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電子發(fā)燒友網(wǎng)>模擬技術(shù)>IGBT/功率器件>IR推出高性能600V超高速溝道IGBT IR66xx系列

IR推出高性能600V超高速溝道IGBT IR66xx系列

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2011-09-07 17:59:471386

IR推出車用MOSFET系列

國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 近日推出車用 MOSFET 系列,可為一系列應(yīng)用提供基準導通電阻 (Rds(on)) ,包括電動助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng) (EPS) 、集成式起動發(fā)電機 (ISA) 泵和電機控制
2011-09-15 09:27:391313

IR推出高效可靠的超高速1200V IGBT

全球功率半導體和管理方案領(lǐng)導廠商國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 近日推出一對高效、可靠的超高速溝道絕緣柵雙極晶體管 (IGBTs) ,該產(chǎn)品為焊接、高功率整流等感應(yīng)加熱
2011-09-28 09:08:05916

IR推出優(yōu)化的600V車用IGBT系列

全球功率半導體和管理方案領(lǐng)導廠商國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 近日新推出600V車用IGBT系列,專門針對電動汽車和混合動力汽車中的變速電機控制和電源應(yīng)用進行了優(yōu)化
2011-10-13 09:03:46847

IR推出600V車用柵極驅(qū)動芯片AUIRS2332J

全球功率半導體和管理方案領(lǐng)導廠商國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 近日推出600V AUIRS2332J 三相柵極驅(qū)動器IC,適用于電動汽車和混合動力汽車中的車用高壓電機驅(qū)動應(yīng)用。
2011-10-21 09:45:211669

IR推出PowIRstage集成式器件系列IR3551

國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出IR3551以擴充PowIRstage 集成式器件系列,新器件特別適合下一代服務(wù)器、臺式電腦、顯卡及通信系統(tǒng)應(yīng)用。
2012-02-17 09:37:09987

華潤上華成功開發(fā)600V和1700V IGBT工藝平臺

華潤微電子有限公司旗下的華潤上華科技有限公司(后簡稱“華潤上華”)宣布已開發(fā)完成600V和1700V Planar NPT IGBT(平面非穿通型絕緣柵雙極晶體管)以及600V Trench PT IGBT(溝槽穿通型絕緣
2012-05-29 08:47:481938

IR Gen8 1200V IGBT技術(shù)平臺為工業(yè)應(yīng)用提升效率及耐用性

國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR推出新一代絕緣閘雙極電晶體 (IGBT) 技術(shù)平臺。全新第八代 (Gen8) 1200V IGBT技術(shù)平臺利用IR新一代溝道閘極場截止技術(shù),為工業(yè)及節(jié)能
2012-11-21 09:39:40994

IR擴充堅固可靠的600V溝道超高速IGBT系列

國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 近日擴充600V絕緣柵雙極晶體管 (IGBT系列,這些經(jīng)過優(yōu)化的新器件尤為適合不間斷電源 (UPS)、太陽能、感應(yīng)加熱、工業(yè)電機和焊接應(yīng)用。
2013-02-19 10:58:47995

IR推出IR3891和IR3892雙輸出SupIRBuck穩(wěn)壓器

全球功率半導體和管理方案領(lǐng)導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR推出IR3891和IR3892 SupIRBuck集成式雙輸出穩(wěn)壓器,適用于空受限的網(wǎng)絡(luò)通信、服務(wù)器和存儲應(yīng)用。
2013-11-20 16:04:251114

IR超高速IGBT 為感應(yīng)加熱和軟開關(guān)應(yīng)用作出優(yōu)化

全球功率半導體和管理方案領(lǐng)導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 宣布推出堅固可靠的超高速1400V溝道絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) IRG7PK35UD1PbF,新器件為電磁爐和微波爐等軟開關(guān)應(yīng)用作出了優(yōu)化。
2014-03-10 09:50:221531

IR擴充堅固可靠的600V節(jié)能溝道IGBT系列

全球功率半導體和管理方案領(lǐng)導廠商——國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 宣布擴充節(jié)能的600V絕緣柵雙極晶體管 (IGBT系列,并提供多種封裝選擇。
2014-05-14 13:58:421271

IR推出650V器件以擴充超高速溝道IGBT系列

2014年10月21日,北京——全球功率半導體和管理方案領(lǐng)導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR推出多款堅固可靠的650V IRGP47xx器件,藉以擴充絕緣柵雙極晶體管 (IGBT系列。
2014-10-21 15:27:421975

IR為高功率工業(yè)應(yīng)用推出IGBT模塊系列

2014年11月10日,北京——全球功率半導體和管理方案領(lǐng)導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR推出完善的IGBT模塊系列,適合電機驅(qū)動逆變器、開關(guān)模式電源、不間斷電源、太陽能逆變器及焊接應(yīng)用等高功率工業(yè)應(yīng)用。
2014-11-11 10:45:412056

IR為混合動力汽車和電動車推出600V車用IGBT

全球功率半導體和管理方案領(lǐng)導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR)近日發(fā)布600V車用IGBT產(chǎn)品AUIRGP66524D0和 AUIRGF66524D0,針對混合動力汽車和電動車中的小型輔助電機驅(qū)動應(yīng)用而優(yōu)化,包括空調(diào)壓縮機應(yīng)用等。
2014-12-11 11:48:092248

Vishay推出最新第4代600V E系列功率MOSFET

賓夕法尼亞、MALVERN — 2017 年 2 月10 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出第四代600V E系列功率
2017-02-10 15:10:111667

高低側(cè)驅(qū)動器IR2101(S)/IR2102(S)(PbF)

The IR2101(S)/IR2102(S) are high voltage, high speed power MOSFET and IGBT drivers with independent high and low side referenced output channels.
2017-09-11 15:33:3329

600V半橋預驅(qū)動器BP6903A

高壓Gatedriver 600V工藝,替代IR2103,替代FD2503,替代SDC9301
2017-11-23 14:17:3233

bp6904a 600V半橋預驅(qū)動器

高壓Gatedriver 600V工藝,替代IR2104,替代FD2504
2017-11-23 14:15:2346

FTDI UMFT60xx 模塊完全兼容於USB3.0/USB2.0/超高速

FTDI 以其極高的性價比和廣泛利用易于實現(xiàn)的特色,推出支持下一代USB接口技術(shù)的新一系列評估/開發(fā)模塊。其最新量產(chǎn)的 UMFT60XX 產(chǎn)品使用 FT600/1Q USB3.0 超高速集成芯片,該模塊系列共有4種型號,提供不同的FIFO總線接口和數(shù)據(jù)位寬。
2018-05-15 11:36:002247

IR2133,IR2135和IR2233,IR2355的詳細中文數(shù)據(jù)手冊

IR2133IR2135 / IR2233IR2355(J&S)是高壓,高速功率MOSFET和IGBT驅(qū)動器,具有三個獨立的高端和低端參考輸出通道,用于3相應(yīng)用。專有的HVIC技術(shù)可實現(xiàn)堅固耐用的單片結(jié)構(gòu)
2018-05-31 13:00:0058

IR2104(S)半橋驅(qū)動器的詳細中文資料免費下載

Ir2104(S)是高電壓,高速功率MOSFET和IGBT驅(qū)動器與依賴高和低側(cè)參考輸出通道。專有的HVIC和閂鎖免疫CMOS技術(shù)使堅固的單片結(jié)構(gòu)。邏輯輸入與標準CMOS或LSTTL輸出兼容,降低
2018-07-17 08:00:00175

IR2133系列高電壓和高速功率MOSFET IGBT驅(qū)動器的數(shù)據(jù)手冊免費下載

IR2133IR2135/IR2233 IR2355(J&S)是高電壓、高速功率MOSFET和IGBT驅(qū)動器,具有三個獨立的高側(cè)和低側(cè)參考輸出通道,用于三相應(yīng)用。專有的HVIC技術(shù)使堅固的單片結(jié)構(gòu)
2019-06-20 08:00:0014

IR2101和IR2102系列高低側(cè)驅(qū)動器的數(shù)據(jù)手冊

IR2101(S)/IR2102(S)是高壓、高速功率MOSFET和IGBT驅(qū)動器,具有獨立的高、低壓側(cè)參考輸出通道。專有的HVIC和閂鎖免疫CMOS技術(shù)使加固單片結(jié)構(gòu)成為可能。邏輯輸入與標準
2020-07-21 08:00:0065

IR4301和IR4311的主要特性及應(yīng)用解決方案

IR4301,IR4311集成了PWM控制器和數(shù)字音頻MOSFET,構(gòu)成了高性能D類音頻放大器。
2021-03-18 16:27:274857

ir2110驅(qū)動替代料ID7S625 600V大電流驅(qū)動芯片

常見的MOS管驅(qū)動方式有非隔離的直接驅(qū)動、自舉驅(qū)動,和有隔離的變壓器驅(qū)動、光耦隔離驅(qū)動等,ir2110驅(qū)動芯片替代料ID7S625高壓高低側(cè)柵極驅(qū)動芯片是一款基于P襯底、P外延的高壓、高速功率
2022-07-30 16:48:441471

600V SPM? 2 系列性能(通過安裝扭矩)

600V SPM? 2 系列性能(通過安裝扭矩)
2022-11-15 20:04:030

600V耐壓IGBT IPM BM6337x系列介紹

關(guān)鍵詞 兼具業(yè)內(nèi)優(yōu)異的降噪和低損耗特性 600V耐壓IGBT IPM/li> 各種變頻器的功率轉(zhuǎn)換用 BM6337x系列 無需自舉二極管和限流電阻 當保護電路被激活時,警報輸出(...
2023-02-08 13:43:21561

600V耐壓IGBT IPM:BM6337x系列:兼具業(yè)內(nèi)出優(yōu)異的降噪和低損耗特性

600V耐壓IGBT IPM:BM6337x系列?關(guān)鍵詞 兼具業(yè)內(nèi)優(yōu)異的降噪和低損耗特性 600V耐壓IGBT IPM 各種變頻器的功率轉(zhuǎn)換用 BM6337x系列 優(yōu)化內(nèi)置...
2023-02-08 13:43:21869

ir2104驅(qū)動芯片代換料ID7U603SEC-R1 600V半橋預驅(qū)方案

ID7U603是一款基于P襯底、P外延的高壓、高速功率MOSFET和IGBT半橋驅(qū)動芯片,可兼容代換IR2104,應(yīng)用領(lǐng)域于中小型功率電機驅(qū)動、功率MOSFET或IGBT驅(qū)動、照明鎮(zhèn)流器、半橋驅(qū)動
2023-03-29 09:24:35935

600V三相MOSFET/IGBT驅(qū)動器

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《600V三相MOSFET/IGBT驅(qū)動器.pdf》資料免費下載
2023-09-25 11:27:500

如何檢測復雜的超高速調(diào)制光信號?

如何檢測復雜的超高速調(diào)制光信號? 1. 背景介紹 隨著通信技術(shù)的不斷發(fā)展,越來越多的通信系統(tǒng)采用了超高速調(diào)制光信號傳輸數(shù)據(jù)。超高速調(diào)制光信號的傳輸速度非???,可以達到每秒數(shù)十億次甚至數(shù)百億次。然而
2023-10-30 11:01:09212

ID5S609SEC-R1 600V高低側(cè)柵極驅(qū)動芯片可代換IR2304-id5s609芯片資料

供應(yīng)ID5S609SEC-R1 600V高低側(cè)柵極驅(qū)動芯片可代換IR2304,提供id5s609芯片資料關(guān)鍵參數(shù) ,廣泛應(yīng)用于中小型功率電機驅(qū)動、功率MOSFET或IGBT驅(qū)動、半橋功率逆變器
2023-07-20 14:20:134

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