kāi)關(guān)（8通道）和TPD2017FN低邊開(kāi)關(guān)（8通道），用于控制電機(jī)、螺線管、燈具和工業(yè)設(shè)備可編程邏輯
2023-02-08 13:22:37268 關(guān)鍵詞 兼具業(yè)內(nèi)優(yōu)異的降噪和低損耗特性 600V耐壓IGBT IPM/li> 各種變頻器的功率轉(zhuǎn)換用 BM6337x系列 無(wú)需自舉二極管和限流電阻 當(dāng)保護(hù)電路被激活時(shí)，警報(bào)輸出（...
2023-02-08 13:43:21561 
600V耐壓IGBT IPM：BM6337x系列?關(guān)鍵詞 兼具業(yè)內(nèi)優(yōu)異的降噪和低損耗特性 600V耐壓IGBT IPM 各種變頻器的功率轉(zhuǎn)換用 BM6337x系列 優(yōu)化內(nèi)置...
2023-02-08 13:43:21869 中國(guó)上海，2023年2月7日——東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）宣布推出兩款智能功率器件---“TPD2015FN”和“TPD2017FN”，用于可控制電機(jī)、螺線管、燈具和其他應(yīng)用（如工業(yè)
2023-02-09 15:30:00156 東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(“東芝”)宣布，推出兩款智能功率器件---“TPD2015FN”和“TPD2017FN”，用于可控制電機(jī)、螺線管、燈具和其他應(yīng)用(如工業(yè)設(shè)備的可編程邏輯控制器)中使
2023-02-12 09:37:42963 說(shuō)明：IGBT 功率器件損耗與好多因素相關(guān)，比如工作電流，電壓，驅(qū)動(dòng)電阻。在出設(shè)計(jì)之前評(píng)估電路的損耗有一定的必要性。在確定好功率器件的驅(qū)動(dòng)參數(shù)后（驅(qū)動(dòng)電阻大小，驅(qū)動(dòng)電壓等），開(kāi)關(guān)器件的損耗基本上
2023-02-22 14:05:543 優(yōu)越的電氣參數(shù)，呈現(xiàn)出最佳效能 強(qiáng)茂新推4顆封裝于TO-252AA的600V功率FREDs，以拓展LowVF系列和LowTrr的產(chǎn)品線；此功率FRED的LowVF系列適用于DCMPCF電路
2023-03-06 11:56:27180 東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）宣布，推出采用最新一代工藝制造[1]的TK055U60Z1，進(jìn)一步擴(kuò)充了N溝道功率MOSFET系列產(chǎn)品線。
2023-06-16 09:03:30228 
無(wú)論是電機(jī)還是減速器，長(zhǎng)期使用可能會(huì)增加損耗，增加支出成本。具體方法是如何降低減速電機(jī)的電壓和功率。電力是我們?nèi)粘Ｉ钪械幕灸茉矗虼吮仨毐ＷC供電的可靠性和穩(wěn)定性。供電線路的電壓損耗和功率損耗是供電過(guò)程中不可避免的。以下是我們對(duì)電壓損耗和功率損耗的簡(jiǎn)要介紹。
2021-11-01 14:49:46460 
森國(guó)科隆重推出IGBT分立器件新品，兼具功率MOSFET易于驅(qū)動(dòng)、控制簡(jiǎn)單、開(kāi)關(guān)頻率高和功率雙極型晶體管(BJT)低飽和壓降、大電流運(yùn)輸能力及低損耗的優(yōu)點(diǎn)。
2023-07-26 17:34:13355 
?Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation（下稱“Toshiba”）推出了兩款適用于直流無(wú)刷電動(dòng)機(jī)應(yīng)用領(lǐng)域的600V小型智能功率元件(IPD
2023-08-25 11:20:34496 表面貼裝型小型封裝有助于減小表貼面積和電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路板的尺寸
2023-08-28 09:40:39179 
，并抑制功率衰減 [1] ，適用于使用大量繼電器且需要實(shí)現(xiàn)高速信號(hào)傳輸?shù)陌雽?dǎo)體測(cè)試設(shè)備的引腳電子器件。該產(chǎn)品于近日開(kāi)始支持批量出貨。 TLP3475W采用了東芝經(jīng)過(guò)優(yōu)化的封裝設(shè)計(jì)，這有助于降低新型光繼電器的寄生電容和電感。降低插入損耗的同時(shí)還可將高頻信
2023-10-17 23:10:02321 
東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布，推出兩款600V小型智能功率器件（IPD）—“TPD4163K”和“TPD4164K”，可用于空調(diào)、空氣凈化器和泵等直流無(wú)刷電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用。
2023-10-27 11:05:54657 
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation?("Toshiba")推出了兩款600V小型智能功率器件(IPD)產(chǎn)品，適用于空調(diào)、空氣凈化
2023-10-27 11:13:00301 美格納半導(dǎo)體宣布推出微納加工增強(qiáng)型第六代 600V 超級(jí)結(jié)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (SJ MOSFET)。 這款第六代 600V SJ MOSFET (MMD60R175S6ZRH) 采用
2023-11-02 17:04:01473 已全部加載完成
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